多士炉的干扰保护方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本技术具体涉及人工智能技术领域，特别涉及一种多士炉的干扰保护方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.多士炉(toaster)，又称为自动面包片烤炉、面包烘烤器，它是一种专门用于将切成片状面包重新烘烤的电热炊具。通过它，将面包片烤成焦黄色，使得面包的香味更浓，口感更好，增进食欲。现有的多士炉中，不存在相应的检测方案，使得多士炉在工作过程中受到高电压的干扰无法判断是由于什么原因引起的，无法进行自动判断并保护电路和设备，导致多士炉使用寿命缩短浪费资源，甚至是可能导致设备损坏。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种多士炉的干扰保护方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中无法对多士炉进行检测并进行保护的技术问题。
4.根据本技术实施例的一个方面，提供了一种多士炉的干扰保护方法，包括：
5.当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式；
6.若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式；
7.若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题；
8.若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。
9.进一步地，所述获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式，包括：
10.获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一个月内的第一反电压参数，以及获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一年内的第一平均反电压值；
11.对所述一个月内的第一反电压参数进行分析，确定所述光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二反电压参数和第二平均反电压值，以及确定所述光敏二极管在一个月内的第三平均反电压值；
12.根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式。
13.进一步地，所述根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反
电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式，包括：
14.根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值计算第一电压参数；
15.获取所述光敏二极管在当前一分钟内的第三反电压参数，并根据所述第三反电压参数和所述第一平均反电压值计算第二电压参数；
16.根据所述第一电压参数和所述第二电压参数确定所述光敏二极管的反应模式。
17.进一步地，所述获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式，包括：
18.获取所述多士炉在距离当前时刻一个月内的电压值；
19.对距离当前时刻一个月内的电压值进行分析，确定距离当前一秒的第一电压值、距离当前一分钟的第二电压值、距离当前一周的第三电压值和距离当前一个月的第四电压值；
20.根据所述第一电压值、第二电压值、第三电压值和所述第四电压值确定所述多士炉的电压强度模式。
21.进一步地，所述多士炉设置有多根加热管，各根加热管分别与一电阻串联，所述检测所述多士炉的元器件是否出现问题，包括：
22.依次启动所述多士炉的各根加热管，确定各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式，并基于各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式确定所述多士炉的加热管是否出现问题；以及
23.获取各根加热管启动后所串联的电阻的第一电阻电压值和各根加热管正常状态下所串联的电阻的第二电阻电压值，并根据所述第一电阻电压值、所述第二电阻电压值和所述电压强度模式对应的电压权重确定所述多士炉的加热管是否出现问题。
24.进一步地，所述电压强度模式包括第一电压强度模式、第二电压强度模式和第三电压强度模式，其中，所述第一电压强度模式、所述第二电压强度模式和所述第三电压强度模式所对应的电压值逐渐增大，所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，包括：
25.若所述保护状态为基于第一电压强度模式或第二电压强度模式确定的第一保护状态，则获取第一保护状态对应的保护状态参数，获取对应电压强度模式下的电压值和正常状态下的电压值，并根据所述对应电压强度模式下的电压值、所述正常状态下的电压值和所述保护参数确定所述多士炉的保护参数；
26.若所述保护状态为基于第三电压强度模式确定的第二保护状态，则设置开启所述多士炉的所有导线线程作为所述多士炉的保护参数。
27.进一步地，其特征在于，在所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施，所述方法还包括：
28.获取执行对应的保护措施过程中的保护数据，将所述保护数据展示在与所述多士炉对应的智能终端，并将所述保护数据上传至预设服务器。
29.根据本技术实施例的一个方面，提供了一种多士炉的干扰保护装置，包括：
30.第一获取模块，配置为当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式；
31.第二获取模块，配置为若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式；
32.检测模块，配置为若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题；
33.确定模块，配置为若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。
34.根据本技术实施例的一个方面，提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如前所述的多士炉的干扰保护方法。
35.根据本技术实施例的一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行如上所述的多士炉的干扰保护方法。
36.根据本技术实施例的一个方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各种可选实施例中提供的多士炉的干扰保护方法。
37.在本技术的实施例所提供的技术方案中，在多士炉上电启动后，根据光敏二极管的电压参数，确定出对应的反应模式，反应模式可表征光敏二极管是否出现问题，在光敏二极管出现问题时，根据多士炉在第二预设时间段的电压值确定电压强度模式，电压强度模式表征了多士炉的电压是否出现异常，在电压出现异常时，检测多士炉的元器件是否出现问题，检测多士炉的电压存在异常是否是由多士炉中的元器件引起的和检测多士炉受到高电压的影响程度，在检测到多士炉的元器件未出现问题时，根据电压强度模式确定对应的保护状态，再基于保护状态和电压强度模式确定保护参数，以使得维修人员可基于保护参数对多士炉执行对应的保护措施。通过本技术提供的方案，能够在多士炉收到高压电干扰时，自动确定出对应的保护参数，从而进行保护。
38.本技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本技术的实践而习得。
39.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
40.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术者来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这
些附图获得其他的附图。在附图中：
41.图1是本技术涉及的一种多士炉的加热设备的电路示意图；
42.图2是本技术涉及的一种多士炉的干扰保护系统的示意图；
43.图3是本技术涉及的一种多士炉的干扰保护方法的流程图；
44.图4是本技术涉及的一个实施例中步骤s310的流程图；
45.图5是本技术涉及的一个实施例中步骤s430的流程图；
46.图6是本技术涉及的一个实施例中步骤s320的流程图；
47.图7是本技术涉及的一个实施例中步骤s330的流程图；
48.图8是本技术涉及的一个实施例中步骤s340的流程图；
49.图9是本技术涉及的一种多士炉的干扰保护装置的框图；
50.图10示出了适于用来实现本技术实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
具体实施方式
51.这里将详细地对示例性实施例执行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
52.附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
53.附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
54.还需要说明的是：在本技术中提及的“多个”是指两个或者两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
55.多士炉(toaster)，又称为自动面包片烤炉、面包烘烤器，它是一种专门用于将切成片状面包重新烘烤的电热炊具。通过它，将面包片烤成焦黄色，使得面包的香味更浓，口感更好，增进食欲。多士炉的功能不同，可以按面包放置方式、功能调节方式、控制结构来进行分类，一般市面上能看到的是跳升式、自动－手动调节、时控型的多士炉。各大厂家推出有不同款式的多士炉，有的厂家还特别推出了有能够烘烤出不同图案的多士炉，新奇又时尚。多士炉的品牌不多，但这些多士炉在款式、功能、价格上却有所不同。一般的多士炉只能烘烤方形面包，一些品牌设置有烘烤架，通过烘烤架，同样将圆面包或馒头等烤得热乎乎、香喷喷。
56.多士炉在使用过程中，需要对面包进行加热，这里就需要使用到加热设备，一般的加热设备是通过多根加热管实现，请参阅图1，图1为以多士炉的加热设备的电路图，其中，l1-l4为多士炉中设置的四条发热丝，分别装在两个多士炉的两壁，四条发热丝分别与一个电阻串联。在多士炉整个电路中，开关连接继电器的一对触点并可由外部杠杆按压下去连通，当装入面包片并按下杠杆后，加热管l1-l4得电发热，同时电路取加热管l4上的交流电
经二极管和电容整流滤波后供电给继电器，电源另一路经各个元器件后取得约3.9v的稳定直流电压给集成电路供电，集成电路开始计时，继电器吸合使开关自锁，定时旋钮用于手动进行定时时间。定时完成后集成电路放开继电器，开关失电回弹，加热管l1-l4断电，烤面包周期完成。上述集成电路可使用定时ic pt8a2513。
57.现有的多士炉中，不存在设备硬件检测模块，不存在电压检测模块，不存在光敏检测的模块。在工作过程中受到高电压的干扰无法判断是由于什么原因引起的，无法进行自动判断并保护电路和设备，导致多士炉使用寿命缩短浪费资源，甚至是可能导致设备损坏。
58.因此，为解决现有技术中的问题，本发明提供了一种多士炉的干扰保护系统，能够使得多士炉在受到高电压干扰时自动判断原因并且进行自动保护，有利于延长多士炉的使用寿命。请参阅图2，该系统包括：光敏二极管检测模块210、电压检测模块220、设备检测模块230、自动保护模块240和展示模块250，各个模块的相关描述如下：
59.多士炉的干扰保护系统检测电源是否正常供电工作，多士炉上电启动后，创建线程，并启动光敏二极管检测模块210进行检测，光敏二极管检测模块210将光敏二极管的反应模式划分为3种，分别为光敏低反应模式、光敏中反应模式和光敏高反应模式，具体的划分规则如下：
60.多士炉的干扰保护系统在云端获取多士炉在这一个月工作状态时光敏二极管的第一反电压参数，保存到存储器1，根据第一反电压参数分析出多士炉在这一周工作状态时光敏二极管的第二反电压参数，保存到存储器2，并计算出光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二平均反电压值，保存到存储器3。根据第一反电压参数计算出多士炉在这一个月工作状态时光敏二极管的第三平均反电压值，保存到存储器4。
61.将存储器2中的第二反电压参数中的最大值减去存储器3中的第二平均反电压值，将存储器2中的第二反电压参数中的最小值减去存储器3中的第二平均反电压值，将计算得到的结果保存到存储器5中，存储器5中存储的结果表征了光敏二极管在这一周内的变动情况。将存储器1中的第一反电压参数的最大值减去存储器4中的第三平均反电压值，将存储器1中的第一反电压参数的最小值减存储器4中的第三平均反电压值，将计算得到的结果保存到存储器6中，存储器6中存储的结果表征了光敏二极管在这一个月内的变动情况。将存储器5中的结果加上存储器6中的结果，保存到存储器a中。
62.获取光敏二极管在当前工作状态1分钟的第三反电压参数，保存到存储器7中，从云端获取多士炉的光敏二极管在这一年工作状态时的第一平均反电压值，保存到存储器8。将存储器8中的第一平均反电压值减去存储器7中的第三反电压参数，将计算得到的结果保存到存储器9中。
63.当存储器9中的结果大于存储器a中的结果的二分之一，且小于存储器a中的结果时，则确定光敏二极管的反应模式为低反应模式，保存控制命令为1，保存到存储器10；并上传云端提醒用户设备可能存在问题。当存储器9中的结果小于存储器a中的结果的二分之一时，则确定光敏二极管的反应模式为中反应模式，保存控制命令为2，保存到存储器11；当存储器9中的结果大于存储器a中的结果时，则确定光敏二极管的反应模式为高反应模式，保存控制命令为3，保存到存储器12。将存储器10，11，12，保存到存储器13。光敏二极管检测模块210依照光敏二极管反电压的大小，判断多士炉是否正常使用，在确定出光敏二极管的反应模式为低反应模式时，表明多士炉已经出现问题，光敏二极管的反应模式为中反应模式
时，表明多士炉正常，光敏二极管的反应模式为高反应模式时，表明多士炉可能出现问题，在多士炉可能出现问题时，需要进一步的排查。
64.检测存储器13中的控制命令是否等于3，等于3时启动系统创建线程，并启动电压检测模块220，电压检测模块220检测电压的大小，并划分为3种电压强度模式，分别为第一电压强度模式、第二电压强度模式和第三电压强度模式，各个模式的划分规则如下：
65.启动电压传感器，获取多士炉在工作前1秒的第一电压值，保存到存储器14。获取多士炉距离当前1分钟的第二电压值，保存到存储器15。若存储器14中的第一电压值与存储器15中的第二电压值的差值与第一电压值的比值小于第一电压值的十分之一时，保存控制命令为1，保存到存储器16。
66.获取云端数据，将多士炉工作距离当前时刻一个月内的第四电压值保存到存储器17，将距离当前一周的第三电压值保存到存储器18。若存储器18中的第三电压值与存储器17的差值与第三电压值的比值小于第三电压值十分之一时，保存控制命令为1，保存到存储器19。
67.多士炉系统获取当前1秒的电压数据，保存到存储器20。当存储器20中的电压数据大于存储器17中的第四电压值的四分之一，且小于或等于第四电压值的三分之一时，判断电压强度模式为第一电压强度模式，设定电压权重为1，保存电压权重和数据到存储器21；当存储器20中的电压数据大于存储器17中的第四电压值的三分之一，且小于或等于第四电压值的二分之一时，判断电压强度模式为第二电压强度模式，设定电压权重为2，保存电压权重和相关数据到存储器22；当存储器20中的电压数据大于存储器17中的第四电压值的二分之一时，判断电压强度模式为第三电压强度模式，设定电压权重为3，保存电压权重和数据到存储器23。将存储器21、22、23中的数据保存到存储器24。
68.读取存储器24中的电压权重，如果电压权重大于等于1时，启动设备检测模块230，设备检测模块230包括加热设备检测子模块和路线元器件检测模块。
69.在加热设备检测子模块中，按照加热管l1至l4的顺序，分别启动，在启动期间，若对应启动的电热管能够划分为上述三种电压强度模式，在该启动的电热管能够被划分为第一电压强度模式时，表明该启动的电热管存在问题，将该电热管存在问题的信息发送至云端，并提醒用户；在该启动的电热管能够被划分为第二电压强度模式时，表明该启动的电热管不存在问题，暂时没有受到高电压的影响而改变工作状态，设置检测权重为1，保存到存储器25；在该启动的电热管能够被划分为第三电压强度模式时，表明启动的加热管已经受到高电压的影响而且较严重，设置检测权重为2，保存到存储器25。
70.在路线元器件检测子模块中，使用电压传感器获取各个加热管串联的电阻两端的电压，保存到存储器26，获取正常状态下，电阻两端的电压，并保存到存储器27。获取正常状态下电路的电压，保存到存储器28。将存储器26中的值除以存储器27中的值，将计算到的值保存到存储器29。将存储器28中的值除以存储器24中的电压权重，保存到存储器30，存储器29中的值与存储器30中的值的差值小于存储器29中的值的十分之一时，说明电子元器件没有存在损伤而且没有短路，保存控制命令为1，保存到存储器31，存储器29中的值与存储器30中的值的差值大于或等于存储器29中的值的十分之一时，获取该电子元器件的相关数据上传至云端，并提醒用户该电子元器件存在问题。
71.多士炉系统获取存储器25大于1、31的值大于0时，启动高电压保护模块，高电压保
护模块中创建有2种保护状态，分别为第一保护状态和第二保护状态，第一保护状态是基于第一电压强度模式或第二电压强度模式确定的，第二保护状态基于第三电压强度模式确定。
72.获取存储器24的电压权重，等于1或2时，启动第一保护状态。在第一保护状态中，获取存储器24中存储的关于电压的数据值，保存到存储器32。将存储器32中的数据值除以正常电压值，将计算得到的结果保存到存储器33。获取存储器25中的值乘以50％，将计算得到的结果保存到存储器34，存储器34中的结果乘以存储器33中的结果，将计算得到的结果保存到存储器35。以存储器35的值来确定保护参数，保护参数即为导线的线程需要增加的面积。
73.获取存储器24的电压权重值，等于3启动第二保护状态，在第二保护状态中，通过启动全部导线线程来保护设备，获取存储器24和17中的数据，存储器24中的数据大于存储器17中的数据的三分之二时，线路存在被损坏的风险，自动断开电路并发送电压过大的消息，提醒用户检测电线。
74.确定保护参数的公式如下：
75.yuan_daoxian(x1)//正常情况的导线使用面积
76.qidong_daoxian(x2)//现在的导线使用面积
77.daore_qz(x3)//导热管的权重
78.dianya_zc(y1)//正常电压
79.dianya_dq(y2)//当前的电压
80.(dianya_dq(y2)/dianya_zc(y1))*(daore_qz(x3)*50％)*yuan_daoxian(x1)＝qidong_daoxian(x2)
81.展示模块250检测自动保护模块240是否正常执行，执行成功将执行的数据上传至云端并设定执行时间，展示给用户。
82.导线的线程需要增加的面积即增加导线截面积，可以通过换更粗的导线实现。在对多士炉执行对应的保护措施时，维修人员可通过将导线换为无氧铜线或银线，降低导线的电阻率；在导线的接头处涂导电膏，降低接触电阻。如果传输的是高频交流电流，可将导线换成多股线，每根线越细越好，降低集肤效应产生的影响。如果多士炉中有接触器等电器元件在回路中，在检测元器件是否出现问题时，看先排除它们的原因，如触点接触不良等。将电热管放在烘箱中烘一下，或选择用低电压给加热管通会儿电，起到给氧化镁粉除湿的作用。加热管的阻值确认根据提供的额定电压与额定功率来确定出阻值，即通过公式:电压*电压/功率＝电阻得到，电热丝的表面负荷不可超标，一般不可超过1.5w/cm&sup2；在选择电热管阻值生产的时候，依据提供的额定电压与额定功率，同时，也要考虑电阻丝的表面负荷的承受能力，从而保障电热管的使用寿命。加热管管壁太薄或者加热管功率设定过高，造成表面负荷太大，内部温度过高，容易引起加热管内部膨胀，从而导致加热管破裂，故加热管在装填镁粉时，应清除镁粉中混有的杂质，防止杂质经高温碳化，从而导致加热管炸裂现象。
83.图3是根据一示例性实施例示出的一种多士炉的干扰保护方法的流程图。该方法可以应用于图2所示的系统中，并由图2所示实施例环境中的多士炉的干扰保护系统具体执行。
84.如图3所示，在一示例性实施例中，该多士炉的干扰保护方法可以包括步骤s310至步骤s330，详细介绍如下：
85.步骤s310，当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式。
86.本技术实施例中，当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，本技术实施例中，第一预设时间段可包括距离当前一个月内的电压参数，电压参数为光敏二极管的反电压值，对第一预设时间段的电压参数进行分析，确定出光敏二极管的反应模式，光敏二极管的反应模式可表征多士炉是否出现问题。
87.步骤s320，若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式。
88.本技术实施例中，若光敏二极管的反应模式表征光敏二极管存在异常，即光敏二极管的反应模式为光敏高反应模式，则获取多士炉在第二预设时间段内的电压值，本技术实施例中，第二预设时间段可设置为距离当前一个月，对第二预设时间段内的电压值进行分析，确定多士炉的电压强度模式，电压强度模式可表征多士炉的电压是否出现异常。本技术实施例中，上述第一预设时间和第二预设时间段还可设置其他的时间范围。
89.步骤s330，若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题。
90.本技术实施例中，当电压强度模式表征多士炉的电压存在异常时，电压强度模式处于上述描述的第三电压强度模式，则检测多士炉的元器件是否出现问题，即检测多士炉的电压存在异常是否是由多士炉中的元器件引起的和检测多士炉受到高电压的影响程度。
91.步骤s340，若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。
92.本技术实施例中，当检测到多士炉的元器件未出现问题，根据电压强度模式确定多士炉对应的保护状态，基于保护状态和电压强度模式确定多士炉的保护参数，维修人员在获取到保护参数后，可基于保护参数对多士炉执行对应的保护措施。
93.本技术中，在多士炉上电启动后，根据光敏二极管的电压参数，确定出对应的反应模式，反应模式可表征光敏二极管是否出现问题，在光敏二极管出现问题时，根据多士炉在第二预设时间段的电压值确定电压强度模式，电压强度模式表征了多士炉的电压是否出现异常，在电压出现异常时，检测多士炉的元器件是否出现问题，检测多士炉的电压存在异常是否是由多士炉中的元器件引起的和检测多士炉受到高电压的影响程度，在检测到多士炉的元器件未出现问题时，根据电压强度模式确定对应的保护状态，再基于保护状态和电压强度模式确定保护参数，以使得维修人员可基于保护参数对多士炉执行对应的保护措施。通过本技术提供的方案，能够在多士炉收到高压电干扰时，自动确定出对应的保护参数，从而进行保护。
94.在本技术的一示例性实施例中，请参阅图4，在步骤s310中，所述获取所述多士炉
所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式，包括步骤s410和步骤s430，详细介绍如下：
95.步骤s410，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一个月内的第一反电压参数，以及获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一年内的第一平均反电压值。
96.本技术实施例中，获取多士炉所设置的光敏二极管在一个月内的工作时间内所产生的第一反电压参数，以及获取多士炉所设置的光敏二极管在一年内的工作时间内所产生的第一平均反电压值，第一平均反电压值为基于多士炉在一年内的反电压参数计算得到的。
97.步骤s420，对所述一个月内的第一反电压参数进行分析，确定所述光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二反电压参数和第二平均反电压值，以及确定所述光敏二极管在一个月内的第三平均反电压值。
98.本技术实施例中，对光敏二极管在一个月内的第一反电压参数进行分析，从中提取出光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二反电压参数，在根据提取出的第二反电压参数计算出第二平均反电压值，根据第一反电压参数中计算出光敏二极管在一个月内的第三平均反电压值。
99.步骤s430，根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式。
100.本技术实施例中，根据所述第一反电压参数、第二反电压参数、第一平均反电压值、第二平均反电压值和第三平均反电压值确定光敏二极管的反应模式。具体确定反应模式的描述，请参照前述确定光敏低反应模式、光敏中反应模式和光敏高反应模式的描述，在此不进行赘述。
101.在本技术的一示例性实施例中，请参阅图5，在步骤s430中所述检测所述电烤箱中是否存在待烘烤食物之后，包括步骤s510至步骤s530，详细介绍如下：
102.步骤s510，根据第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值计算第一电压参数。
103.本技术实施例中，根据第一反电压参数、第二反电压参数、第二平均反电压值和第三平均反电压值计算出第一电压参数。第一电压参数反应了光敏二极管在一周内和一个月内的变动情况。
104.步骤s520，获取光敏二极管在当前一分钟内的第三反电压参数，再根据第三反电压参数和第一平均反电压值计算第二电压参数。
105.本技术实施例中，获取光敏二极管在当前一分钟内的第三反电压参数，并根据第三反电压参数和第一平均反电压值计算出第二电压参数。
106.步骤s530，根据所述第一电压参数和所述第二电压参数确定所述光敏二极管的反应模式。
107.本技术实施例中，根据第一电压参数和第二电压参数确定光敏二极管的反应模式。光敏二极管的反应模式分别为光敏低反应模式、光敏中反应模式和光敏高反应模式，其中，低反应模式表明多士炉已经出现问题，中反应模式表明多士炉正常，高反应模式表明多士炉可能出现问题，在多士炉可能出现问题时，需要进一步的排查。
108.在本技术的一示例性实施例中，请参阅图6，在步骤s320中所述获取所述多士炉在
第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式，包括步骤s610至步骤s630，详细介绍如下：
109.步骤s610，获取所述多士炉在距离当前时刻一个月内的电压值。
110.本技术实施例中，获取多士炉在距离当前时刻一个月内，处于工作状态的电压值。
111.步骤s620，对距离当前时刻一个月内的电压值进行分析，确定距离当前一秒的第一电压值、距离当前一分钟的第二电压值、距离当前一周的第三电压值和距离当前一个月的第四电压值。
112.本技术实施例中，对距离当前时刻一个月内的电压值进行分析，提取出距离当前一秒的第一电压值、距离当前一分钟的第二电压值、距离当前一周的第三电压值和距离当前一个月的第四电压值。
113.步骤s630，根据所述第一电压值、第二电压值、第三电压值和所述第四电压值确定所述多士炉的电压强度模式。
114.本技术实施例中，根据第一电压值、第二电压值、第三电压值和第四电压值确定多士炉的电压强度模式。具体确定电压强度模式的描述，请参照前述电压检测模块220的描述，在此不进行赘述。
115.在本技术的一示例性实施例中，请参阅图7，所述多士炉设置有多根加热管，各根加热管分别与一电阻串联，在步骤s330中所述检测所述多士炉的元器件是否出现问题，包括步骤s710和步骤s720，详细介绍如下：
116.步骤s710，依次启动所述多士炉的各根加热管，确定各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式，并基于各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式确定所述多士炉的加热管是否出现问题。
117.本技术实施例中，按照预设顺序依次启动多士炉的各根加热管，具体的，如图1描述的4根加热管，按照l1至l4的顺序依次启动，确定各根加热管在启动后的光敏二极管的反应模式，并基于各根加热管启动后的光敏二极管的反应模式确定所述多士炉的加热管是否出现问题。即，当各根加热管对应的光敏二极管的反应模式为光敏高反应模式时，确定该加热管可能存在问题，
118.步骤s720，获取各根加热管启动后所串联的电阻的第一电阻电压值和各根加热管正常状态下所串联的电阻的第二电阻电压值，并根据所述第一电阻电压值、所述第二电阻电压值和所述电压强度模式对应的电压权重确定所述多士炉的加热管是否出现问题。
119.本技术实施例中，获取各根加热管启动后所串联的电阻的两端的第一电阻电压值和各根加热管正常状态下所串联的电阻的两端的第二电阻电压值，根据第一电阻电压值、第二电阻电压值和电压强度模式对应的电压权重确定多士炉的加热管是否出现问题。
120.在本技术的一示例性实施例中，请参阅图8，所述电压强度模式包括第一电压强度模式、第二电压强度模式和第三电压强度模式，其中，所述第一电压强度模式、所述第二电压强度模式和所述第三电压强度模式所对应的电压值逐渐增大，在步骤s340中所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，包括步骤s810和步骤s820，详细介绍如下：
121.步骤s810，若所述保护状态为基于第一电压强度模式或第二电压强度模式确定的第一保护状态，则获取第一保护状态对应的保护状态参数，获取对应电压强度模式下的电
压值和正常状态下的电压值，并根据所述对应电压强度模式下的电压值、所述正常状态下的电压值和所述保护参数确定所述多士炉的保护参数。
122.本技术实施例中，在第一保护状态下，所对应的保护状态参数可设置为50％，在其他实施例中，保护状态参数也可设置为其他数值，在此不进行限制。将(对应电压强度模式下的电压值除以正常状态下的电压值)乘以(对应的电压权重乘以50％)得到保护参数。
123.步骤s820，若所述保护状态为基于第三电压强度模式确定的第二保护状态，则设置开启所述多士炉的所有导线线程作为所述多士炉的保护参数。
124.本技术实施例中，在第一保护状态下，通过启动全部导线线程来保护设备。
125.在本技术的一示例性实施例中，在步骤s230所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施之后，所述方法还包括下列步骤，详细介绍如下：
126.获取执行对应的保护措施过程中的保护数据，将所述保护数据展示在与所述多士炉对应的智能终端，并将所述保护数据上传至预设服务器。
127.本技术实施例中，上述保护数据包括对应的反应模式、电压强度模式、电压相关数据等。将保护数据暂时在智能终端上，便于维修人员及时通过智能终端了解多士炉的相关情况。
128.在本技术的一个示例性实施例中，请参阅图9，图9是根据一示例性实施例示出的一种多士炉的干扰保护装置，包括：
129.第一获取模块910，配置为当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式；
130.第二获取模块920，配置为若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式；
131.检测模块930，配置为若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题；
132.确定模块940，配置为若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。
133.在本技术的一个示例性实施例中，所述第一获取模块910，包括：
134.第一获取子模块，配置为获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一个月内的第一反电压参数，以及获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一年内的第一平均反电压值；
135.分析子模块，配置为对所述一个月内的第一反电压参数进行分析，确定所述光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二反电压参数和第二平均反电压值，以及确定所述光敏二极管在一个月内的第三平均反电压值；
136.第一确定子模块，配置为根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式。
137.在本技术的一个示例性实施例中，第一确定子模块，包括：
138.第一计算单元，配置为根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值计算第一电压参数；
139.第二计算单元，配置为获取所述光敏二极管在当前一分钟内的第三反电压参数，并根据所述第三反电压参数和所述第一平均反电压值计算第二电压参数；
140.确定单元，配置为根据所述第一电压参数和所述第二电压参数确定所述光敏二极管的反应模式。
141.在本技术的一个示例性实施例中，第二获取模块920，包括：
142.第二获取子模块，配置为获取所述多士炉在距离当前时刻一个月内的电压值；
143.第二确定子模块，配置为对距离当前时刻一个月内的电压值进行分析，确定距离当前一秒的第一电压值、距离当前一分钟的第二电压值、距离当前一周的第三电压值和距离当前一个月的第四电压值；
144.第三确定子模块，配置为根据所述第一电压值、第二电压值、第三电压值和所述第四电压值确定所述多士炉的电压强度模式。
145.在本技术的一个示例性实施例中，所述多士炉设置有多根加热管，各根加热管分别与一电阻串联，所述检测模块930，包括：
146.启动子模块，配置为依次启动所述多士炉的各根加热管，确定各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式，并基于各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式确定所述多士炉的加热管是否出现问题；以及
147.第三获取子模块，配置为获取各根加热管启动后所串联的电阻的第一电阻电压值和各根加热管正常状态下所串联的电阻的第二电阻电压值，并根据所述第一电阻电压值、所述第二电阻电压值和所述电压强度模式对应的电压权重确定所述多士炉的加热管是否出现问题。
148.在本技术的一个示例性实施例中，所述电压强度模式包括第一电压强度模式、第二电压强度模式和第三电压强度模式，其中，所述第一电压强度模式、所述第二电压强度模式和所述第三电压强度模式所对应的电压值逐渐增大，确定模块940，包括：
149.第四获取子模块，配置为若所述保护状态为基于第一电压强度模式或第二电压强度模式确定的第一保护状态，则获取第一保护状态对应的保护状态参数，获取对应电压强度模式下的电压值和正常状态下的电压值，并根据所述对应电压强度模式下的电压值、所述正常状态下的电压值和所述保护参数确定所述多士炉的保护参数；
150.设置子模块，配置为若所述保护状态为基于第三电压强度模式确定的第二保护状态，则设置开启所述多士炉的所有导线线程作为所述多士炉的保护参数。
151.在本技术的一个示例性实施例中，多士炉的干扰保护装置还包括：
152.数据展示模块250，配置为获取执行对应的保护措施过程中的保护数据，将所述保护数据展示在与所述多士炉对应的智能终端，并将所述保护数据上传至预设服务器。
153.需要说明的是，上述实施例所提供的装置与上述实施例所提供的方法属于同一构思，其中各个模块和单元执行操作的具体方式已经在方法实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。
154.本技术的实施例还提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所
述电子设备实现上述各个实施例中提供的多士炉的干扰保护方法。
155.图10示出了适于用来实现本技术实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
156.需要说明的是，图10示出的电子设备的计算机系统1000仅是一个示例，不应对本技术实施例的功能和使用范围带来任何限制。
157.如图10所示，计算机系统1000包括中央处理单元(central processing unit，cpu)1001，其可以根据存储在只读存储器(read-only memory，rom)1002中的程序或者从储存部分1008加载到随机访问存储器(random access memory，ram)1003中的程序而执行各种适当的动作和处理，例如执行上述实施例中所述的方法。在ram 1003中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。cpu1001、rom 1002以及ram 1003通过总线1004彼此相连。输入/输出(input/output，i/o)接口1005也连接至总线1004。
158.以下部件连接至i/o接口1005：包括键盘、鼠标等的输入部分1006；包括诸如阴极射线管(cathode ray tube，crt)、液晶显示器(liquid crystal display，lcd)等以及扬声器等的输出部分1007；包括硬盘等的储存部分1008；以及包括诸如lan(local area network，局域网)卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分1009。通信部分1009经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器1010也根据需要连接至i/o接口1005。可拆卸介质1011，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器1010上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入储存部分1008。
159.特别地，根据本技术的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本技术的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的计算机程序。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分1009从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质1011被安装。在该计算机程序被中央处理单元(cpu)1001执行时，执行本技术的系统中限定的各种功能。
160.需要说明的是，本技术实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(erasable programmable read only memory，eprom)、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(compact disc read-only memory，cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本技术中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本技术中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的计算机程序。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的计算机程序可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、有线等等，或者上述的任意合适的组合。
161.附图中的流程图和框图，图示了按照本技术各种实施例的系统、方法和计算机程
序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
162.描述于本技术实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
163.本技术的另一方面还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前所述的方法。该计算机可读存储介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的，也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。
164.本技术的另一方面还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各个实施例中提供的方法。
165.上述内容，仅为本技术的较佳示例性实施例，并非用于限制本技术的实施方案，本领域普通技术人员根据本技术的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本技术的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

技术特征：
1.一种多士炉的干扰保护方法，其特征在于，包括：当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式；若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式；若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题；若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。2.如权利要求1所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，所述获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式，包括：获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一个月内的第一反电压参数，以及获取所述多士炉所设置的光敏二极管在一年内的第一平均反电压值；对所述一个月内的第一反电压参数进行分析，确定所述光敏二极管在距离当前时刻一周内的第二反电压参数和第二平均反电压值，以及确定所述光敏二极管在一个月内的第三平均反电压值；根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式。3.如权利要求2所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，所述根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第一平均反电压值、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值确定所述光敏二极管的反应模式，包括：根据所述第一反电压参数、所述第二反电压参数、所述第二平均反电压值和所述第三平均反电压值计算第一电压参数；获取所述光敏二极管在当前一分钟内的第三反电压参数，并根据所述第三反电压参数和所述第一平均反电压值计算第二电压参数；根据所述第一电压参数和所述第二电压参数确定所述光敏二极管的反应模式。4.如权利要求1所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，所述获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式，包括：获取所述多士炉在距离当前时刻一个月内的电压值；对距离当前时刻一个月内的电压值进行分析，确定距离当前一秒的第一电压值、距离当前一分钟的第二电压值、距离当前一周的第三电压值和距离当前一个月的第四电压值；根据所述第一电压值、第二电压值、第三电压值和所述第四电压值确定所述多士炉的电压强度模式。5.如权利要求1所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，所述多士炉设置有多根加热管，各根加热管分别与一电阻串联，所述检测所述多士炉的元器件是否出现问题，包括：依次启动所述多士炉的各根加热管，确定各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应
模式，并基于各根加热管启动后的所述光敏二极管的反应模式确定所述多士炉的加热管是否出现问题；以及获取各根加热管启动后所串联的电阻的第一电阻电压值和各根加热管正常状态下所串联的电阻的第二电阻电压值，并根据所述第一电阻电压值、所述第二电阻电压值和所述电压强度模式对应的电压权重确定所述多士炉的加热管是否出现问题。6.如权利要求1所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，所述电压强度模式包括第一电压强度模式、第二电压强度模式和第三电压强度模式，其中，所述第一电压强度模式、所述第二电压强度模式和所述第三电压强度模式所对应的电压值逐渐增大，所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，包括：若所述保护状态为基于第一电压强度模式或第二电压强度模式确定的第一保护状态，则获取第一保护状态对应的保护状态参数，获取对应电压强度模式下的电压值和正常状态下的电压值，并根据所述对应电压强度模式下的电压值、所述正常状态下的电压值和所述保护参数确定所述多士炉的保护参数；若所述保护状态为基于第三电压强度模式确定的第二保护状态，则设置开启所述多士炉的所有导线线程作为所述多士炉的保护参数。7.如权利要求1至6中任一项所述的多士炉的干扰保护方法，其特征在于，在所述基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施，所述方法还包括：获取执行对应的保护措施过程中的保护数据，将所述保护数据展示在与所述多士炉对应的智能终端，并将所述保护数据上传至预设服务器。8.一种多士炉的干扰保护装置，其特征在于，包括：第一获取模块，配置为当检测到多士炉上电启动，获取所述多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，并对所述电压参数进行分析，确定所述光敏二极管的反应模式；第二获取模块，配置为若所述光敏二极管的反应模式表征所述光敏二极管存在异常，则获取所述多士炉在第二预设时间段内的电压值，并对所述电压值进行分析，确定所述多士炉的电压强度模式；检测模块，配置为若所述电压强度模式表征所述多士炉的电压存在异常，则检测所述多士炉的元器件是否出现问题；确定模块，配置为若检测到所述多士炉的元器件未出现问题，根据所述电压强度模式确定所述多士炉对应的保护状态，基于所述保护状态和所述电压强度模式确定所述多士炉的保护参数，以使得基于所述保护参数对所述多士炉执行对应的保护措施。9.一种电子设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如权利要求1至7中任一项所述的多士炉的干扰保护方法。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行权利要求1至7中任一项所述的多士炉
的干扰保护方法。

技术总结
本申请公开了一种多士炉的干扰保护方法、装置、设备及存储介质，方法包括：当检测到多士炉上电启动，基于获取的多士炉所设置的光敏二极管在第一预设时间段内的电压参数，确定光敏二极管的反应模式；若光敏二极管的反应模式表征光敏二极管存在异常，则基于获取的多士炉在第二预设时间段内的电压值确定多士炉的电压强度模式；若电压强度模式表征多士炉的电压存在异常，则检测多士炉的元器件是否出现问题；若检测到多士炉的元器件未出现问题，根据电压强度模式确定多士炉对应的保护状态，基于保护状态和电压强度模式确定保护参数，以基于保护参数对多士炉执行对应的保护措施。通过本申请提供的技术方案，能够自动对多士炉进行检测并确定出保护参数。确定出保护参数。确定出保护参数。


技术研发人员：曾添雄 曾裕龙 杜子豪
受保护的技术使用者：深圳市阳邦电子有限公司
技术研发日：2023.03.09
技术公布日：2023/7/18