基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法

1.本发明涉及神经电刺激技术领域，具体涉及一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法。


背景技术：

2.无创经颅电刺激(经颅直流电刺激、经颅交流电刺激)通过放置在头皮表面的电极，将微弱电流作用于大脑产生神经调控作用，在提升运动能力方面呈现出积极作用。然而，由于弥散的缺点引起周围区域激活会产生不期望的结果，此外，该技术无法精准调节深部脑区的活动。
3.公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。


技术实现要素：

4.为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，以解决无创电刺激无法精准调节深部脑区的活动的问题。
5.为实现上述目的，提供一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，包括：
6.提供10-20系统脑电电极帽，将所述10-20系统脑电电极帽佩戴于头部；
7.分别将两路交流电连接于所述10-20系统脑电电极帽的第一对电极和第二对电极，所述第一对电极的位置对应于所述10-20系统脑电电极帽的cp3电极位和cp6电极位，所述第二对电极的位置对应于所述10-20系统脑电电极帽的f3电极位与f6电极位；
8.所述两路交流电分别通过所述第一对电极和所述第二对电极产生1khz以上的高频电场，且在所述头部的目标脑区形成130hz的低频差频包络信号，刺激类型为脉宽100μs的双相脉冲刺激，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，所述第一对电极和所述第二对电极的电流峰峰值分别为2.5ma和2ma，进而通过相位干涉电场无创刺激调控所述头部的深部脑区苍白球以改变深部脑区苍白球的异常放电活动，促进多巴胺分泌，提升患者运动能力。
9.进一步的，所述第一对电极产生1300hz的高频电场，所述第二对电极产生1430hz的高频电场。
10.进一步的，在实施所述两路交流电分别通过所述第一对电极和所述第二对电极产生1khz以上的高频电场之前，调整所述10-20系统脑电电极帽的电极与所述头部的头皮阻抗，使得所述头皮阻抗小于20kω。
11.本发明的有益效果在于，本发明的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，通过电场模拟，定位苍白球并模拟深部脑刺激参数，精准调控大脑深部核团，促进多巴胺分泌，并通过无创地调控苍白球，改变深部核团异常放电活动，提升患者运动能力。
附图说明
12.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
13.图1为本发明实施例的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法中电极布设示意图。
具体实施方式
14.下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
15.需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
16.参照图1所示，本发明提供了一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，包括以下步骤：
17.s1：提供10-20系统脑电电极帽1，将10-20系统脑电电极帽佩戴于头部。
18.为了精准定位，就需要确定电极在大脑的位置，其中最常用的就是国际10-20系统脑电帽。国际10-20系统中的“10”和“20”指的是相邻电极之间的实际距离是头骨前后或左右总距离的10％或20％。
19.具体的，如图1所示，电极有特定的字母和数字进行标记，其中f为额叶(frontal)、p为顶叶(parietal)，中央和顶之间的电极称为“cp”。
20.在佩戴10-20系统脑电电极帽时，通过cz点和fpz确定电极帽佩戴的位置，cz点位于眉心枕骨粗隆连线与双耳屏两条直线交汇处，眉心到枕骨粗隆距离为l，眉心到fpz点的距离为10％l。
21.s2：分别将两路交流电连接于10-20系统脑电电极帽的第一对电极和第二对电极，第一对电极的位置对应于10-20系统脑电电极帽的cp3电极位和cp6电极位，第二对电极的位置对应于10-20系统脑电电极帽的f3电极位与f6电极位。
22.根据电极放置位置，将头部的皮肤用适量磨砂膏打磨至微红，并用纸巾和酒精棉球进行清洁。拨开头发露出头皮，使用针管分别将电极托注满导电膏，将第一对电极和第二对电极的电极对分别放置在cp3-cp6和f3-f6并固定。
23.s3：两路交流电分别通过第一对电极和第二对电极产生1khz以上的高频电场，且在头部的目标脑区形成130hz的低频差频包络信号，刺激类型为脉宽100μs的双相脉冲刺激，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，第一对电极和第二对电极的电流峰峰值分别为2.5ma和2ma，进而通过相位干涉电场无创刺激调控深部脑区苍白球以改变深部脑区苍白球的异常放电活动，促进多巴胺分泌，提升患者运动能力。
24.在实施两路交流电分别通过第一对电极和第二对电极产生1khz以上的高频电场之前，调整10-20系统脑电电极帽的电极与头部的头皮阻抗，使得头皮阻抗小于20kω。
25.作为一种较佳的实施方式，第一对电极产生1300hz的高频电场。第二对电极产生1430hz的高频电场。
26.首先将第一对电极和第二对电极的信号频率设置为1300hz和1430hz，刺激类型为
脉宽100μs的双相脉冲刺激(正弦波)。再将相位干涉电场刺激单次持续时间定为20分钟，第一对电极和第二对电极的电流强度分别设置为2.5ma和2ma。
27.最后，检查头皮阻抗，将阻抗降至20kω以下，若阻抗较高，则增强导电膏与头皮的接触使其降低，若符合条件，则启动刺激。
28.本发明的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，通过电场模拟，定位苍白球并模拟深部脑刺激参数，调控大脑深部核团，促进多巴胺分泌，并通过无创地调控苍白球，改变深部核团异常放电活动，提升患者运动能力。
29.以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。


技术特征：
1.一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，其特征在于，包括以下步骤：提供10-20系统脑电电极帽，将所述10-20系统脑电电极帽佩戴于头部；分别将两路交流电连接于所述10-20系统脑电电极帽的第一对电极和第二对电极，所述第一对电极的位置对应于所述10-20系统脑电电极帽的cp3电极位和cp6电极位，所述第二对电极的位置对应于所述10-20系统脑电电极帽的f3电极位与f6电极位；所述两路交流电分别通过所述第一对电极和所述第二对电极产生1khz以上的高频电场，且在所述头部的目标脑区形成130hz的低频差频包络信号，刺激类型为脉宽100μs的双相脉冲刺激，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，所述第一对电极和所述第二对电极的电流峰峰值分别为2.5ma和2ma，进而通过相位干涉电场无创刺激调控所述头部的深部脑区苍白球以改变深部脑区苍白球的异常放电活动，促进多巴胺分泌，提升患者运动能力。2.根据权利要求1所述的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，其特征在于，所述第一对电极产生1300hz的高频电场。3.根据权利要求2所述的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，其特征在于，所述第二对电极产生1430hz的高频电场。4.根据权利要求1所述的基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，其特征在于，在实施所述两路交流电分别通过所述第一对电极和所述第二对电极产生1khz以上的高频电场之前，调整电极与所述头皮阻抗，使得所述头皮阻抗小于20kω。

技术总结
本发明公开了一种基于相位干涉电场调控苍白球的无创深部脑刺激方法，通过电场模拟，定位苍白球并模拟深部脑刺激参数，精准调控大脑深部核团，促进多巴胺分泌，并通过无创地调控苍白球，改变深部核团异常放电活动，提升患者运动能力。本发明解决了无创电刺激无法精准调节深部脑区活动的问题。调节深部脑区活动的问题。调节深部脑区活动的问题。


技术研发人员：王玮 刘宇 徐永鑫 杨宸灏 黄灵燕 吕娇娇 李兴洋
受保护的技术使用者：上海体育学院
技术研发日：2023.04.25
技术公布日：2023/7/20