位置检测装置的制作方法

1.本发明涉及位置检测装置。


背景技术：

2.作为公开了相机模块的构成的在先文献，存在日本特开2015-194660号公报(专利文献1)。专利文献1中记载的相机模块具备：透镜、保持透镜的透镜架、安装于透镜架的自动对焦用磁体、手抖动补偿用磁体、自动对焦用磁传感器和手抖动补偿用磁传感器。手抖动补偿用磁传感器具备x轴手抖动补偿用磁传感器和y轴手抖动补偿用磁传感器。现有技术文献
3.专利文献1：日本特开2015-194660号公报


技术实现要素：

发明所要解决的课题
4.专利文献1中记载的相机模块具备自动对焦用磁传感器、x轴手抖动补偿用磁传感器和y轴手抖动补偿用磁传感器，需要三个以上的磁传感器。
5.本发明就是鉴于上述问题点而实现的，其目的在于提供一种能够基于两个磁传感器的输出值检测x轴方向、y轴方向和z轴方向的位置的位置检测装置。解决课题的技术手段
6.基于本发明的位置检测装置具备透镜架、第一磁体、第二磁体、第一磁传感器、第二磁传感器。透镜架保持具有光轴方向的透镜，能够在光轴方向上和与光轴方向正交的面内方向上移动。第一磁体安装于透镜架，产生第一磁场。第二磁体安装于透镜架，产生第二磁场。第一磁传感器被固定配置，检测由在透镜架移动时相对移动的第一磁体施加的第一磁场。第二磁传感器被固定配置，检测由在透镜架移动时相对移动的第二磁体施加的第二磁场。第一磁体的磁化方向沿与光轴方向正交的第一方向。第二磁体的磁化方向沿与光轴方向和第一方向均正交的第二方向。第一磁传感器的磁敏面沿与光轴方向平行的第三方向、和第一方向这两个方向。第二磁传感器的磁敏面沿第三方向和第二方向这两个方向。位置检测装置基于第一磁传感器的输出值的变化检测透镜架的第一方向上的位置。位置检测装置基于第二磁传感器的输出值的变化检测透镜架的第二方向上的位置。位置检测装置基于第一磁传感器和第二磁传感器的输出值的变化检测透镜架的第三方向上的位置。发明的效果
7.根据本发明，能够基于两个磁传感器的输出值，检测第一方向即x轴方向、第二方向即y轴方向和第三方向即z轴方向的位置。
附图说明
8.图1是表示包括本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置的透镜驱动装置的构成的立体图。
图2是从箭头ii方向观察的图1的透镜驱动装置的侧视图。图3是表示作用于本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器的磁敏面的第一磁场相对于基准角的相位的平面图。图4是表示作用于本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第二磁传感器的磁敏面的第一磁场相对于基准角的相位的平面图。图5是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，施加于磁传感器的磁场相对于基准角的相位和磁传感器的输出之间的关系的曲线图。图6是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器和第二磁传感器各自的构成的图。图7是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器和第二磁传感器各自的电路构成的图。图8是放大表示图6的viii部的立体图。图9是从图8的ix-ix线箭头方向观察的截面图。图10是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置和驱动机构之间的连接结构的框图。图11是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的x轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图12是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的x轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。图13是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的y轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图14是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的y轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。图15是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的z轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图16是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的z轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。图17是表示本发明的一个实施方式的变形例所涉及的位置检测装置中的第一磁传感器和第二磁传感器的安装方式的侧视图。
具体实施方式
9.以下，参照附图说明本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置。在以下的实施方式的说明中，对图中相同或相当的部分标注相同标号，不重复相关说明。
10.图1是表示包括本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置的透镜驱动装置的构成的立体图。图2是从箭头ii方向观察的图1的透镜驱动装置的侧视图。在图1和图2中，将与后述的光轴方向正交的第一方向图示为x轴方向，将与光轴方向和x轴方向均正交的第二方向图示为y轴方向，将与透镜的光轴方向平行的第三方向图示为z轴方向。
11.如图1和图2所示，包括本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置的透镜驱动装置100具备基板110、透镜架120、第一磁体140、第二磁体150、第一磁传感器160和第二磁
传感器170。本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置具备透镜架120、第一磁体140、第二磁体150、第一磁传感器160和第二磁传感器170。
12.透镜架120保持未图示的透镜。透镜具有光轴方向。透镜架120具有以图2所示的透镜的光轴c为中心的筒状的形状。透镜架120经由驱动机构130搭载于基板110。驱动机构130包括与基板110连接的、未图示的线缆。
13.在本发明的一个实施方式中，驱动机构130为使透镜架120在与光轴c平行的方向即透镜的光轴方向上移动的、实现所谓自动对焦功能的驱动机构。另外，驱动机构130为使透镜架120在与光轴方向正交的面内方向上移动的、实现所谓手抖动补偿功能的驱动机构。
14.驱动机构130包括压电马达或致动器。此外，驱动机构130不限定于包括压电马达或致动器的构成，也可以以包括音圈马达的方式构成。
15.第一磁体140和第二磁体150各自被安装于透镜架120。第一磁传感器160和第二磁传感器170各自固定配置于基板110上。第一磁传感器160和第二磁传感器170各自安装于与z轴方向正交的安装面111上。安装面111是基板110的主面。
16.如图1所示，第一磁体140位于透镜架120的外周侧。如图2所示，第一磁体140相对于第一磁传感器160位于z轴方向的一侧。第一磁体140具有长方体状的形状。如图1所示，第一磁体140的磁化方向沿x轴方向。第一磁体140的磁化的朝向141朝向x轴方向的另一侧。具体而言，x轴方向上的第一磁体140的一侧为s极，第一磁体140的另一侧为n极。第一磁体140产生第一磁场。
17.如图1所示，第二磁体150位于透镜架120的外周侧。第二磁体150在透镜架120的径向上位于第一磁体140的相反侧。如图2所示，第二磁体150相对于第二磁传感器170位于z轴方向的一侧。第二磁体150具有长方体状的形状。如图1所示，第二磁体150的磁化方向沿y轴方向。第二磁体150的磁化的朝向151朝向y轴方向的另一侧。具体而言，y轴方向上的141的一侧为s极，第一磁体140的另一侧为n极。第二磁体150产生第二磁场。
18.在本发明的一个实施方式中，第一磁体140和第二磁体150与透镜架120一起在z轴方向和xy面内方向上移动。即，第一磁体140相对于第一磁传感器160的相对位置能够在x轴方向、y轴方向和z轴方向的各个方向上变化。第二磁体150相对于第二磁传感器170的相对位置能够在x轴方向、y轴方向和z轴方向的各个方向上变化。
19.第一磁传感器160被配置于以下位置，即：在第二磁体150和第二磁传感器170位于在z轴方向上重叠的位置时，第一磁传感器160在z轴方向上不与第一磁体140重叠。第二磁传感器170被配置于以下位置，即：在第一磁体140和第一磁传感器160位于在z轴方向上重叠的位置时，第二磁传感器170在z轴方向上不与第二磁体150重叠。
20.第一磁传感器160检测由在透镜架120移动时相对移动的第一磁体140施加的第一磁场。第二磁传感器170检测由在透镜架120移动时相对移动的第二磁体150施加的第二磁场。
21.图3是表示作用于本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器的磁敏面的第一磁场相对于基准角的相位的平面图。如图3所示，第一磁传感器160的磁敏面沿着x轴方向和z轴方向这两个方向。第一磁传感器160检测由第一磁体140施加的第一磁场m1。由于第一磁体140相对于第一磁传感器160的相对位置变化，第一磁场m1相对于通过第一磁传感器160的中心pc的基准角b的相位θ位移。
22.图4是表示作用于本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第二磁传感器的磁敏面的第一磁场相对于基准角的相位的平面图。如图4所示，第二磁传感器170的磁敏面沿y轴方向和z轴方向这两个方向。第二磁传感器170检测由第二磁体150施加的第二磁场m2。由于第二磁体150相对于第二磁传感器170的相对位置变化，第二磁场m2相对于通过第二磁传感器170的中心pc的基准角b的相位θ位移。
23.图5是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，施加于磁传感器的磁场相对于基准角的相位和磁传感器的输出之间的关系的曲线图。在图5中，纵轴表示第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出(vout)，横轴表示分别施加于第一磁传感器160和第二磁传感器170的磁场m1、m2相对于基准角的相位θ(deg)。此外，在图5中示出了与磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ无关地、在构成磁传感器的磁阻效应元件被施加了饱和磁场以上的磁场m1、m2的情况下，第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出(vout)的推移。
24.如图5所示，第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出(vout)与分别施加于第一磁传感器160和第二磁传感器170的磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ之间，满足vout＝sinθ的关系。
25.在第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出(vout)与磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ相对具有线性关系的范围内，能够利用第一磁传感器160和第二磁传感器170分别检测磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ。即，在sin曲线中除弯曲的顶点部之外的、大致直线状倾斜部的范围内，能够利用第一磁传感器160和第二磁传感器170分别检测磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ。
26.另一方面，在θ＝90
°
或θ＝-90
°
时，第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出(vout)与磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ相对不具有线性关系，因此，无法利用第一磁传感器160和第二磁传感器170分别检测磁场m1、m2相对于基准角b的相位θ。
27.图6是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器和第二磁传感器各自的构成的图。图7是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置所具备的第一磁传感器和第二磁传感器各自的电路构成的图。
28.如图6和图7所示，第一磁传感器160和第二磁传感器170分别具有构成电桥电路的多个磁阻效应元件。在本发明的一个实施方式中，第一磁传感器160和第二磁传感器170分别具有第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4。
29.具体而言，如图6所示，在第一磁传感器160和第二磁传感器170中，各自的第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4分别设置于传感器基板sb的上表面。传感器基板sb上设置有电源端子vcc、接地端子gnd、第一输出端子v+和第二输出端子v-。第一磁场m1在沿着位于传感器基板sb的上表面的磁敏面的方向上对第一磁传感器160施加。第二磁场m2在沿着位于传感器基板sb的上表面的磁敏面的方向上对第二磁传感器170施加。
30.第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4彼此电连接而构成惠斯通电桥型的电桥电路。此外，第一磁传感器160和第二磁传感器170各自也可以具有由第一磁阻效应元件mr1和第二磁阻效应元件mr2构成的半桥
电路。
31.第一磁阻效应元件mr1和第二磁阻效应元件mr2的串联连接体与第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4的串联连接体，在电源端子vcc与接地端子gnd之间并联连接。第一磁阻效应元件mr1与第二磁阻效应元件mr2的连接点处连接有第一输出端子v+。第三磁阻效应元件mr3与第四磁阻效应元件mr4的连接点处连接有第二输出端子v-。
32.第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4分别为tmr(tunnel magneto resistance：隧道磁阻)元件。
33.第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4各自的外形为大致矩形。第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4整体为大致正方形。第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的中心pc位于该正方形的中心。
34.图8是放大表示图6的viii部的立体图。图9是从图8的ix-ix线箭头方向观察的截面图。如图8所示，第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4分别由多个tmr元件10串联连接而构成。多个tmr元件10以矩阵状设置。
35.具体而言，由层叠且彼此串联连接的多个tmr元件10构成多层元件10b。由彼此串联连接的多个多层元件10b构成元件列10c。多个元件列10c在一端与另一端处交替地通过导线20连接。由此，在第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4各自之中，多个tmr元件10电气串联连接。
36.如图8所示，在多层元件10b中位于下侧的tmr元件10的上部电极层18和位于上侧的tmr元件10的下部电极层11作为中间电极层19而一体地构成。即，在多层元件10b内彼此相邻的tmr元件10中的上部电极层18和下部电极层11作为中间电极层19而一体地构成。
37.如图9所示，第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第四磁阻效应元件mr4各自的tmr元件10具有由下部电极层11、反铁磁层12、第一参考层13、非磁性中间层14、第二参考层15、隧道阻挡层16、自由层17和上部电极层18构成的层叠构造。
38.下部电极层11例如包括含有ta和cu的金属层或金属化合物层。反铁磁层12设置于下部电极层11之上，例如包括irmn、ptmn、femn、nimn、rurhmn或crptmn等的金属化合物层。第一参考层13设置于反铁磁层12之上，例如包括cofe等铁磁层。
39.非磁性中间层14设置于第一参考层13之上，例如包括由从ru、cr、rh、ir和re中选择的至少其中一种、或者这些金属中的两种以上的合金构成的层。第二参考层15设置于非磁性中间层14之上，例如包括cofe或cofeb等铁磁层。
40.隧道阻挡层16设置于第二参考层15之上，包括由氧化镁等含有mg、al、ti、zn、hf、ge和si的至少其中一种或两种以上的氧化物构成的层。自由层17设置于隧道阻挡层16之上，例如包括cofeb、或者由co、fe和ni等的至少其中一种或两种以上的合金构成的层。上部电极层18设置于自由层17之上，例如包括ta、ru或cu等的金属层。
41.第一磁阻效应元件mr1和第四磁阻效应元件mr4各自的钉扎层的磁化方向与第二磁阻效应元件mr2和第三磁阻效应元件mr3各自的钉扎层的磁化方向彼此以180
°
相反。
42.此外，第一磁阻效应元件mr1、第二磁阻效应元件mr2、第三磁阻效应元件mr3和第
四磁阻效应元件mr4各自也可以具有以gmr(giant magneto resistance：巨磁阻)元件或amr(anisotropic magneto resistance：各向异性磁阻)元件等替代tmr元件的磁阻效应元件。
43.图10是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置和驱动机构之间的连接结构的框图。如图10所示，第一磁传感器160和第二磁传感器170各自经由控制部180与驱动机构130电连接。第一磁传感器160和第二磁传感器170各自的输出值被输入控制部180。控制部180基于分别来自第一磁传感器160和第二磁传感器170的输出值，控制驱动机构130的动作。
44.图11是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的x轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图12是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的x轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。图13是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的y轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图14是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的y轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。图15是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的z轴方向的位移导致的第一磁传感器的输出值的推移的曲线图。图16是表示本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，透镜架的z轴方向的位移导致的第二磁传感器的输出值的推移的曲线图。
45.在图11中，横轴表示透镜架的x轴方向的位移(mm)，纵轴表示第一磁传感器160的输出值(vout)。在图12中，横轴表示透镜架的x轴方向的位移(mm)，纵轴表示第二磁传感器170的输出值(vout)。在图13中，横轴表示透镜架的y轴方向的位移(mm)，纵轴表示第一磁传感器160的输出值(vout)。在图14中，横轴表示透镜架的y轴方向的位移(mm)，纵轴表示第二磁传感器170的输出值(vout)。在图15中，横轴表示透镜架的z轴方向的位移(mm)，纵轴表示第一磁传感器160的输出值(vout)。在图16中，横轴表示透镜架的z轴方向的位移(mm)，纵轴表示第二磁传感器170的输出值(vout)。
46.如图11和图12所示，通过透镜架120向x轴方向的一个方向位移，第一磁传感器160的输出值在具有线性的同时降低，第二磁传感器170的输出值大致恒定。
47.如图13和图14所示，通过透镜架120向y轴方向的一个方向位移，第一磁传感器160的输出值大致恒定，第二磁传感器170的输出值在具有线性的同时降低。
48.如图15和图16所示，通过透镜架120向z轴方向的一个方向位移，第一磁传感器160的输出值在具有线性的同时降低，第二磁传感器170的输出值在具有线性的同时增加。
49.控制部180基于第一磁传感器160的输出值的变化检测透镜架120的x轴方向上的位置，基于第二磁传感器170的输出值的变化检测透镜架120的y轴方向上的位置，基于第一磁传感器160和第二磁传感器170的输出值的变化检测透镜架120的z轴方向上的位置。
50.在本实施方式中，控制部180基于第一磁传感器160的输出值与第二磁传感器170的输出值之差的变化，检测透镜架120的z轴方向上的位置。然而，控制部180也可以基于第一磁传感器160的输出值与第二磁传感器170的输出值之和的变化，检测透镜架120的z轴方向上的位置，还可以仅基于第一磁传感器160的输出值的变化或仅基于第二磁传感器170的输出值的变化，检测透镜架120的z轴方向上的位置。
51.控制部180通过基于检测出的透镜架120的z轴方向上的位置驱动驱动机构130，从而使透镜架120在光轴方向上移动，实现所谓自动对焦功能。
52.接着，控制部180通过基于检测出的透镜架120的x轴方向和y轴方向上的位置驱动驱动机构130，从而使透镜架120在与光轴方向正交的面内方向上移动，实现所谓手抖动补偿功能。
53.在本发明的一个实施方式所涉及的位置检测装置中，基于第一磁传感器160的输出值的变化检测透镜架120的x轴方向上的位置，基于第二磁传感器170的输出值的变化检测透镜架120的y轴方向上的位置，基于第一磁传感器160和第二磁传感器170的输出值的变化检测透镜架120的z轴方向上的位置。由此，能够基于两个磁传感器的输出值，检测x轴方向、y轴方向和z轴方向上的位置。
54.由此，能够使透镜驱动装置100小型化，并且减少部件数量而低成本地制造透镜驱动装置100。
55.在本实施方式中，第一磁传感器160和第二磁传感器170分别具有构成电桥电路的多个的磁阻元件。由此，能够得到基于磁敏面内的磁场的方向的输出值。
56.在本实施方式中，第一磁传感器160和第二磁传感器170分别安装于与z轴方向正交的安装面111上。由此，能够将第一磁传感器160和第二磁传感器170分别直接安装于基板110的主面上，能够分别容易地安装第一磁传感器160和第二磁传感器170。
57.此外，第一磁传感器160和第二磁传感器170的各自的安装方式不限定于上述内容。图17是表示本发明的一个实施方式的变形例所涉及的位置检测装置中的第一磁传感器和第二磁传感器的安装方式的侧视图。
58.如图17所示，在本发明的一个实施方式的变形例所涉及的位置检测装置中，第一磁传感器160和第二磁传感器170分别安装于与z轴方向平行的安装面191上。在本变形例中，安装基板190被安装于基板110上。安装面191是安装基板的主面。通过该构成，能够将第一磁传感器160和第二磁传感器170分别与通常的芯片部件相同地安装于安装基板190。
59.应该认为本次公开的实施方式的所有方面都仅为例示，并非限定性的。本发明的范围并不由上述说明示出，而是通过权利要求书的范围示出，其意图在于包括与权利要求书的范围等同的意义及范围内的所有变更。标号的说明
60.10tmr元件；10b多层元件；10c元件列；11下部电极层；12反铁磁层；13第一参考层；14非磁性中间层；15第二参考层；16隧道阻挡层；17自由层；18上部电极层；19中间电极层；20导线；100透镜驱动装置；110基板；111、191安装面；120透镜架；130驱动机构；140第一磁体；141、151磁化的朝向；150第二磁体；160第一磁传感器；170第二磁传感器；180控制部；190安装基板；b基准角；c光轴；gnd接地端子；m1第一磁场；mr1第一磁阻效应元件；mr2第二磁阻效应元件；mr3第三磁阻效应元件；mr4第四磁阻效应元件；pc中心；sb传感器基板；v第二输出端子；v第一输出端子；vcc电源端子。

技术特征：
1.一种位置检测装置，其具备：透镜架，保持具有光轴方向的透镜，能够在所述光轴方向上和与所述光轴方向正交的面内方向上移动；第一磁体，安装于所述透镜架，产生第一磁场；第二磁体，安装于所述透镜架，产生第二磁场；第一磁传感器，其被固定配置，检测由在所述透镜架移动时相对移动的所述第一磁体施加的所述第一磁场；以及第二磁传感器，其被固定配置，检测由在所述透镜架移动时相对移动的所述第二磁体施加的所述第二磁场，所述第一磁体的磁化方向沿与所述光轴方向正交的第一方向，所述第二磁体的磁化方向沿与所述光轴方向和所述第一方向均正交的第二方向，所述第一磁传感器的磁敏面沿与所述光轴方向平行的第三方向、和所述第一方向这两个方向，所述第二磁传感器的磁敏面沿所述第三方向和所述第二方向这两个方向，基于所述第一磁传感器的输出值的变化检测所述透镜架的所述第一方向上的位置，基于所述第二磁传感器的输出值的变化检测所述透镜架的所述第二方向上的位置，基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的输出值的变化检测所述透镜架的所述第三方向上的位置。2.根据权利要求1所述的位置检测装置，其中，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器分别具有构成电桥电路的多个磁阻元件。3.根据权利要求1或2所述的位置检测装置，其中，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器分别安装于与所述第三方向正交的安装面上。4.根据权利要求1或2所述的位置检测装置，其中，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器分别安装于与所述第三方向平行的安装面上。

技术总结
位置检测装置基于第一磁传感器(160)的输出值的变化检测透镜架(120)的X轴方向上的位置。位置检测装置基于第二磁传感器(170)的输出值的变化检测透镜架(120)的Y轴方向上的位置。位置检测装置基于第一磁传感器(160)和第二磁传感器(170)的输出值的变化检测透镜架(120)的Z轴方向上的位置。(120)的Z轴方向上的位置。(120)的Z轴方向上的位置。


技术研发人员：中村大佐
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.08.12
技术公布日：2023/7/12