界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用与流程

1.本发明属于界面导热材料领域，涉及界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用。


背景技术：

2.随着当代电子技术迅速的发展，电子器件的集成程度和组装密度不断提高，其工作功耗和发热量也随之增加。电子器件温度的提高会损害器件的稳定性，缩短使用寿命，因此，确保电子器件温度是对电子产品性能测定的重要考量方面。现有电子器件中通常将导热界面材料添加于发热的电子元器件与散热装置之间，不仅能够使两者通过导热材料增加接触面积，还能够提高导热性能。
3.目前，对手提电脑的需求不断增长。其基材采用相对具有较低降解温度的柔性且可拉伸的材料，在制备过程中需保持加工温度低于基材的降解温度。低熔点环境友好型in-bi-sn合金是很有前途的选择，然而，由于其熔化温度过低，导致机械和热性能不足以提供必要的耐久性、以及良好的疲劳和热循环阻力。且产品的制备方法过于复杂，通常采用光刻制模制得衬底，并电镀锡，再热浸in-bi-sn合金，对工业工艺具有较高的挑战性。
4.中国专利，公开号为214228723u提供了一种复合界面导热装置，包括有金属层、导热材料层、导热胶粘剂层和金属基板，导热材料层连接在金属层上端，导热胶粘剂层连接在导热材料层上端，金属基板连接在导热胶粘剂层上端，金属基板上端连接有金属翅片，金属层地面上设有凹槽。
5.中国专利，公开号为111434747a公开了一种三维石墨烯/弹性体热界面材料及其制备方法，首先将弹性材料与导热填料混合，得到改性弹性材料；所述改性弹性材料和固化剂混合，得到交联材料；以碳基材料为碳源，金属基底为模板，采用化学气相沉积，得到三维石墨烯；将高分子材料包覆在所述)得到的三维石墨烯的上下表面，得到预保护三维石墨烯；将得到的交联材料浸润到所述得到的预保护三维石墨烯中，固化，得到预保护三维石墨烯/弹性材料；将所述得到的预保护三维石墨烯/弹性材料中包覆在三维石墨烯海绵表面的高分子材料脱去，得到所述三维石墨烯/弹性体热界面材料。
6.中国专利，公开号为102051157a公开了一种高导热低热阻界面材料，该界面材料包括第一导热金属箔，设置于所述第一导热金属箔的一个或两个表面上的第二导热泡沫金属箔。
7.然而，现有的纯金属界面材料熔点高，因此需要较高的焊接温度使其熔化，然而，焊接温度的提高则会对封装结构中温度敏感的部件造成不良影响，且降低了导热效率，对电子器件造成危害。


技术实现要素：

8.针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用，导热基底表面的相变层熔点较低，在电子设备正常工作时发生
部分熔化，与导热基底形成较好的连接，在使用过程中，导热基底与相变层之间会相互扩散，形成一个新的中间层，降低了材料泄露的风险。
9.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
10.第一方面，本发明提供了一种界面导热材料的制备方法，所述制备方法包括：
11.(ⅰ)提供导热基底；
12.(ⅱ)采用相变金属材料在导热基底的两侧表面分别形成第一相变层与第二相变层，并进行一段回流，使得导热基底分别与第一基板与第二基板相互连接得到复合层，所述导热基底的熔点分别高于所述第一相变层与第二相变层的熔点；
13.(ⅲ)将所述复合层进行二段回流，所述第一相变层、导热基底与第二相变层相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层。
14.本发明提供的界面导热材料的制备方法，通过在低温下的一段回流，使得导热基底分别与两侧的第一相变层与第二相变层之间形成良好接触，避免出现空隙或不连续的接头，随后在较高的温度下进行二段回流，实现第一相变层、导热基底与第二相变层的层间焊料扩散，转变为更均匀的高熔点中间层，使其结合更可靠，降低了材料泄露的风险。
15.作为本发明一个优选技术方案，所述的导热基底的熔点≥150℃。
16.所述第一相变层与第二相变层的熔点均≤100℃。
17.本发明提供导热基底表面的相变层熔点较低，在电子设备正常工作时发生部分熔化，与导热基底形成较好的连接，可以在电子设备工作时与位于界面导热材料两侧的其他部件形成良好的接触。
18.作为本发明一个优选技术方案，所述导热基底的导热系数≥40w/m
·
k。
19.所述导热基底为无铅基材。
20.所述的第一相变层与第二相变层独立地包括锡基合金。
21.作为本发明一个优选技术方案，所述导热基底包括铟基金属、锡基金属或铋基金属中的任一种或至少两种的组合。
22.所述第一相变层与第二相变层为铟锡铋合金。
23.优选地，所述导热基底为锡基金属，在低熔点的第一相变层与第二相变层中嵌入锡基金属，能够低温的一段回流中连接到基材，然后经过短时间的二段回流后，溶解低温相，形成更持久的接触。
24.需要说明的是，本发明对于在导热基底两侧表面形成第一相变层与第二相变层的制备工艺不作具体限定或特殊要求，可采用本领域技术人员所熟知的化学气相沉积或电镀，可采用喷涂或包覆，也可以采用热压成型。当然可以理解的是，能够实现将相变金属材料置于导热基底的表面形成相变层的其他制备工艺同样落入本发明的保护范围和公开范围之内，因此现有技术中已公开或新技术中未公开的其他形式的制备工艺同样可以用于本发明中。
25.为了帮助本领域技术人员更好地了解本发明的整体技术方案及工作过程，本发明示例性地提供了如下有关第一相变层与第二相变层的制备工艺：
26.(1)加热所需相变金属材料至熔融状态，再将导热基底浸入熔融的相变金属材料中，取出后冷却，得到第一相变层与第二相变层。
27.(2)采用相变金属材料分别制备所需厚度的第一相变层与第二相变层，然后将第
一相变层、导热基底与第二相变层依次层叠后，进行热压成型，或者将第一相变层、导热基底与第二相变层依次层叠后，辊压至所需厚度。
28.作为本发明一个优选技术方案，所述一段回流的温度为30～100℃，例如可以是30℃、35℃、40℃、50℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃、90℃、95℃或100℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
29.所述二段回流的温度为150～230℃，例如可以是150℃、155℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、205℃、208℃、210℃、215℃、220℃、225℃、228℃或230℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
30.所述二段回流的时间为30s～20min，例如可以是30s、45s、1min、2min、3min、4min、5min、10min、12min、15min、18min或20min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
31.本发明通过一段回流，提高界面导热材料的均匀性与结合强度，避免出现空洞，在较短时间的二段回流后转换为更持久的焊料层，简化了制备工艺，且在较高温度下依然保持可靠连接。
32.需要说明的是，本发明对于一段回流与二段回流阶段内回流操作次数不作具体限定，本领域技术人员可以根据界面导热材料的具体情况，调整在一段回流中进行1次、2次、3次或4次回流操作，同样地，本领域技术人员可以根据界面导热材料的具体情况，调整在二段回流中进行1次、2次、3次或4次回流操作。
33.作为本发明一个优选技术方案，所述高熔点中间层的熔点分别大于所述第一相变层与第二相变层的温度，且所述高熔点中间层的熔点小于所述导热基底的熔点。
34.所述高熔点中间层的熔点≤210℃。
35.本发明中导热基底与外层的第一相变层与第二相变层的元素相互扩散，形成一个熔点高于第一相变层与第二相变层，且均匀的高熔点中间层，在互连性能中提供了更好的耐久性。
36.作为本发明一个优选技术方案，所述导热基底的厚度为50～500μm，例如可以是50μm、60μm、70μm、80μm、100μm、150μm、200μm、210μm、250μm、300μm、320μm、350μm、380μm、400μm、420μm、450μm、480μm或500μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
37.所述第一相变层的厚度为30～80μm，例如可以是30μm、35μm、40μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm或80μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
38.所述第二相变层的厚度为30～80μm，例如可以是30μm、35μm、40μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm或80μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
39.需要说明的是，本发明中所述第一相变层与第二相变层的厚度独立地不高于所述导热基底厚度的40％。
40.本发明中高熔点中间层的厚度大于导热基底的厚度，且熔点会低于导热基底的熔点，同时高于第一相变层与第二相变层的熔点，因此，界面导热材料不会发生溢出的现象。
41.第二方面，本发明提供了一种界面导热材料，所述界面导热材料采用第一方面所
述的界面导热材料的制备方法进行制备。
42.本发明提供的界面导热材料由三层功能层组成，内部是一种熔点较高的导热基底，具有良好的机械性能，导热基底的两侧为熔点较低的相变材料，进行两次回流工艺后形成均匀的高熔点中间层，提高了结合强度，并使其能够应用于长时间暴露在高温下的基材，例如聚合物、纺织品、可穿戴设备等。
43.需要说明的是，本发明提供的界面导热材料设置于电子设备的热源与散热部件之间，在室温下为固相，且第一相变层与第二相变层的熔点独立地低于电子设备初始测试时的温度，因此在电子设备温度达到第一相变层与第二相变层的熔点时，第一相变层与第二相变层发生熔化，相互扩散，与导热基底形成较好的连接。
44.第三方面，本发明提供了一种界面导热装置，所述界面导热装置包括第一基板与第二基板，所述第一基板与第二基板之间设置有第二方面所述的界面导热材料。
45.本发明中的第一基板与第二基板可以采用金属基材，也可采用聚合物基材。
46.需要说明的是，本发明的界面导热材料在进行一段回流时，第一相变层熔融，并分别与两侧的导热基底和第一基板形成良好的连接，同时，第二相变层熔融，并分别与两侧的导热基底和第二基板形成良好的连接，实现界面导热材料与基材的良好接触。
47.第四方面，本发明提供了一种第三方面所述的界面导热装置的应用，所述界面导热装置应用于手提电脑。
48.本发明提供的界面导热材料中，第一相变层与第二相变层的熔点较低，当电子产品开机时，该材料利用芯片产生的热量自动回流而形成界面材料，会发生部分熔化，因此可以在电子设备正常工作时与界面导热材料两边的部件形成良好的接触。与采用纯金属片相比，使用本发明中的界面导热材料，不需要焊接步骤，可以在电子设备点亮测试时即与界面导热材料两边的部件形成良好的接触，电子设备工作时产生的热量使两侧的第一相变层与第二相变层熔化，从而与界面导热材料两侧的其他部件形成良好的接触。
49.与现有技术相比，本发明的有益效果为：
50.本发明提供的界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用，通过在低温下的一段回流，使得导热基底分别与两侧的第一相变层与第二相变层之间形成良好接触，避免出现空隙或不连续的接头，随后在较高的温度下进行二段回流，实现第一相变层、导热基底与第二相变层的层间焊料扩散，转变为更均匀的高熔点中间层，在其结合更可靠，降低了材料泄露的风险。
附图说明
51.图1为本发明一个具体实施方式提供的一段回流后的界面导热材料的结构示意图；
52.图2为本发明一个具体实施方式提供的二段回流后的界面导热材料的结构示意图。
53.其中，1-导热基底；2-第一相变层；3-第二相变层；4-第一基板；5-第二基板；6-高熔点中间层。
具体实施方式
54.需要理解的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
55.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
56.在一个具体实施方式中，本发明提供了一种界面导热材料的制备方法，具体包括如下步骤：
57.(1)提供导热基底1，导热基底1的熔点≥150℃；
58.(2)采用相变金属材料在导热基底1的两侧表面分别形成第一相变层2与第二相变层3，并在温度为30～100℃的条件下进行一段回流，使得导热基底1分别与第一相变层2与第二相变层3相互连接得到如图1所示的复合层，其中，第一相变层2与第二相变层3的熔点均≤100℃；
59.(3)将所述复合层在温度为150～230℃条件下进行30s～20min的二段回流，所述第一相变层2、导热基底1与第二相变层3相互扩散，形成如图2所示的一体成型的高熔点中间层6，其中，高熔点中间层6的熔点分别大于所述第一相变层2与第二相变层3的温度，且小于所述导热基底1的熔点。
60.在一些实施方式中，导热基底1的导热系数≥40w/m
·
k，所述导热基底1为无铅基材。
61.在一些实施方式中，所述导热基底1包括铟基金属、锡基金属或铋基金属中的任一种或至少两种的组合。
62.在一些实施方式中，所述第一相变层2与第二相变层3独立地包括锡基合金。
63.在一些实施方式中，所述第一相变层2与第二相变层3为铟锡铋合金。
64.在一些实施方式中，所述导热基底1的厚度为50～500μm。
65.在一些实施方式中，所述第一相变层2的厚度为30～80μm。
66.在一些实施方式中，所述第二相变层3的厚度为30～80μm。
67.为了帮助本领域技术人员更好地了解本发明的整体技术方案及工作过程，本发明示例性地提供了如下有关第一相变层2与第二相变层3的制备工艺：
68.(1)加热所需相变金属材料至熔融状态，再将导热基底1浸入熔融的相变金属材料中，取出后冷却，得到第一相变层2与第二相变层3。
69.(2)采用相变金属材料分别制备所需厚度的第一相变层2与第二相变层3，然后将第一相变层2、导热基底1与第二相变层3依次层叠后，进行热压成型，或者将第一相变层2、导热基底1与第二相变层3依次层叠后，辊压至所需厚度。
70.在另一个具体实施方式中，本发明提供了一种界面导热材料，所述界面导热材料采用一个具体实施方式所述的界面导热材料的制备方法进行制备。
71.本发明提供的界面导热材料由三层功能层组成，内部是一种熔点较高的导热基底
1，具有良好的机械性能，导热基底1的两侧为熔点较低的相变材料，进行两次回流工艺后形成均匀的高熔点中间层6，提高了结合强度，并使其能够应用于长时间暴露在高温下的基材，例如聚合物、纺织品、可穿戴设备等。
72.本发明中经二段回流工艺后形成的高熔点中间层6的厚度大于导热基底1的厚度，且熔点会低于导热基底1的熔点，同时高于第一相变层2与第二相变层3的熔点，避免界面导热材料发生溢出的现象。
73.本发明提供的界面导热材料设置于电子设备的热源与散热部件之间，在室温下为固相，且第一相变层2与第二相变层3的熔点独立地低于电子设备初始测试时的温度，因此在电子设备温度达到第一相变层2与第二相变层3的熔点时，第一相变层2与第二相变层3发生熔化，相互扩散，与导热基底1形成较好的连接。
74.在另一个具体实施方式中，本发明提供了一种界面导热装置，所述界面导热装置包括第一基板4与第二基板5，所述第一基板4与第二基板5之间设置有一个具体实施方式所述的界面导热材料。
75.本发明中的第一基板4与第二基板5可以采用金属基材，也可采用聚合物基材。
76.示例性地，本发明提供的界面导热装置采用如下制备方法制得：
77.s1提供导热基底1、第一基板4与第二基板5，其中导热基底1的熔点≥150℃；
78.s2采用相变金属材料在导热基底1的两侧表面分别形成第一相变层2与第二相变层3，将第一基板4与第二基板5分别覆盖于第一相变层2与第二相变层3的外侧；
79.s3在温度为60～100℃的条件下进行一段回流，第一相变层2分别与其两侧的导热基板和第一基板4相互连接，第二相变层3分别与其两侧的导热基板和第一基板4相互连接，其中，第一相变层2与第二相变层3的熔点均≤100℃；
80.s4随后在温度为200～230℃条件下进行1～5min的二段回流，所述第一相变层2、导热基底1与第二相变层3相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层6，其中，高熔点中间层6的熔点分别大于所述第一相变层2与第二相变层3的温度。
81.本发明的界面导热材料在进行一段回流时，第一相变层2熔融，并分别与两侧的导热基底1和第一基板4形成良好的连接，同时，第二相变层3熔融，并分别与两侧的导热基底1和第二基板5形成良好的连接，实现界面导热材料与基材的良好接触。
82.实施例1
83.本实施例提供了一种界面导热材料的制备方法，具体包括如下步骤：
84.(1)提供sa305箔片作为导热基底1，熔点为220℃，厚度为200μm；
85.(2)将铟铋锡合金(in-32.5wt.％、bi-16.5wt.％、sn-51wt.％)加热至熔融状态，再将导热基底1浸入到熔融的铟铋锡合金中，取出后冷却，在导热基底1的两侧表面分别形成第一相变层2与第二相变层3；
86.(3)在温度为60℃的条件下进行一段回流，使得导热基底1分别与第一相变层2与第二相变层3相互连接得到复合层，其中，第一相变层2与第二相变层3的厚度均为70μm；
87.(4)将复合层在温度为210℃条件下进行1min的二段回流，第一相变层2、导热基底1与第二相变层3相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层6，其中，高熔点中间层6的熔点为200℃。
88.制得的界面导热材料中高熔点中间层6的厚度大于导热基底1的厚度，高熔点中间
层6的熔点大于第一相变层2与第二相变层3的熔点，同时低于导热基底1的熔点。
89.本发明模拟了实施例1中的二段回流过程，在sac305箔片的一侧熔合了实施例1中的铟铋锡合金(in-32.5wt.％、bi-16.5wt.％、sn-51wt.％)，将其置于两片刚清洗过的钛板之间，然后放入炉中，炉温设置为210℃，样品达到该温度后，保持60秒，然后在空气中冷却。经观察发现in-bi-sn合金穿透了sac305箔片的厚度，在sac305箔片的另一侧也出现了in-bi-sn合金，即铟铋锡合金在二段回流中能够实现扩散。
90.本发明还测试了实施例1得到高熔点中间层6的熔点是否变化，具体为：
91.将界面导热材料置于di(去离子水)水中，将其置于热板上加热至di水沸腾，经观察发现，界面导热材料两侧的合金没有重熔的迹象，即高熔点中间层6的熔化温度至少高于100℃。
92.实施例2
93.本实施例提供了一种界面导热材料的制备方法，与实施例1的区别在于：步骤(2)中第一相变层2与第二相变层3形成的方法为：
94.采用铟铋锡合金(in-32.5wt.％、bi-16.5wt.％、sn-51wt.％)分别制备所需厚度的第一相变层2与第二相变层3，然后将第一相变层2、导热基底1与第二相变层3依次层叠后，进行热压成型，其余工艺参数和操作条件与实施例1相同。
95.实施例3
96.本实施例提供了一种界面导热材料的制备方法，与实施例1的区别在于：步骤(2)中第一相变层2与第二相变层3形成的方法为：
97.采用铟铋锡合金(in-32.5wt.％、bi-16.5wt.％、sn-51wt.％)分别制备所需厚度的第一相变层2与第二相变层3，然后将第一相变层2、导热基底1与第二相变层3依次层叠后，进行辊压成型，其余工艺参数和操作条件与实施例1相同。
98.实施例4
99.本实施例提供了一种界面导热装置，包括第一基板4与第二基板5，第一基板4与第二基板5之间设置界面导热材料，第一基板4与第二基板5均采用聚合物基材。其中，界面导热装置采用如下步骤进行制备：
100.(1)提供导热基底1、第一基板4与第二基板5，其中，sa305箔片作为导热基底1，熔点为220℃，厚度为200μm，导热基底1的熔点≥150℃；
101.(2)将铟铋锡合金(in-32.5wt.％、bi-16.5wt.％、sn-51wt.％)加热至熔融状态，再将导热基底1浸入到熔融的铟铋锡合金中，取出后冷却，在导热基底1的两侧表面分别形成第一相变层2与第二相变层3，将第一基板4与第二基板5分别覆盖于第一相变层2与第二相变层3的外侧；
102.(3)在温度为60℃的条件下进行一段回流，第一相变层2分别与其两侧的导热基板和第一基板4相互连接，第二相变层3分别与其两侧的导热基板和第一基板4相互连接；
103.(4)随后在温度为220℃条件下进行1min的二段回流，第一相变层2、导热基底1与第二相变层3相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层6，高熔点中间层6的厚度大于导热基底1的厚度，高熔点中间层6的熔点大于第一相变层2与第二相变层3的熔点，同时低于导热基底1的熔点。
104.本发明提供的界面导热材料中，导热基底1表面的相变层熔点较低，在电子设备正
常工作时发生部分熔化，与导热基底1形成较好的连接，可以在电子设备工作时与位于界面导热材料两侧的其他部件形成良好的接触，在使用过程中，导热基底1与相变层之间会相互扩散，形成一个新的中间层，降低了材料泄露的风险。
105.申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

技术特征：
1.一种界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：(ⅰ)提供导热基底；(ⅱ)采用相变金属材料在导热基底的两侧表面分别形成第一相变层与第二相变层，并进行一段回流，使得导热基底分别与第一相变层与第二相变层相互连接得到复合层，所述导热基底的熔点分别高于所述第一相变层与第二相变层的熔点；(ⅲ)将所述复合层进行二段回流，所述第一相变层、导热基底与第二相变层相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层。2.根据权利要求1所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述的导热基底的熔点≥150℃；所述第一相变层与第二相变层的熔点均≤100℃。3.根据权利要求1所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述导热基底的导热系数≥40w/m
·
k；所述导热基底为无铅基材；所述第一相变层与第二相变层独立地包括锡基合金。4.根据权利要求3所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述导热基底包括铟基金属、锡基金属或铋基金属中的任一种或至少两种的组合；所述第一相变层与第二相变层为铟锡铋合金。5.根据权利要求1所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述一段回流的温度为30～100℃；所述二段回流的温度为150～230℃；所述二段回流的时间为30s～20min。6.根据权利要求1所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述高熔点中间层的熔点分别大于所述第一相变层与第二相变层的温度，且所述高熔点中间层的熔点小于所述导热基底的熔点；所述高熔点中间层的熔点≤210℃。7.根据权利要求1所述的界面导热材料的制备方法，其特征在于，所述导热基底的厚度为50～500μm；所述第一相变层的厚度为30～80μm；所述第二相变层的厚度为30～80μm。8.一种界面导热材料，其特征在于，所述界面导热材料采用权利要求1-7任一项所述的界面导热材料的制备方法进行制备。9.一种界面导热装置，其特征在于，所述界面导热装置包括第一基板与第二基板，所述第一基板与第二基板之间设置有权利要求8所述的界面导热材料。10.一种权利要求9所述的界面导热装置的应用，其特征在于，所述界面导热装置应用于手提电脑。

技术总结
本发明提供了界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用，所述制备方法包括：(Ⅰ)提供导热基底；(Ⅱ)采用相变金属材料在导热基底的两侧表面分别形成第一相变层与第二相变层，并进行一段回流，使得导热基底分别与第一相变层与第二相变层相互连接得到复合层，所述导热基底的熔点分别高于所述第一相变层与第二相变层的熔点；(Ⅲ)将所述复合层进行二段回流，所述第一相变层、导热基底与第二相变层相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层。本发明在使用过程中，导热基底与相变层之间会相互扩散，形成一个新的中间层，降低了材料泄露的风险。的风险。的风险。


技术研发人员：华菲 米娜
受保护的技术使用者：宁波施捷电子有限公司
技术研发日：2023.04.18
技术公布日：2023/7/21