显示装置及其制备方法、电子设备与流程

1.本技术属于显示装置
技术领域：
：，具体涉及显示装置及其制备方法、电子设备。
背景技术：
：：2.在显示装置
技术领域：
：中，显示装置通过包括阵列层、及设于阵列层一侧的电子纸膜。当阵列层制备完成，还需要经过蓝膜贴附、切割和边封胶等工艺处理。这样容易造成阵列层的压伤和划伤，从而降低显示装置的显示效果。技术实现要素：3.鉴于此，本技术第一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括阵列层、保护层、及电子纸膜，所述阵列层包括基板、及设于所述基板一侧的薄膜晶体管，所述保护层设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管的至少部分，所述电子纸膜设于所述保护层，且位于所述薄膜晶体管背离所述基板的一侧。4.本技术第一方面提供的显示装置，由阵列层、保护层、及电子纸膜组成。阵列层与电子纸膜能够相互配合，以使显示装置显示画面、文字等。5.其中，在本技术的显示装置中，设有阵列层一侧的保护层，由于保护层覆盖薄膜晶体管，所以保护层可对阵列层起保护作用，保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果。并且，保护层还能起到支撑电子纸膜的作用，提高显示装置的稳定性。6.因此，本技术通过在阵列层的一侧设置覆盖薄膜晶体管的保护层，以保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果。7.其中，所述薄膜晶体管包括第一绝缘层、及设于所述第一绝缘层背离所述基板一侧的像素电极层，所述保护层覆盖所述第一绝缘层背离所述基板一侧的部分，且所述保护层与所述像素电极层间隔设置，所述保护层背离所述基板的一侧表面相较于所述像素电极层背离所述基板的一侧表面远离所述基板，所述保护层与所述像素电极层围设形成容置空间，所述电子纸膜的至少部分设于所述容置空间内。8.其中，所述保护层覆盖所述薄膜晶体管，所述显示装置满足以下条件的一者：9.所述电子纸膜设于所述保护层背离所述基板的一侧；10.所述保护层背离所述基板的一侧具有凹槽，所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内。11.其中，当所述保护层背离所述基板的一侧具有凹槽，所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内时，所述显示装置满足以下条件中的至少一者：12.所述阵列层具有显示区、及设于所述显示区周缘的非显示区，与所述非显示区对应的所述保护层的厚度d1满足以下条件：6000μm≤d1≤8000μm；13.所述电子纸膜靠近所述基板一侧的表面至所述保护层靠近所述基板一侧的表面的距离d2满足以下条件：4000μm≤d2≤5000μm。14.其中，所述阵列层具有显示区、及设于所述显示区周缘的非显示区，所述电子纸膜在所述基板上的正投影的至少部分位于所述显示区内。15.其中，所述电子纸膜具有中心区、及设于所述中心区周缘的边缘区，所述中心区的所述电子纸膜在所述基板上的正投影位于所述显示区内，所述边缘区的所述电子纸膜在所述基板上的正投影位于所述非显示区内。16.其中，所述薄膜晶体管包括像素电极层，所述显示装置还包括第一公共电极层，所述第一公共电极层用于电连接驱动芯片，所述第一公共电极层设于所述保护层背离所述像素电极层的一侧，所述电子纸膜的至少部分设于所述第一公共电极层背离所述像素电极层的一侧，所述第一公共电极层与所述像素电极层对应设置，所述第一公共电极层与所述像素电极层能够形成第一存储电容。17.其中，所述第一公共电极层至所述像素电极层的距离d3满足以下条件：1000μm≤d3≤3000μm。18.其中，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述有源层设于所述像素电极层背离所述保护层的一侧，所述第一公共电极层与所述有源层对应设置，所述第一公共电极层能够遮挡光线。19.其中，所述薄膜晶体管还包括第二公共电极层，所述第二公共电极层设于所述像素电极层背离所述保护层的一侧，所述第二公共电极层与所述像素电极层能够形成第二存储电容。20.本技术第二方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括壳体以及设于所述壳体内的本技术第一方面提供的显示装置。21.本技术第二方面提供的电子设备，通过采用本技术第一方面提供的显示装置，由于通过在阵列层的一侧设置覆盖薄膜晶体管的保护层，以保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果，提高电子设备的显示效果。22.本技术第三方面提供了一种显示装置的制备方法，所述制备方法包括：23.形成阵列层，所述阵列层包括基板、及设于所述基板一侧的薄膜晶体管；24.形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层；25.形成设于所述保护层，且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜。26.本技术第三方面提供显示装置的制备方法，该制备方法的工艺简单，可操作性强。先形成阵列层，然后形成覆盖于薄膜晶体管的保护层，再形成设于保护层的电子纸膜。因此，本技术的制备方法通过在阵列层的一侧形成覆盖薄膜晶体管的保护层，以保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果。27.其中，在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤，包括：28.所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；29.在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤后，还包括：30.形成设于所述保护层背离所述基板一侧的凹槽；31.在所述形成设于所述保护层且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜的步骤，包括：32.使所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内。33.其中，所述薄膜晶体管包括像素电极层，在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤，包括：34.所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；35.在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤后，还包括：36.形成设于所述保护层背离所述像素电极层的一侧的第一公共电极层，且所述第一公共电极层与所述像素电极层对应设置，所述第一公共电极层与所述像素电极层能够形成第一存储电容；37.在所述形成设于所述保护层且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜的步骤，包括：38.所述电子纸膜的至少部分设于所述第一公共电极层背离所述像素电极层的一侧。附图说明39.为了更清楚地说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对本技术实施方式中所需要使用的附图进行说明。40.图1为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图一；41.图2为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图二；42.图3为本技术一实施方式提供的显示装置的俯视图；43.图4为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图三；44.图5为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图四；45.图6为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图五；46.图7为本技术另一实施方式提供的显示装置的俯视图；47.图8为本技术一实施方式图7中沿a-a线的剖面图；48.图9为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图；49.图10为本技术另一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图；50.图11为本技术又一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图；51.图12为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图一；52.图13为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图二；53.图14为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图三；54.图15为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图四；55.图16为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s200的工艺示意图；56.图17为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s210的工艺示意图；57.图18为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s400的工艺示意图。58.标号说明：59.显示装置-1，阵列层-11，显示区-11a，非显示区-11b，基板-111，薄膜晶体管-112，栅极电极-1121，第二绝缘层-1122，有源层-1123，漏极电极-1124，源极电极-1125，第一绝缘层-1126，像素电极层-1127，第二公共电极层-1128，保护层-12，凹槽-121，电子纸膜-13，中心区-13a，边缘区-13b，粘接层-131，带电粒子层-132，显示电极层-133，强化层-134，离oxide，ito)组成。第二绝缘层1122也可以理解为gi层。可选地，第二绝缘层1122由氮化硅组成。可选地，栅极电极1121、漏极电极1124、及源极电极1125均包括金属。进一步可选地，栅极电极1121、漏极电极1124、及源极电极1125均包括银、铜、金、铝、镍、钢、合金中的至少一者。71.本实施方式提供的显示装置1还包括保护层12，用于保护阵列层11。保护层12还具有支撑作用，用于支撑电子纸膜13。可选地，保护层12的材料为树脂。保护层12具有透光性。保护层12也可以理解为ps层。所述阵列层11具有显示区11a、及设于所述显示区11a周缘的非显示区11b，保护层12在基板111上的正投影既位于显示区11a，又位于非显示区11b。72.本实施方式提供的显示装置1还包括电子纸膜13，用于配合薄膜晶体管112，使显示装置1显示画面、文字等。可选地，电子纸膜13包括设于薄膜晶体管112背离所述基板111一侧的带电粒子层132、及设于带电粒子层132背离基板111一侧的显示电极层133。所述显示电极层133在基板111上的正投影的至少部分覆盖所述像素电极层1127在基板111上的正投影。其中，带电粒子层132可采用注入电泳粒子的方式形成。并且，当形成带电粒子层132后，可在带电粒子层132背离基板111一侧形成其他膜层，例如，显示电极层133等。73.可选地，电子纸膜13粘接于保护层12上。电子纸膜13包括设于保护层12上的粘接层131、设于粘接层131背离基板111一侧的带电粒子层132、设于带电粒子层132背离基板111一侧的显示电极层133、设于显示电极层133背离基板111一侧的强化层134、设于强化层134背离基板111一侧的离性膜135。74.粘接层131可采用oca(opticallyclearadhesive)制成。oca光学胶是重要触摸屏的原材料之一，是将光学亚克力胶做成无基材，然后在上下底层，再各贴合一层离型薄膜，是一种无基体材料的双面贴合胶带，通常在触控屏中，用作粘接剂。75.带电粒子层132包括多个电泳粒子，每个电泳粒子均具有中性悬浮液、白色粒子、及黑色粒子。白色粒子能够反射光，黑色粒子能够吸收光。其中，电子纸显示原理为：通过控制像素电极层1127和显示电极层133的压差来控制带电粒子的移动方向，由于白色粒子对光进行反射，黑色粒子吸收光，因此当白色粒子聚集到远离基板111的一侧时会显示白色，当黑色粒子聚集到远离基板111的一侧时会显示黑色。76.显示电极层133具有透光性。可选地，显示电极层133由氧化铟锡(ito)组成。可选地，强化层134由pet板组成。pet板也称为聚酯板，主要成分为聚对苯二甲酸丁二酯pbt树脂和聚对苯二甲酸乙二酯pet，这些成分通过机器的高温挤压就形成了pet板。pet板具有高硬度、高刚度、高机械强度的特点。离性膜135可用于提高强化层134的离型力。77.具体地，在本实施方式的显示装置1中，设有阵列层11一侧的保护层12，由于保护层12覆盖薄膜晶体管112，所以保护层12可对阵列层11起保护作用，保护阵列层11在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置1的显示效果。并且，保护层12还能起到支撑电子纸膜13的作用，提高显示装置1的稳定性。78.因此，本实施方式通过在阵列层11的一侧设置覆盖薄膜晶体管112的保护层12，以保护阵列层11在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置1的显示效果。79.换言之，本实施方式将保护层12，即ps层，置于阵列层11上方，可以对阵列层11起到一定的保护作用，可以防止阵列层11工序完成后的工艺造成阵列层11的压伤和划伤，从而造成电子纸显示不良。80.请一并参考图1与图3，图3为本技术一实施方式提供的显示装置的俯视图。所述薄膜晶体管112包括第一绝缘层1126、及设于所述第一绝缘层1126背离所述基板111一侧的像素电极层1127，所述保护层12覆盖所述第一绝缘层1126背离所述基板111一侧的部分，且所述保护层12与所述像素电极层1127间隔设置，所述保护层12背离所述基板111的一侧表面相较于所述像素电极层1127背离所述基板111的一侧表面远离所述基板111，所述保护层12与所述像素电极层1127围设形成容置空间，所述电子纸膜13的至少部分设于所述容置空间内。81.在本实施方式中保护层12覆盖部分的薄膜晶体管112，且保护层12相较于像素电极层1127高。保护层12保护至少部分的阵列层11在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置1的显示效果。82.并且，保护层12背离基板111的一侧表面相较于像素电极层1127背离基板111的一侧表面远离基板111，换言之，保护层12高于像素电极层1127，或者说，保护层12高于薄膜晶体管112，故保护层12还能起到支撑电子纸膜13的作用，提高显示装置1的稳定性。83.可选地，电子纸膜13包括带电粒子层132、及设于带电粒子层132背离基板111一侧的显示电极层133，所述带电粒子层132设于所述容置空间内，所述显示电极层133设于所述保护层12背离所述基板111的一侧。所述显示电极层133在基板111上的正投影的至少部分覆盖所述像素电极层1127在基板111上的正投影。84.可选地，显示电极层133背离所述基板111的一侧设有显示电极基板。所述显示电极基板主要由透明电极构成，用来形成显示电极层133。可选地，显示电极层133与第一绝缘层1126之间采用框胶连接，以密封显示装置1。85.可选地，如图3所示，所述阵列层11具有显示区11a、及设于所述显示区11a周缘的非显示区11b，所述薄膜晶体管112包括层叠设置在基板111上的开关层与像素电极层1127，所述开关层与所述像素电极层1127在基板111的正投影位于所述显示区11a。所述保护层12覆盖所述开关层，露出所述像素电极层1127，并且覆盖位于所述非显示区11b的阵列层11。换言之，本实施方式中的保护层12采用网格状设计，仅在开关层，即栅极电极1121、有源层1123、漏极电极1124、源极电极1125上覆盖保护层12，并在非显示区11b采用保护层12整面覆盖。86.本实施方式通过采用网格状的保护层12，覆盖了开关层与非显示区11b，并露出像素电极层1127，不仅使得保护层12对阵列层11起保护作用，而且便于后续将电子纸膜13的至少部分设于保护层12与像素电极层1127围设形成的容置空间内，减小了电子纸膜13与阵列层11之间的距离，从而提高电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间的电场强度，进而提高显示装置1的显示效果。87.请一并参考图4-图6，图4为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图三；图5为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图四；图6为本技术一实施方式提供的显示装置剖视图五。88.在一种实施方式中，所述保护层12覆盖所述薄膜晶体管112，所述显示装置1满足以下条件的一者：所述电子纸膜13设于所述保护层12背离所述基板111的一侧。或者，所述保护层12背离所述基板111的一侧具有凹槽121，所述电子纸膜13的至少部分设于所述凹槽121内。89.在一种情况中，电子纸膜13设于保护层12背离基板111的一侧。将电子纸膜13设于保护层12上，既能够使保护层12覆盖阵列层11，起到保护作用，又能够在制备时，直接将电子纸膜13设于保护层12，工艺简单，可操作性强。90.在另一种情况中，保护层12背离基板111的一侧具有凹槽121，电子纸膜13的部分设于凹槽121内。在又一种情况中，保护层12背离基板111的一侧具有凹槽121，电子纸膜13设于凹槽121内，且电子纸膜13背离基板111的一侧表面与保护层12背离基板111的一侧表面相齐平。当电子纸膜13的至少部分设于凹槽121内时，能够减小电子纸膜13与阵列层11之间的距离，从而提高电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间的电场强度，进而提高显示装置1的显示效果。并且，当电子纸膜13背离基板111的一侧表面与保护层12背离基板111的一侧表面相齐平时，电子纸膜13的侧壁全设于凹槽121内，仅电子纸膜13背离基板111的一侧表面露于凹槽121外，所以保护层12不仅能够保护阵列层11起，而且能够保护电子纸膜13，进一步提高显示装置1的良品率。91.请一并参考图5-图6，在一种实施方式中，当所述保护层12背离所述基板111的一侧具有凹槽121，所述电子纸膜13的至少部分设于所述凹槽121内时，所述显示装置1满足以下条件中的至少一者：所述阵列层11具有显示区11a、及设于所述显示区11a周缘的非显示区11b，与所述非显示区11b对应的所述保护层12的厚度d1满足以下条件：6000μm≤d1≤8000μm。或/和，所述电子纸膜13靠近所述基板111一侧的表面至所述保护层12靠近所述基板111一侧的表面的距离d2满足以下条件：4000μm≤d2≤5000μm。92.显示区11a通过用于显示画面、文字等。非显示区11b外设于显示区11a，通常在非显示区11b设置导电金属走线，以实现各个部件的电连接。在本实施方式中，凹槽121的底壁在基板111上的正投影的至少部分位于显示区11a内。在一种情况中，凹槽121的底壁在基板111上的正投影位于所述显示区11a内。在另一种情况中，凹槽121的底壁在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，凹槽121的底壁的另一部分位于非显示区11b内。在又一种情况中，凹槽121的底壁的中间部分在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，凹槽121的底壁的边缘部分在基板111上的正投影位于非显示区11b内。93.d1满足以下条件：6000μm≤d1≤8000μm，可选地，d1可以为6500μm、或7000μm、或7500μm。将d1的尺寸设计成上述的范围不仅可以保护阵列层11，还可以保护位于非显示区11b的外围金属走线不被划伤。如若d1的尺寸过大，则会保护层12占用的空间过多，还会提高生产成本。如若d1的尺寸过小，则会无法保护位于非显示区11b的外围金属走线。因此，d1的尺寸在6000μm-8000μm，既能够保护阵列层11，又能够保护位于非显示区11b的外围金属走线。94.在本实施方式中，d2的距离也可以理解为设于电子纸膜13与阵列层11之间的保护层12厚度。d2满足以下条件：4000μm≤d2≤5000μm，可选地，d2可以为4200μm、或4500μm、或4800μm。将d2的尺寸设计成上述的范围不仅可以保护阵列层11，还可以确保电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间具有足够的电场强度。如若d2的尺寸过大，则会导致电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间的距离较大，减弱显示电极层133与像素电极层1127间的电场强度，降低显示装置1的显示效果。如若d2的尺寸过小，则会减弱保护层12对阵列层11的保护效果。因此，d2的尺寸在4000μm-5000μm，既能够保护阵列层11，又能够确保电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间具有足够的电场强度，以提高显示装置1的显示效果。95.请一并参考图4-图6，在一种实施方式中，所述阵列层11具有显示区11a、及设于所述显示区11a周缘的非显示区11b，所述电子纸膜13在所述基板111上的正投影的至少部分位于所述显示区11a内。96.在一种情况中，电子纸膜13在基板111上的正投影位于所述显示区11a内。在另一种情况中，电子纸膜13在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，另一部分位于非显示区11b内。在又一种情况中，电子纸膜13的中间部分在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，电子纸膜13的边缘部分在基板111上的正投影位于非显示区11b内。97.可选地，阵列层11的有源层1123、漏极电极1124、源极电极1125、及像素电极层1127在基板111上的正投影均位于显示区11a内。98.本实施方式通过将电子纸膜13与显示区11a的阵列层11对应设置，以提高电子纸膜13与阵列层11之间的电场强度，或者说，提高电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间的电场强度，进而提高显示装置1的显示效果。99.请一并参考图4-图6，在一种实施方式中，所述电子纸膜13具有中心区13a、及设于所述中心区13a周缘的边缘区13b，所述中心区13a的所述电子纸膜13在所述基板111上的正投影位于所述显示区11a内，所述边缘区13b的所述电子纸膜13在所述基板111上的正投影位于所述非显示区11b内。100.可选地，电子纸膜13的周侧面至电子纸膜13中心区13a的距离为200μm-300μm。或者说，边缘区13b的电子纸膜13的宽度为200μm-300μm。进一步可选地，电子纸膜13的周侧面至电子纸膜13中心区13a的距离为220μm、或250μm、或280μm。101.本实施方式中的电子纸膜13具有中心区13a。首先，中心区13a的电子纸膜13对应显示区11a的阵列层11，以确保电子纸膜13能够与阵列层11对应，从而以提高电子纸膜13与阵列层11之间的电场强度。其次，电子纸膜13还具有设于中心区13a周缘的边缘区13b，边缘区13b的电子纸膜13对应非显示区11b的阵列层11，为电子纸膜13设于保护层12时，提供了允许操作误差的空间。例如，将电子纸膜13粘接于保护层12时，边缘区13b的电子纸膜13对应非显示区11b的阵列层11，这样设置预留了粘接误差的空间，降低了操作难度。102.可选地，当所述保护层12背离所述基板111的一侧具有凹槽121时，所述凹槽121底壁具有第一区、及设于所述第一区周缘的第二区，所述第一区的所述凹槽121底壁在所述基板111上的正投影位于所述显示区11a内，所述第二区的所述凹槽121底壁在所述基板111上的正投影位于所述非显示区11b内。103.当所述电子纸膜13的至少部分设于所述凹槽121内时，所述中心区13a的所述电子纸膜13与所述第一区的所述凹槽121底壁对应设置，所述边缘区13b的所述电子纸膜13与所述第二区的所述凹槽121底壁对应设置。104.请一并参考图7-图8，图7为本技术另一实施方式提供的显示装置的俯视图。图8为本技术一实施方式图7中沿a-a线的剖面图。需要说明的是，图7中像素电极层1127与第一公共电极层14采用虚线示意，以便于观察被像素电极层1127与第一公共电极层14覆盖的其他结构。105.在一种实施方式中，所述薄膜晶体管112包括像素电极层1127，所述显示装置1还包括第一公共电极层14，所述第一公共电极层14用于电连接驱动芯片，所述第一公共电极层14设于所述保护层12背离所述像素电极层1127的一侧，所述电子纸膜13的至少部分设于所述第一公共电极层14背离所述像素电极层1127的一侧，所述第一公共电极层14与所述像素电极层1127对应设置，所述第一公共电极层14与所述像素电极层1127能够形成第一存储电容。106.本实施方式提供的显示装置1还包括第一公共电极层14，第一公共电极层14对应像素电极层1127设置，换言之，第一公共电极层14在基板111上的至少部分正投影与像素电极层1127在基板111上的至少部分正投影相重合。可选地，所述第一公共电极层14设于所述阵列层11与所述电子纸膜13之间。可选地，所述第一公共电极层14嵌设于所述电子纸膜13。进一步可选地，所述第一公共电极层14嵌设于所述粘接层131。可选地，当所述保护层12背离所述基板111的一侧具有凹槽121时，所述第一公共电极层14设于所述凹槽121内。并且，所述第一公共电极层14用于电连接驱动芯片，所述驱动芯片用于调节第一公共电极层14。107.可选地，第一公共电极层14包括金属。进一步可选地，第一公共电极层14包括银、铜、金、铝、镍、钢、合金中的至少一者。108.本实施方式通过设置第一公共电极层14，使第一公共电极层14能够与像素电极层1127形成第一存储电容，从而提升了显示装置1的像素存储电容能力，增加了显示装置1的产品竞争力。109.请参考图8，在一种实施方式中，所述第一公共电极层14至所述像素电极层1127的距离d3满足以下条件：1000μm≤d3≤3000μm。110.在本实施方式中，d3的距离也可以理解为设于第一公共电极层14与像素电极层1127之间的保护层12厚度。d3满足以下条件：1000μm≤d3≤3000μm，可选地，d2可以为1500μm、或2000μm、或2500μm。将d3的尺寸设计成上述的范围不仅可以保护阵列层11，还可以确保第一公共电极层14能够与像素电极层1127，形成第一存储电容。如若d3的尺寸过大，则会导致第一公共电极层14与像素电极层1127间的距离较大，降低第一存储电容的存储性能。如若d3的尺寸过小，则会减弱保护层12对阵列层11的保护效果。因此，d3的尺寸在1000μm-3000μm，既能够保护阵列层11，又能够提升显示装置1的像素存储电容能力，增加显示装置1的产品竞争力。111.请一并参考图7与图8，在一种实施方式中，所述薄膜晶体管112还包括有源层1123，所述有源层1123设于所述像素电极层1127背离所述保护层12的一侧，所述第一公共电极层14与所述有源层1123对应设置，所述第一公共电极层14能够遮挡光线。112.第一公共电极层14对应有源层1123设置，换言之，第一公共电极层14在基板111上的至少部分正投影与有源层1123在基板111上的至少部分正投影相重合。113.在相关技术中，有源层1123对光线敏感，特别是紫外光，在光线的作用下，薄膜晶体管112的阈值电压会减小，影响薄膜晶体管112的电性。114.本实施方式中的第一公共电极层14能够遮挡光线，降低外界光线照射于有源层1123的几率，从而降低外界光线对薄膜晶体管112的影响，提高显示装置1的稳定性。115.请一并参考图7与图8，在一种实施方式中，所述薄膜晶体管112还包括第二公共电极层1128，所述第二公共电极层1128设于所述像素电极层1127背离所述保护层12的一侧，所述第二公共电极层1128与所述像素电极层1127能够形成第二存储电容。116.本实施方式提供的薄膜晶体管112还包括第二公共电极层1128，第二公共电极层1128对应像素电极层1127设置，换言之，第二公共电极层1128在基板111上的至少部分正投影与像素电极层1127在基板111上的至少部分正投影相重合。可选地，所述第二公共电极层1128与所述像素电极层1127之间设有第一绝缘层1126。所述第二公共电极层1128与所述漏极电极1124间隔设置。或，所述第二公共电极层1128与所述源极电极1125间隔设置。117.可选地，第二公共电极层1128包括金属。进一步可选地，第二公共电极层1128包括银、铜、金、铝、镍、钢、合金中的至少一者。118.本实施方式通过设置第二公共电极层1128，使第二公共电极层1128能够与像素电极层1127形成第二存储电容，从而提升了显示装置1的像素存储电容能力，增加了显示装置1的产品竞争力。119.本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括壳体以及设于所述壳体内的本技术上述提供的显示装置1。120.本实施方式提供的电子设备包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人计算机(personalcomputer，pc)、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)、便携式媒体播放器(portablemediaplayer，pmp)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等移动终端，以及诸如数字tv、台式计算机等固定终端。本实施方式对电子设备的种类并不进行限定。121.本实施方式提供的电子设备，通过采用本技术上述提供的显示装置，由于通过在阵列层的一侧设置覆盖薄膜晶体管的保护层，以保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果，提高电子设备的显示效果。122.请一并参考图4与图9，图9为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图。本技术还提供一种显示装置1的制备方法，所述制备方法包括s100，s200，s300。其中，s100，s200，s300的详细介绍如下。所述制备方法包括：123.s100，形成阵列层11，所述阵列层11包括基板111、及设于所述基板111一侧的薄膜晶体管112。124.s200，形成设于所述阵列层11的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112至少部分的保护层12。125.s300，形成设于所述保护层12且位于所述薄膜晶体管112背离所述基板111一侧的电子纸膜13。126.关于显示装置1的阵列层11、保护层12、电子纸膜13在上文已经进行详细介绍，在此不再赘述。127.本实施方式提供显示装置1的制备方法，该制备方法的工艺简单，可操作性强。先形成阵列层11，然后形成覆盖于薄膜晶体管112的保护层12，再形成设于保护层12的电子纸膜13。因此，本技术的制备方法通过在阵列层11的一侧形成覆盖薄膜晶体管112的保护层12，以保护阵列层11在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置1的显示效果。128.请一并参考图5-图6、图10，图10为本技术另一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图。在一种实施方式中，在s200，形成设于所述阵列层11的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112至少部分的保护层12的步骤，包括：129.s201，所述保护层12覆盖所述薄膜晶体管112。130.在s200，形成设于所述阵列层11的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112至少部分的保护层12的步骤后，还包括：131.s210，形成设于所述保护层12背离所述基板111一侧的凹槽121。132.在s300，形成设于所述保护层12且位于所述薄膜晶体管112背离所述基板111一侧的电子纸膜13的步骤，包括：133.s310，使所述电子纸膜13的至少部分设于所述凹槽121内。134.例如，保护层12背离基板111的一侧具有凹槽121，电子纸膜13的部分设于凹槽121内。又例如，保护层12背离基板111的一侧具有凹槽121，电子纸膜13设于凹槽121内，且电子纸膜13背离基板111的一侧表面与保护层12背离基板111的一侧表面相齐平。135.当电子纸膜13的至少部分设于凹槽121内时，能够减小电子纸膜13与阵列层11之间的距离，从而提高电子纸膜13的显示电极层133与阵列层11的像素电极层1127间的电场强度，进而提高显示装置1的显示效果。并且，当电子纸膜13背离基板111的一侧表面与保护层12背离基板111的一侧表面相齐平时，电子纸膜13的侧壁全设于凹槽121内，仅电子纸膜13背离基板111的一侧表面露于凹槽121外，所以保护层12不仅能够保护阵列层11起，而且能够保护电子纸膜13，进一步提高显示装置1的良品率。136.请一并参考图7-图8、图11，图11为本技术又一实施方式中显示装置的制备方法的工艺流程图。在一种实施方式中，所述薄膜晶体管112包括像素电极层1127，在s200，形成设于所述阵列层11的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112至少部分的保护层12的步骤，包括：137.s201，所述保护层12覆盖所述薄膜晶体管112。138.在s200，形成设于所述阵列层11的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112至少部分的保护层12的步骤后，还包括：139.s400，形成设于所述保护层12背离所述像素电极层1127的一侧的第一公共电极层14，且所述第一公共电极层14与所述像素电极层1127对应设置，所述第一公共电极层14与所述像素电极层1127能够形成第一存储电容。140.在s300，形成设于所述保护层12且位于所述薄膜晶体管112背离所述基板111一侧的电子纸膜13的步骤，包括：141.s320，所述电子纸膜13的至少部分设于所述第一公共电极层14背离所述像素电极层1127的一侧。142.本实施方式通过设置第一公共电极层14，使第一公共电极层14能够与像素电极层1127形成第一存储电容，从而提升了显示装置1的像素存储电容能力，增加了显示装置1的产品竞争力。143.可选地，所述薄膜晶体管112还包括有源层1123，所述有源层1123设于所述像素电极层1127背离所述保护层12的一侧，在所述形成设于所述保护层12背离所述像素电极层1127的一侧的第一公共电极层14的步骤，包括：144.所述第一公共电极层14与所述有源层1123对应设置，所述第一公共电极层14能够遮挡光线。145.本实施方式中的第一公共电极层14能够遮挡光线，降低外界光线照射于有源层1123的几率，从而降低外界光线对薄膜晶体管112的影响，提高显示装置1的稳定性。146.可选地，采用halftone工艺，在所述保护层12上形成所述凹槽121。147.进一步可选地，所述阵列层11具有显示区11a、及设于所述显示区11a周缘的非显示区11b，凹槽121的底壁在基板111上的正投影的至少部分位于显示区11a内。例如，凹槽121的底壁在基板111上的正投影位于所述显示区11a内。又例如，凹槽121的底壁在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，凹槽121的底壁的另一部分位于非显示区11b内。又例如，凹槽121的底壁的中间部分在基板111上的正投影部分位于显示区11a内，凹槽121的底壁的边缘部分在基板111上的正投影位于非显示区11b内。148.采用halftone工艺，使得显示区11a和非显示区11b的保护层12为两种不同高度，形成凹槽121，从而解决了对应显示区11a的保护层12高度对电子纸膜13与阵列层11间的电场强度影响问题。149.可选地，请一并参考图8、图12-图18，图12为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图一；图13为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图二；图14为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图三；图15为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s100的工艺示意图四；图16为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s200的工艺示意图；图17为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s210的工艺示意图；图18为本技术一实施方式中显示装置的制备方法的s400的工艺示意图。在一种实施方式中，所述制备方法如下所示：150.如图12所示，提供基板111，形成在所述基板111一侧的栅极电极1121。151.如图13所示，形成覆盖所述栅极电极1121的第二绝缘层1122。152.如图14所示，形成设于所述第二绝缘层1122背离所述栅极电极1121一侧的有源层1123。153.如图14所示，形成设于所述第二绝缘层1122背离所述栅极电极1121一侧的漏极电极1124与源极电极1125，所述漏极电极1124与所述源极电极1125均电连接所述有源层1123。154.如图15所示，形成覆盖所述第二绝缘层1122、所述有源层1123、所述漏极电极1124、及所述源极电极1125的第一绝缘层1126。155.如图15所示，形成设于所述第一绝缘层1126背离所述基板111一侧的像素电极层1127，从而得到薄膜晶体管112，所述基板111与所述薄膜晶体管112组成阵列层11。156.如图16所示，形成设于所述薄膜晶体管112背离所述基板111的一侧且覆盖所述薄膜晶体管112的保护层12。157.如图17所示，形成设于所述保护层12背离所述基板111一侧的凹槽121。例如，采用halftone工艺形成所述凹槽121。具体地，将掩膜件15置于保护层12背离基板111的一侧，掩膜件15包括相连接的第一部分151与第二部分152，第一部分151的透光率为30％-50％，第二部分152的透光率为95％-100％，对掩膜件15与保护层12进行halftone工艺，得到设于保护层12背离基板111一侧的凹槽121。其中，第一部分151在基板111上的正投影覆盖凹槽121底壁。158.如图18所示，形成设于所述保护层12背离所述像素电极层1127的一侧的第一公共电极层14，且所述第一公共电极层14与所述像素电极层1127对应设置，所述第一公共电极层14设于所述凹槽121内。159.如图8所示，形成设于所述第一公共电极层14背离所述像素电极层1127的一侧的电子纸膜13，所述电子纸膜13的至少部分设于所述凹槽121内。160.以上对本技术实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本技术的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。当前第1页12当前第1页12
技术特征：
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括阵列层、保护层、及电子纸膜，所述阵列层包括基板、及设于所述基板一侧的薄膜晶体管，所述保护层设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管的至少部分，所述电子纸膜设于所述保护层，且位于所述薄膜晶体管背离所述基板的一侧。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一绝缘层、及设于所述第一绝缘层背离所述基板一侧的像素电极层，所述保护层覆盖所述第一绝缘层背离所述基板一侧的部分，且所述保护层与所述像素电极层间隔设置，所述保护层背离所述基板的一侧表面相较于所述像素电极层背离所述基板的一侧表面远离所述基板，所述保护层与所述像素电极层围设形成容置空间，所述电子纸膜的至少部分设于所述容置空间内。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层覆盖所述薄膜晶体管，所述显示装置满足以下条件的一者：所述电子纸膜设于所述保护层背离所述基板的一侧；所述保护层背离所述基板的一侧具有凹槽，所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内。4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，当所述保护层背离所述基板的一侧具有凹槽，所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内时，所述显示装置满足以下条件中的至少一者：所述阵列层具有显示区、及设于所述显示区周缘的非显示区，与所述非显示区对应的所述保护层的厚度d1满足以下条件：6000μm≤d1≤8000μm；所述电子纸膜靠近所述基板一侧的表面至所述保护层靠近所述基板一侧的表面的距离d2满足以下条件：4000μm≤d2≤5000μm。5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阵列层具有显示区、及设于所述显示区周缘的非显示区，所述电子纸膜在所述基板上的正投影的至少部分位于所述显示区内。6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述电子纸膜具有中心区、及设于所述中心区周缘的边缘区，所述中心区的所述电子纸膜在所述基板上的正投影位于所述显示区内，所述边缘区的所述电子纸膜在所述基板上的正投影位于所述非显示区内。7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括像素电极层，所述显示装置还包括第一公共电极层，所述第一公共电极层用于电连接驱动芯片，所述第一公共电极层设于所述保护层背离所述像素电极层的一侧，所述电子纸膜的至少部分设于所述第一公共电极层背离所述像素电极层的一侧，所述第一公共电极层与所述像素电极层对应设置，所述第一公共电极层与所述像素电极层能够形成第一存储电容。8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第一公共电极层至所述像素电极层的距离d3满足以下条件：1000μm≤d3≤3000μm。9.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述有源层设于所述像素电极层背离所述保护层的一侧，所述第一公共电极层与所述有源层对应设置，所述第一公共电极层能够遮挡光线。10.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二公共电极层，所述第二公共电极层设于所述像素电极层背离所述保护层的一侧，所述第二公共电极
层与所述像素电极层能够形成第二存储电容。11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括壳体以及设于所述壳体内的如权利要求1-10任一项所述的显示装置。12.一种显示装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：形成阵列层，所述阵列层包括基板、及设于所述基板一侧的薄膜晶体管；形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层；形成设于所述保护层且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜。13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤，包括：所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤后，还包括：形成设于所述保护层背离所述基板一侧的凹槽；在所述形成设于所述保护层且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜的步骤，包括：使所述电子纸膜的至少部分设于所述凹槽内。14.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括像素电极层，在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤，包括：所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；在所述形成设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管至少部分的保护层的步骤后，还包括：形成设于所述保护层背离所述像素电极层的一侧的第一公共电极层，且所述第一公共电极层与所述像素电极层对应设置，所述第一公共电极层与所述像素电极层能够形成第一存储电容；在所述形成设于所述保护层且位于所述薄膜晶体管背离所述基板一侧的电子纸膜的步骤，包括：所述电子纸膜的至少部分设于所述第一公共电极层背离所述像素电极层的一侧。

技术总结
本申请提供了显示装置及其制备方法、电子设备。所述显示装置包括阵列层、保护层、及电子纸膜，所述阵列层包括基板、及设于所述基板一侧的薄膜晶体管，所述保护层设于所述阵列层的一侧且覆盖所述薄膜晶体管的至少部分，所述电子纸膜设于所述保护层，且位于所述薄膜晶体管背离所述基板的一侧。本申请通过在阵列层的一侧设置覆盖薄膜晶体管的保护层，以保护阵列层在工艺处理中不被压伤或划伤，从而提高产品良率，进而提高显示装置的显示效果。进而提高显示装置的显示效果。进而提高显示装置的显示效果。


技术研发人员：曹军红 康报虹
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.04.20
技术公布日：2023/7/21