底部处理的制作方法

底部处理
1.本发明申请是申请号为201680064396.3，申请日为2016年10月10日，名称为“底部处理”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
2.本公开内容的实施方式一般地涉及用于半导体处理的方法及装置。更具体而言，本文所述的实施方式涉及用于处理基板的底侧的方法及装置。


背景技术：

3.在芯片制造过程中，基板经历了不均匀的局部变形(distortion)，若没有被修正的话，局部变形会导致层与层之间产生光刻图案(lithography pattern)的未对准(misalignment)。既然可在光刻印刷期间使图案光学对位，对某些型态的变形而言，可校正定位(registration)。然而，对其它类型的变形而言，校正是不可能的且会导致产量损失的结果。此外，随着特征尺寸继续缩减，对变形的容限(tolerance)会降低，并且不可校正的变形的数量会增加。
4.先前已经通过将受控量的离子局部注入到硬掩模中以产生局部应变(local strain)，来校正变形。局部应变可补偿原本存在的应变。然而，可能导致含有所选择的离子的下层的污染。
5.校正变形的其它尝试涉及硬掩模的可变局部表面退火，以产生局部应变来补偿原本存在的局部应变。然而，另一方面，当在随后的处理期间去除硬掩模的表面时，会发生局部松弛(relaxation)。
6.因此，在本技术领域中需要用于处理基板的背侧的方法与系统。


技术实现要素：

7.在一个实施方式中，公开了一种用于处理基板的背侧的方法。所述方法可包括下列步骤：于基板的背侧上沉积膜；退火基板；及于基板的背侧上进行注入。所述方法进一步包括热处理基板的背侧。
8.在另一个实施方式中，公开了一种用于处理基板的背侧的方法。所述方法可包括下列步骤：退火基板；注入基板的背侧；及热处理基板的背侧。所述方法可进一步包括下列步骤：蚀刻基板的背侧；及对准基板以进行图案化。
9.在又一个实施方式中，公开了一种用于处理基板的工具。所述工具可包括：处理腔室，用以在基板的背侧上沉积多个膜层。所述处理腔室可包括：传送腔室、沉积工具、退火工具及蚀刻工具。退火工具可将基板的背侧上的多个膜层退火，且退火工具可包括基板边缘支撑件。蚀刻工具可蚀刻基板的背侧，并可包括基板边缘支撑件。
附图说明
10.以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被具体理解的方式、以及本公开
内容的更特定描述，可以通过参照实施方式获得，实施方式中的一些绘示于附图中。然而，应当注意，附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，因而不应被视为是对本发明的范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等同有效的实施方式。
11.图1示意性图解根据一个实施方式的用于处理基板的背侧的方法的操作。
12.图2示意性图解根据一个实施方式的用于处理基板的背侧的方法的操作。
13.图3图示根据一个实施方式的沉积腔室的示意图。
14.图4图示根据一个实施方式的用于热处理基板的装置的概要等角视图。
15.图5图示根据一个实施方式的用于热处理基板的快速热处理腔室的示意性等距图。
16.图6图示根据一个实施方式的用于热处理基板的装置的示意图。
17.图7图示根据一个实施方式的蚀刻反应器的示意图。
18.图8图示根据一个实施方式的具有多个基板处理腔室的群集工具传送腔室的顶部示意图。
19.为了便于理解，尽可能地，已经使用相同的附图标号来标示附图中共通的相同元件。考虑到，在一个实施方式中公开的元件在没有特定描述下可以有益地用于其它实施方式。
具体实施方式
20.一般来说，本文所公开的实施方式涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可藉由任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻等方法在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形之应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术可形成结构。可由期望的应力图(stress map)来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。
21.如本文所应用，基板可以是任何合适的基板，如单晶硅基板；绝缘体上硅(soi)；硅锗或其合金；如用于制造薄膜晶体管(tft)的玻璃或石英基板，其上具有硅层，或类似物。基板可以具有在基板的器件侧上形成的器件和结构。
22.图1图解方法100的操作，方法100可用于处理基板的背侧，以补偿基板的前侧上的应变。
23.在操作110，在基板的背侧上沉积膜。可利用任何系列腔室来完成沉积，系列腔室可购自加州圣塔克拉拉市的应用材料公司。在某些实施方式中，所述膜可为沉积在基板的背侧上的覆盖膜(blanket film)。所述膜可以是，或可以包括，非晶碳膜、氧化硅膜或氮化硅膜。
24.将一区块的膜沉积到基板的对应区块。可将膜沉积到基板的背侧上。在某些实施方式中，所述膜的区块可对应到基板的前侧上的裸片。可将膜沉积达介于约40纳米与约120纳米之间的厚度。在某些实施方式中，可将膜沉积至基板的边缘。
25.可使用本技术领域中已知的标准图案化技术，在基板的背侧上形成具有不同厚度或具有变化厚度的层。因此，可在退火所述膜层时产生不同的应力。举例而言，在某些实施
方式中，可在基板的背侧上沉积覆盖膜层，且可使用掩模将附加的膜选择性地沉积在期望的位置内。可通过调整处理条件来选择及施加覆盖膜及附加膜中的应力。
26.举例而言，可在基板的背侧上沉积非晶碳层。可在非晶碳层上沉积氧化硅层。可图案化氧化硅层以形成掩模，且接着在基板上方沉积第二非晶碳层。可在所述背侧上平坦化基板，以暴露氧化硅掩模，接着可移除氧化硅掩模而留下具有选择性变化的厚度的非晶碳层。
27.于操作120，可将基板的背侧退火。退火可改变背侧膜的结构，并根据任何期望的图案调整膜内的应变。举例而言，退火可松弛所沉积的膜内的应变。可对膜选择性地局部退火，以在基板的背侧上产生校正应变(correcting strain)，校正应变可补偿基板的前侧上的非期望应变。在某些实施方式中，也可在一个步骤中对膜进行全面性退火(blanket anneal)，以调整在沉积期间被选择性地加入膜内的应变。在一个实施方式中，可通过将设计过的膜层施加到基板的背侧来产生校正应变。在另一个实施方式中，可经由利用来自先前处理之已存在膜层来产生校正应变。
28.在某些实施方式中，退火可为点退火(spot annealing)。点退火可发生在基板的背侧的选择位置上。退火操作可利用各种类型的能量。在某些实施方式中，退火可为纳秒退火工艺。在其它实施方式中，退火可为毫秒退火工艺。
29.退火可导致基板的背侧上的期望层的改变，其可用于减轻所沉积的层中的应力和/或应变。选择性地减轻应力和/或应变可在基板中产生应力的图案，以补偿由热处理产生的结构不均匀性。可在退火工艺期间改变整体基板的应力状态，因此可设计退火工艺来产生基板的中间应力/应变状态，而由后续处理可进一步改变基板的中间应力/应变状态。
30.在某些实施方式中，可在基板的背侧上界定多个区块，并可使用不同的工艺条件对各区块进行退火。举例而言，可经由纳秒退火工艺来退火第一区块，并经由毫秒退火工艺来退火第二区块。在另一个实施方式中，可在基板的背侧上选择性地沉积材料层。举例而言，可在第一层上沉积非晶碳，而对其它层涂布二氧化硅。
31.于操作130，可对基板的背侧进行注入。可利用任何腔室来完成注入，腔室可购自位于加州圣塔克拉拉市的应用材料公司。注入是调整背侧膜中应力的另一种方式，其通过加入掺杂剂来调整应力。可在本公开内容中应用的一类膜包括高级图案化膜(advanced patterning film；)，其包括非晶碳材料。由此，可沉积经掺杂的非晶碳，可沉积未掺杂的非晶碳，或可沉积未掺杂的非晶碳再进行后续掺杂。膜也可包含氮化物、金属硅化物或经历相变的任何其它材料中的一者。在某些实施方式中，膜可以是自吸收的(self-absorbing)，这是因为膜可以溶解和/或扩散进入基板。
32.可选择注入的掺杂剂来调整所沉积的层中的应力。可以根据图案注入掺杂剂，以修改膜的特定区块中的应力。应力可以是拉伸应力和/或压缩应力。掺杂剂可以是金属或非金属。掺杂剂可包括：he、ne、ar、f、cl、br、o、n、p、as、si、ge、sn、b、al、ga、in、zn、cu、ag、au、ni、ti及前述掺杂剂的组合或合金。
33.可由离子束或等离子体来进行注入。在某些实施方式中，注入可为直接注入。在其它实施方式中，注入可为沉积后接着扩散。在某些实例中，可在扩散注入工艺期间使用盖层(capping layer)。
34.在不同的实施方式中，可蚀刻基板的背侧。如下文所描述的蚀刻腔室可蚀刻基板
的背侧。可使用掩模或其它图案特征，根据期望图案来进行蚀刻工艺，以通过将图案化应力差施加到基板的背侧来影响遍及基板的应力。蚀刻工艺亦可以是将材料从基板的背侧全面性去除(blanket removal)，以将全面性应力差(blanket stress differential)施加至基板的背侧。全面性应力差可以有效地改变基板的一部分中的整个局部应力，而多于基板的另一部分中的整个局部应力，这对于某些实施方式而言是有用的。
35.在不同的实施方式中，可在基板的背侧上形成应力的图案，以补偿基板的前侧上的应变。在某些实施方式中，可在基板的背侧上沉积膜层，其中所述膜层，例如非晶碳，可保持一定的沉积时应力(压缩应力或拉伸应力)。可在选择的位置内对所沉积的膜层进行退火，以减轻应力。
36.在另一个实施方式中，可在基板的背侧上沉积非晶碳，并选择性地注入非晶碳。随后，可将基板退火，以形成图案，所述图案可产生相异应力矩阵(stress matrix)，因而在基板的背侧上产生应力的图案。
37.在另一个实施方式中，可在基板的背侧上沉积具有不同厚度的膜层。后续可根据图案将基板退火，因而在基板的背侧上产生应力的图案。
38.在另一个实施方式中，可蚀刻基板的背侧以选择性移除膜层，因而在基板的背侧上产生相异厚度并产生应力的图案。
39.方法100可进一步包括对准基板以进行图案化、定位基板中的变形，以及通过平坦化基板来补偿变形。
40.图2图解方法200的操作，方法200可用于处理基板的背侧，以补偿基板的前侧上的应变。
41.于操作210，可对基板的背侧进行退火。退火可改变背侧膜的结构，并根据任何期望的图案调整膜内的应变。举例而言，退火可松弛(relax)所沉积的膜内的应变。可对膜选择性地局部退火，以在基板的背侧上产生校正应变(correcting strain)，校正应变可补偿基板的前侧上的非期望应变。在某些实施方式中，也可在一个步骤中对膜进行全面性退火(blanket anneal)，以调整在沉积期间被选择性地加入膜内的应变。在一个实施方式中，可藉由将设计过的膜层施加到基板的背侧来产生校正应变。在另一个实施方式中，可经由利用来自先前处理的已存在膜层来产生校正应变。
42.在某些实施方式中，退火可为点退火(spot annealing)。点退火可发生在基板的背侧的选择位置上。退火操作可利用各种类型的能量。在某些实施方式中，退火可为纳秒退火工艺。在其它实施方式中，退火可为毫秒退火工艺。
43.退火可导致基板的背侧上的期望层的改变，其可用于减轻所沉积的层中的应力和/或应变、施加期望的应力差至基板的背侧，和/或改变基板的应力分布(stress profile)。选择性地减轻应力和/或应变可在基板中产生应力的图案，以补偿由热处理产生的结构不均匀性。可在退火工艺期间改变整体基板的应力状态，因此可设计退火工艺来产生基板的中间应力/应变状态，而由后续处理可进一步改变基板的中间应力/应变状态。
44.在某些实施方式中，可在基板的背侧上界定多个区块，并可使用不同的制程条件对各区块进行退火。举例而言，可透过纳秒退火制程来退火第一区块，并透过毫秒退火制程来退火第二区块。在另一个实施方式中，可在基板的背侧上选择性地沉积材料层。举例而言，可在第一层上沉积非晶碳，而对其它层涂布二氧化硅。
45.于操作220，可对基板的背侧进行注入。可利用任何腔室来完成注入，腔室可购自位于加州圣塔克拉拉市的应用材料公司。注入是通过加入掺杂剂来调整背侧膜中应力的另一种方式。可在本公开内容中应用的一类膜包括高级图案化膜(advanced patterning film；)，其包括非晶碳材料。由此，可沉积经掺杂的非晶碳、可沉积未掺杂的非晶碳，或可沉积未掺杂的非晶碳再进行后续掺杂。膜也可包含氮化物、金属硅化物或经历相变的任何其它材料中的一者。在某些实施方式中，膜可以是自吸收的(self-absorbing)。
46.可选择注入的掺杂剂来调整所沉积的层中的应力。可以根据图案注入掺杂剂，以修改膜的特定区块中的应力。应力可以是拉伸应力和/或压缩应力。掺杂剂可以是金属或非金属。掺杂剂可包括：he、ne、ar、f、cl、br、o、n、p、as、si、ge、sn、b、al、ga、in、zn、cu、ag、au、ni、ti及前述掺杂剂的组合或合金。
47.可由离子束或等离子体来进行注入。在某些实施方式中，注入可为直接注入。在其它实施方式中，注入可为沉积后接着扩散。在某些实例中，可在扩散注入工艺期间使用盖层(capping layer)。
48.于操作230，可蚀刻基板的背侧。如下文所描述的蚀刻腔室可蚀刻基板的背侧。于操作240，可对准基板以进行图案化。
49.在某些实施方式中，方法200可进一步包括将膜沉积在基板的背侧上。一类的膜可被用来增进光刻术的图案化。因此，膜可包含氮化物、非晶碳、金属硅化物或可进行相变的任何其它材料中的一者。在某些实施方式中，膜可以是自吸收的(self-absorbing)。可将膜的某区块沉积到基板的对应区块。在某些实施方式中，膜的区块可对应到基板的前侧上的裸片。可将膜沉积达介于约40纳米与约120纳米之间的标准深度。
50.在其它实施方式中，方法200进一步包括：定位基板中的变形，以及通过平坦化基板来补偿所述变形。
51.图3图示用于处理基板的装置。图3的装置可以是如上所述，用于在基板的背侧上沉积膜的等离子体沉积腔室。
52.图3示出腔室300的示意性截面图，腔室300界定两个处理区域318、320。腔室主体302包括侧壁312、内壁314和底壁316，所述侧壁312、内壁314和底壁316界定两个处理区域318、320。各处理区域318、320中的底壁316界定至少两个通道322、324，其中基座加热器328的主干326和基板升降销组件的轴杆330经设置而分别穿过通道322、324。
53.侧壁312和内壁314界定两个圆柱状环型处理区域318、320。周边泵送通道325形成于界定所述圆柱状处理区域318、320的腔室壁中，用以自处理区域318、320排出气体，并控制各区域318、320内的压力。可在各处理区域318、320中设置由陶瓷材料或类似材料制成的腔室衬里或嵌入件327，以界定各处理区域的侧向边界，并保护腔室壁312、314不受到腐蚀性处理环境影响并在电极之间维持电气隔离的等离子体环境。衬里327被支撑于腔室中的凸缘329上，凸缘329形成在各处理区域318、320的壁312、314中。衬里可包括多个排放端口331或周向槽(circumferential slots)，所述排放端口331或周向槽穿过衬里而设置，并与形成在腔室壁中的泵送通道325连通。在一个实施方式中，有约二十四个端口331设置成穿过各衬里327，所述端口331间隔约15度且围绕处理区域318、320的外围定位。尽管上面描述了二十四个端口，但是可以采用任何数量，以实现期望的泵送速率和均匀性。除了端口的数
量之外，端口相对于气体分配系统的面板的高度可受到控制，以在处理期间在基板上方提供最佳的气流模式。
54.在某些实施方式中，腔室300包括基板边缘支撑件380。基板边缘支撑件380可为连续或不连续的壁或为多个柱体，以将基板的边缘部分支撑在基座加热器328的上方。在某些实施方式中，基板边缘支撑件380可避免基板的器件侧与基座加热器328之间的直接接触，以允许将层沉积在基板的背侧上。
55.如前文所述，在某些实施方式中，可利用边缘支撑件380将基板的边缘部分支撑在基座加热器的上方。然而，在某些实施方式中，可由多个销(pin)来支撑基板。多个销可在基板上的任何位置处接触基板，包括在接近基板的边缘的位置处。销支撑件可允许对基板的底部应力膜侧的快速加热(flash heating)。进而，在某些实施方式中，当基板安置和/或被支撑在基板的边缘上时，可对基板的背侧进行激光退火或加热。
56.图4是用于热处理基板的系统400的平面图。可利用系统400对基板施加脉冲式激光辐射，如前文所述。具体而言，可在纳秒退火工艺中利用系统400。进一步地，如前文所述，可利用系统400对基板的背侧进行退火。
57.系统400包括能量模块402、脉冲控制模块404、脉冲成形模块406、均质器408、孔构件416和对准模块418，能量模块402具有可产生多个脉冲式激光脉冲的多个脉冲式激光源；脉冲控制模块404可结合独立的多个脉冲式激光脉冲成为结合脉冲式激光脉冲，并控制结合脉冲式激光脉冲的强度、频率特性和极性特性；脉冲成形模块406可调整经结合的脉冲式激光脉冲的脉冲的时域分布(temporal profile)；均质器408可调整脉冲的空间能量分布，使结合脉冲式激光脉冲重叠成单一均匀能量场；孔构件416可自所述能量场移除残存的边缘不均匀性；且对准模块418使激光能量场与设置在基板支撑件410上的基板的精确对准。控制器412可耦接能量模块402，以控制激光脉冲的产生；控制器412可耦接脉冲控制模块404，以控制脉冲特性；且控制器412可耦接基板支撑件410，以控制基板相对于能量场的移动。通常，外壳414包围系统400的操作性部件。在某些实施方式中，系统400可进一步包括遮蔽环490，用以遮蔽基板的边缘，使基板的边缘不受高热应力。
58.为了类似的目的，基板支撑件410的特征可以是与上面结合图3所述的边缘支撑件380基本相似的边缘支撑件。当载台被移动以定位基板来处理特定的目标区域时，可通过在基板边缘和遮蔽环490之间采用适当小的间距，以使基板在边缘支撑件上的非所欲移动最小化。举例而言，若基板为300mm的基板，则遮蔽环490可具有150.2mm或更小的内半径。
59.如前文所述，在某些实施方式中，可利用边缘支撑件来支撑基板的边缘部分。然而，在某些实施方式中，可由多个销来支撑基板。多个销可在基板上的任何位置处接触基板，包括在接近基板的边缘的位置处。销支撑件可允许对基板的底部应力膜侧的脉冲式激光处理。进而，在某些实施方式中，当基板安置和/或被支撑在基板的边缘上时，可对基板的背侧进行激光处理或加热。
60.激光器可以是能够形成短脉冲(例如持续时间为短于约100nsec)的高功率激光辐射的任何类型激光器。一般而言，使用高模态(modality)激光器，该高模态激光器具有超过500个空间模式(mode)，且m2大于约30。经常使用固态激光器，诸如nd：yag、nd：玻璃、钛-蓝宝石、或其他掺杂有稀土的晶体激光器，但可使用气态激光器，诸如准分子激光器，例如xecl2、arf、或krf激光器。可开关(switch)这些激光器，诸如通过q开关(被动或主动)、增益
开关(gain switching)、或锁模(mode locking)来开关。也可在激光器输出端附近使用普克尔盒(pockels cell)，以通过中断激光器所发射的射束来形成脉冲。大体而言，可用于脉冲式激光处理的激光能够产生具下述特征的激光辐射的脉冲：能量含量介于约100mj与约10j之间，且持续时间介于约1nsec与约100μsec之间，一般而言是在约8nsec内约1j。所述激光可具有介于约200nm与约2,000nm之间的波长，诸如介于约400nm与约1,000nm之间，例如约532nm。在一个实施方式中，所述激光器是q开关、频率加倍的nd：yag激光器。所述激光器可全部在相同波长操作，或这些激光中的一或多个激光器可在与能量模块402中的其它激光器不同的波长下操作。所述激光器可放大(amplify)以发展期望的功率级(power level)。多数情况中，放大的媒介会是与激光媒介相同或类似的组成。每一单独的激光脉冲通常由自身放大，但在某些实施方式中，所有激光脉冲可在组合后放大。
61.传送到基板的典型激光脉冲是多重激光脉冲的组合。多重脉冲在受控时间和彼此受控的关系中产生，使得当组合时，产生激光辐射的单一脉冲，所述激光辐射的单一脉冲具有受控的时间和空间能量分布，具有受控的能量升高、持续时间和衰减，以及能量非均匀性的受控空间分布。控制器412可具有脉冲产生器(例如，耦接到电压源的电子定时器)，所述脉冲产生器可耦接到各激光器(例如，各激光器的各开关)，以控制来自各激光器的脉冲的产生。
62.多个激光器可经排列，使得各激光产生射入脉冲控制模块404的脉冲，脉冲控制模块404可具有一或多个脉冲控制器405。一或多个脉冲离开脉冲控制模块404并进入脉冲成形模块406，脉冲成形模块406具有一或多个脉冲成形器407。
63.在某些实施方式中，可从基板支撑件410下方导引激光辐射朝向基板，所述基板以器件侧朝上(device-side-up)的方式安置在边缘支撑件上。可提供基板支撑件410中的窗或开口，以允许激光辐射从基板支撑件410下方朝向基板的背侧。
64.图5为用于热处理基板的系统500的示意图。如上所述，可利用系统500来退火(经由灯退火)和/或化学快速退火基板。进而，如上所述，可利用系统500来退火基板的背侧。
65.图5是快速热处理(rapid thermal processing；rtp)腔室500的一个实施方式的简化等矩图。可经调适而受益于本公开内容的快速热处理腔室的实例为腔室，腔室可购自位在加州圣塔克拉拉市的应用材料公司。处理腔室500可包括无接触或磁悬浮的基板支撑件504及腔室主体502，腔室主体502具有壁508、底部510及顶部512界定内部容积520。壁508通常可包括至少一个基板进出口548，以有助于基板540(图5中显示部分基板540)的进入和离开。进出口可耦接至传送腔室(未示出)或装载锁定腔室(未示出)，且可以利用阀选择性密封进出口，所述阀，例如狭缝阀(未示出)。在一个实施方式中，基板支撑件504为环状，且腔室500可包括辐射热源506，辐射热源506可设置在基板支撑件504的内径中。
66.基板支撑件504适于在内部容积520中磁悬浮和旋转。在处理期间，基板支撑件504能在垂直地升高和降低的同时旋转，且也可在处理之前、期间或之后被升高或降低而不旋转。因为缺乏或减少通常用来升高/降低和/或旋转基板支撑件的移动部件之故，此磁悬浮和/或磁旋转可防止或最小化颗粒产生。
67.腔室500也可包括窗514，窗514可由对热及多种波长的光透明的材料制成，所述光可包括红外线(ir)光谱中的光，来自辐射热源506的光子透过窗514可加热基板540。窗514
或射线。“连续波(continuous waves)”是指辐射源被构造为连续地发射辐射，即不是辐射的爆发(burst)、脉冲或闪光。这与激光退火中使用的激光非常不同，激光退火通常使用爆发或闪光。
77.进而，由于连续波电磁辐射在基板的表面处或附近被吸收，所述辐射具有的波长是在基板可吸收辐射的范围内。在硅基板的案例中，连续波电磁辐射具有介于190nm与950nm之间的波长，诸如大约810nm。
78.或者，可以使用在uv中或附近操作的高功率连续波电磁辐射激光源。由这种连续波电磁辐射激光源产生的波长被大多数其它反射材料高度吸收。
79.在一个实施方式中，连续波电磁辐射源602能够连续发射辐射达至少15秒。在另一个实施方式中，连续波电磁辐射源602可包括多个激光二极管，每个激光二极管可产生相同波长的均匀且空间相干的光。激光二极管的功率可在0.5kw至50kw的范围内，例如，接近5kw。合适的激光二极管是由加州圣塔克拉拉市的coherent公司、加州的spectra-physics所制造；或由密苏里州圣查尔斯市的cutting edge optronics公司所制造。激光二极管的一个实例是由cutting edge optronics公司所制造，而另一个合适的激光二极管是spectra physics的多杆模块(multi-bar module；mbm)，此提供每个激光二极管模块40至480瓦的连续波功率。
80.聚焦光学元件620可包括一或多个准直器606，以使来自连续波电磁辐射源602的辐射604准直成为实质上平行的射束608。此经准直的辐射608接着被至少一个透镜610聚焦成为基板614的上表面624处的线形辐射622。
81.透镜610是能将辐射聚焦成为线形的任何合适的透镜或一系列的透镜。在一个实施方式中，透镜610是柱状透镜。或者，透镜610可为一或多个凹透镜、凸透镜、平面镜、凹面镜、凸面镜、折射透镜、衍射透镜、菲涅尔透镜、梯度折射率透镜(gradient index lens)或类似物。
82.载台616可包括用于平移基板的平台，如下文所解释的。载台616可包括类似于图3的边缘支撑件390的边缘支撑件，以用于基板的背侧处理。
83.如前文所述，在某些实施方式中，可利用边缘支撑件来支撑基板的边缘部分。然而，在某些实施方式中，可由多个销来支撑基板。多个销可在基板上的任何位置处接触基板，包括在接近基板的边缘的位置处。销支撑件可允许对基板的底部应力膜侧的热处理。进而，在某些实施方式中，当基板安置和/或被支撑在基板的边缘上时，可对基板的背侧进行热处理。
84.装置600也可包括平移机构618，平移机构618经构造以使载台616和线状辐射622相对于彼此平移。在一个实施方式中，平移机构618可耦接至载台616，以相对于连续波电磁辐射源602和/或聚焦光学元件620移动载台616。在另一个实施方式中，平移机构可耦接至连续波电磁辐射源602及聚焦光学元件620两者，以相对于载台616移动连续波电磁辐射源602和/或聚焦光学元件620。在又一个实施方式中，平移机构618移动连续波电磁辐射源602、聚焦光学元件620及载台616。可使用任何合适的平移机构，诸如输送系统、齿条和齿轮系统，或者类似物。
85.在某些实施方式中，装置600可包括遮蔽环690，以屏蔽基板614的边缘不受高温应力。如上所注解，可设定遮蔽环690的尺寸，以防止载台616上的基板的非所欲移动。
86.图7图示蚀刻反应器700的示意图。可利用蚀刻反应器700来蚀刻基板的背侧，如上所述。
87.在某些实施方式中，蚀刻反应器700可包括离子自由基屏蔽件770。可适于与本文所披露的教示一起使用的合适反应器包括，例如，decoupled plasma sourceii型反应器，或tetra i型及tetra ii型光掩模蚀刻系统，以上全部可从加州圣塔克拉拉市的应用材料公司获得。ii型反应器也可被用作整合式半导体晶片处理系统(一样可自应用材料公司获得)的处理模块。本文所示的反应器700的特定实施方式是出于说明的目的而提供，而不应当用于限制本公开内容的范围。
88.反应器700一般可包括处理腔室702及控制器746，处理腔室702具有基板基座724位在导电主体(壁)704内。腔室702具有实质上平坦的介电质顶板708。腔室702的其它修饰例可具有其它类型的顶板，例如圆顶状的顶板。天线710可设置在顶板708上方。天线710可包括一或多个感应线圈元件，一或多个感应线圈元件可被选择性控制(图7中显示两个同轴元件710a和710b)。天线710可通过第一匹配网络714耦接至等离子体功率源712。等离子体功率源712通常能在自约50khz至约13.56mhz的范围中的可调节频率下，产生高达约3000w。
89.基板基座(阴极)724可透过第二匹配网络742耦接至偏压电源740。偏压电源740通常是在大约13.56mhz的频率下高达约500w的源，其能够产生连续或脉冲式功率。或者，源740可以是dc或脉冲式dc源。
90.在一个实施方式中，基板支撑基座724可提供基板边缘支撑件。在一个实施方式中，基板支撑基座724可包括静电卡盘(electrostatic chuck)760。静电卡盘760可包括至少一个夹持电极732，并且由卡盘电源766控制。在替代实施方式中，基板基座724可包括基板保持机构，例如底座夹持环(susceptor clamp ring)、机械式卡盘(mechanical chuck)和类似物。
91.可使用光罩接合器(reticle adapter)782将基板(光罩)722固定在基板支撑基座724上。光罩接合器782一般包括下部784及上部786，下部784可经磨制以覆盖基座724(例如，静电卡盘760)的上表面，而上部786具有开口788，开口788的尺寸和形状可经订制以托持基板722。开口788通常相对于基座724而实质置中。接合器782通常由诸如聚酰亚胺陶瓷或石英的抗蚀刻、耐高温材料的单一部件所形成。边缘环726可覆盖接合器782和/或将接合器782固定至基座724。
92.升降机构738可用于降低或升高接合器782，且因而降低基板722至基板支撑基座724上，或升高基板722离开基板支撑基座724。一般而言，举升机构762可包括多个升降销730(仅示出一个升降销)，升降销730可穿过各自的导向孔736行进。
93.在操作中，可通过稳定基板基座724的温度来控制基板722的温度。在一个实施方式中，基板支撑基座724可包括阻抗式加热器744和散热器728。阻抗式加热器744通常包括至少一个加热元件734，并受到加热器电源768的调控。来自气体源756的背侧气体(例如，氦(he))可经由气体导管758提供至通道，所述通道形成在基板722下方的基座表面中。背侧气体可用来协助基座724与基板722之间的热传递。在处理期间，可由内嵌的阻抗式加热器744将基座724加热至稳态(steady-state)温度，此方式可与氦背侧气体结合而有助于基板722的均匀加热。使用这样的热控制方式，可将基板722维持在介于约0摄氏度与350摄氏度之间的温度。
94.离子-自由基屏蔽件770设置在基座724上方的腔室702中。离子-自由基屏蔽件770可与腔室壁704及基座724电性隔离，且通常包括实质上平坦的板772和多个支脚776。可由支脚776将板772支撑在基座上方的腔室702中。板772可界定一或多个开口(通孔)774，所述开口在板772的表面中界定了期望的开口区块。离子-自由基屏蔽件770的开口区块可控制从等离子体递送至下处理容积780的离子的量，其中等离子体形成于处理腔室702的上处理容积778中，而下处理容积780位在离子-自由基屏蔽件770与基板722之间。开口面积越大，则越多离子可通过离子-自由基屏蔽件770。由此，通孔774的尺寸可控制容积780中的离子密度。所以，屏蔽件770为离子过滤器。
95.图8图示群集工具810的顶部示意图，群集工具810具有多个基板处理腔室812，多个基板处理腔室812安装于群集工具810上。与图8所示的群集工具类似的群集工具可购自加州圣塔克拉拉市的应用材料公司。群集工具810可用作为传送腔室，以在本文所述的多个工具与腔室之间转移基板。
96.工具可包括装载锁定腔室820及传送腔室818，传送腔室818具有基板传送模块816，用以在系统内将基板从一个位置移动至另一个位置，特别是在多重基板处理腔室812之间移动基板。示出此特定工具为容纳多达四个基板处理腔室812，四个基板处理腔室812径向地围绕传送腔室而定位，然而，可以预期的是，可以在此工具上容纳任何数量的基板处理腔室812。
97.本公开内容的益处包括：基板底部的处理较为不会在热力学上影响基板的顶部结构(例如，经由表面加热技术、高表面辐照度激光或闪光灯的使用)或在组成分上影响基板的顶部结构。此外，来自基板的底部的应变更一致，因为它们与基板顶部上的任何处理隔离。进而，可以在基板的底部上进行额外的调整，以补偿在后续处理中产生的应变。一旦被加热，在基板的背侧上的注入可抵消在基板的前侧上的其它热应力。
98.虽然前述针对本公开内容的实施方式，但在不偏离本公开内容的基本范围的情况下可设计其它和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围可由随附的权利要求书来确定。

技术特征：
1.一种基板处理方法，包含：于基板的器件侧上形成器件结构，所述基板的所述器件侧包括多个裸片；定位所述基板中的变形；在所述基板的背侧上沉积含金属膜，其中所述基板的所述背侧与所述器件侧相对；在沉积所述含金属膜之后，在所述基板的所述背侧上沉积金属硅化材料；在所述沉积金属硅化材料之后，加入掺杂剂于所述基板的所述背侧中；蚀刻所述基板的所述背侧以产生补偿所述变形的应变；对准所述基板以进行图案化；以及平坦化所述基板。2.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂为氧。3.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂为氮。4.如权利要求1所述的方法，其中所述加入掺杂剂进一步包含：局部注入所述掺杂剂于所述基板的所述背侧中。5.如权利要求1所述的方法，其中所述加入掺杂剂进一步包含：在所述基板的所述背侧上沉积含掺杂剂膜并局部退火所述含掺杂剂膜以产生补偿所述变形的应变。6.如权利要求1所述的方法，其中所述平坦化所述基板进一步包含：通过将所述基板固定在静电夹盘上来平坦化所述基板的所述器件侧上的变形。7.如权利要求1所述的方法，其中所述平坦化所述基板进一步包含：通过将所述基板固定在真空夹盘上来平坦化所述基板的所述器件侧上的变形。8.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：在所述加入掺杂剂于所述基板的所述背侧中之后，在所述基板的所述背侧上沉积金属材料。9.一种基板处理方法，包含：于基板的器件侧上形成器件结构，所述基板的器件侧包括多个裸片；定位所述基板中的变形；在所述基板的背侧上沉积含金属膜，其中所述基板的所述背侧与所述器件侧相对；在沉积所述含金属膜之后，在所述基板的所述背侧上沉积氮化硅材料；在所述沉积氮化硅材料之后，加入掺杂剂于所述基板的所述背侧中；蚀刻所述基板的所述背侧；对准所述基板以进行图案化；以及通过平坦化所述基板来补偿所述变形。10.如权利要求9所述的方法，其中所述掺杂剂为氧。11.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包含：执行原子层沉积工艺，以在所述基板的所述背侧上形成陶瓷材料层。12.如权利要求9所述的方法，其中所述掺杂剂为氮。13.如权利要求9所述的方法，其中所述加入掺杂剂进一步包含：局部注入所述掺杂剂于所述基板的所述背侧中。14.如权利要求9所述的方法，其中所述加入掺杂剂进一步包含：
在所述基板的所述背侧上沉积含掺杂剂膜并局部退火所述含掺杂剂膜。15.一种基板处理方法，包含：于基板的器件侧上形成器件结构，所述基板的器件侧包括多个裸片；定位所述基板中的变形；在所述基板的背侧上沉积第一含金属膜，其中所述基板的所述背侧与所述器件侧相对；在沉积所述第一含金属膜之后，在所述基板的所述背侧上沉积第二含金属材料；在所述沉积第二含金属材料之后，加入掺杂剂于所述基板的所述背侧中；在加入所述掺杂剂于所述基板的所述背侧中之后，在所述基板的所述背侧上沉积第三含金属材料；退火所述基板的所述背侧以产生补偿所述变形的应变；以及蚀刻所述基板的所述背侧以产生补偿所述变形的应变。16.如权利要求15所述的方法，其中所述加入掺杂剂于所述基板的所述背侧中包含掺杂氧或氮于所述基板的所述背侧中。17.如权利要求15所述的方法，其中所述退火所述基板的所述背侧包含局部激光退火。

技术总结
本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。熔融或其它热处理。熔融或其它热处理。


技术研发人员：约瑟夫
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2016.10.10
技术公布日：2023/7/18