芯片封装结构和芯片封装方法与流程

1.本技术涉及芯片封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装结构和芯片封装方法。


背景技术：

2.在芯片封装过程中，涉及芯片裸粒与封装基板之间的粘接固定。但由于芯片裸粒与封装基板之间的粘结层的形态具有不确定性，导致芯片裸粒与封装基板粘接固定后，芯片裸粒的高度均一性较差，从而对最终产品的质量产生不良影响。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对芯片裸粒与封装基板粘接固定后芯片裸粒的高度均一性较差的问题，提供一种芯片封装结构和芯片封装方法。
4.根据本技术的一个方面，提供一种芯片封装结构，包括：封装基板，所述封装基板上设有若干芯片固定位；若干芯片裸粒，所述若干芯片裸粒设于所述封装基板上，且所述芯片裸粒的数量与所述芯片固定位的数量相等并一一对应设置；粘结层，所述粘结层设于所述芯片裸粒与所述封装基板之间；以及厚度限定结构，所述厚度限定结构设于所述粘结层内；其中，所述厚度限定结构的弹性模量大于所述粘结层的弹性模量，以使所述厚度限定结构能够在所述粘结层内限定出第一预设厚度，从而使所述粘结层能够在外力作用下变形至其各区域的厚度均匀。
5.在一些实施例中，所述厚度限定结构包括多个分散于所述粘结层内的颗粒。
6.可选地，所述颗粒的形状为圆球形、橄榄球形或者多面体形。
7.在一些实施例中，所述厚度限定结构包括若干子限定层；同一所述子限定层内的多个所述颗粒的中心位于同一平面，且该平面与所述粘结层的与所述封装基板贴合的一侧表面平行；每一所述子限定层能够在所述粘结层内限定出第二预设厚度；其中，所述第一预设厚度大于或等于所述第二预设厚度。
8.在一些实施例中，所述粘结层具有变形前的初始状态及变形后其各区域的厚度均匀的预设状态；在预设状态下，所述厚度限定结构包括一个所述子限定层。
9.可选地，所述颗粒的等效粒径d小于所述粘结层在初始状态下的厚度t。
10.可选地，所述颗粒的等效粒径d与所述粘结层在初始状态下的厚度t之间满足条件：50％t≤d≤90％t。
11.可选地，每一个所述颗粒的等效粒径相等。
12.在一些实施例中，所述颗粒的材质的导热性高于所述粘结层的导热性。
13.可选地，所述粘结层的材质为有机聚合物。
14.可选地，所述粘结层的材质为环氧树脂。
15.可选地，所述颗粒的材质为金属。
16.可选地，所述颗粒的材质为金、银或者铜。
17.在一些实施例中，所述颗粒构造为空心结构。
18.在一些实施例中，所述封装基板上设有多个间隔排布的所述固定位；所述粘结层包括多个与所述固定位一一对应设置的粘接部。
19.可选地，每一所述粘接部内的所述颗粒的数量相等。
20.在一些实施例中，所述封装基板上对应所述芯片固定位设置有凹槽，所述粘结层设于所述凹槽内。
21.可选地，所述芯片裸粒至少部分设于所述凹槽内。
22.可选地，所述芯片裸粒一部分设于所述凹槽内，另一部分凸出于所述凹槽外。
23.在一些实施例中，所述凹槽的宽度大于所述芯片裸粒的宽度。
24.可选地，所述粘结层具有变形前的初始状态；所述粘结层在初始状态下的宽度小于所述凹槽的宽度。
25.根据本技术的另一个方面，还提供一种芯片封装方法，所述方法包括以下步骤：提供封装基板和若干芯片裸粒；其中，所述封装基板上设有若干芯片固定位；在所述封装基板上设置粘结层，并在所述粘结层内设置厚度限定结构；其中，所述厚度限定结构的弹性模量大于所述粘结层的弹性模量，以使所述厚度限定结构能够在所述粘结层内限定出第一预设厚度；将所述若干芯片裸粒设于所述粘结层背离所述封装基板的一侧的表面；其中，所述若干芯片裸粒与所述若干芯片固定位一一对应设置；沿所述粘结层的厚度方向按压所述芯片裸粒，以使所述粘结层变形至其各区域的厚度均匀。
26.本技术提供的芯片封装结构，在封装基板与芯片裸粒之间设置粘结层，使芯片裸粒与封装基板粘接固定，并在粘结层内设置厚度限定结构，利用厚度限定结构的弹性模量大于粘结层的弹性模量的特性，使得当粘结层在芯片裸粒或者封装基板的挤压力作用下而产生形变时，厚度限定结构产生的形变量较小，从而使厚度限定结构能够在粘结层内限定出第一预设厚度。如此，能够使粘结层与厚度限定结构的组合结构具有较为稳定的形态，使芯片裸粒与封装基板粘接固定后，粘结层与厚度限定结构的组合结构的厚度均一性较好，从而使同一芯片裸粒的不同侧的高度以及不同芯片裸粒的高度均具有良好的均匀性，进而提升最终产品的质量。
附图说明
27.图1示出了相关技术中芯片封装结构的示意图；
28.图2示出了本技术一实施例中芯片封装结构的示意图；
29.图3示出了本技术一实施例中粘结层变形前的结构示意图；
30.图4示出了本技术一实施例中粘结层变形后的结构示意图；
31.图5示出了本技术另一实施例中芯片封装结构的示意图；
32.图6示出了本技术另一实施例中芯片封装结构的示意图；
33.图7示出了本技术另一实施例中粘结层变形后的结构示意图。
34.附图标号说明：
35.10、封装基板；11、凹槽；
36.12、芯片裸粒；
37.13、粘结层；
38.14、颗粒；141、子限定层。
具体实施方式
39.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
40.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
41.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
42.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
43.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
44.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
45.芯片封装是半导体芯片制造过程的后段加工工艺，能够起到为芯片内核结构提供物理保护、实现信号互连、增强散热效果和固定效果等作用。嵌入式封装技术是众多先进封装技术的一种，由于能够缩短芯片之间连接线路的长度，改善电气特性，提升对芯片的保护效果，且工艺过程简单，而被广泛应用。
46.图1示出了相关技术中芯片封装结构的示意图。
47.参阅图1，嵌入式封装过程中，需要将芯片裸粒12嵌入封装基板10内，并且，为了防止芯片裸粒12在后续封装过程中发生位置移动或者缩小芯片裸粒12在后续封装过程中发生位置移动的距离，通常会在芯片裸粒12的一侧表面设置粘结层13(daf，die attach film)，利用粘结层13将芯片裸粒12与封装基板10进行固定。然而，由于难以保障粘接层的厚度均匀，且粘结层13容易在外力作用下发生变形，使得芯片裸粒12与封装基板10通过粘
结层13固定后，不同芯片裸粒12的高度可能存在差异，同一芯片裸粒12不同侧的高度也可能存在差异，从而对最终产品的质量产生不良影响。同时，也由于增加了粘结层13，影响了热量的扩散，导致最终产品的散热效果不佳。
48.为解决上述问题，本技术提供一种芯片封装结构，在芯片裸粒与封装基板之间设置粘结层，并在粘结层内设置粒径均匀的微球，如此，当芯片裸粒或者封装基板对粘结层产生挤压时，微球会在粘结层内更加均匀地分散开，使同一个芯片裸粒对应的粘结层的厚度较为均匀，从而提升同一芯片裸粒不同侧的高度均一性；并且，在粘结层内微球的支撑作用下，不同芯片裸粒对应的粘结层的厚度也较为均匀，从而提升不同芯片裸粒的高度均一性。
49.图2示出了本技术一实施例中芯片封装结构的示意图。
50.参阅图2，本技术一实施例提供的芯片封装结构，包括封装基板10、若干芯片裸粒12、粘结层13以及厚度限定结构。封装基板10上设有若干芯片固定位；若干芯片裸粒12设于封装基板10上，且芯片裸粒12的数量与芯片固定位的数量相等并一一对应设置。示例性地，封装基板10上设有多个阵列排布的芯片固定位，多个芯片裸粒12按照同样的阵列排布方式一一对应地固定在多个芯片固定位。粘结层13设于芯片裸粒12与封装基板10之间，以将芯片裸粒12固定在封装基板10上。厚度限定结构设于粘结层13内，其中，厚度限定结构的弹性模量大于粘结层13的弹性模量，以使厚度限定结构能够在粘结层13内限定出第一预设厚度，从而使粘结层13能够在外力作用下变形至其各区域的厚度均匀，即粘结层13能够在外力作用下变形至其各区域的厚度相等或不同区域的厚度差值小于预设差值。
51.基于此，当粘结层13在芯片裸粒12或者封装基板10的挤压力作用下而产生形变时，厚度限定结构产生的形变量较小，从而使厚度限定结构能够在粘结层13内限定出第一预设厚度。如此，粘结层13与厚度限定结构的组合结构具有较为稳定的形态，使芯片裸粒12与封装基板10粘接固定后，粘结层13与厚度限定结构的组合结构的厚度均一性较好，从而使同一芯片裸粒12的不同侧的高度以及不同芯片裸粒12的高度均具有良好的均一性，进而提升最终产品的质量。
52.图3示出了本技术一实施例中粘结层变形前的结构示意图。图4示出了本技术一实施例中粘结层变形后的结构示意图。图5示出了本技术另一实施例中芯片封装结构的示意图。图6示出了本技术另一实施例中芯片封装结构的示意图。图7示出了本技术另一实施例中粘结层变形后的结构示意图。
53.参阅图2、图3和图4，在一些实施例中，厚度限定结构包括多个分散于粘结层13内的颗粒14。可选地，参阅图2、图5和图6，颗粒14的形状为圆球形、橄榄球形或者多面体形。当粘结层13受到外力作用时，分散于粘结层13内的颗粒14在外力作用下会更均匀地分散开，并在粘结层13内铺展成单层或者多层的颗粒层。示例性地，厚度限定结构包括一个或者多个子限定层141，同一子限定层141内的多个颗粒14的中心位于同一平面，且该平面与粘结层13的与封装基板10贴合的一侧表面平行，即位于同一层的多个颗粒14组合成一个子限定层141。每一子限定层141能够在粘结层13内限定出第二预设厚度，其中，第一预设厚度大于或等于第二预设厚度。
54.需要注意，参阅图7，当厚度限定结构包括多个子限定层141，且单个子限定层141内的颗粒14数量较多，足以在粘结层13内铺满一整层时，粘结层13在外力作用下变形后，粘结层13内依然存在多个子限定层141，此时，第一预设厚度大于第二预设厚度，粘结层13的
厚度由颗粒14的粒径及子限定层141的层数决定。
55.参阅图3和图4，当单个子限定层141内的颗粒14不足以在粘结层13内铺满一整层时，粘结层13在外力作用下变形后，不同的子限定层141内的颗粒14可能会发生混合，使子限定层141的层数减少。当能够减少至子限定层141仅为一层时，第一预设厚度等于第二预设厚度。基于此，可以根据封装需求调整子限定层141的数量以及单个子限定层141内的颗粒14的数量，从而调整粘结层13在外力作用下变形后的厚度，实现对芯片裸粒12的高度的调节。
56.参阅图7，可以理解的是，当颗粒14为球形颗粒时，由于上一层颗粒层可以部分进入下一层颗粒层的间隙内，使得相邻两层颗粒层的中心所在的平面之间的间距可能会小于该两层颗粒层的平均粒径，此时，第一预设厚度小于两倍的第二预设厚度。在此基础上，粘结层13受到外力作用变形后，其厚度可能等于非整数倍的颗粒14的平均粒径。
57.在一些实施例中，粘结层13具有变形前的初始状态及变形后其各区域的厚度均匀的预设状态。在预设状态下，厚度限定结构包括一个子限定层141，同一子限定层141内的多个颗粒14的中心位于同一平面，且该平面与粘结层13的与封装基板10贴合的一侧表面平行，即在预设状态下，厚度限定结构的多个颗粒14铺展成单层颗粒层。如此，粘结层13在外力作用下变形后，粘结层13以及粘结层13内的多个颗粒14能够更好地保持稳定。并且，也由于厚度限定结构包括一个子限定层141，使得粘结层13的厚度较小，从而有利于减小芯片封装结构的整体厚度。
58.进一步地，参阅图3，颗粒14的等效粒径d小于粘结层13在初始状态下的厚度t。可选地，颗粒14的等效粒径d与粘结层13在初始状态下的厚度t之间满足条件：50％t≤d≤90％t。示例性地，d＝55％t，d＝60％t，d＝65％t，d＝70％t，d＝75％t，d＝80％t，d＝85％t。可以理解的是，颗粒14的大小称为粒径(grain size)，又称粒度或者直径。当被测颗粒14的某种物理特性或物理行为与某一直径的同质球体最相近时，就把该球体的直径作为被测颗粒14的等效粒径。在本技术中，粘结层13用于芯片封装结构，而芯片的尺寸很小，因此粘结层13的厚度也相应较小，在此基础上，分散于粘结层13内的颗粒14的粒径也较小。在此基础上，难以确保每一个颗粒14的形状均为规则的圆球形或者正多面体形，因此，本实施例通过限定多个颗粒14的等效粒径，使其等效粒径小于粘结层13在初始状态下的厚度，从而更好地保障多个颗粒14均隐藏于粘结层13内而不直接与芯片裸粒12或者封装基板10接触，以保障良好的粘接固定效果，并降低颗粒14对芯片裸粒12造成磨损或挤压的风险。
59.可选地，每一个颗粒14的等效粒径相等。如此，能够进一步提升粘结层13的厚度均一性。
60.在一些实施例中，颗粒14的材质的导热性高于粘结层13的导热性。可选地，粘结层13的材质为有机聚合物，例如，粘结层13的材质为环氧树脂。可选地，颗粒14的材质为金属，例如，颗粒14的材质为金、银或者铜。通过在粘结层13内设置导热性更高的颗粒14作用厚度限定结构，实现了对粘结层13的厚度均一性的提升的同时，提升了芯片封装结构的散热性能。
61.在一些实施例中，颗粒14构造为空心结构。如此，粘结层13内的颗粒14具备一定的变形能力，能够进一步减轻的芯片裸粒12产生的挤压，使得多个颗粒14在粘结层13内起到支撑作用以实现对粘结层13的厚度限定的同时，提升其缓冲能力。
62.可以理解的是，当封装基板10上设有多个芯片固定位，多个芯片裸粒12一一对应多个芯片固定位设置时，用于将芯片裸粒12与封装基板10进行粘接固定的粘结层13可以是整片的粘接结构，也可以是与多个芯片固定位一一对应的多个分散的粘接结构(参阅图2)。在一可选实施例中，封装基板10上设有多个间隔排布的固定位，粘结层13包括多个与固定位一一对应设置的粘接部，如此，能够使各个芯片裸粒12更精确地固定在预设的位置上。
63.可选地，每一粘接部内的颗粒14的数量相等。基于此，能够更好地保障粘结层13在外力作用下变形后，每一个粘接部的厚度均能够维持在预设厚度，该预设厚度大于或等于第一预设厚度。
64.参阅图2、图5或图6，在一些实施例中，封装基板10上对应芯片固定位设置有凹槽11，粘结层13设于凹槽11内。如此，每一个芯片裸粒12的粘接固定均是独立的，有利于提升芯片封装的精确度。
65.可选地，芯片裸粒12至少部分设于凹槽11内。示例性地，芯片裸粒12部分设于凹槽11内，另一部分凸出于凹槽11外。基于此，芯片裸粒12设于凹槽11内的部分，会受到凹槽11的限位作用，从而起到防止芯片裸粒12发生位置移动的作用。当芯片裸粒12有一部分凸出于凹槽11外时，便于芯片裸粒12的信号线连接。
66.可选地，凹槽11的宽度大于芯片裸粒12的宽度。如此，在将芯片裸粒12放入凹槽11内时，能够更好地避免芯片裸粒12与凹槽11的槽壁或者槽口产生刮擦，从而降低芯片裸粒12被磨损的风险。
67.可选地，粘结层13具有变形前的初始状态，粘结层13在初始状态下的宽度小于凹槽11的宽度。可以理解的是，当粘结层13在外力作用下产生形变时，若粘结层13被挤压变薄，则粘结层13的宽度会变大。通过设置粘结层13在初始状态下的宽度小于凹槽11的宽度，使得粘结层13被挤压变形时，凹槽11内有一定的预留空间供粘结层13变宽的部分延伸，从而降低粘结层13被挤压后溢出凹槽11外的风险。
68.基于同样的发明目的，本技术还提供一种芯片封装方法。
69.参阅图2、图3和图4，在本技术一实施例中，该芯片封装方法包括以下步骤：
70.提供封装基板10和若干芯片裸粒12；其中，封装基板10上设有若干芯片固定位；
71.在封装基板10上设置粘结层13，并在粘结层13内设置厚度限定结构；其中，厚度限定结构的弹性模量大于粘结层13的弹性模量，以使厚度限定结构能够在粘结层13内限定出第一预设厚度；
72.将若干芯片裸粒12设于粘结层13背离封装基板10的一侧的表面；其中，若干芯片裸粒12与若干芯片固定位一一对应设置；
73.沿粘结层13的厚度方向按压芯片裸粒12，以使粘结层13变形至其各区域的厚度均匀。
74.本技术提供的芯片封装方法，在封装基板10与芯片裸粒12之间设置粘结层13，使芯片裸粒12与封装基板10粘接固定，并在粘结层13内设置厚度限定结构，利用厚度限定结构的弹性模量大于粘结层13的弹性模量的特性，使得当粘结层13在芯片裸粒12或者封装基板10的挤压力作用下而产生形变时，厚度限定结构产生的形变量较小，从而使厚度限定结构能够在粘结层13内限定出第一预设厚度。如此，能够使粘结层13与厚度限定结构的组合结构具有较为稳定的形态，使芯片裸粒12与封装基板10粘接固定后，粘结层13与厚度限定
结构的组合结构的厚度均一性较好，从而使同一芯片裸粒12的不同侧的高度以及不同芯片裸粒12的高度均具有良好的均匀性，进而提升最终产品的质量。
75.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
76.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，所述封装基板上设有若干芯片固定位；若干芯片裸粒，所述若干芯片裸粒设于所述封装基板上，且所述芯片裸粒的数量与所述芯片固定位的数量相等并一一对应设置；粘结层，所述粘结层设于所述芯片裸粒与所述封装基板之间；以及厚度限定结构，所述厚度限定结构设于所述粘结层内；其中，所述厚度限定结构的弹性模量大于所述粘结层的弹性模量，所述厚度限定结构能够在所述粘结层内限定出第一预设厚度，从而使所述粘结层能够在外力作用下变形至其各区域的厚度均匀。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述厚度限定结构包括多个分散于所述粘结层内的颗粒；优选地，所述颗粒的形状为圆球形、橄榄球形或者多面体形。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述厚度限定结构包括若干子限定层；同一所述子限定层内的多个所述颗粒的中心位于同一平面，且该平面与所述粘结层的与所述封装基板贴合的一侧表面平行；每一所述子限定层能够在所述粘结层内限定出第二预设厚度；其中，所述第一预设厚度大于或等于所述第二预设厚度。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述粘结层具有变形前的初始状态及变形后其各区域的厚度均匀的预设状态；在预设状态下，所述厚度限定结构包括一个所述子限定层；优选地，所述颗粒的等效粒径d小于所述粘结层在初始状态下的厚度t；优选地，所述颗粒的等效粒径d与所述粘结层在初始状态下的厚度t之间满足条件：50％t≤d≤90％t；优选地，每一个所述颗粒的等效粒径相等。5.根据权利要求2-4任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述颗粒的材质的导热性高于所述粘结层的导热性；优选地，所述粘结层的材质为有机聚合物；优选地，所述粘结层的材质为环氧树脂；优选地，所述颗粒的材质为金属；优选地，所述颗粒的材质为金、银或者铜。6.根据权利要求2-4任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述颗粒构造为空心结构。7.根据权利要求2-4任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板上设有多个间隔排布的所述固定位；所述粘结层包括多个与所述固定位一一对应设置的粘接部；优选地，每一所述粘接部内的所述颗粒的数量相等。8.根据权利要求1-4任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板上对应所述芯片固定位设置有凹槽，所述粘结层设于所述凹槽内；
优选地，所述芯片裸粒至少部分设于所述凹槽内；优选地，所述芯片裸粒一部分设于所述凹槽内，另一部分凸出于所述凹槽外。9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽的宽度大于所述芯片裸粒的宽度；优选地，所述粘结层具有变形前的初始状态；所述粘结层在初始状态下的宽度小于所述凹槽的宽度。10.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供封装基板和若干芯片裸粒；其中，所述封装基板上设有若干芯片固定位；在所述封装基板上设置粘结层，并在所述粘结层内设置厚度限定结构；其中，所述厚度限定结构的弹性模量大于所述粘结层的弹性模量，以使所述厚度限定结构能够在所述粘结层内限定出第一预设厚度；将所述若干芯片裸粒设于所述粘结层背离所述封装基板的一侧的表面；其中，所述若干芯片裸粒与所述若干芯片固定位一一对应设置；沿所述粘结层的厚度方向按压所述芯片裸粒，以使所述粘结层变形至其各区域的厚度均匀。

技术总结
本申请涉及一种芯片封装结构和芯片封装方法，芯片封装结构包括封装基板、若干芯片裸粒、粘结层以及厚度限定结构。封装基板上设有若干芯片固定位；若干芯片裸粒设于封装基板上，且芯片裸粒的数量与芯片固定位的数量相等并一一对应设置；粘结层设于芯片裸粒与封装基板之间；厚度限定结构设于粘结层内；其中，厚度限定结构的弹性模量大于粘结层的弹性模量，以使厚度限定结构能够在粘结层内限定出第一预设厚度，从而使粘结层能够在外力作用下变形至其各区域的厚度均匀。该芯片封装结构能够解决芯片裸粒与封装基板粘接固定后芯片裸粒的高度均一性较差的问题。度均一性较差的问题。度均一性较差的问题。


技术研发人员：吕奎 王健 邢汝博
受保护的技术使用者：昆山国显光电有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/7/21