支撑结构的制作方法

1.本技术涉及电气设备技术领域，具体涉及一种支撑结构。


背景技术：

2.电接触组件是断路器、继电器、控制开关等低压电器电导通形成回路的关键元件，起到支撑电接触导体和电连接电接触导体的作用，因此，电接触组件中的支撑件的导电性、稳定性至关重要。现有技术中，为保证支撑件的结构强度，通常采用诸如黄铜、复合钢等硬度大、强度高的材料来制备支撑件。然而，此类材料通常导电性不佳，因此，需要在支撑件外表面形成一层具有较强导电性的材料层，例如，电镀铜层，由此使得支撑件兼顾结构强度及导电性能。为保证导电性能，通常在支撑件外表面形成铜层时，会增加铜的用量，以便使得铜层具有一定的厚度。然而，这样的做法会导致成本上升，并且由于铜层的质地比较软，还会对支撑件的结构强度造成负面影响。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术旨在提供一种支撑结构，用以改善现有技术中为提升导电性能所导致的支撑件成本增加且对支撑件结构强度带来负面影响的问题。
4.本技术提供一种支撑结构，应用于低压电器，包括：第一支撑层，具有第一表面；第一导电层，邻接所述第一表面设置，所述第一导电层具有第一石墨烯层结构，所述第一石墨烯层结构呈网格状。
5.本技术由于在第一导电层中具有第一石墨烯层结构，有助于提升支撑结构的导电性。与此同时，由于并非通过增加铜的用量的方式来提升支撑结构的导电性，一定程度上可以节省成本以及减少对支撑结构的结构强度的负面影响；通过将第一石墨烯层结构设置成网格状，有助于在提升支撑结构的导电性能的同时，增强支撑结构的结构强度。
6.一实施例中，在垂直于所述支撑结构厚度方向的平面内，所述第一石墨烯层结构的投影面积与所述第一导电层的投影面积之比为3:5-8:9。
7.本技术通过将在垂直于支撑结构厚度方向的平面内第一石墨烯层结构的投影面积与第一导电层的投影面积之比设置在3:5-8:9之间，能够使得支撑结构更好地兼顾结构强度和导电性能。
8.一实施例中，所述第一石墨烯层结构沿所述第一导电层厚度方向的长度为所述第一导电层的厚度的12％-40％。
9.本技术通过将第一石墨烯层结构沿第一导电层厚度方向的长度设置为第一导电层的厚度的12％-40％，能够在兼顾结构强度及导电性能的同时，控制成本。
10.一实施例中，所述第一导电层还具有导电基层及电镀层，所述第一石墨烯层结构形成在所述导电基层上，所述电镀层覆盖所述第一石墨烯层结构。
11.本技术通过将第一石墨烯层结构设置在导电基层上，并通过电镀层覆盖第一石墨烯层结构，可以对第一石墨烯层结构进行保护，一定程度上可以增加第一导电层的结构强
度。
12.一实施例中，所述电镀层的厚度位于2um到10um之间。
13.本技术通过将电镀层的厚度控制在2um到10um之间，有助于在提升导电性能的同时，避免支撑结构的整体厚度过厚。
14.一实施例中，所述支撑结构包括第二支撑层及第二导电层，所述第二支撑层设置于所述第一支撑层背离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层夹设在所述第一支撑层与所述第二支撑层之间，且分别与所述第一支撑层、所述第二支撑层电连接。
15.本技术中，支撑结构包括第一支撑层及第二支撑层，第一导电层及第二导电层，通过将第一导电层设置在第一表面且第二导电层夹设在第一支撑层与第二支撑层之间，并使得第二导电层分别与第一支撑层及第二支撑层电连接，可以减少因支撑结构温升变形对电接触组件的触点接触的不良影响。
16.一实施例中，所述第一支撑层设置有电连接结构，所述第一导电层与所述第二导电层通过所述电连接结构电连接。
17.本技术通过在第一支撑层设置电连接结构，并利用电连接结构实现第一导电层与第二导电层的电连接，有助于降低支撑结构的电阻率，减少通电时的发热量，从而进一步提升支撑结构的导电性能。
18.一实施例中，所述电连接结构为自所述第一导电层靠近所述第一支撑层表面凸设的导电凸起，所述导电凸起贯穿所述第一支撑层，并与所述第二导电层电连接。
19.一实施例中，所述第一导电层的厚度为所述支撑结构的厚度的1％到13％之间，所述第二导电层的厚度为所述支撑结构的厚度的2％到52％之间。
20.本技术通过将第一导电层的厚度设置为支撑结构的厚度的1％到13％之间，将第二导电层的厚度为支撑结构的厚度的2％到52％之间，有助于在保证导电性能及结构强度的同时，控制支撑结构的厚度。
21.一实施例中，所述第二导电层具有呈网格状的第二石墨烯层结构，在垂直于所述支撑结构厚度方向的平面内，所述第二石墨烯层结构的投影面积与所述第二导电层的投影面积之比为3:5-8:9。
22.本技术中，通过在第二导电层中设置网格状的第二石墨烯层结构，并将第二石墨烯结构与第二导电层在垂直于支撑结构厚度方向的同一平面内的投影面积之比设置在3:5-8:9，可以进一步在保证支撑结构的结构强度的基础上，提升支撑结构的导电性。
23.一实施例中，所述支撑结构还包括第三导电层，所述第三导电层邻接所述第二支撑层背离所述第二导电层的表面设置，并与所述第二支撑层电连接。
24.本技术的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本技术的其它特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1是本技术一实施例提供的支撑结构的叠层的结构示意图；
27.图2是本技术实施例中提供的网格状的第一石墨烯层结构在第一导电层中的结构示意图；
28.图3是本技术另一实施例提供的支撑结构的叠层的结构示意图；
29.图4是本技术一实施例中提供的支撑结构制备方法的流程图。
30.附图标记：支撑结构-10、20；第一支撑层-11、21；第一石墨烯层结构-131、231；第一导电层-13、23；导电基层-133；电镀层-135；第二支撑层-22；第二导电层-24；电连接结构-232。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
33.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本技术的描述变得晦涩。因此，本技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
34.请参阅图1，本技术实施例提供一种支撑结构10。该支撑结构10可以应用于低压电器，具体地，可以应用于低压电器的电接触组件中。
35.该支撑结构10包括第一支撑层11及第一导电层13。
36.第一支撑层11可以采用具有较好的结构强度且兼具一定导电性能的材料，例如，锌合金、铜合金或复合铜材、掺有碳化钨的铝合金等制成。第一支撑层11的导电性能逊于第一导电层13的导电性能。
37.一些实施例中，第一支撑层11的材料可以包括碳化钨和铝合金。通过使用碳化钨和铝合金来制备第一支撑层11，有助于提升第一支撑层11的结构强度，进而提升支撑结构的结构强度，与此同时，还能在一定程度上降低成本。
38.一实施例中，碳化钨在第一支撑层11中的体积占比为35％到45％，铝合金在第一
支撑层11中的体积占比为55％到65％。由此，有助于进一步提升支撑结构的结构强度。
39.示例性地，碳化钨在第一支撑层11中的体积占比可以为39％，铝合金在第一支撑层11中的体积占比可以为61％。
40.一些实施例中，第一支撑层11可以采用锌、铜、钛、镁、锰、硅、硼、镧、铈及铝的合金制成。由此，有助于提升支撑结构的结构强度，同时，还能在一定程度上降低成本。
41.一实施例中，各元素在合金中的质量占比依次如下：铜为2.2％至2.7％、钛为0.2％至0.28％、镁为0.03％至0.04％、锰为0.2％至0.4％、硅为0.03％至0.04％、硼为0.005％至0.01％、镧为0.05％至0.06％、铈为0.05％至0.06％、铝为3％至6％，余量为锌。通过使各元素在合金中具有前述的质量占比有助于进一步提升支撑结构的结构强度。
42.示例性地，第一支撑层11的材料可以为锌合金，且锌合金中各元素的质量占比依次如下：铜为2.5％、钛为0.25％、镁为0.03％、锰为0.3％-0.4％、硅为0.03％、硼为0.009％、镧为0.05％、铝为3.8％，余量为锌。
43.第一支撑层11具有第一表面。
44.第一导电层13邻接第一表面设置。第一导电层13具有第一石墨烯层结构131。请参阅图2，第一石墨烯层结构131可以呈网格状。通过将第一石墨烯层结构设置成网格状，有助于在提升支撑结构的导电性能的同时，增强支撑结构的结构强度。
45.一实施例中，第一石墨烯层结构131可以嵌设在第一导电层13内。
46.一实施例中，在垂直于支撑结构10厚度方向的平面内，第一石墨烯层结构131的投影面积与第一导电层13的投影面积之比可以在3:5到8:9之间。这样的设置有助于更好地兼顾导电性能及结构强度。
47.示例性地，在垂直于支撑结构10厚度方向的平面内，第一石墨烯层结构131的投影面积与第一导电层13的投影面积之比可以为7:8。
48.一实施例中，第一石墨烯层结构131沿第一导电层13厚度方向的长度可以为第一导电层13的厚度的12％到40％之间。这样的设置有助于在兼顾结构强度及导电性能的同时，控制成本。
49.示例性地，第一石墨烯层结构131沿第一导电层13厚度方向的长度为第一导电层13的厚度的13％。
50.需要说明的是，第一石墨烯层结构131在第一导电层13中的层数可以大于1。
51.请再次参阅图1，一实施例中，第一导电层13还可以具有导电基层133及电镀层135。第一石墨烯层结构131形成在导电基层133上。电镀层135覆盖第一石墨烯层结构131。通过将第一石墨烯层结构131形成在导电基层133上，并通过电镀层135覆盖第一石墨烯层结构131，可以对第一石墨烯层结构131进行保护，一定程度上可以增加第一导电层13的结构强度。
52.一实施例中，导电基层133与第一表面接触。当然，其他实施例中，也可以是电镀层135与第一表面接触。
53.一实施例中，电镀层135的厚度可以位于2um到10um之间。这样的设置，有助于在提升导电性能的同时，避免支撑结构的整体厚度过厚。
54.示例性地，电镀层的厚度可以为3um。
55.一实施例中，电镀层的材料包括铜和石墨烯，以及碳化钨和/或稀土氧化物。由此，
在提升导电性能的同时，提升支撑结构的结构强度。
56.进一步地，石墨烯在电镀层中的质量含量可以为0.5％-3.5％。碳化钨在电镀层中的质量含量可以为0.05％-0.1％。稀土氧化物在电镀层中的质量含量可以为0.1％-0.2％。这样的设置有助于更好地提升支撑结构的结构强度。
57.示例性地，石墨烯在电镀层中的质量含量可以为2.5％。碳化钨在电镀层中的质量含量可以为0.08％。稀土氧化物在电镀层中的质量含量可以为0.15％。
58.本技术实施例通过在第一导电层设置第一石墨烯层结构131，由于第一石墨烯层结构131相较于铜材具有更好的导电性，因此，有助于提升支撑结构的导电性。与此同时，由于无需增加铜的用量，一定程度上可以节省成本以及减少对支撑结构的结构强度的负面影响。除此之外，第一石墨烯层结构还具有较好的防腐蚀性能及散热性能。
59.请参阅图3，本技术另一实施例提供一种支撑结构20，其与前一实施例的支撑结构10大致相同，也具有第一支撑层21及第一导电层23，第一导电层23具有第一石墨烯层结构231；第一支撑层21、第一导电层23及第一石墨烯层结构231的具体内容分别与前述实施例中第一支撑层11、第一导电层13及第一石墨烯层结构131相同，其不同之处包括但不限于以下内容。
60.支撑结构20还可以包括第二支撑层22及第二导电层24。第二支撑层22设置于第一支撑层21背离第一导电层23的一侧。第二导电层24夹设在第一支撑层21与第二支撑层22之间，并分别与第一支撑层21及第二支撑层22电连接。
61.可以理解，前文中关于第一支撑层21材料的内容同样适用于第二支撑层22，为使说明书简洁，在此不做赘述。
62.一实施例中，第一支撑层21内可以设置有电连接结构232。电连接结构232的导电性能强于第一支撑层21的导电性能。第一导电层23与第二导电层24可以通过电连接结构232电连接。由此，降低支撑结构20的电阻率，减少通电时的发热量，进一步提升支撑结构20的导电性能。
63.进一步地，电连接结构232为自第一导电层23靠近第一支撑层21的表面凸设的导电凸起。导电凸起贯穿第一支撑层21，并与第二导电层24电连接。
64.一实施例中，第一导电层231的厚度可以为支撑结构20的厚度的1％到13％之间。第二导电层24的厚度可以为支撑结构20的厚度的2％到52％之间。这样的设置有助于在保证导电性能及结构强度的同时，控制支撑结构的厚度。
65.一实施例中，第二导电层24可以具有呈网格状的第二石墨烯层结构。进一步地，在垂直于支撑结构20厚度方向的平面内，第二石墨烯层结构24的投影面积与第二导电层22的投影面积之比为3:5-8:9。
66.可以理解，前文中关于第一石墨烯层结构231在第一导电层23中的具体设置的内容，同样适用于第二石墨烯层结构在第二导电层24中的具体设置，为使说明书简洁，在此不做赘述。
67.可以理解，其他实施例中，支撑结构20还可以包括第三导电层。第三导电层邻接第二支撑层24背离第二导电层22的表面设置，并与第二支撑层24电连接。当然，第三导电层可以具有第三石墨烯层结构。前文中关于第一石墨烯层结构231在第一导电层23中的具体设置的内容，同样适用于第三石墨烯层结构在第三导电层中的具体设置，为使说明书简洁，在
此不做赘述。
68.请参阅图4，基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种支撑结构制备方法。该方法可以用于制备前述实施例的支撑结构。
69.一些实施例中，该方法可以包括如下步骤。
70.步骤s11，制备第一支撑层。
71.具体地，可以采用粉末压制或熔炼的方式制备第一支撑层。
72.一实施例中，采用粉末压制的方式制备第一支撑层，此时，在步骤s11之前，该方法还可以包括将碳化钨粉末与铝粉末放入混料机中，并使混料机按照80-100r/min的转速对碳化钨粉末及铝粉末进行混合，以得到碳化钨和铝的混合粉末。通过使混料机按照80-100r/min的转速对碳化钨粉末及铝粉末进行混合，有助于使碳化钨粉末与铝粉混合的更加均匀。
73.一实施例中，在得到碳化钨和铝的混合粉末之后，步骤s11可以包括：将混合粉末压制成坯体，并对坯体进行真空烧结，以得到第一支撑层，其中，烧结温度在550℃至650℃之间，烧结压力在45mp至60mp之间。通过这样的方式，有助于使得坯体的成分更好地结合在一起，从而保证支撑层的结构强度。
74.步骤s12，制备第一导电层，所述第一导电层具有第一石墨烯层结构；
75.一实施例中，制备第一导电层可以包括如下步骤。
76.步骤s121，制备导电层坯体，导电层坯体的一侧表面设置有凹槽；
77.一实施例中，可以通过对导电基材，例如，导电性能较支撑层更优的金属基材进行压印的方式制备导电层坯体。或者，通过在导电基材上选择性地电镀来制备导电层坯体。当然，导电层坯体的制备也可以参考现有技术中的相关内容，本技术并不以此为限。
78.步骤s122，在凹槽中沉积石墨烯，得到含第一石墨烯层结构的坯体。
79.一实施例中，可以采用化学气相沉积的方式在凹槽中沉积石墨烯。
80.步骤s123，在含第一石墨烯层结构的坯体表面电镀形成电镀层，得到第一一导电层，电镀层包覆石墨烯。
81.需要说明的是，在含第一石墨烯层结构的坯体表面电镀形成电镀层之后，电镀层对应第一石墨烯层结构的部分适应凹槽形成凹陷，由此可以在后续热压加工时避免凹槽内的石墨烯因受到挤压而发生团聚。另外，在热压过程中，凹槽两侧的电镀层想凹陷部分移动并填充该凹陷。
82.步骤s13，将第一导电层与第一支撑层复合在一起，以得到支撑结构。
83.一实施例中，可以采用冷轧复合、热轧复合、温轧复合或挤压复合等方式将第一导电层与第一支撑层复合形成该支撑结构。
84.可以理解，其他实施例中，在步骤s11之后，还可以在支撑层的表面进行电镀形成电镀层，电镀层包覆该支撑层。
85.其他实施例中，在步骤s13之前，该方法还可以包括制备第二导电层及第二支撑层的步骤。此时，步骤s13可以包括将第一导电层、第一支撑层、第二导电层及第二支撑层依次叠设并复合在一起，以得到支撑结构。制备第二导电层的具体过程可以参照前文中制备第一导电层的具体内容，制备第二支撑层的具体过程可以参照前文中制备第一支撑层的具体内容，为使说明书简洁，在此不做赘述。
86.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
87.上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本技术的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
88.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
89.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本技术实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
90.一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有
±
20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本技术一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
91.针对本技术引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本技术作为参考，但与本技术内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本技术权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本技术中的)也除外。需要说明的是，如果本技术附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本技术所述内容有不一致或冲突的地方，以本技术的描述、定义和/或术语的使用为准。
92.以上对本技术实施例所提供的一种支撑结构及支撑结构制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征：
1.一种支撑结构，其特征在于，包括：第一支撑层，具有第一表面；第一导电层，邻接所述第一表面设置，所述第一导电层具有第一石墨烯层结构，所述第一石墨烯层结构呈网格状。2.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，在垂直于所述支撑结构厚度方向的平面内，所述第一石墨烯层结构的投影面积与所述第一导电层的投影面积之比为3:5-8:9。3.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述第一石墨烯层结构沿所述第一导电层厚度方向的长度为所述第一导电层的厚度的12％-40％。4.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述第一导电层还具有导电基层及电镀层，所述第一石墨烯层结构形成在所述导电基层上，所述电镀层覆盖所述第一石墨烯层结构。5.如权利要求4所述的支撑结构，其特征在于，所述电镀层的厚度位于2um到10um之间。6.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述支撑结构还包括第二支撑层及第二导电层，所述第二支撑层设置于所述第一支撑层背离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层夹设在所述第一支撑层与所述第二支撑层之间，且分别与所述第一支撑层、所述第二支撑层电连接。7.如权利要求6所述的支撑结构，其特征在于，所述第一支撑层设置有电连接结构，所述第一导电层与所述第二导电层通过所述电连接结构电连接。8.如权利要求7所述的支撑结构，其特征在于，所述电连接结构为自所述第一导电层靠近所述第一支撑层表面凸设的导电凸起，所述导电凸起贯穿所述第一支撑层，并与所述第二导电层电连接。9.如权利要求6所述的支撑结构，其特征在于，所述第一导电层的厚度为所述支撑结构的厚度的1％到13％之间，所述第二导电层的厚度为所述支撑结构的厚度的2％到52％之间。10.如权利要求6所述的支撑结构，其特征在于，所述第二导电层具有呈网格状的第二石墨烯层结构，在垂直于所述支撑结构厚度方向的平面内，所述第二石墨烯层结构的投影面积与所述第二导电层的投影面积之比为3:5-8:9。11.如权利要求6所述的支撑结构，其特征在于，所述支撑结构还包括第三导电层，所述第三导电层邻接所述第二支撑层背离所述第二导电层的表面设置，并与所述第二支撑层电连接。

技术总结
本申请提供一种支撑结构，该支撑结构包括：第一支撑层，具有第一表面；第一导电层，邻接所述第一表面设置，所述第一导电层具有第一石墨烯层结构，第一石墨烯层结构呈网格状。本申请由于第一导电层具有第一石墨烯层结构，可以提升支撑结构的导电性能，而通过将第一石墨烯层结构设置成网格状，有助于在提升支撑结构的导电性能的同时，增强支撑结构的结构强度。增强支撑结构的结构强度。增强支撑结构的结构强度。


技术研发人员：李志博 黄辉忠 王景凯
受保护的技术使用者：浙江正泰电器股份有限公司
技术研发日：2023.03.23
技术公布日：2023/7/19