显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，人们逐渐开始追求越来越高的屏占比的显示面板。为了提高显示面板的屏占比，通常在显示面板中设置透明显示区，并将诸如摄像头或指纹识别器等器件安装在透明显示区的下方，以实现屏下摄像或者屏下指纹识别。
3.然而，现有的显示面板因其材料或结构设计等限制，透明显示区对光线的透光率不足，从而严重影响了屏下摄像头或屏下指纹识别器等屏下器件的成像效果。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供一种显示面板及其制备方法，至少在显示面板的透明显示区中，通过设置导电连接部的材料与阴极的材料不同，从而使得阴极之间无需使用激光遮挡材料进行遮挡，提高了显示面板的透光率。
5.本技术第一方面提供了一种显示面板，该显示面板包括透明显示区。显示面板包括基底、显示功能层、多个激光遮挡部和多个导电连接部。显示功能层位于基底的一侧，包括设有多个像素开口的像素限定层和对应于多个像素开口的多个发光器件。发光器件包括依次叠置在基底上的发光功能层和阴极。发光功能层中发光层的至少部分位于像素开口内，相邻的发光层间隔设置。多个激光遮挡部至少位于透明显示区内，且位于阴极的面向基底的一侧。激光遮挡部配置为遮挡阴极。多个导电连接部至少位于透明显示区内。相邻的阴极之间通过导电连接部彼此电连接，导电连接部的材料与阴极的材料不同。
6.在上述方案中，至少在显示面板的透明显示区中，阴极之间通过导电连接部彼此连接，且导电连接部的材料与阴极的材料不同，从而使得激光遮挡部之间无需设置激光遮挡材料，避免了阴极之间的外界光线被激光遮挡材料遮挡，进而提高了显示面板的透光率和诸如屏下摄像头或屏下指纹识别器等屏下器件的成像效果。
7.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，显示面板还包括多个导电隔离部。多个导电隔离部至少位于透明显示区内且位于像素限定层背离基底的一侧。导电隔离部环绕阴极。如此，可以利用导电隔离部保护导电隔离部所环绕的区域内的阴极的外边缘，改善或避免导电隔离部所环绕的区域内的阴极的外边缘出现翘曲易剥离的问题，进而降低封装失效和显示不良的风险。
8.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电隔离部配置为断开相邻的发光功能层。阴极与导电隔离部相邻，且阴极和导电连接部通过导电隔离部电连接。
9.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电隔离部在基底上的正投影的外轮廓位于激光遮挡部在基底上的正投影的外轮廓内。
10.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电隔离部配置为遮挡阴极的边缘区域。
11.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，激光遮挡部在基底上的正投影的外轮廓位于导电隔离部在基底上的正投影的外轮廓内，或者，激光遮挡部在基底上的正投影的外轮廓与导电隔离部在基底上的正投影的外轮廓重合。如此，可以利用激光遮挡部和导电隔离部共同作为激光刻蚀的掩膜，确保阴极位于导电隔离部所环绕的区域内，减少或避免导电隔离部所环绕的区域外残留阴极的材料。
12.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电隔离部为三明治结构。三明治结构包括夹芯层和位于夹芯层面向基底一侧的第一面层和位于夹芯层背离基底一侧的第二面层。
13.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，夹芯层和第一面层中至少一个在基底上的正投影位于第二面层在基底上的正投影内。
14.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，阴极与夹芯层相邻且电连接。
15.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电隔离部背离基底一侧的表面与基底背离导电隔离部一侧的表面之间的直线距离大于阴极背离基底一侧的表面与基底背离导电隔离部一侧的表面之间的直线距离。
16.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，激光遮挡部的材料对于预设波长的激光具有耐受性，且阴极的材料对于预设波长的激光不具有耐受性。
17.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，发光器件还包括阳极，激光遮挡部位于阳极的面向基底的一侧。
18.在本技术第一方面的一个具体实施方式中，导电连接部的透光率大于阴极的透光率。
19.本技术第二方面提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：提供基底，基底划分有第一子区；至少在第一子区内，在基底上形成多个激光遮挡部；在形成有激光遮挡部的基底上形成像素限定层，像素限定层设有多个像素开口；在像素限定层上形成多个导电连接部；在形成有导电连接部的基底上形成发光材料层以制备多个发光功能层，发光功能层中发光层的至少部分位于像素开口内，相邻的发光层间隔设置；在形成有发光功能层的基底上形成阴极材料层，并利用激光遮挡部为掩膜对阴极材料层图案化形成多个阴极。
附图说明
20.图1所示为一种显示面板的平面结构示意图。
21.图2所示为图1所示的显示面板中透明的子显示区内激光遮挡部对应的局部放大的平面结构示意图。
22.图3所示为图1所示的显示面板中透明的子显示区内阴极对应的局部放大的平面结构示意图。
23.图4所示为本技术一实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。
24.图5a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的一种剖面放大示意图。
25.图5b所示为图5a所示实施例中激光遮挡部对应的平面结构示意图。
26.图5c所示为图5a所示实施例中阴极对应的平面结构示意图。
27.图6a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的另一种剖面放大示
意图。
28.图6b所示为图6a所示实施例中激光遮挡部对应的平面结构示意图。
29.图6c所示为图6a所示实施例中阴极对应的平面结构示意图。
30.图7a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的再一种剖面放大示意图。
31.图7b所示为图7a所示实施例中阴极所在层对应的平面结构示意图。
32.图8a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的另又一种剖面放大示意图。
33.图8b所示为图8a所示实施例中阴极所在层对应的平面结构示意图。
34.图9a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的再又一种剖面放大示意图。
35.图9b所示为图9a所示实施例中阴极所在层对应的平面结构示意图。
36.图10a所示为图4所示实施例中显示面板的a区域沿m1-m2剖开的再另一种剖面放大示意图。
37.图10b所示为图10a所示实施例中阴极所在层对应的平面结构示意图。
38.图11a所示为图5a所示实施例中基底的剖面放大示意图。
39.图11b所示为图5a所示实施例中形成有激光遮挡部的基底的剖面放大示意图。
40.图11c所示为图5a所示实施例中形成有像素限定层的基底的剖面放大示意图。
41.图11d所示为图5a所示实施例中形成有导电连接部的基底的剖面放大示意图。
42.图11e所示为图5a所示实施例中形成有发光功能层的基底的剖面放大示意图。
43.图11f所示为图5a所示实施例中形成有阴极材料层的基底的剖面放大示意图。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.随着显示技术的发展，人们对显示面板的诸如屏占比、透光率和像素密度等性能提出了越来越高的要求。诸如屏下摄像、屏下指纹识别等透明显示技术因其具有高亮度、高屏占比和低功耗等优点，已广泛应用于提高显示面板的屏占比中。透明显示技术的原理是在显示面板的显示区中设置透明显示区，并将诸如摄像头或指纹识别器等感光器件安装在透明显示区，从而使得显示面板中位于透明显示区的部分具有透视效果，光线能够透过到透明显示区，进而使得显示面板能够实现屏下摄像或屏下指纹识别等的屏下成像功能。
46.相较于诸如基于液晶显示等显示面板，基于有机电致发光二极管(organic light-emittingdiodes，oled)的显示面板因其具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制和工作温度范围宽等诸多优点，已成为发展透明显示技术的主要载体。
47.基于oled的显示面板中的阴极的材料通常采用诸如镁银合金(mg/ag、mg/mg/ag)、钙铝合金(ca/al)、铝锂合金(al/li)、银铝合金(ag/al)、锡铝合金(sn/al)、钆铝合金(gd/
al)等低功函数(例如，功函数低于3ev)的金属材料，然而，由于金属的不透明性，使得显示面板的透明的子显示区内对光线的透光率较差，例如，透光率低于50％，因而，严重影响了屏下摄像头或屏下指纹识别器的成像效果。
48.为了提高显示面板的透光率和像素密度，通常采用激光蚀刻(laseretch)技术(也称为激光阴极图形化)实现对于阴极的图形化功能，以满足透明显示区内显示面板的高透光率的开发需求。激光阴极图形化技术的原理是通过激光烧蚀，使得阴极对应的阴极材料层中多余的部分灰化后脱落，从而制备出图形化的阴极。
49.参考图1、图2和图3，显示面板100包括透明显示区10。至少在透明显示区10内，显示面板100包括阴极层110和对应于阴极层110的激光遮挡层120。阴极层110包括多个阴极111。为了保证阴极111之间的电连接，通常在阴极111之间还保留有阴极连接部(也可以称为岛桥)112(参考图2)，阴极连接部112与阴极111在同一工序中制备，或者说，通过对正面的阴极材料层进行激光烧蚀，仅保留阴极连接部112与阴极111。例如，在采用激光阴极图形化技术对阴极层110对应的阴极材料层进行图形化时，通常采用激光遮挡层120进行遮挡多个阴极111和多个阴极连接部112，这也就使得激光遮挡层120包括对应于阴极111的第一部分121和对应于阴极连接部112的第二部分122(参考图3)。经仔细研究发现，激光遮挡层120的材料具有不透光性，因而，第二部分122的存在会降低显示面板的透明显示区10内的透光率。另外，第二部分122的存在也会使得光线因需绕过第二部分122传播而导致衍射，从而影响诸如屏下摄像头或屏下指纹识别器等屏下器件的成像效果。
50.为了解决上述至少一个问题，本技术至少一实施例提供了一种显示面板及其制备方法，至少在显示面板的透明显示区中，通过设置导电连接部的材料与阴极的材料不同，从而取消了原显示面板中激光遮挡层中的第二部分，因而使得阴极之间所在区域无第二部分遮挡光线，进而提高了显示面板的透光率，也避免了因第二部分的存在而产生的衍射，提高了诸如屏下摄像头或屏下指纹识别器等屏下器件的成像效果。
51.下面，结合附图对本技术至少一实施例中的显示面板及其制备方法进行说明。此外，在该些附图中，以显示面板的基底为参照建立空间直角坐标系，以对显示面板中的各个结构的位置关系进行辅助说明，在该空间直角坐标系中，x轴和y轴与显示面板所在平面平行，z轴与显示面板所在平面垂直。另外，在本技术的实施例中，以基底为基准定义“厚度”，例如，对于位于基底一侧的对象，该对象的距离基底最远的一端至基底的垂直距离与距离基底最近的一端至基底的垂直距离之差为该对象的厚度。
52.本技术至少一实施例提供了一种显示面板，示例性地，参考图4至图10b，该显示面板200包括透明显示区20。显示面板200包括基底210、显示功能层220、多个激光遮挡部230和多个导电连接部240。显示功能层220位于基底210的一侧。显示功能层220包括设有多个像素开口的像素限定层221和对应于多个像素开口的多个发光器件222。发光器件222包括依次叠置在基底210上的发光功能层222a和阴极222b。发光器件222中发光层的至少部分位于像素开口内，相邻的发光层间隔设置。多个激光遮挡部230至少位于透明显示区20内，且位于阴极222b的面向基底210的一侧。激光遮挡部230配置为遮挡阴极222b。多个导电连接部240至少位于透明显示区20内。相邻的阴极222b之间通过导电连接部240彼此电连接。导电连接部240的材料与阴极222b的材料不同。请参阅图5a、图5b和图5c，或者参阅图6a、6b和图6c，通过设置在透明显示区20中，相邻的阴极222b之间通过导电连接部240彼此电连接，
导电连接部240的材料与阴极222b的材料不同，从而取消了原显示面板100中的第二部分122，使得多个激光遮挡部230之间相互间隔设置，相邻的激光遮挡部230之间无需增加额外的激光遮挡材料，也使得光线可以在激光遮挡部230之间直接透过，因而有效提高了激光遮挡部230之间的透光率，也避免了因第二部分122的存在而产生的衍射，进而提高了诸如屏下摄像头或屏下指纹识别器等屏下器件的成像效果。
53.另外，多个激光遮挡部230与多个阴极222b一一对应。相邻的激光遮挡部230间隔设置。激光遮挡部230配置为遮挡阴极222b，在沿z轴平行的方向进行激光刻蚀时，激光遮挡部230可以保护预设区域的阴极材料不被激光刻蚀掉从而形成阴极222b。阴极222b在基底210上的正投影与激光遮挡部230在基底210上的正投影重合，或者，阴极222b在基底210上的正投影位于激光遮挡部230在基底210上的正投影内。也使得可以采用激光阴极图形化技术对透明显示区20中阴极材料层进行图形化得到多个间隔设置的阴极222b，有利于提高显示面板200中位于透明显示区20内的部分的像素密度。
54.需要说明的是，在一种方法中，采用精细金属掩模板(finemetalmask，fmm)蒸镀图形化得到阴极222b。fmm的厚度通常在30μm～50μm，采用该厚度的fmm通常只能制作像素密度(pixelsperinch，ppi)低于500的显示面板，例如显示面板的ppi为350。若要提高像素密度，则需要使用更薄的fmm，例如10μm～25μm，但是更薄的fmm的材料在实施张网的过程中会产生诸如褶皱变大、焊接强度不足、或强度弱易损坏等很多困难点无法克服。因而，相较于采用fmm进行阴极图形化的方案，由于激光的精度较高且较易控制，采用激光阴极图形化技术制备的阴极的密度更大，因而有利于制备出更高ppi(例如大于1000ppi)的显示面板。
55.导电连接部240在基底210上的正投影位于与导电连接部240电连接的两个阴极222b在基底210上的正投影之间的间隙内。在一些实施例中，阴极222b在基底210上的正投影与激光遮挡部230在基底210上的正投影重合，导电连接部240在基底210上的正投影完全位于遮挡这两个阴极222b对应的两个激光遮挡部230在基底210上的正投影之间的间隙内。在另一些实施例中，阴极222b在基底210上的正投影位于激光遮挡部230在基底210上的正投影内，导电连接部240在基底210上的正投影的一部分位于遮挡这两个阴极222b对应的两个激光遮挡部230在基底210上的正投影之间的间隙内，导电连接部240在基底210上的正投影的另一部分与遮挡这两个阴极222b对应的两个激光遮挡部230在基底210上的正投影重叠。激光遮挡部230间隔设置，导电连接部240至少部分从激光遮挡部230中暴露出。阴极222b间隔设置，阴极222b之间通过材料不同的导电连接部电连接。导电连接部240可以包括端部和位于端部远离阴极一侧的主体部，与阴极222b连接的端部在基底210上的正投影的可以与遮挡这两个阴极222b对应的两个激光遮挡部230在基底210上的正投影重叠。导电连接部240的主体部在基底210上的正投影的与遮挡这两个阴极222b对应的两个激光遮挡部230在基底210上的正投影不重叠。该显示面板200除包括透明显示区20外，还可以包括主显示区和外围区等其他区域。该显示面板200中其他区域内的结构可以与透明显示区20内的结构设置方式相同或不同。透明显示区20的数量可以为一个或多个。透明显示区20的形状可以为长方形、正方形或圆形等规则或不规则形状。该显示面板200的应用场景包括但不限于诸如屏下摄像或屏下指纹识别等屏下成像的场景中，还可以为其他需要增加透光率的场景。
56.基底210可以为基于低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)的基底和
基于铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)的基底中的任一种基底或者两种基底的结合。基底210中可以具有驱动电路，驱动电路用于驱动多个发光器件222出射对应颜色的光，例如，基底210可以包括衬底层、缓冲层(buffer)、栅极绝缘层(gateinsulator，gi)、电容绝缘层(capacitanceinsulator，ci)、栅极、源漏极、层间介质层(interlayerdielectric，ild)、平坦化层(planarizationlayer，pln)等。
57.像素限定层221中设置有多个像素开口，多个像素开口与多个发光器件222一一对应。每个发光器件222中的发光层可以位于像素开口内，进一步地，每个发光器件222中的发光功能层222a中除发光层以外的其他膜层(诸如载流子注入层、载流子传输层和阻挡层等)和/或阳极也可以位于像素开口内。
58.多个发光器件222可以包括多个可出射绿色光的绿光发光器件、多个可出射蓝色光的蓝光发光器件和多个可出射红色光的红光发光器件，进一步地，多个发光器件222还可以包括多个可出射黄色光的黄光发光器件和多个可出射白色光的白光发光器件等中的任何一个或多个。
59.发光功能层222a可以包括发光层，进一步地，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一个或多个。例如，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一个或多个可以设置为共通层。或者，发光功能层222a间隔设置。
60.发光器件222中发光层的至少部分位于像素开口内，可以是发光器件222中发光层的全部位于像素开口内，也可以是发光器件222中发光层的一部分位于像素开口内，发光器件222中发光层的另一部分位于像素限定层221背离基底210一侧的表面上。多个发光器件的发光层间隔设置，避免混色。
61.在本技术至少一实施例提供的显示面板200中，激光遮挡部230的材料对于预设波长的激光具有耐受性，且阴极222b的材料对于预设波长的激光不具有耐受性。如此，在使用激光刻蚀形成阴极222b时，激光遮挡部230可以不被激光刻蚀掉，激光遮挡部230也可以保护对应的阴极222b不被激光刻蚀掉。其余区域的阴极材料可以被去除，形成相间隔的阴极222b。可以理解，预设波长可以根据阴极222b的材料确定，只要能去除阴极222b的材料的激光对应的波长即可。同样的，导电连接部240的材料对于预设波长的激光具有耐受性，有利于降低工艺难度。
62.激光遮挡部230的材料可以为不透光的材料，在采用激光对阴极222b对应的阴极材料层进行图形化时，激光遮挡部230能够对阴极222b起到掩膜的作用，激光遮挡部230的材料对预设波长的激光具有耐受性，例如，激光遮挡部230的材料包括钼(mo)和铝中的至少一种。
63.例如，在一些实施例中，激光遮挡部230的材料可以是mo，如此，可以在制备诸如栅极金属层等时同步制作激光遮挡部230，减少了制备工序。
64.例如，在另一些实施例中，激光遮挡部230的材料可以是钛-铝-钛(ti-al-ti)，如此，在制备源漏金属层等时可以同步制作激光遮挡部230，减少了制备工序。另外，激光遮挡部230也可以与诸如缓冲层、层间介质层或平坦化层等同层设置。
65.需要说明的是，激光可以为任何能够刻蚀掉阴极222b的材料但对诸如像素限定层221和激光遮挡部230等其他膜层不起作用的光线，在此基础上，本技术实施例对激光的预
设波长不做具体限定。例如，在一些实施例中，激光可以为绿光(预设波长的范围为492nm～577nm)，阴极222b的材料对绿光的吸收率大约为50％。又例如，在另一些实施例中，激光可以为红光(预设波长的范围为622nm～760nm)，阴极222b的材料对红光的吸收率大于对绿光的吸收率，进一步地，例如，阴极222b的材料对红光的吸收率大约为80％，如此，相对于采用绿光作为激光的方案，采用红光作为激光的方案，对阴极材料层刻蚀形成阴极222b的效率会更高，且阴极材料层中除阴极222b以外的其他部分会刻蚀地更完全。
66.在本技术至少一实施例提供的显示面板200中，发光器件222还包括阳极，激光遮挡部230由阳极构成(示例性地，参考图5a)。请一并参阅图5a、图5b和图5c，如此，发光器件222可以由激光遮挡部230、发光功能层222a和阴极222b构成，激光遮挡部230和阴极222b均为间隔设置。激光遮挡部230既可以具有激光遮挡功能，又可以具有阳极的功能，例如，阳极可以采用耐激光刻蚀的不透光金属制备，举例来说，阳极的材料可以包括具有反光性的银(ag)，从而可以直接利用阳极作为激光遮挡部230，从而使得激光遮挡部230的增设不会额外增加显示面板200的厚度，有利于显示面板200的薄型化。另外，由于阳极与阴极222b在沿z轴方向上的直线距离较近，例如，阳极与阴极222b之间仅间隔发光功能层222a，因而有利于提高阴极222b的刻蚀精度，改善阴极222b的外边缘出现翘曲导致封装失效的问题。
67.在本技术至少一实施例提供的显示面板200中，发光器件222还包括阳极222c，激光遮挡部230位于阳极222c的面向基底210的一侧(示例性地，参考图6a至图10a)。如此，对阳极222c的材料可以不再具有耐激光刻蚀的要求，例如，阳极的材料可以包括诸如氧化铟锡等具有透光性的材料，从而降低了对阳极222c的材料的要求，也有利于提高阳极的功函数。另外，在激光遮挡部230具备高反射率的情况下，可以不需要在阳极222c面向基底210的一侧再设置反射层，也即激光遮挡部230可以起到反射的功能，从而使得显示面板200的出光模式为顶发射。
68.在一些实施例中，阳极222c在基底210上的正投影可以位于激光遮挡部230在基底210上的正投影内，或者阳极222c在基底210上的正投影与激光遮挡部230在基底210上的正投影重合，如此，在激光阴极图形化时，可以利用激光遮挡部230遮挡阳极222c，避免阳极222c的性能受到激光的影响而受损。
69.需要说明的是，阳极的主体制备材料需要为高功函数材料诸如氧化铟锡等，氧化铟锡层这一高功函数材料为阳极的主体材料以使得发光器件可以实现激发光，而设置银材料膜层(低功函数材料膜层，银材料具备高反射率)是为了使得阳极具备反射功能，以提高出光效率，例如，该设计可以使得显示面板的出光模式为顶发射。
70.导电连接部240的透光率可以大于阴极222b的透光率，也可以不小于阴极222b的透光率。
71.例如，在本技术至少一实施例中，导电连接部240的透光率大于阴极222b的透光率，如此，相对于现有的显示面板100中采用阴极连接部112(与阴极222b相同的材料)电连接阴极111的方案，本技术实施例中采用导电连接部240电连接阴极222b，也即采用导电连接部240替代阴极连接部112，由于导电连接部240的透光率大于阴极连接部112的透光率，因而进一步提高了阴极111之间的透光率。
72.需要说明的是，导电连接部240的透光率只要大于阴极222b的透光率即可，在此基础上，本技术实施例对导电连接部240的材料和阴极222b的材料不做具体限定。
73.导电连接部240的材料与阴极222b的材料不同，可以是导电连接部240至少包括一种与阴极222b的材料不同的材料。导电连接部240的材料与阴极222b的材料可以部分相同。导电连接部240可以为线状结构，例如，导电连接部240可以为导电引线。
74.例如，导电连接部240的材料可以包括氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)和氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)等中的至少一种，阴极222b的材料包括镁、银、铝、钙、钆、锂和锡中的至少一种，如此，通过设置导电连接部240的材料包括ito、izo和igzo中的至少一种，使得导电连接部240的透光率不低于80％。通过设置阴极222b的材料包括镁、银、铝、钙、钆、锂和锡中的至少一种，保证了阴极222b能够将电子向发光功能层222a中的诸如电子注入层和电子传输层等有机层注入，也提高了阴极222b的电子注入效率，降低了注入能垒。此外，由于导电连接部240的材料的透光率(例如，导电连接部240的厚度为100nm时，导电连接部240的透光率不低于80％)远大于阴极222b的材料的透光率(例如阴极222b的厚度为100nm时，阴极222b的透光率低于50％，进一步地，例如40％～50％)，因而大大提高了阴极222b之间的透光率。
75.需要说明的是，阴极222b主要为低功函数材料，因此通常使用金属材料制备，而金属材料形成的金属膜层的透光率会比较低。金属膜层的厚度降低到一定范围(例如小于100nm或者小于50nm)的情况下，也会透过可见光，但是光损失比较高，此情况下，金属膜层可以呈现为半透明。导电连接部240的透光率可以随着厚度的减小而增加。阴极222b的透光率也可以随着厚度的减小而增加。
76.举例来说，导电连接部240的厚度为100nm时，ito和izo的透光率均可达到81％左右，igzo的透光率可达到90％左右。
77.激光遮挡部230与阴极222b之间至少间隔有发光功能层222a，这使得在沿z轴方向上，激光遮挡部230与阴极222b之间的直线距离较远，因而在采用激光阴极图形化技术制备阴极222b时，阴极222b的外边缘容易刻蚀不均匀，从而造成阴极222b的外边缘出现翘曲易剥离(peeling)的问题，进而在对阴极222b进行封装时，因翘曲的存在可能导致封装失效，进一步地，发光功能层222a可能因封装失效而导致水氧入侵，进而导致显示面板显示不良。
78.为了解决上述至少一个问题，在本技术至少一实施例提供的显示面板200中，示例性地，参考图7a至图10a，显示面板200还包括多个导电隔离部250。多个导电隔离部250至少位于透明显示区20内且位于像素限定层221背离基底210的一侧。导电隔离部250环绕阴极222b。如此，使得导电隔离部250与激光遮挡部230之间绝缘，从而避免了导电隔离部250与激光遮挡部230之间的电连接，进而避免了因导电隔离部250与激光遮挡部230之间距离太近或者直接电连接而造成的短路现象。
79.请参考图7a和图7b，或者图8a和图8b，或者图9a和图9b，或者图10a和图10b。在本技术至少一实施例中，导电隔离部250环绕阴极222b，且阴极222b和导电连接部240通过导电隔离部250电连接。导电隔离部250在基底210上的正投影为环形，例如可以为圆环或者其他形状的环形。阴极222b与导电隔离部250的内周向壁面连接，导电连接部240与导电隔离部250的外周向壁面连接，实现阴极222b和导电连接部240通过导电隔离部250电连接。
80.举例来说，导电隔离部250位于像素限定层221背离基底210的一侧，可以是导电隔离部250可以位于像素限定层221背离基底210一侧的表面。
81.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250配置为断开相邻的发光功能层222a。阴
极222b和导电隔离部250相邻，且阴极222b和导电连接部240通过导电隔离部250电连接。如此，通过设置导电隔离部250配置为断开相邻的发光功能层222a，从而使得在制备发光功能层222a时，位于导电隔离部250背离基底210一侧的表面上的冗余发光功能层的材料(参考图9a中的第二区段b)与位于导电隔离部250所环绕的区域内的发光功能层222a的材料(参考图9a中的第一区段a)是不连续的。相应的，导电隔离部250配置为断开相邻阴极222b。在制备阴极222b时，位于导电隔离部250背离基底210一侧的表面上的冗余阴极的材料(参考图9a中的第四区段d)与位于导电隔离部250所环绕的区域内的阴极222b的材料(参考图9a中的第三区段c)也是不连续的，基于导电隔离部250的断开作用，进而使得位于导电隔离部250所环绕的区域内的阴极222b能够与导电隔离部250相邻(也即直接接触)实现电连接，阴极222b和导电连接部240通过导电隔离部250也实现了电连接。如此，通过设置导电隔离部250断开和环绕阴极222b，可以利用导电隔离部250保护导电隔离部250所环绕的阴极222b的外边缘，改善或避免导电隔离部250所环绕的阴极222b的外边缘出现翘曲易剥离的问题，进而降低封装失效和显示不良的风险。
82.需要说明的是，冗余发光功能层与发光功能层222a在同一工序中形成，材料相同，由于被导电隔离部断开，因此冗余发光功能层并不能发挥发光功能层222a的诸如发光等作用。类似的，冗余阴极与阴极222b的材料相同，但冗余阴极并不能发挥阴极222b的诸如将电子向电子注入层和电子传输层等有机层注入的作用。
83.阴极222b和导电隔离部250相邻可以是阴极222b面向导电隔离部250的外侧壁与导电隔离部250面向阴极222b的内侧壁相接触，例如，可以采用诸如调整蒸镀角度等方式确保阴极222b面向导电隔离部250的外侧壁与导电隔离部250面向阴极222b的内侧壁相接触。
84.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250在基底210上的正投影的外轮廓位于激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓内(示例性地，参考图7a)。如此，有利于在采用激光阴极图形化技术制备阴极222b时，激光不会对导电隔离部250所环绕的阴极222b的外边缘进行刻蚀，进而可以确保导电隔离部250所环绕的阴极222b的外边缘不会出现翘曲易剥离的问题。
85.需要说明的是，若导电隔离部250在基底210上的正投影的外轮廓位于激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓内，则导电隔离部250在基底210上的正投影的内轮廓也位于激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓内。
86.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250在基底210上正投影的外轮廓位于激光遮挡部230在基底210上的正投影内，导电隔离部250配置为断开相邻的阴极222b，从而保证避免发光器件的阴极222b边缘被激光烧产生翘曲，有利于降低封装失效风险。
87.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250配置为遮挡阴极222b的边缘区域。阴极222b的边缘区域即靠近导电隔离部250的区域。如此，确保了导电隔离部250所环绕的阴极222b的外边缘不会受激光的刻蚀，避免了导电隔离部250和激光遮挡部230所遮挡的阴极222b的外边缘出现翘曲易剥离的问题。
88.另外，相对于导电隔离部250在基底210上的正投影的外轮廓位于激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓内的方案，有利于减少在沿x轴方向上，导电隔离部250背离阴极222b一侧上残留部分阴极的材料，也有利于增加阴极222b的面积。此外，导电隔离部250作为激光刻蚀的掩膜也拉近了掩膜的结构与阴极222b之间的距离，进一步改善或避免
了阴极材料被刻蚀时外边缘出现翘曲易剥离的问题。封装层可以为薄膜封装层。包括在阴极上的第一无机封装层，和位于第一无机封装层远离阴极222b一侧的第一有机封装层。可以理解，在外边缘出现翘曲的情况下，翘曲部分可能穿破第一无机封装层，导致封装性能降低，进而造成封装失效和显示不良的风险。在导电隔离部250配置为遮挡冗余阴极的情况下，有利提高激光刻蚀边缘的平整度，提高显示面板抗水氧效果，提高显示良率和寿命。
89.在本技术至少一实施例中，显示面板还与所述阴极222b间隔且电绝缘的冗余阴极(例如，图9a中的第四区段d)，导电隔离部250配置为遮挡冗余阴极；激光遮挡部230在所述基底210上的正投影的外轮廓位于所述导电隔离部250在所述基底210上的正投影的外轮廓内，或者所述激光遮挡部230在所述基底210上的正投影的外轮廓与所述导电隔离部250在所述基底210上的正投影的外轮廓重合。可以理解，冗余阴极和阴极222b的材料在同一工艺中被形成在显示面板中，区别是位置和功能不同。导电隔离部250配置为遮挡冗余阴极，即，导电隔离部250能够遮挡激光，此时，导电隔离部250具备激光刻蚀的掩膜功能。在激光刻蚀形成阴极的过程中，导电隔离部250可以限定出冗余阴极的外轮廓，由于导电隔离部250与阴极222b的距离更近，可以解决刻蚀翘曲的问题，导电隔离部250环绕阴极222b，可以从各个方向消除刻蚀翘曲，全面提升封装稳定性。
90.冗余阴极在基底210上的正投影可以与导电隔离部250在基底210上的正投影重叠。
91.激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓位于导电隔离部250在基底210上的正投影的外轮廓内(示例性地，参考图9a和图10a)，或者激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓与导电隔离部250在基底210上的正投影的外轮廓重合(示例性地，参考图8a)。如此，可以利用激光遮挡部230和导电隔离部250共同作为激光刻蚀的掩膜，确保阴极222b位于导电隔离部250所环绕的区域内，避免导电隔离部250外轮廓区域外残留阴极的材料。
92.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250在基底210上的正投影的内轮廓位于激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓内，或者导电隔离部250在基底210上的正投影的内轮廓与激光遮挡部230在基底210上的正投影的外轮廓重合。导电隔离部250配置为遮挡阴极222b的边缘区域，如此，可以确保导电隔离部250对冗余阴极的外边缘起到激光遮挡的作用，也避免了冗余阴极和阴极222b的外边缘出现翘曲易剥离的问题。
93.在本技术至少一实施例中，阴极222b的边缘区域在基底210上的正投影位于激光遮挡部230在基底210上的正投影内，阴极222b的边缘区域在基底210上的正投影位于导电隔离部250在基底210上的正投影内。
94.导电隔离部250的材料可以为任何既可以对阴极222b的材料起到激光遮挡的作用(例如，导电隔离部250对预设波长的激光具有耐受性)，又具有导电特性的材料。导电隔离部250的结构可以为任何能够断开相邻的发光功能层222a的结构，在此基础上，本技术实施例对导电隔离部250的材料和结构设计不做具体限定。下面，结合几个具体实施例，对导电隔离部250的材料和结构设计进行举例说明。
95.在本技术至少一实施例中，导电隔离部250背离基底210一侧的表面与基底210背离导电隔离部250一侧的表面之间的直线距离大于阴极222b背离基底210一侧的表面与基底210背离导电隔离部250一侧表面之间的直线距离(参考图9a和图10a)，如此，一方面有利
于利用导电隔离部250断开相邻的发光功能层222a，从而使得导电隔离部250更易断开相邻的阴极222b，另一方面，在导电隔离部250配置为遮挡阴极的边缘区域时，可以利用导电隔离部250对阴极222b与导电隔离部250相邻的侧面进行保护，进而避免阴极222b的侧面因未被导电隔离部250保护而造成翘曲。
96.需要说明的是，阴极222b的侧面可以均与导电隔离部250相邻(参考图7a、图8a和图9a)，也可以是阴极222b的侧面中的一部分与导电隔离部250相邻，另一部分与像素限定层221相邻(参考图10a)，只要能够保证阴极222b的侧面受到保护作用不出现翘曲即可，在此基础上，本技术实施例对导电隔离部250、像素限定层221和阴极222b的结构设计不做具体限定。
97.导电隔离部250可以为单层结构，也可以为两层甚至更多层结构。若导电隔离部250为多层结构，阴极222b和导电连接部240可以分别与导电隔离部250的任一层电连接，只要能够使得阴极222b和导电连接部240通过导电隔离部250实现电连接即可，在此基础上，本技术实施例对阴极222b、导电连接部240和导电隔离部250的连接方式不做具体限定。下面，以导电隔离部250为三层结构为例进行举例说明。
98.在本技术至少一实施例中，示例性地，参考图9a和图10a，导电隔离部250可以为多层叠置的三明治结构，三明治结构包括夹芯层b和位于夹芯层b面向基底210一侧的第一面层a和位于夹芯层b背离基底210一侧的第二面层c。例如，导电隔离部250包括层叠设置的钛层、铝层和钛层(ti-al-ti结构，也即，夹芯层b为铝层，第一面层a和第二面层c均为钛层)，又例如，导电隔离部250包括层叠设置的氧化铟锡层、银层和氧化铟锡层(ito-ag-ito结构，也即，夹芯层b为银层，第一面层a和第二面层c均为氧化铟锡层)，如此，有利于在导电隔离部250的侧边设置凹槽(例如，针对ti-al-ti结构，设置铝层在基底210上正投影位于钛层在基底210上正投影内以在铝层形成凹槽，又例如，针对ito-ag-ito结构，设置银层在基底210上正投影位于氧化铟锡层在基底210上正投影内以在银层形成凹槽)，从而可以避免发光功能层222a中的共通层沉积在导电隔离部250的侧边，进而避免导电隔离部250与发光器件222中的阴极222b之间断开电连接，也可以防止阴极22b翘曲。需要说明的是，第一面层a、夹芯层b和第二面层c中任意两个或多个的材料可以相同或不同。
99.在本技术至少一实施例中，夹芯层b和第一面层a中的至少一个在基底210上的正投影位于第二面层c在基底上的正投影内。如此，可以利用由夹芯层b和第一面层a中的至少一个相对于第二面层c内缩的部分断开相邻的发光功能层，使得阴极222b与导电隔离部250相邻实现电连接。
100.导电连接部240的侧面可以与导电隔离部250中的第一面层a、夹芯层b和第二面层c中任一个或多个接触，只要使得导电连接部240的侧面与第一面层a、夹芯层b和第二面层c中任一个或多个电连接即可，在此基础上，本技术实施例对导电连接部240与导电隔离部250的连接方式不做具体限定。
101.阴极222b的侧面可以与导电隔离部250中的第一面层a、夹芯层b和第二面层c中任一个或多个接触，只要使得阴极222b的侧面与第一面层a、夹芯层b和第二面层c中任一个或多个电连接即可，在此基础上，本技术实施例对阴极222b与导电隔离部250的连接方式不做具体限定。
102.在本技术至少一实施例中，阴极222b与夹芯层b相邻且电连接，如此，一方面，由于
夹芯层b通常位于导电隔离部250中第一面层a和第二面层c之间的中间位置，因而，阴极222b与夹芯层b相邻且电连接可以使得阴极222b与导电隔离部250的连接稳固性更强，另一方面，由于夹芯层b的导电性通常大于第一面层a的导电性，也大于第二面层c的导电性，从而阴极222b与夹芯层b相邻且电连接可以使得阴极222b与导电隔离部250更易导通，有利于降低功耗。
103.需要说明的是，阴极222b与夹芯层b相邻且电连接，可以是阴极222b的侧面仅与夹芯层b相邻且电连接，也可以是阴极222b的侧面仅与第一面层a和夹芯层b相邻且电连接，还可以是阴极222b的侧面仅与夹芯层b和第二面层c相邻且电连接，又可以是，阴极222b的侧面同时与第一面层a、夹芯层b和第二面层c相邻且电连接。
104.举例来说，若导电隔离部250为设有凹槽的ti-al-ti结构，由于al的导电性大于ti的导电性，因而可以设置阴极222b和导电连接部240通过铝层导通，也即，阴极222b与铝层相邻且电连接，导电连接部240与铝层相邻且电连接，从而使得阴极222b、导电连接部240和导电隔离部250之间更易导通，有利于降低功耗。
105.本技术至少一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述图4至图10b所示实施例中任何一种显示面板200。
106.应当理解，该显示装置中的显示面板200也可以是基于图4至图10b所示实施例中任何一种显示面板等同替换或明显变型后的显示面板。显示装置可以为各种电子显示产品，具体可以包括但不限于手机、平板电脑、电子书阅读器、播放器、数码相机、膝上型便携计算机、车载电脑、台式计算机、机顶盒、智能电视机、可穿戴设备中的至少一项。此外，根据实际需要，显示装置还可以包括诸如触控功能层和盖板等其它结构。
107.由于本技术实施例的显示装置包括了上述图4至图10b所示实施例的全部技术方案，因此至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
108.本技术至少一实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该制备方法包括以下步骤。
109.s110：提供基底。基底划分有第一子区。
110.以下以制备图5a所示的显示面板200为例进行说明。基底210可以参考图11a，第一子区30对应于透明显示区20。
111.s120：至少在第一子区内，在基底上形成多个激光遮挡部。
112.举例来说，参考图11b，至少在第一子区30内，可以采用沉积、蒸镀、蚀刻或曝光等工艺在基底210上形成多个激光遮挡部230，且激光遮挡部230位于第一子区30内。
113.s130：在形成有激光遮挡部的基底上形成像素限定层。像素限定层设有多个像素开口。
114.举例来说，参考图11c，可以采用沉积、蒸镀、蚀刻或曝光等工艺在形成有激光遮挡部230的基底210上制备得到像素限定层221，进一步对像素限定层221进行蚀刻等工艺在像素限定层221上形成多个像素开口k。像素限定层221上设置的多个像素开口k可以对应于多个发光器件。
115.s140：在像素限定层上形成多个导电连接部。
116.举例来说，参考图11d，至少在第一子区30内，可以采用沉积等方式在像素限定层221上形成一层诸如氧化铟锡或氧化铟锌等导电膜层，通过对导电膜层刻蚀形成多个导电
连接部240。导电连接部可以位于像素限定层221的表面。
117.s150：在形成有导电连接部的基底上形成发光材料层以制备多个发光功能层。发光功能层中发光层的至少部分位于像素开口内，相邻的发光层间隔设置。
118.举例来说，参考图11e，可以采用蒸镀工艺在形成有导电连接部240的基底210上形成一层发光材料层。可以采用蚀刻或曝光等工艺制备得到发光功能层222a。
119.s160：在形成有发光功能层的基底上形成阴极材料层，并利用激光遮挡部为掩膜对阴极材料层图案化形成多个阴极。
120.举例来说，参考图11f，可以在形成有发光功能层222a的基底210上形成阴极材料层2。激光1可以沿与z轴平行的方向并以激光遮挡部230为掩膜对阴极材料层2进行刻蚀。参考图5a，阴极材料层2中除激光遮挡部230对应的区域外的部分全部刻蚀后，阴极材料层2的剩余部分可以作为阴极222b。在激光1刻蚀时，可以将图11e中形成有阴极材料层2的基底210进行180
°
的翻转，激光1沿与z轴平行的方向并以激光遮挡部230为掩膜对阴极材料层2进行刻蚀，从而使得阴极材料层2的去除部分可以在激光1刻蚀后沿z轴平行的方向垂直脱落，避免阴极材料层2的去除部分进入发光器件222内而对发光器件222造成污染。
121.在本技术至少一实施例提供的制备方法中，在步骤s140之前，该制备方法还包括步骤s135。
122.s135：在像素限定层上形成导电隔离部。
123.举例来说，参考图7a和图8a，可以在像素限定层221背离基底210的一侧的表面上采用沉积等工艺制备得到导电隔离部250。
124.又举例来说，参考图9a或图10a，可以进一步采用刻蚀等工艺制备得到侧边形成凹槽的导电隔离部250(也可以称为undercut结构)。
125.参考图9a，发光材料层包括位于像素限定层221中的像素开口内的第一区段a和位于导电隔离部250背离基底210一侧的表面上的第二区段b。第二区段b构成发光功能层222a。在步骤s150中，形成一层发光材料层后，第一区段a和第二区段b可以在导电隔离部250对应的位置处断开，也即，第一区段a和第二区段b是不连续的，从而在无需蚀刻或曝光等工艺下制备得到发光功能层222a。
126.在一些实施例中，步骤s161对应于步骤s160。
127.s161：在形成有发光功能层的基底上形成阴极材料层，并利用激光遮挡部和导电隔离部为掩膜对阴极材料层图案化形成多个阴极。
128.参考图9a，在步骤s161中，阴极材料层2可以包括位于导电隔离部250所环绕区域内的第三区段c和位于第二区段b背离基底210一侧的表面上的第四区段d，第三区段c构成阴极222b。在形成阴极材料层后，第三区段c和第四区段d可以在导电隔离部250对应的位置处断开，也即，第三区段c和第四区段d是不连续的，从而在无需蚀刻或曝光等工艺下制备得到多个阴极222b。利用激光遮挡部230和导电隔离部250为掩膜对阴极材料层图案化可以使得阴极材料层中除多个阴极222b和第四区段d以外的其他虚拟阴极材料均被激光刻蚀掉。
129.导电隔离部250的截面形状可以为矩形、倒三角形、倒梯形或工字形等，只要能够使发光材料层和阴极材料层2在导电隔离部250对应的位置处断开即可，在此基础上，本技术实施例对导电隔离部250的结构不做具体限定。需要说明的是，该制备方法为上述图4至图10b所示实施例的显示面板200对应的制备方法，包括了上述图4至图10b所示实施例的全
部技术方案，因此制备方法的具体实施方式可以参考上述显示面板200相关实施例中的描述，且至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
130.还需要说明的是，本技术中各技术特征的组合方式并不限本技术权利要求中所记载的组合方式或是具体实施例所记载的组合方式，本技术所记载的所有技术特征可以以任何方式进行自由组合或结合，除非相互之间产生矛盾。
131.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括透明显示区，其中，所述显示面板包括：基底；显示功能层，位于所述基底的一侧，包括设有多个像素开口的像素限定层和对应于多个所述像素开口的多个发光器件，所述发光器件包括依次叠置在所述基底上的发光功能层和阴极，所述发光功能层中发光层至少部分位于所述像素开口内，相邻的所述发光层间隔设置；多个激光遮挡部，至少位于所述透明显示区内，且位于所述阴极的面向所述基底的一侧，其中，所述激光遮挡部配置为遮挡所述阴极；以及多个导电连接部，至少位于所述透明显示区内，其中，相邻的所述阴极之间通过所述导电连接部彼此电连接，所述导电连接部的材料与所述阴极的材料不同。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：多个导电隔离部，至少位于所述透明显示区内且位于所述像素限定层背离所述基底的一侧，其中，所述导电隔离部环绕所述阴极，优选地，所述导电隔离部配置为断开相邻的所述发光功能层，所述阴极和所述所述导电隔离部相邻，且所述阴极和导电连接部通过所述导电隔离部电连接。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离部在所述基底上的正投影的外轮廓位于所述激光遮挡部在所述基底上的正投影的外轮廓内。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离部配置为遮挡所述阴极的边缘区域，优选地，所述激光遮挡部在所述基底上的正投影的外轮廓位于所述导电隔离部在所述基底上的正投影的外轮廓内，或者所述激光遮挡部在所述基底上的正投影的外轮廓与所述导电隔离部在所述基底上的正投影的外轮廓重合。5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离部为三明治结构，所述三明治结构包括夹芯层和位于所述夹芯层面向所述基底一侧的第一面层和位于所述夹芯层背离所述基底一侧的第二面层，优选地，所述夹芯层和所述第一面层中的至少一个在所述基底上的正投影位于所述第二面层在所述基底上的正投影内，优选地，所述阴极与所述夹芯层相邻且电连接。6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离部背离所述基底一侧的表面与所述基底背离所述导电隔离部一侧的表面之间的直线距离大于所述阴极背离所述基底一侧的表面与所述基底背离所述导电隔离部一侧的表面之间的直线距离。7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述激光遮挡部的材料对于预设波长的激光具有耐受性，且所述阴极的材料对于所述预设波长的激光不具有耐受性。8.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件还包括阳极，所述激光遮挡部位于所述阳极的面向所述基底的一侧。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述导电连接部的透光率大于所述阴极的透光率。10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，其中，所述基底划分有第一子区；至少在所述第一子区内，在所述基底上形成多个激光遮挡部；在形成有所述激光遮挡部的所述基底上形成像素限定层，其中，所述像素限定层设有多个像素开口；在所述像素限定层上形成多个导电连接部；在形成有所述导电连接部的基底上形成发光材料层以制备多个发光功能层，所述发光功能层中发光层的至少部分位于所述像素开口内，相邻的所述发光层间隔设置；在形成有所述发光功能层的基底上形成阴极材料层，并利用所述激光遮挡部为掩膜对所述阴极材料层图案化形成多个阴极。

技术总结
本申请提供了一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括透明显示区。显示面板包括基底、显示功能层、多个激光遮挡部和多个导电连接部。显示功能层包括设有多个像素开口的像素限定层和对应于多个像素开口的多个发光器件。发光器件包括依次叠置在基底上的发光功能层和阴极。相邻的发光层间隔设置。多个激光遮挡部至少位于透明显示区内且位于阴极的面向基底的一侧。激光遮挡部配置为遮挡阴极。相邻的两个阴极之间通过导电连接部电连接，导电连接部的材料与阴极的材料不同。至少在显示面板的透明显示区中，通过设置导电连接部的材料与阴极的材料不同，从而使得阴极之间无需使用激光遮挡部进行遮挡，提高了显示面板的透光率。提高了显示面板的透光率。提高了显示面板的透光率。


技术研发人员：刘梓钰
受保护的技术使用者：云谷（固安）科技有限公司
技术研发日：2023.04.23
技术公布日：2023/7/21