涂敷处理装置、涂敷处理方法和存储介质与流程

1.本发明涉及涂敷处理装置、涂敷处理方法和存储介质。


背景技术：

2.以往，已知有以喷墨方式对被输送的基片涂敷功能液的液滴的涂敷处理装置。例如，公开了一种涂敷处理装置，其包括：能够吸附并保持基片的载置台部；和能够从上方对被保持在该载置台部上的基片滴下功能液的液滴的多个释放头(参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2018-49804号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供一种能够高精度地检测涂敷处理的不良的技术。
8.用于解决技术问题的手段
9.本发明的一个方式的涂敷处理装置包括支承件(carriage)、基片保持部、线传感器和光源。支承件具有能够向基片释放功能液的多个释放头。基片保持部能够保持所述基片，并使所述基片相对于所述支承件相对移动。线传感器能够对所述基片进行拍摄，且宽度比所述基片的宽度宽。光源为长条形状，能够对所述线传感器的拍摄区域照射光。而且，所述线传感器的光轴与所述基片的正面所成的角度小于所述光源的光轴与所述基片的正面所成的角度。
10.发明效果
11.采用本发明，能够高精度地检测涂敷处理的不良。
附图说明
12.图1是表示实施方式的涂敷处理装置的概略结构的左侧面图。
13.图2是表示实施方式的涂敷处理装置的概略结构的平面图。
14.图3是表示实施方式的宏观检查机构的结构的一个例子的图。
15.图4是表示实施方式的线传感器、基片和基片输送机构的配置的一个例子的图。
16.图5是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
17.图6是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
18.图7是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
19.图8是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
20.图9是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
21.图10是表示实施方式的涂敷处理装置的概略结构的框图。
22.图11是表示实施方式的变形例1的涂敷处理装置的概略结构的左侧面图。
23.图12是用于对实施方式的变形例1的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
24.图13是用于对实施方式的变形例1的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
25.图14是表示实施方式的变形例2的涂敷处理装置的概略结构的左侧面图。
26.图15是表示实施方式的变形例2的涂敷处理装置的概略结构的平面图。
27.图16是用于对实施方式的变形例2的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
28.图17是用于对实施方式的变形例2的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
29.图18是用于对实施方式的变形例2的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
30.图19是表示实施方式的涂敷处理装置执行的涂敷处理的处理流程的流程图。
31.附图标记说明
32.1涂敷处理装置，4基片输送机构(基片保持部的一个例子)，6描绘机构，8宏观检查机构，9控制装置，40、43工件载置台(载置台的一个例子)，45保持臂(保持部的一个例子)，62支承件，63喷头(释放头的一个例子)，81线传感器，82光源，83光源罩体，84罩体，85排气部，86a排气流路，91控制部，x1、x2光轴，θ1、θ2角度，w基片，wa正面，wb区域(拍摄区域的一个例子)。
具体实施方式
33.下面，参照附图，对本发明的涂敷处理装置、涂敷处理方法和存储介质的实施方式进行详细说明。此外，本发明并不受以下所示的实施方式限定。另外，需要注意的是，附图是示意性的，存在各要素的尺寸的关系、各要素的比例等与实际不同的情况。而且，存在附图彼此之间包含彼此的尺寸的关系或比例不同的部分的情况。
34.以往，已知有以喷墨方式对被输送的基片涂敷功能液的液滴的涂敷处理装置。例如，公开了一种涂敷处理装置，其包括：能够吸附并保持基片的载置台部；和能够从上方对被保持在该载置台部上的基片滴下功能液的液滴的多个释放头。
35.另一方面，在上述的现有技术中，在高精度地检测涂敷处理的不良这一点上，有进一步改善的余地。因此，期待实现克服上述的问题点，能够高精度地检测涂敷处理的不良的技术。
36.＜涂敷处理装置的结构＞
37.首先，参照图1和图2对实施方式的涂敷处理装置1的结构进行说明。图1是表示实施方式的涂敷处理装置1的概略结构的左侧面图，图2是表示实施方式的涂敷处理装置1的概略结构的平面图。
38.此外，下面，为了使位置关系明确，规定彼此正交的x轴方向、y轴方向和z轴方向，设x轴方向为基片w的输送方向，设z轴正方向为铅垂向上的方向。
39.另外，在本发明中，规定以x轴正方向为前方、以x轴负方向为后方的前后方向，规定以y轴正方向为右方、以y轴负方向为左方的左右方向。另外，规定以z轴正方向为上方、以z轴负方向为下方的上下方向。
40.涂敷处理装置1是能够在沿着输送方向输送基片w的同时，以喷墨方式对基片w进行描绘的描绘装置。基片w例如是在平板显示器中使用的基片。
41.涂敷处理装置1可以被收纳在腔室100中。可以向腔室100供给不活泼气体(例如氮气等)。涂敷处理装置1在不活泼气体气氛中向基片w释放功能液，对基片w进行描绘。另外，
涂敷处理装置1也可以是不被收纳在腔室100中的装置。
42.在功能液中，除了油墨以外，还包含例如用于形成空穴注入层(hil：hole injection layer)或空穴输送层(htl：hole transport layer)等的液体。
43.如图2所示，与腔室100并列设置有用于收纳控制装置9等的电气室101。另外，在腔室100设置有用于更换贮存功能液的未图示的功能液罐的更换室102。
44.如图1和图2所示，涂敷处理装置1包括架台2、第一导轨3、基片输送机构4、第二导轨5、描绘机构6、微观检查机构7、宏观检查机构8和控制装置9。基片输送机构4是基片保持部的一个例子。
45.架台2以沿着基片w的输送方向延伸的方式配置。即，架台2以沿着前后方向延伸的方式配置。
46.第一导轨3配置在架台2的上表面。第一导轨3在左右方向上排列配置有一对。各第一导轨3以沿着前后方向延伸的方式配置。
47.基片输送机构4包括工件载置台40、载置台旋转部41和滑动件42。工件载置台40是载置台的一个例子。基片输送机构4能够沿着输送方向(前后方向)输送基片w(工件)。
48.工件载置台40例如是真空吸附载置台，能够吸附基片w的底面。载置台旋转部41设置在工件载置台40的下方，能够使工件载置台40以与上下方向平行的轴为中心转动。即，工件载置台40被载置台旋转部41以能够以与上下方向平行的轴为中心转动的方式支承。
49.另外，在工件载置台40的上方设置有用于对工件载置台40上的基片w的对准标记进行拍摄的工件对准摄像机(未图示)。载置台旋转部41能够基于由工件对准摄像机拍摄到的图像，以与上下方向平行的轴为中心转动，来对基片w的位置进行修正。
50.滑动件42设置在载置台旋转部41的下方，对载置台旋转部41和工件载置台40进行支承。滑动件42安装在一对第一导轨3上，能够通过设置在一对第一导轨3中的至少一者的驱动部(未图示)、例如线性电动机，沿着一对第一导轨3移动。
51.即，工件载置台40和载置台旋转部41能够通过滑动件42沿着一对第一导轨3在前后方向上移动，而与滑动件42一起在前后方向上移动。由此，能够将基片w沿着前后方向输送。
52.另外，在基片输送机构4的x轴负方向侧的端部，设置有能够利用未图示的基片送入送出机构从外部送入基片w、并且将基片w送出到外部的送入送出部10。
53.第二导轨5在前后方向上排列配置有一对。各第二导轨5以沿着左右方向延伸的方式配置。各第二导轨5例如被安装在形成为门型的支承部5a的上表面。
54.一对第二导轨5例如设置成比架台2向左方延伸。在比架台2向左方延伸的一对第二导轨5之间配置有维护部50。
55.一对第二导轨5设置成使得描绘机构6能够在左右方向上在对基片w进行描绘的描绘位置与由维护部50进行维护的维护位置之间移动。
56.维护部50能够进行后述的喷头63的维护，消除或防止喷头63的释放不良等。
57.描绘机构6沿着左右方向配置有多个。例如，描绘机构6沿着左右方向配置有3个。另外，描绘机构6的数量并不限于此。各描绘机构6包括支承板60、支承件转动部61、支承件62和多个喷头63。喷头63是释放头的一个例子。
58.支承板60安装在一对第二导轨5上，能够通过设置在一对第二导轨5中的至少一者
的驱动部(未图示)、例如线性电动机，沿着一对第二导轨5在左右方向上移动。另外，也可以是使得多个支承板60成为一体，而能够在左右方向上移动。
59.支承件转动部61配置在支承板60的下方。支承件转动部61安装在前后方向上的支承板60的中央。支承件62安装在支承件转动部61的下端。支承件转动部61将支承件62以能够以与上下方向平行的轴为中心转动的方式支承。
60.此外，支承件转动部61能够基于由设置在工件载置台40的支承件对准摄像机(未图示)拍摄到的图像，使支承件62以与上下方向平行的轴为中心转动。由此，能够对支承件62的位置进行修正。
61.多个喷头63设置在支承件62上。各喷头63经由未图示的供给管与未图示的功能液罐连接，能够从功能液罐经由供给管被供给功能液，并向基片w释放功能液的液滴。各喷头63例如能够释放多种功能液。
62.多个喷头63在支承件62的下表面在左右方向上以规定的间隔配置，并且在前后方向上以规定的间隔配置。
63.微观检查机构7通过检查薄膜73接收功能液的液滴，来对液滴的释放状态进行微观检查。检查薄膜73是拨水性的检查薄膜。具体而言，检查薄膜73是正面(被释放液滴的面)具有拨水性的检查薄膜。
64.微观检查机构7包括滑动件70、检查台71、薄膜输送部72、检查薄膜73和摄像部74。
65.滑动件70安装在一对第一导轨3上，以沿着左右方向延伸的方式形成。滑动件70能够通过设置在一对第一导轨3中的至少一者的驱动部(未图示)，沿着一对第一导轨3移动。即，滑动件70能够沿着前后方向移动。
66.滑动件70能够在沿着前后方向设定的释放位置、拍摄位置和待机位置之间移动。
67.释放位置是位于多个喷头63的下方的位置。拍摄位置是比释放位置靠后方的位置，是位于摄像部74的下方的位置。待机位置是比释放位置靠前方的位置。
68.检查台71安装在滑动件70的左右方向的上表面中央。检查台71能够与滑动件70一起沿着前后方向移动。即，检查台71能够在沿着前后方向设定的释放位置、拍摄位置和待机位置之间移动。
69.左右方向上的检查台71的长度比由描绘机构6向各检查薄膜73释放功能液的液滴的释放区域长。
70.检查台71在上表面具有吸附板(未图示)。检查台71的吸附板例如由多孔的材料构成。另外，在检查台71的内部收纳有吸引装置(未图示)。检查台71能够通过利用吸引装置吸引吸附板，来吸附检查薄膜73。
71.薄膜输送部72设置在滑动件70的上方。薄膜输送部72能够在左右方向(与输送方向正交的方向)上输送用于接收从多个喷头63释放的检查用的液滴的检查薄膜73(检查用介质)。
72.如图1所示，摄像部74经由基座74a安装在第二导轨5上。在基座74a设置有用于使摄像部74在左右方向上移动的移动机构(未图示)。摄像部74安装在一对第二导轨5中的配置在后方的第二导轨5上。即，摄像部74配置在比支承件62靠后方的位置。
73.摄像部74能够对被释放到检查薄膜73上的功能液的液滴进行拍摄。另外，也可以是设置多个摄像部74，利用多个摄像部74对被释放到检查薄膜73上的功能液的液滴进行拍
摄。在该情况下，可以是不使摄像部74能够在左右方向上移动，而将其固定在第二导轨5上。
74.微观检查机构7能够基于由摄像部74对被释放到检查薄膜73上的功能液的液滴进行拍摄的结果，检查喷头63的液滴的释放状态。
75.宏观检查机构8能够对被释放到基片w上的功能液的液滴的状态进行拍摄，来对基片w整体的液滴的成膜状态进行宏观检查。宏观检查机构8安装在第二导轨5中的后方(x轴负方向)侧的第二导轨5上。关于该宏观检查机构8的详细情况，将在后面进行说明。
76.图2所示的控制装置9例如是计算机，包括控制部91和存储部92。存储部92例如由ram(random access memory：随机存取存储器)、闪存(flash memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。
77.控制部91包括具有cpu(central processing unit：中央处理器)、rom(read only memory：只读存储器)、ram、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的cpu能够读取并执行存储在rom中的程序，来实现涂敷处理装置1内的各部的控制。
78.另外，程序也可以是记录在计算机可读取的存储介质中，并从存储介质被安装到控制装置9的存储部92。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
79.＜宏观检查机构的结构＞
80.接下来，参照图3和图4对宏观检查机构8的结构进行说明。图3是表示实施方式的宏观检查机构8的结构的一个例子的图，图4是表示实施方式的线传感器81、基片w和基片输送机构4的配置的一个例子的图。
81.如图3所示，实施方式的宏观检查机构8包括线传感器81、光源82、光源罩体83、罩体84和排气部85。
82.线传感器81能够对基片w进行拍摄。具体而言，线传感器81能够对被释放到基片w的正面wa上的功能液的液滴进行拍摄。线传感器81具有多个摄像元件(未图示)。该多个摄像元件沿着副扫描方向(即，左右方向)排列。即，线传感器81沿着左右方向延伸。
83.另外，如图4所示，线传感器81比基片w宽(即，线传感器81的左右方向的长度大于基片w的左右方向的长度)。由此，线传感器81能够通过一次拍摄来对基片w的副扫描方向的整体进行拍摄。
84.另外，如图3所示，线传感器81相对于基片w倾斜地配置。具体而言，线传感器81以光轴x1朝向z轴负方向和x轴负方向的方式配置。
85.另外，线传感器81的光轴x1以朝向基片w的正面wa的规定的区域wb的方式配置。即，该区域wb是线传感器81的拍摄区域。
86.光源82能够对线传感器81的拍摄区域(即，基片w的区域wb)照射光。光源82例如具有多个led(light emitting diode：发光二极管)元件(未图示)。
87.该多个led元件沿着副扫描方向(即，左右方向)排列。即，光源82是沿着左右方向延伸的长条形状。另外，该led元件例如是红色led元件。即，实施方式的光源82能够照射红色光。
88.另外，光源82相对于基片w倾斜地配置。具体而言，光源82以光轴x2朝向z轴负方向和x轴正方向的方式配置。
89.光源罩体83用于对从光源82照射的光的照射区域进行限制。具体而言，在光源罩
体83形成有沿着左右方向延伸的狭缝83a，从光源82照射的光能够通过该狭缝83a而照射到基片w的区域wb。
90.罩体84将线传感器81和光源82一体地覆盖。罩体84例如在不与基片w干涉的范围将线传感器81和光源82的侧方和下方整体地覆盖。另外，在罩体84的下方形成有开口部84a，在罩体84的上方形成有开口部84b。
91.排气部85用于从罩体84的开口部84b对在罩体84的内侧形成的内部空间86的气氛进行排气。由此，在罩体84的内侧，能够形成从下方的开口部84a向上方的排气部85流动的气流。
92.在此，在实施方式中，如图3所示，线传感器81的光轴x1与基片w的正面wa所成的角度θ1小于光源82的光轴x2与基片w的正面wa所成的角度θ2。例如，角度θ1为30(
°
)左右，角度θ2为60(
°
)左右。
93.由此，与角度θ1和角度θ2相等的情况、或者角度θ1大于角度θ2的情况相比，能够提高由线传感器81拍摄的基片w上的液滴图像的对比度。
94.即，在实施方式中，通过使角度θ1小于角度θ2，能够高精度地检测在基片w的正面wa形成的液滴的异常(例如，液滴的缺陷或不均匀等)。因此，根据实施方式，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
95.另外，在实施方式中，宏观检查机构8优选包括将线传感器81和光源82一体地覆盖的罩体84。由此，在后述的功能液的涂敷处理中，能够抑制从线传感器81和光源82辐射的热传递到基片w上的功能液的液滴，导致该功能液的液滴劣化。
96.因此，根据实施方式，能够提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。另外，在实施方式的功能液的涂敷处理中，线传感器81始终进行动作，光源82仅在线传感器81的拍摄处理时进行动作。
97.另外，在实施方式中，宏观检查机构8优选包括用于对罩体84的内侧进行排气的排气部85。由此，在功能液的涂敷处理中，能够抑制在线传感器81和光源82的周围被加热的气氛到达基片w的周围，导致基片w上的功能液的液滴因被该热的气氛而劣化。
98.因此，根据实施方式，能够提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。
99.另外，在实施方式中，排气部85优选相对于线传感器81和光源82配置在与基片w相反的一侧。由此，在功能液的涂敷处理中，能够有效地抑制在线传感器81和光源82的周围被加热的气氛到达基片w的周围，导致基片w上的功能液的液滴因该被加热的气氛而劣化。
100.因此，根据实施方式，能够进一步提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。
101.另外，在实施方式中，优选在内部空间86中，在线传感器81与罩体84之间形成排气流路86a。由此，能够提高线传感器81的冷却效率，因此，能够进一步抑制从线传感器81辐射的热传递到基片w上的功能液的液滴，导致该功能液的液滴劣化。
102.因此，根据实施方式，能够进一步提高被涂敷的功能液的可靠性。
103.另外，在实施方式中，光源82优选照射红色光。由此，在功能液的涂敷处理中，能够抑制功能液中包含的各种成分因从光源82照射的光而劣化。
104.因此，根据实施方式，能够进一步提高被涂敷的功能液的可靠性。
105.另外，在实施方式中，优选从光源82经由光源罩体83的狭缝83a向基片w照射光。由此，能够减少在基片w的正面wa漫反射的光，因此，能够更高精度地检测对基片w实施的涂敷
处理的不良。
106.＜涂敷处理的详细情况＞
107.接着，参照图5～图9对在实施方式的涂敷处理装置1中实施的涂敷处理的详细情况进行说明。图5～图9是用于对实施方式的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
108.如图5所示，首先，控制部91(参照图2)使未图示的基片送入送出机构动作，将基片w送入到送入送出部10。然后，控制部91使基片输送机构4动作，利用该基片输送机构4保持基片w(步骤s01)。
109.接着，控制部91使基片输送机构4动作，使基片w向前方(x轴正方向)移动(下面，也称为“去往移动”)(步骤s02)。
110.接着，如图6所示，控制部91(参照图2)使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方进行去往移动的基片w释放功能液(步骤s03)。由此，对基片w的正面wa(参照图3)利用功能液进行最初的描绘。
111.接着，如图7所示，控制部91(参照图2)使基片输送机构4动作，使移动到比支承件62靠前方的位置的基片w向后方(x轴负方向)移动(下面，也称为“返回移动”)(步骤s04)。
112.接着，如图8所示，控制部91(参照图2)使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方进行返回移动的基片w释放功能液(步骤s05)。由此，对基片w的正面wa(参照图3)利用功能液进行再次的描绘。
113.另外，控制部91与上述的步骤s05的处理联动地使宏观检查机构8动作，检查在宏观检查机构8的下方进行返回移动的基片w上被描绘的功能液的状态(步骤s06)。
114.最后，如图9所示，控制部91(参照图2)使未图示的基片送入送出机构动作，将到达送入送出部10的基片w从送入送出部10送出(步骤s07)。由此，对基片w的一系列的涂敷处理完成。
115.如到此为止所说明的那样，在实施方式的涂敷处理中，通过利用宏观检查机构8即时(inline)检查基片w整体的功能液的描绘状态，能够抑制将不良基片送出到下游步骤。
116.另外，在实施方式中，优选在使基片w进行往返移动的同时利用功能液进行描绘，并且在最后的返回移动时利用线传感器81检查基片w上的功能液的状态。由此，能够检查最终描绘状态的功能液的状态，因此，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
117.另外，在实施方式中，优选在支承件62与送入送出部10之间配置宏观检查机构8。由此，能够在最终描绘状态的功能液干燥之前，检查该功能液的状态。因此，根据实施方式，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
118.另外，在图5～图9的例子中，表示了通过一次往返移动来完成对基片w的涂敷处理的例子，但是本发明并不限于该例子，也可以是通过多次往返移动来反复进行对基片w的涂敷处理。
119.另外，在该情况下，控制部91可以是仅在最后的返回移动时检查基片w上的功能液的状态，也可以是在每次返回移动时反复检查基片w上的功能液的状态。
120.图10是表示实施方式的涂敷处理装置1的概略结构的框图。如图10所示，在实施方式中，涂敷处理装置1被收纳在腔室100中，控制装置9配置在腔室100外。
121.另外，在实施方式中，宏观检查机构8和用于控制该宏观检查机构8的控制装置110被收纳在腔室100中。通过如上所述在控制装置9以外另外设置用于控制宏观检查机构8的
控制装置110，能够顺利地实施使用像素数非常多的线传感器81的图像处理。
122.另外，在实施方式中，设置有能够对控制装置9和控制装置110两者进行操作的操作部93。由此，与在控制装置9和控制装置110各自设置操作部的情况相比，能够使装置结构简化。
123.另外，在实施方式中，优选将腔室100的内侧和外侧连接的配线由馈通连接器120进行中继。由此，能够稳定地保持腔室100的气密状态，因此，能够抑制由外部气氛引起的功能液的劣化。
124.＜变形例1＞
125.接着，参照图11～图18对实施方式的各种变形例进行说明。图11是表示实施方式的变形例1的涂敷处理装置1的概略结构的左侧面图，是与实施方式的图1对应的图。
126.如图11所示，在变形例1的涂敷处理装置1中，宏观检查机构8的配置与上述的实施方式不同。具体而言，在变形例1中，分别在一对第二导轨5两者上安装有一对宏观检查机构8。
127.下面，将安装在后方(x轴负方向)侧的第二导轨5上的宏观检查机构8称为宏观检查机构8a，将安装在前方(x轴正方向)侧的第二导轨5上的宏观检查机构8称为宏观检查机构8b。
128.接下来，对在变形例1的涂敷处理装置1中进行的涂敷处理进行说明。首先，控制部91使未图示的基片送入送出机构动作，将基片w送入到送入送出部10。然后，控制部91使基片输送机构4动作，利用该基片输送机构4保持基片w(步骤s11)。
129.接着，控制部91使基片输送机构4动作，使基片w进行去往移动(步骤s12)。此外，该步骤s11和步骤s12的处理与上述的步骤s01和步骤s02的处理相同，因此省略图示。
130.图12和图13是用于对实施方式的变形例1的涂敷处理的一个例子进行说明的图。接着，如图12所示，控制部91(参照图2)使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方进行去往移动的基片w释放功能液(步骤s13)。由此，对基片w的正面wa(参照图3)利用功能液进行最初的描绘。
131.另外，控制部91与上述的步骤s13的处理联动地使宏观检查机构8b动作，检查在宏观检查机构8b的下方进行去往移动的基片w上被描绘的功能液的状态(步骤s14)。
132.接着，控制部91使基片输送机构4动作，使移动到比支承件62靠前方的位置的基片w进行返回移动(步骤s15)。此外，该步骤s15的处理与上述的步骤s04的处理相同，因此省略图示。
133.接着，如图13所示，控制部91(参照图2)使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方进行返回移动的基片w释放功能液(步骤s16)。由此，对基片w的正面wa(参照图3)利用功能液进行再次的描绘。
134.另外，控制部91与上述的步骤s16的处理联动地使宏观检查机构8a动作，检查在宏观检查机构8a的下方进行返回移动的基片w上被描绘的功能液的状态(步骤s17)。
135.最后，控制部91使未图示的基片送入送出机构动作，将到达送入送出部10的基片w从送入送出部10送出(步骤s18)。另外，该步骤s18的处理与上述的步骤s07的处理相同，因此省略图示。由此，对基片w的一系列的涂敷处理完成。
136.如到此为止所说明的那样，在变形例1的涂敷处理中，每当使基片w进行去往移动
和返回移动时，利用宏观检查机构8a、8b即时检查基片w整体的功能液的描绘状态。由此，中途的描绘状态也能够全部检测，因此，能够进一步抑制将不良基片送出到下游步骤。
137.＜变形例2＞
138.图14是表示实施方式的变形例2的涂敷处理装置1的概略结构的左侧面图，图15是表示实施方式的变形例2的涂敷处理装置1的概略结构的平面图。图14和图15是与实施方式的图1和图2对应的图。
139.如图14和图15所示，在变形例2的涂敷处理装置1中，基片输送机构4的结构和宏观检查机构8的配置与上述的实施方式不同。具体而言，在变形例2中，基片输送机构4不是对基片w进行吸附保持，而是使基片w浮起并进行保持。
140.如图15所示，变形例2的基片输送机构4在沿着前后方向延伸的工件载置台43的上表面形成有多个气体喷出口44。通过从气体喷出口44喷出气体，能够使基片w在工件载置台43整面上浮起。工件载置台43是载置台的另一个例子。
141.另外，在变形例2中，第一导轨3a配置在工件载置台43的上表面。第一导轨3a在左右方向上排列配置有一对。各第一导轨3a以沿着前后方向延伸的方式配置。
142.另外，在各第一导轨3a上设置有用于对基片w的宽度方向的端部进行保持并使基片w移动的保持臂45。该保持臂45是保持部的一个例子。
143.而且，通过利用保持臂45保持在工件载置台43上浮起的基片w的两端部，能够使被保持的基片w沿着第一导轨3a在前后方向上移动。
144.另外，在图14和图16～图18中，为了使得容易理解侧面视图，省略了第一导轨3a和保持臂45的图示。
145.另外，在变形例2中，在基片输送机构4的x轴负方向侧的端部设置有用于从外部送入基片w的送入部11，在基片输送机构4的x轴正方向侧的端部设置有用于将基片w向外部送出的送出部12。
146.另外，在变形例2中，如图14所示，宏观检查机构8安装在第二导轨5中的前方(x轴正方向)侧的第二导轨5上。
147.接下来，对变形例2的涂敷处理装置1中的涂敷处理的详细情况进行说明。图16～图18是用于对实施方式的变形例2的涂敷处理的一个例子进行说明的图。
148.如图16所示，首先，控制部91(参照图2)使未图示的基片送入机构动作，将基片w送入到送入部11。然后，控制部91使基片输送机构4动作，利用该基片输送机构4保持基片w(步骤s21)。进而，控制部91使基片输送机构4动作，使基片w进行去往移动(步骤s22)。
149.接着，如图17所示，控制部91(参照图2)使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方进行去往移动的基片w释放功能液(步骤s23)。
150.另外，控制部91与上述的步骤s23的处理联动地使宏观检查机构8动作，检查在宏观检查机构8的下方进行去往移动的基片w上被描绘的功能液的状态(步骤s24)。
151.最后，如图18所示，控制部91(参照图2)使未图示的基片送出机构动作，将到达送出部12的基片w从送出部12送出(步骤s25)。由此，对基片w的一系列的涂敷处理完成。
152.如到此为止所说明的那样，在变形例2的涂敷处理中，通过在使基片w进行去往移动时，利用宏观检查机构8即时检查基片w整体的功能液的描绘状态，能够抑制将不良基片送出到下游步骤。
153.另外，在变形例2中，优选在支承件62与送出部12之间配置宏观检查机构8。由此，能够在最终描绘状态的功能液干燥之前，检查该功能液的状态。因此，根据变形例2，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
154.另外，在图16～图18的例子中，表示了通过一次去往移动来完成对基片w的涂敷处理的例子，但是本发明并不限于该例子，也可以是在送入部11与送出部12之间反复进行去往移动和返回移动的同时，反复进行对基片w的涂敷处理。
155.另外，在该情况下，控制部91可以是仅在最后的去往移动时检查基片w上的功能液的状态，也可以是在每次去往移动时反复检查基片w上的功能液的状态。
156.实施方式的涂敷处理装置1包括支承件62、基片保持部(基片输送机构4)、线传感器81和光源82。支承件62具有能够对基片w释放功能液的多个释放头(喷头63)。基片保持部(基片输送机构4)能够保持基片w，并使基片w相对于支承件62相对移动。线传感器81能够对基片w进行拍摄，且宽度比基片w的宽度宽。光源82为长条形状，能够对线传感器81的拍摄区域(区域wb)照射光。另外，线传感器81的光轴x1与基片w的正面wa所成的角度θ1小于光源82的光轴x2与基片w的正面wa所成的角度θ2。由此，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
157.另外，实施方式的涂敷处理装置1还包括将线传感器81和光源82一体地覆盖的罩体84。由此，能够提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。
158.另外，实施方式的涂敷处理装置1还包括用于对罩体84的内侧进行排气的排气部85。由此，能够提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。
159.另外，在实施方式的涂敷处理装置1中，排气部85相对于线传感器81和光源82配置在与基片w相反的一侧。由此，能够进一步提高被涂敷在基片w上的功能液的可靠性。
160.另外，在实施方式的涂敷处理装置1中，在线传感器81与罩体84之间形成有排气流路86a。由此，能够进一步提高被涂敷的功能液的可靠性。
161.另外，在实施方式的涂敷处理装置1中，光源82能够照射红色光。由此，能够进一步提高被涂敷的功能液的可靠性。
162.另外，在实施方式的涂敷处理装置1中，基片保持部(基片输送机构4)具有能够吸附保持基片w的载置台(工件载置台40)。由此，能够牢固地保持基片w。
163.另外，实施方式的涂敷处理装置1还包括用于对各部进行控制的控制部91。另外，控制部91能够使被保持在载置台(工件载置台40)上的基片w相对于支承件62进行往返移动，在最后的返回移动时利用线传感器81检查基片w上的功能液的状态。由此，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
164.另外，在实施方式的涂敷处理装置1中，基片保持部(基片输送机构4)具有：能够使基片w浮起的载置台(工件载置台43)；和用于保持浮起的基片w的侧部的保持部(保持臂45)。由此，能够抑制对基片w的背面造成损伤。
165.另外，实施方式的涂敷处理装置1还包括用于对各部进行控制的控制部91。另外，控制部91能够使被保持在保持部(保持臂45)上的基片w相对于支承件62进行去往移动或往返移动，在最后的去往移动时利用线传感器81检查基片w上的功能液的状态。由此，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
166.＜涂敷处理的流程＞
167.接着，参照图19对实施方式的涂敷处理的流程进行说明。图19是表示实施方式的涂敷处理装置1执行的涂敷处理的处理流程的流程图。
168.在实施方式的涂敷处理中，首先，控制部91使基片送入送出机构动作，将基片w送入到送入送出部10(步骤s101)。然后，控制部91使基片输送机构4动作，利用该基片输送机构4保持基片w(步骤s102)。
169.接着，控制部91使基片输送机构4动作，使基片w相对于支承件62相对地移动(步骤s103)。然后，控制部91使描绘机构6动作，从喷头63向在支承件62的下方移动的基片w释放功能液(步骤s104)。
170.接着，控制部91使宏观检查机构8动作，检查在宏观检查机构8的下方移动的基片w上被描绘的功能液的状态(步骤s105)。
171.最后，控制部91使基片送入送出机构动作，从送入送出部10将基片w送出(步骤s106)，对基片w的一系列的涂敷处理完成。
172.实施方式的基片处理方法包括保持步骤(步骤s102)、释放步骤(步骤s104)和检查步骤(步骤s105)。在保持步骤(步骤s102)中，利用能够使基片w相对于支承件62相对移动的基片保持部(基片输送机构4)保持基片w，其中，支承件62具有能够向基片w释放功能液的多个释放头(喷头63)。在释放步骤(步骤s104)中，在使基片w移动的同时从支承件62向基片w释放功能液。在检查步骤(步骤s105)中，在利用长条形状的光源82对基片w照射光的同时，利用宽度比基片w宽的线传感器81检查基片w上的功能液的状态。另外，线传感器81的光轴x1与基片w的正面wa所成的角度θ1小于光源82的光轴x2与基片w的正面wa所成的角度θ2。由此，能够高精度地检测对基片w实施的涂敷处理的不良。
173.上面，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于上述实施方式，可以在不脱离其主旨的范围内进行各种改变。
174.本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式来实现。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

技术特征：
1.一种涂敷处理装置，其特征在于，包括：支承件，其具有能够向基片释放功能液的多个释放头；基片保持部，其能够保持所述基片，并使所述基片相对于所述支承件相对移动；线传感器，其能够对所述基片进行拍摄，且宽度比所述基片的宽度宽；和长条形状的光源，其能够对所述线传感器的拍摄区域照射光，所述线传感器的光轴与所述基片的正面所成的角度小于所述光源的光轴与所述基片的正面所成的角度。2.如权利要求1所述的涂敷处理装置，其特征在于：还包括将所述线传感器和所述光源一体地覆盖的罩体。3.如权利要求2所述的涂敷处理装置，其特征在于：还包括用于对所述罩体的内侧进行排气的排气部。4.如权利要求3所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述排气部相对于所述线传感器和所述光源配置在与所述基片相反的一侧。5.如权利要求2至4中任一项所述的涂敷处理装置，其特征在于：在所述线传感器与所述罩体之间形成有排气流路。6.如权利要求1至4中任一项所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述光源能够照射红色光。7.如权利要求1至4中任一项所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述基片保持部具有能够吸附保持所述基片的载置台。8.如权利要求7所述的涂敷处理装置，其特征在于：还包括用于对各部进行控制的控制部，所述控制部能够使被保持在所述载置台上的所述基片相对于所述支承件进行往返移动，在最后的返回移动时利用所述线传感器检查所述基片上的所述功能液的状态。9.如权利要求1至4中任一项所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述基片保持部具有：能够使所述基片浮起的载置台；和用于保持浮起的所述基片的侧部的保持部。10.如权利要求9所述的涂敷处理装置，其特征在于：还包括用于对各部进行控制的控制部，所述控制部能够使被保持在所述保持部上的所述基片相对于所述支承件进行去往移动或往返移动，在最后的去往移动时利用所述线传感器检查所述基片上的所述功能液的状态。11.一种涂敷处理方法，其特征在于，包括：利用能够使基片相对于支承件相对移动的基片保持部保持所述基片的步骤，其中，所述支承件具有能够向所述基片释放功能液的多个释放头；在使所述基片移动的同时从所述支承件向所述基片释放所述功能液的步骤；和在利用长条形状的光源对所述基片照射光的同时，利用宽度比所述基片宽的线传感器检查所述基片上的所述功能液的状态的步骤，所述线传感器的光轴与所述基片的正面所成的角度小于所述光源的光轴与所述基片的正面所成的角度。
12.一种计算机可读取的存储介质，其存储有能够在计算机上运行的、用于控制涂敷处理装置的程序，所述存储介质的特征在于：所述程序在执行时能够使计算机控制所述涂敷处理装置进行权利要求11所述的涂敷处理方法。

技术总结
本发明提供能够高精度地检测涂敷处理的不良的涂敷处理装置、涂敷处理方法和存储介质。本发明的一个方式的涂敷处理装置包括支承件、基片保持部、线传感器和光源。支承件具有能够向基片释放功能液的多个释放头。基片保持部能够保持基片，并使基片相对于支承件相对移动。线传感器能够对基片进行拍摄，且宽度比基片的宽度宽。光源为长条形状，能够对线传感器的拍摄区域照射光。而且，线传感器的光轴与基片的正面所成的角度小于光源的光轴与基片的正面所成的角度。正面所成的角度。正面所成的角度。


技术研发人员：尾上幸太朗 相良典秀 宫崎文宏
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.01.03
技术公布日：2023/7/19