掩模、具有其的掩模组件及衬底转移设备的制作方法

掩模、具有其的掩模组件及衬底转移设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年1月13日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0005396号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及包括传感器的掩模、包括掩模的掩模组件、以及包括掩模的衬底转移设备。


背景技术：

4.显示面板包括多个像素。每个像素包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光元件的显示元件。显示元件可以通过在衬底上堆叠电极和各种功能层来形成。
5.可以使用掩模(开口可以限定成穿过所述掩模)来沉积显示元件的功能层。可用于沉积功能层的设备包括用于在处理室和可在其中执行沉积工艺的沉积室之间转移衬底或掩模的转移路径。转移路径可以被设置为与沉积室连接的处于真空状态下的室。在转移中的对象(诸如，衬底或掩模)中可能由于对象瑕疵(flaw)或与沉积工艺中使用的设备的碰撞而出现缺陷。可能难以确定缺陷是由转移中的对象还是沉积工艺中使用的设备导致的，并且因此，执行与缺陷对应的修复工艺可能受到限制。
6.将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。


技术实现要素：

7.本公开提供了可以在移动衬底转移设备的同时能够实时监测的掩模和掩模组件。
8.本公开提供了能够实时监测掩模和掩模组件的衬底转移设备。
9.根据实施方式，掩模可以包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在框架上，并且限定与外部隔绝的容纳空间；以及传感器，设置在容纳空间中。
10.传感器可以包括位移传感器、陀螺仪传感器和振动传感器中的至少一个。
11.掩模还可以包括附接到框架的相机。
12.掩模还可以包括电连接到传感器的通信收发器。
13.掩模还可以包括设置在容纳空间中并且电连接到传感器的驱动电路。
14.掩模还可以包括电连接到传感器的驱动电路。容纳结构可以包括限定第一部分容纳空间的第一容纳部和限定第二部分容纳空间的第二容纳部。传感器可以设置在第一部分容纳空间中。驱动电路可以设置在第二部分容纳空间中。
15.第二容纳部在平面图中可以与开口至少部分地重叠。
16.框架还可以包括与第二容纳部重叠并且与开口交叉的部分，以及开口可以由所述部分划分成两个开口。
17.掩模还可以包括掩模片，其设置在框架上并且包括限定成穿过掩模片的掩模开口，以在平面图中与开口重叠。
18.容纳结构可以设置在掩模片上，并且可以与掩模片的掩模开口的至少一部分重叠。
19.容纳结构可以包括物理连接到框架的盖，框架和盖可以一起限定容纳空间，以及容纳空间可以具有大气压力。
20.容纳结构可以包括：容纳部分，设置在框架上；以及盖，覆盖容纳部分，容纳部分和框架可以一起限定容纳空间，以及容纳空间可以具有大气压力。
21.根据实施方式，掩模组件可以包括：掩模，包括具有开口的框架、第一传感器、以及限定容纳空间的容纳结构；载体衬底，设置在掩模上并且包括面对掩模的一侧和与面对掩模的一侧相对的另一侧；以及衬底，设置在掩模和载体衬底之间并且被提供到面对掩模的一侧。第一传感器可以容纳在容纳空间中。
22.第一传感器可以包括陀螺仪传感器、振动传感器和位移传感器中的至少一个。
23.载体衬底还可以包括相机和第二传感器。
24.载体衬底还可以包括限定另一容纳空间的另一容纳结构，第二传感器可以容纳在另一容纳空间中，以及容纳空间和另一容纳空间中的至少一个可以具有大气压力。
25.另一容纳空间可以包括在载体衬底的另一侧处的第一容纳部和第二容纳部。
26.根据实施方式，衬底转移设备可以包括：路径，提供真空状态；转移引导件，设置在路径中并且包括底部辊和侧部辊；以及掩模，沿着转移引导件移动。掩模可以包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在框架上并包括容纳空间；以及传感器，设置在容纳空间中。
27.传感器可以包括陀螺仪传感器、振动传感器和位移传感器中的至少一个，以及底部辊和侧部辊中的至少一个可以与容纳结构物理接触。
28.衬底转移设备还可以包括：内部通信收发器，设置在掩模上；以及外部通信收发器，设置在路径的外部以向内部通信收发器传输信号和从内部通信收发器接收信号。
29.根据以上，可以实时地监测掩模或掩模组件的移动环境。因此，可以防止在掩模或掩模组件的转移工艺中出现损坏，并且可以降低工艺成本。
附图说明
30.当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的以上和其它有益效果将变得显而易见，在附图中：
31.图1是根据本公开的实施方式的衬底转移设备的示意图；
32.图2是根据本公开的实施方式的沉积室的示意性剖视图；
33.图3a和图3b是根据本公开的实施方式的沉积室的一部分的示意性剖视图；
34.图3c和图3d是根据本公开的实施方式的显示面板的示意性剖视图；
35.图4是根据本公开的实施方式的掩模的示意性分解立体图；
36.图5a和图5b是根据本公开的实施方式的掩模的示意性组装立体图；
37.图6a和图6b是根据本公开的实施方式的掩模的一部分的示意性剖视图；
38.图7是根据本公开的实施方式的掩模的示意性平面图；
39.图8a至图8c是根据本公开的实施方式的第一路径的一部分的示意图；
40.图9a和图9b是根据本公开的实施方式的掩模的示意性平面图；
41.图10a是根据本公开的实施方式的掩模的示意性分解立体图；
42.图10b是图10a所示的掩模的示意性组装平面图；
43.图10c是图10a所示的掩模的示意性组装立体图；
44.图11a和图11b是衬底转移构件的示意性立体图；
45.图11c是衬底转移构件的示意性后视图；以及
46.图12是根据本公开的实施方式的掩模组件的示意性分解立体图。
具体实施方式
47.现在将在下文中参考其中示出了实施方式的附图更全面地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
48.在本公开中，将理解的是，当元件(或区域、层或部分)被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上，直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电连接、或者物理或电联接。
49.相同的附图标记通篇表示相同的元件。在附图中，为了有效地描述技术内容，可以夸大部件的厚度、比例和尺寸。
50.如本文中所使用的，术语“和/或”可以包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指包括“a、b或者a和b”的任何组合。术语“和”和“或”可以以连接词性含义或反意连接词性含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
51.将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
52.为了便于描述，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。
53.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
54.还将理解的是，术语“包含”、“包含有”、“具有(has)”、“具有(having)”、“包括”和/或“包括有”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
55.术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意指第二对象可以在第一对象上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、延伸遍及、覆盖或部分覆盖或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
56.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“选自
…
的组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为意指包括“a、b或者a和b”的任何组合。
[0057]“约”、“近似”和“基本上”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
[0058]
图1是根据本公开的实施方式的衬底转移设备sys的示意图。衬底转移设备sys可以包括各种转移引导件和室。作为示例，衬底转移设备sys可以包括多个室md1、md2、md3、md4和md5以及连接到室md1、md2、md3、md4和md5的路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5。图1示出了衬底转移设备sys的一些部件。
[0059]
室md1、md2、md3、md4和md5中的每个可以提供单独的空间。室md1、md2、md3、md4和md5可以彼此独立地设置。图1示出了第一室md1、第二室md2、第三室md3、第四室md4和第五室md5。
[0060]
第一室md1可以提供可在其中存放和装载掩模msk的空间。第一室md1可以容纳至少一个掩模msk。可以控制第一室md1保持在真空状态下，或者可以控制第一室md1从真空状态切换到大气状态，或从大气状态切换到真空状态。在实施方式中，第一室md1可以设置为单个空间，然而，根据实施方式，第一室md1可以包括具有一个或多个路径的多个室。尽管在图中未示出，但是第一室md1可以经由一路径连接到可在其中存放掩模msk的另一室，并且可以用作离开存放室的掩模msk等待装载的空间。
[0061]
第二室md2可以提供可在其中存放或装载衬底转移构件crs的空间。衬底转移构件crs可以包括稍后描述的衬底和载体衬底。尽管在图中未示出，但是第二室md2可以连接到单独的路径以接收衬底转移构件crs。可以控制第二室md2保持在真空状态下，或者可以控制第二室md2从真空状态切换到大气状态，或从大气状态切换到真空状态。
[0062]
第三室md3可以提供可在其中生成或容纳掩模组件asy的空间。掩模组件asy可以包括衬底转移构件crs和掩模msk。掩模msk和衬底转移构件crs可以在第三室md3中彼此联接以形成掩模组件asy。可以控制第三室md3保持在真空状态下，或者可以控制第三室md3从真空状态切换到大气状态，或从大气状态切换到真空状态。
[0063]
第四室md4可以是沉积室。在第四室md4中，可以在掩模组件asy上沉积有机材料。第四室md4可以在沉积工艺期间保持在真空状态下，并且在沉积工艺之后，第四室md4可以保持在真空状态下或可以切换到大气状态。
[0064]
第五室md5可以提供可在其中卸载或存放用过的掩模msk_u的空间。用过的掩模msk_u可以是可在沉积工艺之后与掩模组件asy分离的掩模。可以在第四室md4中执行将用过的掩模msk_u与掩模组件asy分离的操作，然而，实施方式不限于此或不由此限制。用过的掩模msk_u的分离操作可以在另一室而非第四室md4中执行，并且第五室md5可以经由一路径连接到可在其中执行用过的掩模msk_u的分离操作的室。可以控制第五室md5保持在真空状态下，或者可以控制第五室md5从真空状态切换到大气状态，或从大气状态切换到真空状态。
[0065]
路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5可以设置在室md1、md2、md3、md4和md5之间，并且可以
将室md1、md2、md3、md4和md5彼此连接。路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5中的每个可以包括转移引导件。路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5中的每个可以彼此独立地驱动，并且可以保持在真空状态或大气状态下。图1示出了第一路径ps1、第二路径ps2、第三路径ps3、第四路径ps4和第五路径ps5作为代表性示例。
[0066]
第一路径ps1可以设置在第一室md1和第三室md3之间。从第一室md1提供的掩模msk可以经由第一路径ps1提供给第三室md3。第一路径ps1可以在从第一室md1到第三室md3的方向(即，第三方向dr3)上移动掩模msk。
[0067]
第二路径ps2可以设置在第二室md2和第三室md3之间。从第二室md2提供的衬底转移构件crs可以经由第二路径ps2提供给第三室md3。第二路径ps2可以在从第二室md2到第三室md3的方向(即，第二方向dr2)上移动衬底转移构件crs。
[0068]
第三路径ps3可以设置在第三室md3和第四室md4之间。从第三室md3提供的掩模组件asy可以经由第三路径ps3提供给第四室md4。第三路径ps3可以在从第三室md3到第四室md4的方向(即，第一方向dr1)上移动掩模组件asy。
[0069]
第四路径ps4可以设置在第四室md4和第五室md5之间。待容纳在第五室md5中的用过的掩模msk_u可以经由第四路径ps4提供给第五室md5。第四路径ps4可以在第二方向dr2上移动用过的掩模msk_u。
[0070]
第五路径ps5可以连接到第四室md4。尽管在图中未示出，但是第五路径ps5可以将第四室md4连接到另一模块。第五路径ps5可以在第一方向dr1上移动可通过从掩模组件asy去除用过的掩模msk_u而获得并从第四室md4提供的衬底转移构件crs。衬底转移构件crs可以经由第五路径ps5移动到另一模块。
[0071]
在实施方式中，路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5彼此分离并且将室彼此连接，然而，这仅是示例。根据实施方式，路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5可以彼此连接以形成单个路径，并且可以经由单独的室彼此连接。路径ps1、ps2、ps3、ps4和ps5可以设置在一个转移室中，并且室中的每个可以连接到转移室的下部分。掩模msk、衬底转移构件crs或掩模组件asy可以沿着与转移室对应的单个路径移动，并且掩模msk、衬底转移构件crs或掩模组件asy可以装载到可在其中执行沉积、组装或分离工艺的每个相应室中。衬底转移设备sys可以以各种方式设计，只要衬底转移设备sys包括可通过其转移掩模msk、衬底转移构件crs或掩模组件asy的路径即可。
[0072]
图2是根据本公开的实施方式的沉积室dpa的示意性剖视图。图3a和图3b是根据本公开的实施方式的沉积室dpa的一部分的示意性剖视图。图3c和图3d是根据本公开的实施方式的显示面板dp和dp-q的示意性剖视图。
[0073]
图3a示出了沉积工艺之前的沉积室，并且图3b示出了沉积工艺之后的沉积室。图3c示出了在可完成所有工艺之后获得的显示面板。图3d示出了根据本公开的实施方式的显示面板。在下文中，将参考图2和图3a至图3d来描述本公开。
[0074]
图2所示的沉积室dpa可以对应于第四室md4。沉积室dpa可以用于在显示面板dp的制造工艺中使用化学气相沉积来形成层的工艺。
[0075]
可以将沉积室dpa的沉积条件设定成真空状态。沉积室dpa可以包括底表面、顶表面和侧壁。沉积室dpa的底表面可以基本上平行于由第一方向轴d1和第二方向轴d2限定的平面。第三方向轴d3可指示沉积室dpa的底表面的法线方向。在下文中，第一方向轴d1至第
三方向轴d3可以独立于图1所示的第一方向dr1至第三方向dr3来限定。在图2和图3a至图3d中使用的表述“当在平面中观察时或在平面中”或“在平面图中”中，所述平面可以基于基本上平行于第一方向轴d1和第二方向轴d2的平面来设定。
[0076]
沉积室dpa可以用于形成显示面板dp的部件中的、沉积遍及显示面板dp的整个表面的导电层或绝缘层。参考图3c，显示面板dp可以包括显示层100、传感器层200和抗反射层300。
[0077]
显示层100可以具有生成图像的配置。显示层100可以是发光型显示层。例如，显示层100可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微米发光二极管显示层或纳米发光二极管显示层。显示层100可以包括可在向上方向d3u上彼此堆叠的衬底110、电路层120、发光元件层130和封装层140。向上方向d3u可以是与第三方向轴d3(可沿其将沉积材料供应到提供给沉积室dpa的工作衬底ws)相反的方向。
[0078]
衬底110可以包括层111、112、113和114。作为示例，衬底110可以包括第一子基础层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基础层114。第一子基础层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基础层114可以在向上方向d3u上顺序地彼此堆叠。
[0079]
第一子基础层111和第二子基础层114中的每个可以包括基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于甲基丙烯酸的树脂、基于聚异戊二烯的树脂、基于乙烯的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。在本公开中，术语“基于x的树脂”意指在树脂中可以包括“x”的官能团。阻挡层br可以设置在衬底110上。
[0080]
第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每个可以包括无机材料。第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。作为示例，第一子基础层111和第二子基础层114中的每个可以包括聚酰亚胺，第一中间阻挡层112可以包括氮氧化硅(sion)，并且第二中间阻挡层113可以包括氧化硅(sio
x
)。
[0081]
例如，第一中间阻挡层112的折射率可以具有在第一子基础层111的折射率和第二中间阻挡层113的折射率之间的值。随着可彼此接触的层之间的折射率的差异减小，可以减小在可彼此接触的层之间的界面处的光的反射。然而，这仅是示例，层111、112、113和114中的每个可以包括各种材料，并且实施方式不受特别限制。
[0082]
第一子基础层111的厚度可以大于第二子基础层114的厚度，然而，实施方式不限于此或不由此限制。第一中间阻挡层112的厚度可以小于第二中间阻挡层113的厚度。然而，第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每个的厚度不限于此或不由此限制。
[0083]
电路层120可以包括像素电路pc以及绝缘层br、bf和10至80。绝缘层br、bf和10至80可以包括可在向上方向d3u上布置的阻挡层br、缓冲层bf、以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50、第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80。
[0084]
像素电路pc可以包括光阻挡层bml、薄膜晶体管s-tft和o-tft、以及电容器cst。像素电路pc可以与发光元件ld一起形成像素。像素可以包括薄膜晶体管s-tft和o-tft以及发光元件ld。为了便于说明，图3b示出了两个薄膜晶体管s-tft和o-tft(下文中，分别称为第
一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管)作为代表性示例。根据实施方式，像素的薄膜晶体管的数量可以以各种方式改变，并且不受特别限制。
[0085]
阻挡层br可以设置在衬底110上。阻挡层br可以包括设置在衬底110上的第一子阻挡层br1和设置在第一子阻挡层br1上的第二子阻挡层br2。
[0086]
第一子阻挡层br1和第二子阻挡层br2中的每个可以包括无机材料。第一子阻挡层br1和第二子阻挡层br2中的每个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。作为示例，第一子阻挡层br1可以包括氮氧化硅(sion)，并且第二子阻挡层br2可以包括氧化硅(sio
x
)。
[0087]
第一子阻挡层br1的折射率可以具有在第二子基础层114的折射率和第二子阻挡层br2的折射率之间的值。随着可彼此接触的层之间的折射率的差异减小，可以减小在可彼此接触的层之间的界面处的光的反射。结果，可以改善穿过透射区域的光的透射率。然而，这仅是示例，并且第一子阻挡层br1和第二子阻挡层br2中的每个可以包括各种材料。
[0088]
光阻挡层bml可以设置在阻挡层br上和/或设置在阻挡层br中。光阻挡层bml可以包括钼(mo)、包括钼(mo)的合金、银(ag)、包括银(ag)的合金、铝(al)、包括铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、钛(ti)、p
+
掺杂的非晶硅、motao
x
等或其组合，然而，实施方式不限于此或不由此限制。光阻挡层bml可以被称为后表面金属层或后表面层。
[0089]
光阻挡层bml可以包括可设置在彼此不同的层上的第一光阻挡层bmla和第二光阻挡层bmlb。第一光阻挡层bmla和第二光阻挡层bmlb可以分别阻挡从衬底110的后表面入射到第一薄膜晶体管s-tft和第二薄膜晶体管o-tft中的光。因此，可以防止第一薄膜晶体管s-tft和第二薄膜晶体管o-tft的特性畸变或者由光生成噪声信号的缺陷。
[0090]
第一光阻挡层bmla可以设置在第一子阻挡层br1上，并且可以设置在第二子阻挡层br2中。例如，可以在沿着厚度方向形成第二子阻挡层br2的一部分之后形成第一光阻挡层bmla，并且第二子阻挡层br2的在厚度方向上的另一部分可以形成为覆盖第一光阻挡层bmla。然而，这仅是示例，第一光阻挡层bmla可以设置在第二子阻挡层br2下方或上方，只要第一光阻挡层bmla设置在第一薄膜晶体管s-tft下方即可，并且实施方式不受特别限制。
[0091]
缓冲层bf可以设置在阻挡层br上。缓冲层bf可以防止金属原子或杂质从衬底110扩散到第一薄膜晶体管s-tft的第一半导体图案。缓冲层bf可以在结晶工艺期间控制供热速率以形成第一半导体图案，从而可以均匀地形成第一薄膜晶体管s-tft的第一半导体图案。
[0092]
缓冲层bf可以包括第一子缓冲层bf1和设置在第一子缓冲层bf1上的第二子缓冲层bf2。第一子缓冲层bf1和第二子缓冲层bf2中的每个可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。作为示例，第一子缓冲层bf1可以包括氮化硅，并且第二子缓冲层bf2可以包括氧化硅。
[0093]
尽管在图中未示出，但是可以在特定区域(例如，透射区域)中去除第二子缓冲层bf2的一部分。因此，第二子缓冲层bf2的一部分的厚度在不同的区域中可以不同。然而，这仅是示例，第二子缓冲层bf2可以在显示面板dp的所有区域中具有不均匀的厚度，并且实施方式不受特别限制。
[0094]
绝缘层10至80可以包括多个无机绝缘层。根据实施方式，顺序地设置在缓冲层bf上的第一绝缘层10至第五绝缘层50中的至少一些层可以是无机绝缘层。作为示例，第一绝
缘层10至第五绝缘层50全部可以是无机绝缘层。
[0095]
第一薄膜晶体管s-tft可以设置在缓冲层bf上。第一薄膜晶体管s-tft可以包括第一栅极gt1、第一源极se1、第一漏极de1和第一沟道ac1。第一源极se1、第一漏极de1和第一沟道ac1可以形成单个半导体图案(下文中，称为第一半导体图案)。
[0096]
第一半导体图案可以设置在缓冲层bf上。第一半导体图案可以包括硅半导体。作为示例，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案可以包括低温多晶硅。
[0097]
图3b仅示出了设置在缓冲层bf上的第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案可以进一步设置在其它区域中。第一半导体图案可以以特定的规则布置成遍及多个像素。取决于第一半导体图案是否被掺杂或第一半导体图案掺杂有n型掺杂剂还是p型掺杂剂，第一半导体图案可以具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括具有相对高导电性的第一区域和具有相对低导电性的第二区域。第一区域可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区域，并且n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或以比第一区域的浓度低的浓度掺杂的区域。
[0098]
第一区域的电导率可以大于第二区域的电导率，并且第一区域可以是第一薄膜晶体管s-tft的源极区域或漏极区域，或者可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上对应于第一薄膜晶体管s-tft的有源区域(或沟道)。
[0099]
在实施方式中，第一源极se1和第一漏极de1中的每个可以是第一区域，并且第一沟道ac1可以是第二区域。然而，这仅是示例，第一源极se1和第一漏极de1可以被设置为与第一沟道ac1分离的电极，并且可以被连接到第一半导体图案，并且实施方式不限于此或不由此限制。
[0100]
第一栅极gt1可以设置在第一绝缘层10上。第一栅极gt1可以是金属图案的一部分。第一栅极gt1可以与第一沟道ac1重叠。第一栅极gt1可以在掺杂第一半导体图案的工艺中用作掩模。第一栅极gt1可以包括钛(ti)、银(ag)、包括银(ag)的合金、钼(mo)、包括钼(mo)的合金、铝(al)、包括铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等或其组合，然而，实施方式不受特别限制。
[0101]
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖第一栅极gt1。第二绝缘层20可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。根据实施方式，第二绝缘层20可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
[0102]
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。作为示例，第三绝缘层30可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。电容器cst的第二电极ce2可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。电容器cst的第一电极ce1可以设置在第一绝缘层10和第二绝缘层20之间。在实施方式中，第一薄膜晶体管s-tft的第一栅极gt1可以用作电容器cst的第一电极ce1。
[0103]
第二光阻挡层bmlb可以设置在第二绝缘层20上并且可以被第三绝缘层30覆盖。第二光阻挡层bmlb可以连接到连接电极bl2-c并且从连接电极bl2-c接收电信号。第二光阻挡层bmlb可以与第二电极ce2设置在相同的层上，并且可以与第二电极ce2通过相同的工艺基本上同时形成。因此，可以降低工艺成本，并且可以简化制造工艺。然而，这仅是示例，第二
光阻挡层bmlb可以设置在与其上设置有第二电极ce2的层不同的层上，或者可以由与第二电极ce2不同的材料形成，并且实施方式不受特别限制。
[0104]
第二薄膜晶体管o-tft可以设置在第三绝缘层30上。第二薄膜晶体管o-tft可以包括第二栅极gt2、第二源极se2、第二漏极de2和第二沟道ac2。第二源极se2、第二漏极de2和第二沟道ac2可以形成单个半导体图案(下文中，称为第二半导体图案)。
[0105]
第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。取决于金属氧化物是否被还原，氧化物半导体可以包括彼此区分开的多个区域。在其中金属氧化物可被还原的区域(下文中，称为还原区域)的电导率大于在其中金属氧化物不被还原的区域(下文中，称为非还原区域)的电导率。
[0106]
还原区域可以用作第二薄膜晶体管o-tft的源极区域或漏极区域，或者可以基本上用作电极或信号线。非还原区域可以对应于第二薄膜晶体管o-tft的有源区域(或沟道)。
[0107]
在实施方式中，第二源极se2和第二漏极de2中的每个可以是还原区域，并且第二沟道ac2可以是非还原区域，然而，这仅是示例。根据实施方式，第二源极se2和第二漏极de2可以被设置为与第二沟道ac2分离的电极，并且可以被连接到第二半导体图案，并且实施方式不受特别限制。
[0108]
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以公共地与多个像素重叠并且可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。第四绝缘层40可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
[0109]
第二栅极gt2可以设置在第四绝缘层40上。第二栅极gt2可以是金属图案的一部分。第二栅极gt2在平面图中可以与第二沟道ac2重叠。第二栅极gt2可以在掺杂第二半导体图案的工艺中用作掩模。
[0110]
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖第二栅极gt2。第五绝缘层50可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。
[0111]
第一连接电极cne1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极cne1可以经由限定成穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔连接到第一漏极de1。尽管在图3c中未示出，但是显示面板dp还可以包括形成在与第一连接电极cne1对应的位置处并连接到第二漏极de2或第二源极se2的连接电极，然而，实施方式不受特别限制。
[0112]
在实施方式中，第一薄膜晶体管s-tft被描述为硅薄膜晶体管，并且第二薄膜晶体管o-tft被描述为氧化物薄膜晶体管。然而，根据实施方式，第一薄膜晶体管s-tft可以是氧化物薄膜晶体管，并且第二薄膜晶体管o-tft可以是硅薄膜晶体管。根据实施方式，第一薄膜晶体管s-tft和第二薄膜晶体管o-tft可以由相同的半导体材料形成。根据实施方式，像素电路pc可以被设计成具有各种薄膜晶体管，并且不受特别限制。
[0113]
电路层120可以包括设置在无机绝缘层上的有机绝缘层。作为示例，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的至少一个可以是有机绝缘层。
[0114]
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以包括有机材料。例如，第六绝缘层60可以包括基于聚酰亚胺的树脂。第二连接电极cne2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极cne2可以通过限定成穿过第六绝缘层60的接触孔连接到第一连接电
极cne1。
[0115]
第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极cne2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
[0116]
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以是有机层。在本公开中，第六绝缘层60可以被称为第一有机绝缘层，第七绝缘层70可以被称为第二有机绝缘层，并且第八绝缘层80可以被称为第三有机绝缘层。作为示例，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物和基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或其共混物。
[0117]
可包括在电路层120中的缓冲层bf、阻挡层br、以及绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些绝缘层可以设置有限定成穿过其的开口，以与透射区域重叠。根据本公开，可以去除特定区域中的绝缘层，并且因此，特定区域的透射率可以增加，然而，这仅是示例。根据实施方式，缓冲层bf、阻挡层br、以及绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80全部可以在没有开口(不同于接触孔)的情况下形成为遍及显示面板dp的所有区域，并且不受特别限制。
[0118]
包括发光元件ld的发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件ld可以包括像素电极ae、第一功能层hfl、发光层el、第二功能层efl和公共电极ce。第一功能层hfl、第二功能层efl和公共电极ce中的每个可以以一体形状设置成遍及显示面板dp。然而，这仅是示例。第一功能层hfl、第二功能层efl和公共电极ce可以在每一个像素中被图案化，并且实施方式不受特别限制。
[0119]
像素电极ae可以设置在第八绝缘层80上。像素电极ae可以是半透射电极、透射电极或反射电极。根据实施方式，像素电极ae可以包括由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其化合物或其组合形成的反射层、以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)和掺杂铝的氧化锌(azo)构成的组中的至少一种。例如，像素电极ae可以具有ito/ag/ito的堆叠结构。
[0120]
在实施方式中，像素电极ae可以经由第一连接电极cne1和第二连接电极cne2连接到第一薄膜晶体管s-tft，然而，这仅是示例。根据实施方式，像素电极ae可以连接到第二薄膜晶体管o-tft，并且不受特别限制。
[0121]
像素限定层pdl可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层pdl可以具有光吸收特性，例如，像素限定层pdl可以具有黑颜色。像素限定层pdl可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括诸如铬的金属材料或其氧化物、炭黑或其组合。
[0122]
像素限定层pdl可以设置有限定成穿过其的开口pdl-op(下文中，称为发光开口)，以暴露像素电极ae的一部分。例如，像素限定层pdl可以覆盖像素电极ae的边缘。
[0123]
第一功能层hfl可以设置在像素电极ae和像素限定层pdl上。第一功能层hfl可以包括空穴传输层，可以包括空穴注入层，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层二者。
[0124]
发光层el可以设置在第一功能层hfl上，并且可以设置在与像素限定层pdl的发光
开口pdl-op对应的区域中。发光层el可以包括发射具有一颜色的光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。
[0125]
第二功能层efl可以设置在第一功能层hfl上并且可以覆盖发光层el。第二功能层efl可以包括电子传输层，可以包括电子注入层，或者可以包括电子传输层和电子注入层二者。
[0126]
公共电极ce可以设置在第二功能层efl上。公共电极ce可以由透射电极层或半透射电极层形成。作为示例，公共电极ce可以包括具有透光率的薄层(例如，ag层)。
[0127]
发光元件层130还可以包括设置在公共电极ce上的封盖层cpl。封盖层cpl可以包括lif、其它无机材料和/或有机材料。封盖层cpl可以在形成封装层140的工艺中保护公共电极ce，并且可以通过与公共电极ce匹配的折射率来改善发光元件ld的光提取效率。
[0128]
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括可顺序地彼此堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，然而，包括在封装层140中的层不限于此或不由此限制。
[0129]
无机层141和143可以保护发光元件层130不受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130不受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层、或其组合。有机层142可以包括基于丙烯酸的有机层，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0130]
传感器层200可以设置在显示层100上。传感器层200可以感测从外部施加到其的外部输入。外部输入可以是用户输入。用户输入可以包括各种外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。传感器层200可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。
[0131]
传感器层200可以包括传感器基础层210、第一传感器导电层220、传感器绝缘层230、第二传感器导电层240和传感器覆盖层250。传感器基础层210可以直接设置在显示层100上。传感器基础层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。根据实施方式，传感器基础层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或基于酰亚胺的树脂的有机层。传感器基础层210可以具有单层结构，或者可以具有在第三方向轴d3中彼此堆叠的多个层的多层结构。
[0132]
第一传感器导电层220和第二传感器导电层240中的每个可以具有单层结构，或者可以具有在第三方向轴d3上彼此堆叠的多个层的多层结构。
[0133]
具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金、或其组合。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌锡(itzo)等的透明导电氧化物或其组合。透明导电层可以包括诸如聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(pedot)的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等或其组合。
[0134]
具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
[0135]
传感器绝缘层230可以设置在第一传感器导电层220和第二传感器导电层240之间。传感器绝缘层230可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
[0136]
根据实施方式，传感器绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括基于丙烯酸的树脂、基于甲基丙烯酸的树脂、基于聚异戊二烯的树脂、基于乙烯的树脂、基于环氧的树脂、
基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。
[0137]
传感器覆盖层250可以设置在传感器绝缘层230上并且可以覆盖第二传感器导电层240。第二传感器导电层240可以包括导电图案240p。传感器覆盖层250可以覆盖第二传感器导电层240，并且可以减少在随后的工艺中在第二传感器导电层240中出现损坏的可能性。
[0138]
传感器覆盖层250可以包括无机材料。作为示例，传感器覆盖层250可以包括氮化硅，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0139]
抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以降低对于从外部入射到其的外部光的反射率。抗反射层300可以选择性地透射从显示层100发射的光。抗反射层300可以包括分隔层310、滤色器320和平坦化层330。
[0140]
分隔层310可以设置成与第二传感器导电层240重叠。在实施方式中，导电图案240p可以对应于第二传感器导电层240。传感器覆盖层250可以设置在分隔层310和第二传感器导电层240之间。分隔层310可以防止外部光被第二传感器导电层240反射。用于分隔层310的材料不受特别限制，只要所述材料吸收光即可。
[0141]
分隔层310可以具有黑颜色并且可以具有黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括诸如铬的金属材料或其氧化物、炭黑或其组合。
[0142]
分隔层310可以设置有限定成穿过其的分隔开口310-op。分隔开口310-op中的每个可以分别与发光层el重叠。滤色器320可以设置成分别对应于分隔开口310-op。滤色器320可以透射从与滤色器320重叠的发光层el提供的光。
[0143]
平坦化层330可以覆盖分隔层310和滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料并且可以在其上表面上提供平坦表面。根据实施方式，可以省略平坦化层330。
[0144]
根据实施方式，抗反射层300可以具有单层结构，其包括基础树脂和分散在基础树脂中的染料和/或颜料。例如，滤色器320可以改变成染料层/颜料层。抗反射层300可以设置为与所有的发光元件ld重叠的单层。
[0145]
根据实施方式，在显示面板dp中可以省略传感器层200和抗反射层300中的至少一个，并且显示面板dp不受特别限制。
[0146]
参考图3d，显示面板dp-q还可以包括光学结构层osl。显示面板dp-q可以包括显示层100-1、光学结构层osl和填充层fml。
[0147]
显示层100-1可以包括衬底110-1、电路层120-1、发光元件层130-1和封装层140。衬底110-1可以具有单层结构。作为示例，衬底110-1可以是玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底。
[0148]
电路层120-1可以具有与图3c所示的电路层120的层结构不同的层结构。作为示例，电路层120-1可以包括薄膜晶体管t-d、下缓冲层brl、以及第一绝缘层11、第二绝缘层21和第三绝缘层31。图3d示出了形成薄膜晶体管t-d的有源区域a-d、源极区域s-d、漏极区域d-d和栅极g-d的布置，作为代表性示例。有源区域a-d、源极区域s-d和漏极区域d-d可以根据半导体图案的掺杂浓度或导电性彼此区分开。
[0149]
下缓冲层brl以及第一绝缘层11、第二绝缘层21和第三绝缘层31可以在向上方向d3u上顺序地布置，并且有源区域a-d、源极区域s-d、漏极区域d-d和栅极g-d中的每个可以
设置在绝缘层brl、11、21和31之间。作为示例，下缓冲层brl以及第一绝缘层11和第二绝缘层21可以是无机层，并且第三绝缘层31可以是有机层。
[0150]
发光元件层130-1可以包括发光元件led。发光元件led可以对应于以上描述的发光元件ld。详细地，发光元件led可以包括第一电极el1、第二电极el2以及设置在第一电极el1和第二电极el2之间的发光层eml。空穴控制层htr和电子控制层etr可以分别设置在第一电极el1和发光层eml之间以及发光层eml和第二电极el2之间。
[0151]
发光层eml可以具有不同于图3c所示的发光层el的单层结构，然而，实施方式不限于此或不由此限制。发光层eml可以生成光作为源光。发光层eml可以生成蓝光。蓝光可以具有从约410nm至约480nm的波长。蓝光的光发射光谱可以在从约440nm至约460nm的波长范围内具有最大峰值。
[0152]
封装层140可以设置在发光元件层130-1上。光学结构层osl可以设置在封装层140(诸如，薄膜封装层)上。光学结构层osl可以包括光控制层ccl、滤色器层cfl和基础层bl。在本公开中，光学结构层osl可以被称为上面板、上显示衬底或光学构件。
[0153]
光控制层ccl可以设置在包括发光元件led的显示层100-1上。光控制层ccl可以包括堤部bmp、光控制图案ccp、以及阻挡层cap和cap-t。
[0154]
堤部bmp可以包括基础树脂和添加剂。基础树脂可以包括通常被称为粘结剂的各种树脂组合物。添加剂可以包括偶联剂和/或光引发剂。添加剂可以进一步包括分散剂。
[0155]
堤部bmp可以包括用于阻挡光的黑色着色剂。堤部bmp可以包括与基础树脂混合的黑色染料或黑色颜料。根据实施方式，黑色着色剂可以包括诸如铬的金属材料或其氧化物、炭黑或其组合。
[0156]
堤部bmp可以设置有堤部开口bw-oh，该堤部开口bw-oh被限定成穿过堤部bmp并且对应于发光开口oh。堤部开口bw-oh在平面图中可以与发光开口oh重叠，并且其尺寸可以大于发光开口oh的尺寸。例如，堤部开口bw-oh的尺寸可以大于由发光开口oh限定的发光区域ea1的尺寸。在本公开中，表述“两个部件彼此对应”意指两个部件可以彼此重叠，然而，所述表述不应被限制成意指两个部件具有相同的尺寸。在实施方式中，可以通过堤部bmp来限定第一像素区域pxa-r和第二像素区域pxa-b以及非发光区域npxa。
[0157]
光控制图案ccp可以设置在堤部开口bw-oh内部。光控制图案ccp中的至少光控制图案ccp-r可以转换源光的光学特性。
[0158]
光控制图案ccp-r可以包括量子点以转换源光的光学特性。光控制图案ccp-r可以包括量子点，以将源光转换成具有另一波长的光。与第一像素区域pxa-r重叠的光控制图案ccp-r中包括的量子点可以将为源光的蓝光转换成红光。
[0159]
量子点可以具有核-壳结构，并且量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及其组合。
[0160]
ii-vi族化合物可以选自：二元化合物，其选自由cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、
hgznsete、hgznste及其混合物构成的组。
[0161]
iii-vi族化合物可以包括in2s3或in2se3的二元化合物、ingas3或ingase3的三元化合物、或它们的任何组合。
[0162]
i-iii-vi族化合物可以包括选自由agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2及其混合物构成的组的三元化合物或agingas2、cuingas2等的四元化合物或其组合。
[0163]
iii-v族化合物可以选自：二元化合物，其选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物构成的组。iii-v族化合物还可以包括ii族金属。例如，可以选择inznp作为iii-ii-v族化合物。
[0164]
iv-vi族化合物可以选自：二元化合物，其选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物构成的组。iv族元素可以选自由si、ge及其混合物构成的组。iv族化合物可以是选自sic、sige及其混合物的二元化合物。
[0165]
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以在被划分成具有不同浓度的多个部分之后存在于同一颗粒中。量子点可以具有一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。在核-壳结构中，存在于壳中的元素的浓度可以具有随着距核的距离减小而降低的浓度梯度。
[0166]
量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括具有纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层以防止核的化学改性并保持半导体特性，和/或可以用作充电层以向量子点赋予电泳特性。壳可以具有单层或多层结构。量子点的壳可以包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合作为其代表性示例。
[0167]
金属氧化物或非金属氧化物可以包括：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio；或三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0168]
半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp或alsb，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0169]
量子点可以具有约45nm或更小(在一实施方式中约40nm或更小，并且在另一实施方式中约30nm或更小)的光发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)。在该范围内，可以改善颜色纯度和颜色再现性。由于通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，因此可以改善光学视角。
[0170]
量子点的形状可以具有本领域中常用的形状，然而，实施方式不受特别限制。更详细地，球形、字塔形、多臂或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片等可以应用于量子点。
[0171]
量子点可以取决于其颗粒尺寸来控制发射光的颜色，并且因此，量子点可以具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发射颜色。根据实施方式，包括在与第一像素区域pxa-r重叠的光控制图案ccp-r中的量子点可以具有红色发射颜色。随着量子点的颗粒尺寸减小，从量子点发射的光的波长变短。例如，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可以小于具有相同核的量子点中的发射红光的量子点的颗粒尺寸。发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可以小于具有相同核的量子点中的发射绿光的量子点的颗粒尺寸。然而，本公开不限于此或不由此限制，并且在具有相同核的量子点中，可以取决于用于壳的材料和壳的厚度来调节颗粒尺寸。
[0172]
在量子点具有诸如蓝色、红色、绿色等的各种发射颜色的情况下，用于具有不同发射颜色的量子点的核的材料可以彼此不同。
[0173]
光控制图案ccp-r还可以包括散射体。光控制图案ccp-r可以包括将源光转换成红光的量子点和散射光的散射体。
[0174]
散射体可以是无机颗粒。作为示例，散射体可以包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空的硅土中的至少一种。散射体可以包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空的硅土中的至少一种，或者可以包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空的硅土中的两种或更多种的混合材料。
[0175]
光控制图案ccp-r可以包括可在其中分散量子点和散射体的基础树脂。基础树脂可以是可在其中分散量子点和散射体的介质，并且可以包括通常被称为粘结剂的各种树脂组合物。作为示例，基础树脂可以是基于丙烯酸的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于硅酮的树脂、基于环氧的树脂或其组合。基础树脂可以是透明树脂。
[0176]
在实施方式中，光控制图案ccp-r可以通过喷墨工艺形成。可以在堤部开口bw-oh内提供液体组合物。可通过热固化工艺或光固化工艺聚合的组合物可以在固化之后体积减小。
[0177]
在堤部bmp的下表面和光控制图案ccp(其包括如图3d所示的光控制图案ccp-r和ccp-b)的下表面之间可能出现台阶差。例如，堤部bmp的下表面可以限定在比光控制图案ccp的下表面低的位置处。堤部bmp的下表面和光控制图案ccp的下表面之间的高度差可以在约2μm至约3μm的范围内。
[0178]
光控制层ccl可以包括设置在光控制图案ccp的上表面和下表面的至少一个上的阻挡层cap和cap-t。阻挡层cap和cap-t可以防止湿气和/或氧气(下文中，称为湿气/氧气)进入。阻挡层cap和cap-t可以设置在光控制图案ccp上和下方，以防止光控制图案ccp暴露于湿气/氧气。
[0179]
阻挡层cap和cap-t可以包括与显示层100-1相邻的第一阻挡层cap和与显示层100-1间隔开的第二阻挡层cap-t，且光控制图案ccp插置在第一阻挡层cap和第二阻挡层cap-t之间。第一阻挡层cap可以覆盖光控制图案ccp的与显示层100-1相邻的表面，并且第二阻挡层cap-t可以覆盖光控制图案ccp的与滤色器层cfl相邻的另一表面。除了光控制图案ccp之外，阻挡层cap和cap-t可以覆盖堤部bmp。
[0180]
第一阻挡层cap可以设置成与堤部bmp和光控制图案ccp之间的台阶差对应。第二阻挡层cap-t可以覆盖堤部bmp和光控制图案ccp中的每个的可与滤色器层cfl相邻的表面。第二阻挡层cap-t可以直接设置在低折射层lr上。
[0181]
阻挡层cap和cap-t可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层cap和cap-t可以包括无机材料。作为示例，阻挡层cap和cap-t可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、
氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种、以及具有透光率的金属薄膜。作为示例，设置在光控制图案ccp下方的第一阻挡层cap可以包括氮氧化硅，并且设置在光控制图案ccp上的第二阻挡层cap-t可以包括氧化硅，然而，实施方式不限于此或不由此限制。阻挡层cap和cap-t可以进一步包括有机层。阻挡层cap和cap-t可以具有单层或多层结构。在阻挡层cap和cap-t中，无机层可以防止光控制图案ccp受到外部湿气的影响，并且有机层可以补偿堤部bmp和光控制图案ccp之间的台阶差，并且可以针对设置在其上的构件提供平坦的基础表面。
[0182]
滤色器层cfl可以设置在光控制层ccl上。滤色器层cfl可以包括至少一个滤色器cf1。滤色器cf1可以透射特定波长范围内的光，并且可以阻挡特定波长范围之外的光。第一像素区域pxa-r中的滤色器cf1可以透射红光并且可以阻挡绿光和蓝光。在非发光区域npxa中，滤色器cf1可以与另一滤色器cf2重叠。
[0183]
滤色器cf1可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的染料和/或颜料。基础树脂可以是可在其中分散染料和/或颜料的介质，并且可以包括通常被称为粘结剂的各种树脂组合物。在下文中，详细描述滤色器cf1。
[0184]
滤色器cf1可以在第一像素区域pxa-r中具有均匀的厚度。可以在第一像素区域pxa-r中以均匀的亮度将通过经由光控制图案ccp-r对源光(其包括蓝光)进行转换而获得的红光提供到外部。
[0185]
滤色器层cfl可以包括低折射层lr。低折射层lr可以设置在光控制层ccl和滤色器cf1之间。低折射层lr可以设置在光控制层ccl上，以防止光控制图案ccp暴露于湿气/氧气。低折射层lr可以设置在光控制图案ccp和滤色器cf1之间，以用作增加光提取效率或防止反射光进入光控制层ccl的光学功能层。低折射层lr的折射率可以小于与其相邻的层的折射率。
[0186]
低折射层lr可以具有相对低的折射率，并且可以是有机材料和无机材料的混合层。根据实施方式，低折射层lr可以包括聚合物树脂，并且可以通过将无机颗粒分散在聚合物树脂中来获得。包括在低折射层lr中的聚合物树脂可以是例如硅树脂和/或丙烯酸硅树脂。包括在低折射层lr中的无机颗粒可以是例如中空的硅土和/或致孔剂，然而，实施方式不限于此或不由此限制。根据实施方式，低折射层lr可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种、以及具有透光率的金属薄膜。低折射层lr可以具有单层或多层结构。
[0187]
低折射层lr可以具有等于或小于约1.3的折射率。根据实施方式，低折射层lr的折射率可以是约1.2。低折射层lr可以在约400nm或更大且约700nm或更小的波长范围(其是可见光范围)内具有1.3或更小的折射率。
[0188]
在另一实施方式中，滤色器层cfl的滤色器cf1可以直接设置在光控制层ccl上。可以省略低折射层lr。
[0189]
根据实施方式，显示面板dp-q还可以包括设置在滤色器层cfl上的基础层bl。基础层bl可以提供可在其上设置滤色器层cfl和光控制层ccl的基础表面。基础层bl可以是玻璃衬底、金属衬底或塑料衬底，然而，实施方式不限于此或不由此限制。根据实施方式，基础层bl可以是无机层、有机层或复合材料层。根据实施方式，可以省略基础层bl。尽管在图中未示出，但是可以在基础层bl上设置用于防止光被反射的层，并且可以在基础层bl上设置图
3c所示的抗反射层300或由连续层形成的抗反射层。
[0190]
显示面板dp-q可以具有包括显示层100-1的下面板以及包括光控制层ccl和滤色器层cfl的上面板(例如，光学结构层osl)，并且填充层fml可以设置在下面板和上面板(例如，光学结构层osl)之间。根据实施方式，填充层fml可以被填充在显示层100-1和光控制层ccl之间。填充层fml可以直接设置在封装层140上，并且包括在光控制层ccl中的第一阻挡层cap可以直接设置在填充层fml上。填充层fml的下表面可以与封装层140的上表面接触，并且填充层fml的上表面可以与第一阻挡层cap的下表面接触。
[0191]
填充层fml可以用作显示层100-1和光控制层ccl之间的缓冲件。根据实施方式，填充层fml可以具有冲击吸收功能并且可以增加显示面板dp-q的强度。填充层fml可以由包括聚合物树脂的填充树脂形成。作为示例，填充层fml可以由诸如基于丙烯酸的树脂或基于环氧的树脂的填充树脂形成。
[0192]
填充层fml可以通过与设置在其下方的封装层140和设置在其上的第一阻挡层cap分开的工艺形成。填充层fml可以由与封装层140和第一阻挡层cap的材料不同的材料形成。
[0193]
再次参考图2、图3a和图3b，作为示例，沉积室dpa可以在形成第一功能层hfl、第二功能层efl或公共电极ce的沉积工艺中使用。根据实施方式，沉积室dpa可以在形成电路层120的绝缘层10至80或封装层140的无机层141和143的沉积工艺中使用。
[0194]
固定构件cm可以设置在沉积室dpa中，可以设置在沉积源ds上，并且可以固定掩模msk。固定构件cm可以安装在沉积室dpa的顶表面处。固定构件cm可以包括夹具或机械臂以保持掩模msk。
[0195]
固定构件cm可以包括主体部分bd和联接到主体部分bd的磁性物mm。主体部分bd可以包括板作为固定掩模msk的基础结构，然而，实施方式不受特别限制。磁性物mm可以设置在主体部分bd的内部或外部。磁性物mm可以使用磁力来固定掩模msk。
[0196]
沉积源ds可以蒸发沉积材料(例如，有机材料、无机材料、金属材料等)，并且可以将蒸发的沉积材料作为蒸汽喷射。所喷射的沉积材料可以在穿过掩模msk之后以一图案沉积在工作衬底ws上。如上所述，工作衬底ws可以对应于显示面板dp的制造工艺中的各个阶段中的衬底。
[0197]
掩模msk可以设置在沉积室dpa内部，可以设置在沉积源ds上方，并且可以支承工作衬底ws。在实施方式中，掩模msk可以包括框架fm和杆st。杆st可以对应于掩模片ms(参见图10a)，并且由框架fm限定的开口可以进一步被杆st细分。因此，可以在掩模msk中省略杆st。尽管在图中未示出，但是可以在沉积室dpa中进一步设置另外的支承构件以固定掩模msk，然而，本公开不限于此或不由此限制。
[0198]
图3a示出了设置在沉积室dpa中的工作衬底ws1(下文中，称为沉积前的工作衬底)，并且图3b示出了在沉积室dpa中在工作衬底上执行沉积工艺之后的工作衬底ws2(下文中，称为沉积后的工作衬底)。为了便于说明，以简化的形式示出了衬底110和电路层120。
[0199]
在实施方式中，沉积室dpa可以是执行与第一功能层hfl相关的沉积工艺的设备。因此，沉积前的工作衬底ws1可以处于可形成多个像素电极ae-r、ae-g和ae-b和像素限定层pdl的状态下。开口op_r、op_g和op_b可以限定成穿过像素限定层pdl，并且像素电极ae-r、ae-g和ae-b的至少一部分可以被暴露，而不被像素限定层pdl覆盖。
[0200]
在沉积室dpa中执行沉积工艺的情况下，可以在沉积前的工作衬底ws1上形成第一
功能层hfl，从而可以形成沉积后的工作衬底ws2。在沉积后的工作衬底ws2中包括的第一功能层hfl可以与所有的开口op_r、op_g和op_b重叠。例如，掩模msk可以设置有限定成穿过其以对应于衬底110的整个区域的开口，并且沉积源ds可以提供与第一功能层hfl对应的有机材料。
[0201]
可以使用另一掩模在相同的室中执行随后的沉积工艺。根据实施方式，随后的沉积工艺可以使用另一掩模在另一沉积室中执行。显示面板dp和dp-q可以通过各种工艺形成，并且不受特别限制。
[0202]
图4是根据本公开的实施方式的掩模msk的示意性分解立体图。图5a和图5b是根据本公开的实施方式的掩模msk的示意性组装立体图。图6a和图6b是根据本公开的实施方式的掩模msk的一部分的示意性剖视图。在下文中，将参考图4、图5a、图5b、图6a和图6b详细描述本公开的掩模msk。
[0203]
掩模msk可以包括框架fm和容纳结构。容纳结构可以采用多种形式，并且在实施方式中，可以包括第一容纳部ab1和第二容纳部ab2。第一容纳部ab1和第二容纳部ab2例如可以实施为第一空间盒和第二空间盒。在实施方式中，容纳结构可以包括以约90度相交的多个表面(例如，方形边缘)。在其它实施方式中，容纳结构可以包括被圆化的边缘。在其它实施方式中，容纳结构可以在多个表面之间不具有边缘。框架fm可以包括金属材料。作为示例，框架fm可以包括镍(ni)、镍-钴合金或镍-铁合金。
[0204]
框架fm在平面图中可以具有四边形形状。框架fm可以设置成在其中限定有开口op。在平面图中，框架fm可以具有四边形的环形形状。框架fm可以包括四个部分s1、s2、s3和s4。
[0205]
框架fm可以包括在第三方向dr3上延伸的第一部分s1和第二部分s2。第一部分s1和第二部分s2可以在第一方向dr1上彼此面对。框架fm可以包括在第一方向dr1上延伸的第三部分s3和第四部分s4。第三部分s3可以连接第一部分s1的一端和第二部分s2的一端，并且第四部分s4可以连接第一部分s1的另一端和第二部分s2的另一端。第一部分s1至第四部分s4可以通过焊接彼此联接，或者可以与彼此一体地设置。
[0206]
第一部分s1至第四部分s4中的每个可以设置成在其中限定有台阶区域。台阶区域可以限定在下表面ls中。台阶区域可以限定在开口op的外部。第一容纳部ab1可以设置在第一部分s1的台阶区域中，并且第二容纳部ab2可以设置在第二部分s2的台阶区域中。
[0207]
详细地，参考图5a和图5b，框架fm可以包括上表面us、下表面ls和内表面is。上表面us可以暴露于沉积室dpa(参考图2)中的沉积材料，并且可以面对第一路径ps1(参考图1)的顶部。下表面ls可以面对上表面us。第一部分s1至第四部分s4的内表面is可以限定开口op。
[0208]
下表面ls可以包括第一外表面ls1和第二外表面ls2。第一外表面ls1和第二外表面ls2可以彼此连接，并且第一外表面ls1可以面对上表面us。第一外表面ls1和第二外表面ls2可以限定第一部分s1至第四部分s4的台阶区域。
[0209]
第一容纳部ab1和第二容纳部ab2可以设置成在第一方向dr1上彼此面对。第一容纳部ab1和第二容纳部ab2中的每个可以在其中容纳多个传感器或驱动电路。
[0210]
图6a是沿着图5a所示的线i-i'截取的剖视图。参考图6a，容纳结构(例如，第一容纳部ab1)可以提供容纳空间sp(例如，内部空间)。容纳空间sp可以实施成多个空间(例如，
第一部分容纳空间和第二部分容纳空间)。容纳空间sp可以处于大气状态下。容纳空间sp可以由盖cv和第一部分s1的台阶区域限定。盖cv可以具有可足以覆盖台阶区域(即，第一部分s1的第一外表面ls1和第二外表面ls2)的尺寸和形状。
[0211]
盖cv可以设置成完全覆盖第一部分s1的第一外表面ls1和第二外表面ls2，并且可以覆盖与掩模msk的厚度h1对应的区域。由于第二外表面ls2可以连接到第一外表面ls1并且限定台阶区域，因此容纳空间sp可以限定在与第二外表面ls2的高度h2对应的区域中。作为示例，在掩模msk的厚度h1为约50mm的情况下，容纳空间sp的高度h2可以为约35mm。根据实施方式，容纳空间sp可以设置在掩模msk的厚度h1的范围内，并且因此，可以设置容纳部ab1和ab2而不改变传统的掩模msk的形状或设计。
[0212]
盖cv和第一部分s1可以通过联接构件cpp彼此联接，并且因此，可以设置与外部隔绝的容纳空间sp。掩模msk可以将容纳空间sp隔绝，并且因此，即使容纳空间sp的外部可以改变到真空状态或不同于大气状态的状态，也可以稳定地提供容纳空间sp的大气状态(其可独立于外部保持)。
[0213]
传感器sn、驱动电路cb和通信模块(例如，发射器、接收器和/或收发器)tm可以设置在容纳空间sp中。在实施方式中，传感器sn和通信模块tm可以设置在第一外表面ls1上，并且驱动电路cb可以设置在第二外表面ls2上，然而，这仅是示例。根据实施方式，传感器sn、驱动电路cb和通信模块tm可以设置在一个外表面上，并且不受特别限制。尽管在图中未示出，但是电池可以进一步设置在容纳空间sp中，以向传感器sn、驱动电路cb和通信模块tm供电。
[0214]
驱动电路cb可以经由线(未示出)电连接到传感器sn和通信模块tm。在实施方式中，传感器sn或通信模块tm与驱动电路cb分离，然而，实施方式不限于此或不由此限制。驱动电路cb可以以可在其上安装传感器sn或通信模块tm的电路板的形式提供。驱动电路cb可以包括控制器、电源、充电端口、各种真空馈通(vacuum feedthrough)等。驱动电路cb可以驱动传感器sn和通信模块tm，并且可以接收、存储和处理从传感器sn和通信模块tm生成的电信号。
[0215]
传感器sn可以收集掩模msk的状态信息。详细地，传感器sn可以是陀螺仪传感器、振动传感器、位移传感器和光学传感器中的至少一个。传感器sn可以检测掩模msk的位置、移动、移动速度、以及是否存在掩模msk的碰撞，并且可以生成掩模msk的状态信息和衬底转移设备sys的内部状态信息。
[0216]
通信模块tm可以经由无线网络传输信号。无线网络可以是诸如紫峰(zigbee)网络、蓝牙网络或z波网络的网络。通信模块tm还可以包括传感器sn和驱动电路cb之间的有线通信模块。通信模块tm可以被包括在驱动电路cb中，并且实施方式不受特别限制。
[0217]
掩模msk的状态信息可以经由通信模块tm被传输到衬底转移设备sys(参考图1)的外部。因此，可以在掩模msk的移动路径内实时地监测掩模msk的状态。来自衬底转移设备sys外部的控制信号可以经由通信模块tm施加到驱动电路cb，或者可以通过控制信号控制安装在衬底转移设备sys中的机械臂。在实施方式中，例如，衬底转移设备sys还可以包括设置在路径的外部的外部通信模块(例如，发射器、接收器和/或收发器)，以向设置在掩模msk上的通信模块tm传输信号和从所述通信模块tm接收信号。因此，可以从衬底转移设备sys的外部容易地控制传感器sn或衬底转移设备sys的内部环境(例如，路径的状态)，并且可以简
化衬底转移设备sys的维护和修复工作。
[0218]
参考图6b，第一容纳部ab1-1可以独立于第一部分s1提供容纳空间sp1。第一容纳部ab1-1可以包括容纳部分ac和盖cv1。容纳部分ac可以包括限定容纳空间sp1的内表面ac_i，并且可以设置在第一部分s1上。传感器sn、通信模块tm和驱动电路cb可以设置在容纳部分ac的内表面ac_i上。如上所述，第一容纳部ab1-1可以独立于框架fm组装并且可以安装在第一部分s1处，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0219]
图7是根据本公开的实施方式的掩模msk的示意性平面图。图8a至图8c是根据本公开的实施方式的第一路径ps1的一部分的示意图。图8a是第一路径ps1的立体图，并且图8b是第一路径ps1的平面图。图8c是第一路径ps1的侧视图。图1所示的其它路径ps2、ps3、ps4和ps5中的每个可以具有与第一路径ps1对应的结构。在下文中，将参考图7和图8a至图8c描述第一路径ps1和穿过第一路径ps1的掩模msk。
[0220]
参考图7，第一容纳部ab1和第二容纳部ab2中的每个可以包括多个传感器和驱动电路。在实施方式中，为了便于说明，未示出通信模块。
[0221]
具体地，第一容纳部ab1可以包括六个传感器sn11、sn12、sn13、sn14、sn15和sn16以及第一驱动电路cb1。传感器sn11、sn12、sn13、sn14、sn15和sn16可以包括位移传感器sn11、侧向位移传感器sn12、陀螺仪传感器sn13、振动传感器sn14以及光学传感器sn15和sn16。光学传感器sn15和sn16可以是例如附接到框架fm的相机。在传感器sn11、sn12、sn13、sn14、sn15和sn16中，位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以布置成比陀螺仪传感器sn13或振动传感器sn14相对更靠近掩模msk的外边界。
[0222]
位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以是非接触式位移传感器。位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以测量对象(例如，在实施方式中的掩模msk)的移动量。因此，可以监测与掩模msk的移动量相关的信息。作为示例，可以使用位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12来监测与掩模msk相关的信息，例如，移动速度、移动距离、高度、厚度、宽度等。
[0223]
位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以测量底部辊rb之间的水平差和侧部辊rs之间的水平差，并且可以测量第一路径ps1(参考图1)的辊rb和rs的对准状态或位置信息。例如，可以通过位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12来监测与衬底转移设备sys的状态相关的信息。
[0224]
在实施方式中，位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以设置在第一容纳部ab1中(例如，在容纳空间中)。因此，位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以在大气压力环境下稳定地操作，而不受衬底转移设备sys内的气压的变化的影响。然而，这仅是示例。由于位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12相对较少地受到气压变化的影响，所以位移传感器sn11或侧向位移传感器sn12可以设置在第一容纳部ab1的外部，并且实施方式不受特别限制。
[0225]
陀螺仪传感器sn13可以测量对象(例如，掩模msk)的旋转速度(角速度)的值，并且因此，可以实时地监测掩模msk的移动路径或取向的变化。陀螺仪传感器sn13可以测量三轴角速度。由于陀螺仪传感器sn13可以设置在第一容纳部ab1中，因此陀螺仪传感器sn13可以在不受衬底转移设备sys中的气压的变化影响的情况下稳定地操作。
[0226]
振动传感器sn14可以是加速度传感器，详细地，三轴加速度传感器。振动传感器
sn14可以测量加速度以测量掩模msk的振动。掩模msk的振动可以包括由掩模msk本身生成的振动或从衬底转移设备sys(例如，第一路径ps1)生成并被传输到掩模msk的振动。振动传感器sn14可以设置在第一容纳部ab1中，并且因此，振动传感器sn14可以在大气压力下稳定地操作，而不受衬底转移设备sys中的气压的变化的影响。
[0227]
光学传感器sn15和sn16可以观察衬底转移设备sys的内部，并且可以基于与衬底转移设备sys的内部的实时状态相关的图像信息实时地监测衬底转移设备sys的内部的状态。由于光学传感器sn15和sn16可以设置在第一容纳部ab1中，所以光学传感器sn15和sn16可以在大气压力下稳定地操作，而不受衬底转移设备sys中的气压的变化的影响。
[0228]
为了便于说明，图7所示的第二容纳部ab2可以具有与第一容纳部ab1的结构对应的结构。因此，示出了六个传感器sn21、sn22、sn23、sn24、sn25和sn26对应于第一容纳部ab1的那些。第二驱动电路cb2示出为与第一驱动电路cb1对角地布置。然而，这仅是示例，并且根据实施方式，第二容纳部ab2可以独立于第一容纳部ab1设计，并且不受特别限制。
[0229]
根据实施方式，由于容纳部ab1和ab2可以设置成与框架fm重叠，因此可能不会对其中设置有开口op的区域造成干扰。因此，在使用掩模msk执行沉积工艺的情况下，可以容易地确保沉积区域，并且可以监测掩模msk的状态，而不改变传统的衬底转移设备sys的设计。因此，可以简化沉积工艺，并且可以降低工艺成本。
[0230]
参考图8a，第一路径ps1可以包括通过其移动掩模msk的转移引导件。详细地，转移引导件可以包括底部分bt、第一侧壁部分wl1、第二侧壁部分wl2以及辊rb和rs。底部分bt可以在第三方向dr3上延伸，并且可以在第一方向dr1上具有足以移动掩模msk的宽度。在实施方式中，由于掩模msk在其长边方向上移动，因而底部分bt的在第一方向dr1上的宽度可以等于或大于掩模msk的短边的长度。
[0231]
第一侧壁部分wl1和第二侧壁部分wl2可以连接到底部分bt并且可以在第一方向dr1上彼此面对。第一侧壁部分wl1和第二侧壁部分wl2可以从底部分bt向朝向第一路径ps1的顶部的方向dz(下文中，称为向上方向)突出。
[0232]
侧部辊rs可以插入到第一侧壁部分wl1和第二侧壁部分wl2中的每个中。侧部辊rs中的每个可以相对于在基本上平行于向上方向dz的方向上延伸的旋转轴旋转。侧部辊rs可以与掩模msk的第一部分s1和第二部分(图8a中未示出)接触，并且可以在第三方向dr3上移动掩模msk。
[0233]
详细地，参考图8b，掩模msk的第一部分s1的侧表面ss1和第二部分s2的侧表面ss2可以与侧部辊rs接触，并且掩模msk可以在第一路径ps1中移动。侧部辊rs可以控制掩模msk的移动方向。例如，掩模msk的移动路径可以取决于侧部辊rs可沿其布置的方向而变化，并且可以确定第一路径ps1的形状。
[0234]
在第一路径ps1中，掩模msk的第三部分s3的侧表面ss3和第四部分s4的侧表面ss4可以不与侧部辊rs接触。因此，掩模msk可以沿着长边方向(即，第三方向dr3)移动。然而，这仅是示例。掩模msk可以在短边方向上移动，并且侧部辊rs可以与掩模msk的第三部分s3的侧表面ss3和第四部分s4的侧表面ss4接触。
[0235]
与侧部辊rs接触的侧表面ss1和ss2可以是容纳部ab1和ab2。详细地，侧表面ss1和ss2可以是容纳部ab1和ab2的盖cv(参考图6a)，或者可以是容纳部分ac(参考图6b)的外表面。因此，侧部辊rs和掩模msk之间的接触状态或碰撞可以容易地由设置在容纳结构(例如，
容纳部ab1和ab2)内的传感器感测到。
[0236]
在实施方式中，掩模msk可以在移动时与侧部辊rs接触，然而，这仅是示例。根据实施方式，掩模msk可以在移动时与侧部辊rs间隔开一距离，并且可以仅在移动方向改变的情况下与侧部辊rs接触。
[0237]
参考图8a至图8c，底部辊rb可以插入到底部分bt中。底部辊rb中的每个可以相对于在基本上平行于第一方向dr1的方向上延伸的旋转轴旋转。底部辊rb可以与掩模msk的下表面ls(例如，设置在下表面ls上的容纳部ab1和ab2的盖cv和cv1)接触，并且可以在第三方向dr3上移动掩模msk。底部辊rb可以面对掩模msk的第一部分s1和第二部分s2的下表面ls。底部辊rb可以与掩模msk接触以控制掩模msk的移动速度和移动状态。例如，可以通过掩模msk和底部辊rb之间的接触来转移掩模msk，并且因此，掩模msk的移动速度可以取决于底部辊rb和掩模msk之间的接触状态以及底部辊rb的旋转速度而变化。
[0238]
作为示例，在需要移动掩模msk的情况下，底部辊rb可以通过增加其旋转速度来增加掩模msk的移动速度。在其它实施方式中，在沉积室dpa(参考图2)内的掩模msk上执行沉积工艺的情况下，或在需要移动掩模msk以对准的情况下，底部辊rb具有相对低的旋转速度，并且因此，掩模msk的移动速度可以降低。底部辊rb可以取决于它们的位置，被设计成具有各种旋转速度，并且不受特别限制。
[0239]
可与底部辊rb接触的表面可以是容纳部ab1和ab2。详细地，可与底部辊rb接触的表面可以是容纳部ab1和ab2的盖cv(参考图6a)。可与侧部辊rs接触的表面可以是容纳部分ac(参见图6b)的外表面。因此，底部辊rb和掩模msk之间的接触状态以及底部辊rb之间的水平差可以容易地通过设置在容纳部ab1和ab2中的传感器来测量。
[0240]
图8c示出了可能未对准的三个底部辊rb1、rb2和rb3。三个底部辊rb1、rb2和rb3中的设置在中心位置处的底部辊rb2在向上方向dz上突出。因此，底部辊rb1、rb2和rb3可以在掩模msk_b和msk_f的移动方向(即，第三方向dr3)上不对准。
[0241]
参考以第一状态穿过两个底部辊rb1和rb2的掩模msk_b和以第二状态穿过两个底部辊rb2和rb3的掩模msk_f，在掩模msk_b和msk_f经过可能未对准的底部辊rb1、rb2和rb3的情况下，掩模msk_b和msk_f可以在相对于掩模msk的移动方向(即，第三方向dr3)在向上方向dz上倾斜角度θ的同时被转移。例如，掩模msk_b和msk_f的移动状态可以由于突出的底部辊rb2而改变。这种改变可能导致掩模msk_b和msk_f的移动速度的降低、掩模msk_b和msk_f与移动路径的分离、或者周围设备(例如，侧壁)与掩模msk_b和msk_f之间的碰撞。
[0242]
根据本公开，由于掩模msk包括可在其中设置传感器的容纳结构(例如，容纳部ab1和ab2)，所以可以实时地收集在掩模msk的移动期间掩模msk的状态信息。如上所述，由于传感器包括陀螺仪传感器、位移传感器、振动传感器和/或光学传感器，因此可以实时地收集与掩模msk在平面上在移动路径中的位置的变化、碰撞或移动速度等相关的信息。因此，掩模msk可以在穿过第一路径ps1时被容易地实时监测。
[0243]
可以确保与第一路径ps1中的缺陷相关的信息，并且可以使用机械臂实时地执行用于转移引导件的简单的维护/修复工作。因此，即使掩模msk的移动速度较高，例如，即使在掩模msk以约600mm/s或更高的较高速度移动的情况下，也可以在不降低移动速度的情况下容易地确保与掩模msk的状态或衬底转移设备sys的内部状态相关的信息。
[0244]
由于容纳部ab1和ab2可以保持在大气压力状态下，传感器可以在大气压力状态下
操作。因此，即使掩模msk穿过其的路径或室的气压改变，传感器也可以受到较小的影响。因此，沉积室dpa(参考图2)中的掩模msk的状态可以被稳定且连续地监测。
[0245]
在实施方式中，第一路径ps1和穿过第一路径ps1的掩模msk被示出为代表性示例。辊rb和rs可以被应用于其它路径ps2、ps3、ps4和ps5，并且可以被应用于转移移动穿过其它路径ps2、ps3、ps4和ps5的衬底转移构件crs或掩模组件asy。这将稍后进行详细描述。根据本公开，由于穿过路径的掩模msk、衬底转移构件crs或掩模组件asy包括传感器，所以可以容易地监测路径的状态或工艺缺陷。
[0246]
图9a和图9b是根据本公开的实施方式的掩模msk2和msk3的示意性平面图。为了便于说明，在实施方式中可以省略一些部件。
[0247]
参考图9a，掩模msk2可以包括框架fm1、以及三个容纳部ab1、ab2和ab3，其中，多个开口op1和op2可以限定成穿过框架fm1。与图7所示的框架fm相比，框架fm1还可以包括第五部分s5。第五部分s5可以在第一方向dr1上延伸，并且可以连接到第一部分s1和第二部分s2。
[0248]
第五部分s5可以与图7所示的开口op交叉。因此，与图7所示的掩模msk不同，掩模msk2可以设置有两个开口op1和op2。例如，掩模msk2可以包括与图7所示的掩模msk的沉积区域不同的沉积区域。
[0249]
掩模msk2还可以包括第三容纳部ab3。第三容纳部ab3可以设置在第五部分s5上。在掩模msk2中，容纳部ab1、ab2和ab3可以设置在框架fm1上，并且因此，可以减小对开口op1和op2的干扰。因此，掩模msk2还可以包括可在不影响沉积区域的情况下能够监测掩模msk2的状态的传感器。
[0250]
参考图9b，掩模msk3可以包括彼此分离的容纳部ab11、ab12、ab21和ab22。掩模msk3可以具有与图9a的掩模msk2对应的形状。容纳部ab11、ab12、ab21和ab22可以对应于图9a所示的第一容纳部ab1和第二容纳部ab2中的每个可被划分成两个部分的结构。参考图9b，容纳部的形状和数量可以以各种方式改变，只要容纳部可以设置在框架fm1中/设置在框架fm1上即可，并且容纳部的形状和数量不受特别限制。
[0251]
图10a是根据本公开的实施方式的掩模msk4的示意性分解立体图。图10b是图10a所示的掩模msk4的示意性组装平面图。图10c是图10a所示的掩模msk4的示意性组装立体图。在下文中，将参考图10a至图10c详细描述本公开的掩模msk4。在图10a至图10c中，相同的附图标记表示图1至图9b中相同的元件，并且因此，将省略对相同元件的详细描述。
[0252]
参考图10a至图10c，掩模msk4可以包括框架fm、掩模片ms、以及第一容纳部ab1、第二容纳部ab2和第三容纳部ab3。
[0253]
掩模片ms可以联接到(即，焊接到)框架fm以与开口op重叠。掩模片ms可以包括限定沉积开口(或掩模开口)m-op的第一部件e1和第二部件e2。在实施方式中，第一部件e1(其可以是竖直部件)可以比第二部件e2(其可以是水平部件)长，然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0254]
第一部件e1可以与第二部件e2交叉(相交)，并且可以与第二部件e2一体地设置。在实施方式中，第一部件e1可以在第三方向dr3上延伸，并且第二部件e2可以在第一方向dr1上延伸。框架fm和掩模片ms可以包括相同的材料，例如因瓦合金(invar)。由于框架fm和掩模片ms可以具有相同的热膨胀系数，因此可以在沉积工艺中减小掩模msk4的变形。然而，
用于框架fm和掩模片ms的材料不受特别限制。在实施方式中，框架fm可以被省略。掩模片ms的形状可以通过增加掩模片ms的外部件的厚度来保持。
[0255]
根据实施方式，与掩模msk(参考图4)相比，可以针对相同的母衬底提供更多个被细分的沉积区域。由于掩模msk4还包括掩模片ms，框架fm的开口op可以被细分成比开口op小的沉积开口m-op。因此，掩模msk4可以在用于相对小的显示面板的沉积工艺中使用。
[0256]
第三容纳部ab3可以设置成与框架fm的开口op重叠。在实施方式中，传感器可以设置在由第一容纳部ab1和/或第二容纳部ab2限定的第一部分容纳空间中，并且驱动电路可以设置在由第三容纳部ab3限定的第二部分容纳空间中。第三容纳部ab3可以设置成与掩模片ms的沉积开口m-op中的一些沉积开口重叠。与第三容纳部ab3重叠的沉积开口m-op可以不包括在沉积区域中。
[0257]
掩模msk4可以是提供通过将掩模msk2(参考图9a)细分而获得的沉积开口m-op的掩模。第三容纳部ab3可以对应于设置在图9a所示的第一开口op1和第二开口op2之间的第三容纳部ab3。通过掩模片ms的沉积开口m-op，掩模msk4可以具有包括通过将与第一开口op1对应的区域细分而获得的多个区域和通过将与第二开口op2对应的区域细分而获得的多个区域的结构。
[0258]
由于第三容纳部ab3可以设置在可不包括在沉积区域中的区域中，因此在不影响沉积区域的情况下，掩模msk4中的容纳部的数量可以变化。因此，可在其中设置容纳部的区域可以增加，并且可以改善容纳部的布置的自由度。
[0259]
然而，这仅是示例，第三容纳部ab3可以从掩模msk4中省略。掩模msk4中的掩模片ms的所有沉积开口m-op可以用作沉积区域。根据实施方式，第三容纳部ab3可以设置在框架fm的另一部分(例如，第三部分s3或第四部分s4)中，以不与掩模片ms的沉积开口m-op重叠。根据本公开，可以在掩模msk4用于沉积工艺的同时监测掩模msk4的状态和衬底转移设备sys的内部状态。因此，可以降低工艺成本并减少工艺时间。
[0260]
图11a和图11b是衬底转移构件crs的示意性立体图。图11c是衬底转移构件crs的示意性后视图。在图11a至图11c中，为了便于说明，示意性地示出了衬底转移构件crs，并且可以省略一些部件。
[0261]
参考图11a，衬底sb可以设置在载体衬底cs上。如上所述，衬底sb可以对应于在显示面板的制造工艺中的各个阶段之一中的衬底。作为示例，衬底sb可以是工作衬底ws1和ws2(参考图3a和图3b)中的一个。
[0262]
衬底转移构件crs还可以包括相机模块(相机)cm1和cm2。相机模块cm1和cm2可以设置在载体衬底cs上，并且可以设置在与衬底sb相同的平面上，并且因此，在衬底转移构件crs移动的情况下，相机模块cm1和cm2可以容易地拍摄周围环境或衬底sb的状态的图片。
[0263]
图11b和图11c示出了衬底转移构件crs的与可在其上设置有衬底sb的表面相对的表面。载体衬底cs可以包括内表面cs-s，以在可与可在其上设置衬底sb的表面相对的表面上限定容纳空间。多个容纳部cab1、cab2、cab3和cab4可以设置在由内表面cs-s限定的容纳空间中。
[0264]
详细地，参考图11c，多个传感器sn1、sn2、sn3和sn4、相机模块cm、多个电路衬底cb3和cb4、驱动装置dve1、dve2、dve3和dve4、以及容纳部cab1、cab2、cab3和cab4可以设置在载体衬底cs的在其上设置有内表面cs-s的表面上。
[0265]
传感器sn1、sn2、sn3和sn4中的每个可以包括陀螺仪传感器、振动传感器和触摸传感器中的至少一个。传感器sn1、sn2、sn3和sn4可以感测衬底转移构件crs的位置、移动、移动速度和碰撞，并且可以生成衬底转移构件crs的状态信息。
[0266]
在传感器sn1、sn2、sn3和sn4中，第一传感器sn1和第二传感器sn2可以设置在容纳部cab1和cab2中，并且第三传感器sn3和第四传感器sn4可以设置在容纳部cab1、cab2、cab3和cab4的外部。第一传感器sn1和第二传感器sn2可以在大气压力状态下操作，并且第三传感器sn3和第四传感器sn4可以在大气压力状态和真空状态两者下操作。传感器的描述可以与以上描述的那些相同。
[0267]
作为示例，第一传感器sn1可以是振动传感器。第一传感器sn1可以是加速度传感器，详细地，三轴加速度传感器。第一传感器sn1可以测量加速度以测量衬底转移构件crs的振动。衬底转移构件crs的振动可以包括由衬底转移构件crs本身生成的振动或在第二路径ps2(参考图1)中生成并被传输到衬底转移构件crs的振动。第一传感器sn1可以设置在容纳部cab1和cab2中，并且因此，第一传感器sn1可以在大气压力状态下稳定地操作，而不受第二路径ps2(参考图1)中气压的变化的影响。
[0268]
第二传感器sn2可以是陀螺仪传感器。第二传感器sn2可以测量对象(例如，衬底转移构件crs)的旋转速度(角速度)的值，并且因此，可以实时监测衬底转移构件crs的移动路径或其取向的变化。陀螺仪传感器可以测量三轴角速度。由于第二传感器sn2可以设置在容纳部cab1和cab2中，因此第二传感器sn2可以在不受衬底转移设备sys中的气压的变化影响的情况下稳定地操作。
[0269]
第三传感器sn3可以是位移传感器，并且第四传感器sn4可以是侧向位移传感器。第三传感器sn3和第四传感器sn4中的每个可以是非接触式位移传感器。在实施方式中，第三传感器sn3或第四传感器sn4可以测量对象(例如，衬底转移构件crs)的移动量。因此，可以监测与衬底转移构件crs的移动量相关的信息。作为示例，第三传感器sn3和第四传感器sn4可以用于监测与衬底转移构件crs相关的信息，例如移动速度、移动距离、高度、厚度、宽度等。
[0270]
根据本公开，由于可以提供容纳结构(例如，容纳部cab1、cab2、cab3和cab4)，所以在大气压力环境下操作的传感器sn1和sn2也可以用于监测衬底转移构件crs。
[0271]
第三传感器sn3或第四传感器sn4可以测量第二路径ps2(参考图1)的辊的对准状态或位置信息。例如，可以使用第三传感器sn3或第四传感器sn4来监测与辊的状态相关的信息。在实施方式中，第三传感器sn3或第四传感器sn4可以设置在容纳部cab1、cab2、cab3和cab4的外部，并且第三传感器sn3或第四传感器sn4可以设置在载体衬底cs的边缘中。因此，第三传感器sn3或第四传感器sn4可以设置成比容纳部cab1、cab2、cab3和cab4更靠近载体衬底cs的外边界，并且因此，第三传感器sn3或第四传感器sn4可以直接测量衬底转移构件crs与设备之间的接触或设备的位置信息。因此，可以改善第三传感器sn3或第四传感器sn4的灵敏度和精确度。
[0272]
在图11c中，为了便于说明，相同类型的传感器具有相同的阴影线图案，并且因此，可以省略相同元件的附图标记以避免冗余。图11c所示的传感器仅是示例，并且传感器不受特别限制。例如，衬底转移构件crs还可以包括更多个传感器，并且可以以各种方式来设计传感器的布置位置。
[0273]
驱动装置dve1、dve2、dve3和dve4可以电连接到传感器sn1、sn2、sn3和sn4。驱动装置dve1、dve2、dve3和dve4中的每个可以包括形成驱动电路或通信模块的各种元件。驱动装置dve1、dve2、dve3和dve4可以分别设置在容纳部cab1、cab2、cab3和cab4中。
[0274]
作为示例，第一驱动装置dve1可以设置在第一容纳部cab1中，并且可以电连接到传感器sn1和sn2或电池btr1和btr2。第二驱动装置dve2可以设置在第二容纳部cab2中，并且可以电连接到传感器sn1和sn2。
[0275]
第三驱动装置dve3可以设置在第三容纳部cab3中，并且可以安装在第一电路衬底cb3上。第四驱动装置dve4可以设置在第四容纳部cab4中，并且可以安装在第二电路衬底cb4上。第一电路衬底cb3和第二电路衬底cb4中的每个可以经由布线(未示出)电连接到设置在容纳部cab3和cab4外部的对象。
[0276]
根据本公开，载体衬底cs可以包括传感器sn1、sn2、sn3和sn4以及相机模块cm、cm1和cm2，并且因此，可以在移动衬底转移构件crs的工艺中实时地收集衬底转移构件crs的状态信息。因此，可以实时地监测衬底转移构件crs的移动和衬底转移构件crs移动穿过其的路径的环境。
[0277]
根据本公开，由于可以设置容纳结构(例如，容纳部cab1、cab2、cab3和cab4)，因而可以使用在大气环境下操作的各种部件(诸如，传感器sn1和sn2、驱动装置dve1、dve2、dve3和dve4、以及电池btr1和btr2)来监测衬底转移构件crs。因此，可以在不受衬底转移设备sys内部的气压的变化的影响的情况下，稳定地操作各种电子部件，并且因此，可以在路径的各种环境下稳定地收集衬底转移构件crs的状态信息。
[0278]
图12是根据本公开的实施方式的掩模组件asy的示意性分解立体图。参考图12，掩模组件asy可以包括掩模msk、衬底sb和载体衬底cs。掩模msk、衬底sb和载体衬底cs可以沿着向上方向dz顺序地堆叠并且可以彼此联接。
[0279]
掩模组件asy可以包括设置在掩模msk中的两个容纳部ab1和ab2以及设置在载体衬底cs中的四个容纳部cab1、cab2、cab3和cab4。传感器可以设置在容纳部ab1、ab2、cab1、cab2、cab3和cab4中的每个中，并且设置在容纳部ab1、ab2、cab1、cab2、cab3和cab4的外部。图12示出了在掩模组件asy移动穿过路径(例如，第四路径ps4(参考图1))的情况下的掩模组件asy的堆叠结构。例如，在掩模组件asy穿过路径的情况下，掩模msk可以与辊rb和rs(参考图8a)接触，并且掩模组件asy的状态信息和路径的状态信息可以由包括在掩模msk中的传感器测量。然而，这仅是示例，并且除了包括在掩模msk中的传感器之外，可以使用由包括在载体衬底cs中的传感器测量的信息来监测路径的状态或掩模组件asy的状态。然而，实施方式不限于此或不由此限制。
[0280]
根据本公开，可以基于由掩模msk的传感器或载体衬底cs的传感器收集的状态信息，在掩模组件asy可移动穿过路径的同时，监测掩模组件asy的状态。由于可以通过掩模msk的传感器或载体衬底cs的传感器来监测掩模组件asy的信息(诸如，移动速度、掩模组件asy的移动期间是否发生碰撞、以及掩模组件asy的移动期间的平衡状态)，所以可以监测第四路径ps4的对准状态和掩模组件asy的移动环境。这仅是示例。掩模组件asy的状态信息可以由掩模msk的传感器和/或载体衬底cs的传感器来监测，并且本公开不受特别限制。
[0281]
尽管已经描述了本公开的实施方式，但是应理解，本公开不限于这些实施方式。相反，在本公开的精神和范围内，可以由本领域普通技术人员做出各种改变和修改。

技术特征：
1.掩模，包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在所述框架上，并且限定与外部隔绝的容纳空间；以及传感器，设置在所述容纳空间中。2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述传感器包括位移传感器、陀螺仪传感器和振动传感器中的至少一个。3.根据权利要求2所述的掩模，还包括：相机，附接到所述框架。4.根据权利要求2所述的掩模，还包括：通信模块，电连接到所述传感器。5.根据权利要求2所述的掩模，还包括：驱动电路，设置在所述容纳空间中，并且电连接到所述传感器。6.根据权利要求2所述的掩模，还包括：驱动电路，电连接到所述传感器，其中，所述容纳结构包括限定第一部分容纳空间的第一容纳部和限定第二部分容纳空间的第二容纳部，所述传感器设置在所述第一部分容纳空间中，以及所述驱动电路设置在所述第二部分容纳空间中。7.根据权利要求6所述的掩模，其中，所述第二容纳部在平面图中与所述开口至少部分地重叠。8.根据权利要求7所述的掩模，其中，所述框架还包括与所述第二容纳部重叠并且与所述开口交叉的部分，以及所述开口由所述部分划分成两个开口。9.根据权利要求1所述的掩模，还包括：掩模片，设置在所述框架上并且包括限定成穿过所述掩模片的掩模开口，以在平面图中与所述开口重叠。10.根据权利要求9所述的掩模，其中，所述容纳结构设置在所述掩模片上，并且与所述掩模片的所述掩模开口的至少一部分重叠。11.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述容纳结构包括物理连接到所述框架的盖，所述框架和所述盖一起限定所述容纳空间，以及所述容纳空间具有大气压力。12.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述容纳结构包括：容纳部分，设置在所述框架上；以及盖，覆盖所述容纳部分，所述容纳部分和所述框架一起限定所述容纳空间，以及所述容纳空间具有大气压力。13.掩模组件，包括：
掩模，包括：框架，包括开口；第一传感器；以及容纳结构，限定容纳空间；载体衬底，设置在所述掩模上并且包括：一侧，面对所述掩模；以及另一侧，与面对所述掩模的所述一侧相对；以及衬底，设置在所述掩模和所述载体衬底之间并且被提供到面对所述掩模的所述一侧，其中，所述第一传感器容纳在所述容纳空间中。14.根据权利要求13所述的掩模组件，其中，所述第一传感器包括陀螺仪传感器、振动传感器和位移传感器中的至少一个。15.根据权利要求13所述的掩模组件，其中，所述载体衬底还包括：相机；以及第二传感器。16.根据权利要求15所述的掩模组件，其中，所述载体衬底还包括限定另一容纳空间的另一容纳结构，所述第二传感器容纳在所述另一容纳空间中，以及所述容纳空间和所述另一容纳空间中的至少一个具有大气压力。17.根据权利要求16所述的掩模组件，其中，所述另一容纳空间包括在所述载体衬底的所述另一侧处的第一容纳部和第二容纳部。18.衬底转移设备，包括：路径，提供真空状态；转移引导件，设置在所述路径中并且包括：底部辊；以及侧部辊，以及掩模，沿着所述转移引导件移动，所述掩模包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在所述框架上并包括容纳空间；以及传感器，设置在所述容纳空间中。19.根据权利要求18所述的衬底转移设备，其中，所述传感器包括陀螺仪传感器、振动传感器和位移传感器中的至少一个，以及所述底部辊和所述侧部辊中的至少一个与所述容纳结构物理接触。20.根据权利要求18所述的衬底转移设备，还包括：内部通信模块，设置在所述掩模上；以及外部通信收发器，设置在所述路径的外部以向所述内部通信模块传输信号和从所述内部通信模块接收信号。

技术总结
本申请涉及掩模、包括掩模的掩模组件、以及包括掩模的衬底转移设备。根据实施方式，掩模包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在框架上，并且包括与外部隔绝的容纳空间；以及传感器，设置在容纳空间中。设置在容纳空间中。设置在容纳空间中。


技术研发人员：赵喆来 卢喆来 韩尚辰 明承镐
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.01.11
技术公布日：2023/7/19