显示面板及其制作方法和显示面板与流程

1.本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及显示面板及其制作方法和显示面板。


背景技术：

2.大尺寸透明显示产品为了提升透明效果，通常采用顶发射器件结构，根据发光方式发光器件el的阴极变为透明阴极。但是透明阴极(比如ito)的电阻相对较大，当显示屏幕尺寸较大时，透明阴极离输入信号(input-signal)区域越远，导致信号延迟(signal delay)及驱动电压(driving voltage)减小，容易造成屏幕中心区域与边缘区域oled器件的驱动电压差距大，即存在电压降(ir drop)的问题，导致显示面板的亮度发生偏差，导致显示面板品质下降。为了降低阴极的电压降，通常会设置辅助阴极，阴极与辅助阴极之间的连接以及tft中漏极与发光器件阳极的连接均需要通过贯穿钝化层的通孔实现，但是在制作钝化层通孔的过程中依然会存在很多问题。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制作显示面板的方法，该方法可以缓解对辅助阴极和漏极的损伤。
4.在本发明的一方面，本发明提供了一种制作显示面板的方法。根据本发明的实施例，制作显示面板的方法包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括辅助阴极和漏极；在所述阵列基板的表面上形成钝化初层，且所述钝化初层覆盖所述辅助阴极和所述漏极；通过湿法刻蚀形成贯穿所述钝化初层的第一通孔和第二通孔，得到钝化层，且所化第一通孔暴露出所述辅助阴极，所述第二通孔暴露出所述漏极，其中，所述第一通孔用于所述辅助阴极与发光器件中的阴极的电连接，所述第二通孔用于所述漏极与所述发光器件中的阳极的电连接。由此，通过湿法刻蚀形成第一通孔和第二通孔，刻蚀的过程中不会对第一通孔暴露出辅助阴极和第二通孔暴露出的漏极造成损伤，进而可以避免后续的金属刻蚀液会对通孔内的辅助阴极和漏极造成进一步的腐蚀，从而避免由于辅助阴极和漏极受损而引起的暗点不良的问题。
5.根据本发明的实施例，制作显示面板的方法还包括：在所述钝化层远离所述阵列基板的表面上形成平坦层，所述平坦层具有贯穿所述平坦层的第一过孔和第二过孔，且所述第一过孔在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影，所述第二过孔在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影；在所述第一过孔暴露的所述钝化层的表面上形成第一导电转接结构，所述第一导电转接结构通过所述第一通孔与所述辅助阴极电连接，且与所述阴极电连接；在所述第二过孔暴露的所述钝化层的表面上形成第二导电转接结构，所述第二导电转接结构通过所述第二通孔与所述漏极电连接，且与所述阳极电连接；在所述平坦层远离所述阵列基板的表面上形成所述发光器件。
6.根据本发明的实施例，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括氢氟酸。
7.根据本发明的实施例，在所述刻蚀液中，所述氢氟酸的质量浓度为3％～5％。
8.根据本发明的实施例，形成所述第一通孔和所述第二通孔的方法包括：在所述钝化初层远离所述阵列基板的表面上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，得到具有第一孔洞和第二孔洞的图案化光刻胶，所述第一孔洞和所述第二孔洞暴露出所述钝化初层的部分表面；通过所述第一孔洞和所述第二孔洞使得所述刻蚀液蚀刻所述第一孔洞和所述第二孔洞暴露出的所述钝化初层部分，得到所述第一通孔和所述第二通孔。
9.根据本发明的实施例，形成所述第一导电转接结构、所述第二导电转接结构和所述阳极的方法包括：分别在所述第一过孔和所述第二过孔中形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极通过所述第一通孔与所述辅助阴极电连接，所述第二透明电极通过所述第二通孔与所述漏极电连接，所述第二透明电极构成所述第二导电转接结构；在所述第一透明电极远离所述阵列基板的表面上形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述阵列基板的表面上形成第二金属层，在所述平坦层的表面上形成所述发光器件的所述反射阳极金属层；在所述第二金属层远离所述阵列基板的表面上第三透明电极，在所述反射阳极金属层远离所述阵列基板的表面上形成第四透明电极；对所述第一金属层、所述第二金属层和所述反射阳极金属层进行刻蚀，分别得到第一金属连接层、第二金属连接层和反射阳极层，使得所述第一金属连接层和所述第二金属连接层在所述阵列基板上的正投影均位于所述第一透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，所述第一金属连接层的面积和所述第二金属连接层的面积小于均所述第一透明电极的面积，且所述第一金属连接层和所述第二金属连接层在所述阵列基板上的正投影均位于所述第三透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，所述第一金属连接层的面积和所述第二金属连接层的面积小于均所述第三透明电极的面积；所述反射阳极层在所述阵列基板上的正投影位于所述第四透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，且所述反射阳极层的面积小于所述第四透明电极的面积，其中，所述反射阳极层和所述第四透明电极共同构成所述阳极，所述第一透明电极、所述第一金属连接层、所述第二金属连接层和所述第三透明电极共同构成所述第一导电转接结构。
10.根据本发明的实施例，所述第一透明电极包括层叠设置的第一子透明电极和第一缓冲透明电极，所述第一子透明电极设置在所述钝化层的表面上，所述第二透明电极包括层叠设置的第二子透明电极和第二缓冲透明电极，所述第二子透明电极设置在所述钝化层的表面上。
11.根据本发明的实施例，所述第一缓冲透明电极与所述第一金属层连续沉积形成。
12.根据本发明的实施例，所述第一子透明电极和所述第二子透明电极通过同一步骤同材料形成，所述第一缓冲透明电极和所述第二缓冲透明电极通过同一步骤同材料形成；所述第二金属层和所述反射阳极金属层通过同一步骤同材料形成，所述第三透明电极和所述第四透明电极通过同一步骤同材料形成；所述第一金属连接层、所述第二金属连接层和所述反射阳极层通过同一刻蚀步骤形成。
13.在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，显示面板是前面所述的方法制作得到的。由此，该显示面板具有良好的显示质量，减少暗点不良的负面现象。本领域技术人员可以理解，该显示面板具有前面所述制作显示面板的方法的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
14.在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有良好的显示质量，减少暗点不良的负面现象。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述制作显示面板的方法的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
15.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
16.图1是本发明一个实施例中制作显示面板的结构流程图；
17.图2是本发明另一个实施例中制作显示面板的结构流程图；
18.图3是本发明另一个实施例中制作显示面板的结构流程图；
19.图4是本发明另一个实施例中制作显示面板的结构流程图。
具体实施方式
20.下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
21.下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。
22.在本发明的一方面，本发明提供了一种制作显示面板的方法。根据本发明的实施例，参照图1，制作显示面板的方法包括：
23.s100：提供阵列基板10，阵列基板10包括辅助阴极11和漏极12。
24.在本发明的一些实施例中，阵列基板包括基板、遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层、源极漏极、辅助阴极等结构，其中，辅助阴极和源极漏极可以同层设置，在工艺上，可以同过同步骤同材料形成，辅助阴极和源极漏极的具体材料可以为铜、钼和钕中的至少一种。
25.s200：在阵列基板10的表面上形成钝化初层200，且钝化初层200覆盖辅助阴极11和漏极12。
26.形成出钝化初层200的方法没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，在一些实施例中，形成钝化初层的方法包括但不限于物理气相沉积法，比如为磁控溅射等方法。
27.s300：通过湿法刻蚀形成贯穿钝化初层200的第一通孔21和第二通孔22，得到钝化层20，且第一通孔21暴露出辅助阴极11，第二通孔22暴露出漏极12，其中，第一通孔21用于辅助阴极11与发光器件中的阴极的电连接，第二通孔22用于漏极12与发光器件中的阳极的电连接。
28.根据本发明的实施例，通过湿法刻蚀形成第一通孔和第二通孔，刻蚀的过程中不会对第一通孔暴露出辅助阴极和第二通孔暴露出的漏极造成损伤，进而可以避免后续的金属刻蚀液会对通孔内的辅助阴极和漏极造成进一步的腐蚀，从而避免由于辅助阴极和漏极
受损而引起的暗点不良的问题。
29.在制作显示面板的过程中，通常是利用干法刻蚀(比如等离子体)对氧化硅、硅、氮化硅、氮氧化硅或有机绝缘材料等材料形成的缓冲层、栅绝缘层、层间介质层、钝化层或平坦层等绝缘层进行刻蚀，但是发明人发现，在干法刻蚀的过程中，若是等离子体接触到金属层，会对金属层造成损伤，如此会导致受损的金属层对刻蚀液的耐腐蚀性更差，使得金属层受到严重的腐蚀，进而更容易引起暗点不良等问题，影响显示面板的显示质量。为解决上述技术问题，发明人将对钝化初层刻蚀形成第一通孔和第二通孔的方法改为湿法刻蚀，进而避免的辅助阴极和漏极遭受等离子体的损害，进而可以避免后续的金属刻蚀液会对通孔内的辅助阴极和漏极造成进一步的腐蚀，从而避免由于辅助阴极和漏极受损而引起的暗点不良的问题，以便提高显示面板显示品质的技术效果。
30.根据本发明的实施例，参照图2，形成第一通孔和第二通孔的方法包括：在钝化初层200远离阵列基板10的表面上形成光刻胶层300；对光刻胶层300进行曝光、显影处理，得到具有第一孔洞31和第二孔洞32的图案化光刻胶30，第一孔洞31和第二孔洞32暴露出钝化初层200的部分表面；通过第一孔洞31和第二孔洞32使得刻蚀液蚀刻第一孔洞31和第二孔洞32暴露出的钝化初层200部分，得到第一通孔21和第二通孔22。由此，通过形成光刻胶的方法制作第一通孔和第二通孔，既可以比较精准的控制尺寸，也可以很好的保护其他区域处的钝化层部分，以免其收到刻蚀液的损伤；而且，上述方法工艺简单成熟易实施，便于工业化量产。
31.根据本发明的实施例，湿法刻蚀的刻蚀液包括氢氟酸。由此，氢氟酸可以温和将钝化初层进行蚀刻，且不会对第一通孔和第二通孔暴露出来的辅助阴极和漏极有腐蚀现象。更进一步的，在本发明的一些实施例中，在刻蚀液中，氢氟酸的质量浓度为3％～5％，比如为3％、3.5％、4.0％、4.5％、5％等。由此，可以有效控制蚀刻速率，不宜过快又不会过慢，且便于人员的防护，不会对环境或人体造成较大的伤害。
32.根据本发明的实施例，参照图3，制作显示面板的方法还包括：
33.s400：在钝化层20远离阵列基板10的表面上形成平坦层40，平坦层40具有贯穿平坦层的第一过孔41和第二过孔42，且第一过孔41在阵列基板10上的正投影覆盖第一通孔21在阵列基板10上的正投影，第二过孔42在阵列基板10上的正投影覆盖第二通孔22在阵列基板10上的正投影。
34.s500：在第一过孔41暴露的钝化层20的表面上形成第一导电转接结构51，第一导电转接结构51通过第一通孔21与辅助阴极11电连接，且与阴极61电连接；在第二过孔42暴露的钝化层20的表面上形成第二导电转接结构52，第二导电转接结构52通过第二通孔22与漏极12电连接，且与阳极62电连接(第二导电转接结构52与阳极62之间的电连接图中未示出)；在平坦层40远离阵列基板10的表面上形成发光器件60。
35.在形成步骤中，第一导电转接结构51和第二导电转接结构52的过程中，会使用到湿法刻蚀(使用不用于刻蚀钝化初层的刻蚀液)进行对导电金属刻蚀，由于前面形成第一通孔21和第二通孔22时，采用的湿法刻蚀，避免了表面等离子体对辅助阴极11和漏极12的损伤，所以在刻蚀液对导电金属刻蚀形成第一导电转接结构51和第二导电转接结构52的过程中，可更进一步的避免该过程使用的刻蚀液对辅助阴极11和漏极12的进一步腐蚀(若是辅助阴极11和漏极12受到等离子体的损伤，在刻蚀形成第一导电转接结构51和第二导电转接
结构52的过程中，辅助阴极11和漏极12更容易受到刻蚀液的腐蚀)。
36.根据本发明的实施例，参照图4，形成第一导电转接结构、第二导电转接结构和阳极的方法包括：
37.s510：分别在第一过孔41和第二过孔42中形成第一透明电极511和第二透明电极522，:第一透明电极511通过第一通孔21与辅助阴极11电连接，第二透明电极522通过第二通孔22与漏极12电连接，第二透明电极构522成第二导电转接结构52。
38.在本发明的实施例中，参照图4，第一透明电极511包括层叠设置的第一子透明电极5111和第一缓冲透明电极5112，第一子透明电极5111设置在钝化层20的表面上，第二透明电极522包括层叠设置的第二子透明电极5221和第二缓冲透明电极5222，第二子透明电极5222设置在钝化层20的表面上。由此，通过设置第一缓冲透明电极，可以避免后续形成的第一金属层发生鼓包现象。
39.更进一步的，在上述实施例中，第一子透明电极5111和第二子透明电极5221通过同一步骤同材料形成，第一缓冲透明电极5112和第二缓冲透明电极5222通过同一步骤同材料形成。由此，可以节省工艺流程，提高制作效率。第一子透明电极5111和第二子透明电极5221、第一缓冲透明电极5112和第二缓冲透明电极5222的材料可以为ito等导电性好、透明度高的材料。
40.s520：在第一透明电极511(或者说第一缓冲透明电极5112)远离阵列基板10的表面上形成第一金属层512。
41.在本发明的一些具体实施例中，第一金属层的材料可以与辅助阴极的材料相同，即选择铜、钼和钕中的至少一种。其中，第一金属层的厚度可以为400～600纳米。
42.在一些实施例中，在制作的工艺中，该第一金属层512和上述的第一缓冲透明电极5112连续沉积得到，如此，可以更好的避免第一金属层发生鼓包。
43.s530：在第一金属层512远离阵列基板10的表面上形成第二金属层513，在平坦层40的表面上形成发光器件的反射阳极金属层621。
44.在本发明的一些具体实施例中，第二金属层的材料可以与辅助阴极的材料相同，即选择铜、钼、铝和钕中的至少一种。其中，第二金属层的厚度可以为50～150纳米。
45.在一些实施例中，第二金属层513和反射阳极金属层621通过同一步骤同材料形成，即反射阳极金属层621的材料与厚度与第二金属层513一致，如此，可以节省工艺流程，提高制作效率。
46.s540：在第二金属层513远离阵列基板10的表面上第三透明电极514，在反射阳极金属层621远离阵列基板10的表面上形成第四透明电极622。
47.在本发明的一些具体实施例中，第三透明电极和所述第四透明电极通过同一步骤同材料形成，即第三透明电极和所述第四透明电极的材料与厚度一致，如此，可以节省工艺流程，提高制作效率。其中，第三透明电极和所述第四透明电极的材料可以为ito等导电性好、透明度高的材料。
48.s550：对第一金属层512、第二金属层513和反射阳极金属层621进行刻蚀，分别得到第一金属连接层5120、第二金属连接层5130和反射阳极层5210，使得第一金属连接层5120和第二金属连接层5130在阵列基板10上的正投影均位于第一透明电极511(或者说第一子透明电极5111)在阵列基板10上的正投影的内部，第一金属连接层5120的面积和第二
金属连接层5130的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)小于均第一透明电极511(或者说第一子透明电极5111)的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)，且第一金属连接层5120和第二金属连接层5130在阵列基板10上的正投影均位于第三透明电极514在阵列基板10上的正投影的内部，第一金属连接层5120的面积和第二金属连接层5130的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)小于均第三透明电极512的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)；反射阳极层6210在阵列基板10上的正投影位于第四透明电极622在阵列基板10上的正投影的内部，且反射阳极层6210的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)小于第四透明电极622的面积(是指其在阵列基板上正投影的面积)，其中，反射阳极层6210和第四透明电极622共同构成阳极62，第一透明电极511(包括第一子透明电极5111和第一缓冲透明电极5112)、第一金属连接层5120、第二金属连接层5130和第三透明电极514共同构成第一导电转接结构51。
49.上述步骤中，通过对第一金属层512和第二金属层513的刻蚀，使得形成的第一导电转接结构呈“工”字型结构，如此结构的第一导电转接结构可以更有助于辅助阴极降低阴极的压降，且更好将阴极在第一导电转接结构断开。
50.在本发明的一些具体实施例中，如前所述，第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210的形成材料可以相同，第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210通过同一刻蚀步骤形成。如此，可以节省工艺流程，提高制作效率。
51.更进一步的，第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210的刻蚀工艺为湿法刻蚀，采用可以与第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210反应的刻蚀液，由于通常情况下第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210的材料可以选择与辅助阴极和漏极的材料，所以若是辅助阴极和漏极受到损伤，刻蚀第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210的刻蚀液会更容易的通过第一通孔和第二通孔进一步损伤到辅助阴极和漏极，即加重其受腐蚀的程度，进而加重显示面板的暗点不良。在本技术中，对钝化初层200采用湿法刻蚀，避免等离子体对辅助阴极和漏极的损伤，所以在步骤s550中便可以很好的避免刻蚀第一金属连接层5120、所述第二金属连接层5130和反射阳极层6210的刻蚀液与腐蚀辅助阴极和漏极，进而避免由其导致的暗点不良，提高显示面板的显示质量。
52.参照图4，在步骤s550形成阳极和第一导电转接结构51之后，进一步形成发光器件中的发光层63和阴极61，阴极61与第一导电转接结构51电连接，进而实现阴极与辅助阴极的连接。
53.在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，显示面板是前面所述的方法制作得到的。由此，该显示面板具有良好的显示质量，减少暗点不良的负面现象。本领域技术人员可以理解，该显示面板具有前面所述制作显示面板的方法的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
54.根据本发明的实施例，该显示面板可以为透明显示面板，也可以是非透明的显示面板，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择显示面板的具体种类。
55.在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有良好的显示质量，减少暗点不良的负
面现象。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述制作显示面板的方法的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
56.根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，比如可以为手机、电脑、ipad、游戏机等一起具有显示功能的显示装置。
57.其中，本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的显示屏，还具有显示装置所必备的结构和部件，以手机为例，还可以包括电池、cpu、摄像模组、音频模组、壳体等结构部件。
58.文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
59.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
60.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

技术特征：
1.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括辅助阴极和漏极；在所述阵列基板的表面上形成钝化初层，且所述钝化初层覆盖所述辅助阴极和所述漏极；通过湿法刻蚀形成贯穿所述钝化初层的第一通孔和第二通孔，得到钝化层，且所化第一通孔暴露出所述辅助阴极，所述第二通孔暴露出所述漏极，其中，所述第一通孔用于所述辅助阴极与发光器件中的阴极的电连接，所述第二通孔用于所述漏极与所述发光器件中的阳极的电连接。2.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法，其特征在于，还包括：在所述钝化层远离所述阵列基板的表面上形成平坦层，所述平坦层具有贯穿所述平坦层的第一过孔和第二过孔，且所述第一过孔在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影，所述第二过孔在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影；在所述第一过孔暴露的所述钝化层的表面上形成第一导电转接结构，所述第一导电转接结构通过所述第一通孔与所述辅助阴极电连接，且与所述阴极电连接；在所述第二过孔暴露的所述钝化层的表面上形成第二导电转接结构，所述第二导电转接结构通过所述第二通孔与所述漏极电连接，且与所述阳极电连接；在所述平坦层远离所述阵列基板的表面上形成所述发光器件。3.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括氢氟酸。4.根据权利要求3所述的制作显示面板的方法，其特征在于，在所述刻蚀液中，所述氢氟酸的质量浓度为3％～5％。5.根据权利要求3所述的制作显示面板的方法，其特征在于，形成所述第一通孔和所述第二通孔的方法包括：在所述钝化初层远离所述阵列基板的表面上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，得到具有第一孔洞和第二孔洞的图案化光刻胶，所述第一孔洞和所述第二孔洞暴露出所述钝化初层的部分表面；通过所述第一孔洞和所述第二孔洞使得所述刻蚀液蚀刻所述第一孔洞和所述第二孔洞暴露出的所述钝化初层部分，得到所述第一通孔和所述第二通孔。6.根据权利要求2所述的制作显示面板的方法，其特征在于，形成所述第一导电转接结构、所述第二导电转接结构和所述阳极的方法包括：分别在所述第一过孔和所述第二过孔中形成第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极通过所述第一通孔与所述辅助阴极电连接，所述第二透明电极通过所述第二通孔与所述漏极电连接，所述第二透明电极构成所述第二导电转接结构；在所述第一透明电极远离所述阵列基板的表面上形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述阵列基板的表面上形成第二金属层，在所述平坦层的表面上形成所述发光器件的反射阳极金属层；在所述第二金属层远离所述阵列基板的表面上第三透明电极，在所述反射阳极金属层远离所述阵列基板的表面上形成第四透明电极；
对所述第一金属层、所述第二金属层和所述反射阳极金属层进行刻蚀，分别得到第一金属连接层、第二金属连接层和反射阳极层，使得所述第一金属连接层和所述第二金属连接层在所述阵列基板上的正投影均位于所述第一透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，所述第一金属连接层的面积和所述第二金属连接层的面积小于均所述第一透明电极的面积，且所述第一金属连接层和所述第二金属连接层在所述阵列基板上的正投影均位于所述第三透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，所述第一金属连接层的面积和所述第二金属连接层的面积小于均所述第三透明电极的面积；所述反射阳极层在所述阵列基板上的正投影位于所述第四透明电极在所述阵列基板上的正投影的内部，且所述反射阳极层的面积小于所述第四透明电极的面积，其中，所述反射阳极层和所述第四透明电极共同构成所述阳极，所述第一透明电极、所述第一金属连接层、所述第二金属连接层和所述第三透明电极共同构成所述第一导电转接结构。7.根据权利要求6所述的制作显示面板的方法，其特征在于，所述第一透明电极包括层叠设置的第一子透明电极和第一缓冲透明电极，所述第一子透明电极设置在所述钝化层的表面上，所述第二透明电极包括层叠设置的第二子透明电极和第二缓冲透明电极，所述第二子透明电极设置在所述钝化层的表面上。8.根据权利要求7所述的制作显示面板的方法，其特征在于，所述第一缓冲透明电极与所述第一金属层连续沉积形成。9.根据权利要求7所述的制作显示面板的方法，其特征在于，所述第一子透明电极和所述第二子透明电极通过同一步骤同材料形成，所述第一缓冲透明电极和所述第二缓冲透明电极通过同一步骤同材料形成；所述第二金属层和所述反射阳极金属层通过同一步骤同材料形成，所述第三透明电极和所述第四透明电极通过同一步骤同材料形成；所述第一金属连接层、所述第二金属连接层和所述反射阳极层通过同一刻蚀步骤形成。10.一种显示面板，其特征在于，是利用权利要求1～9中任一项所述的方法制作得到的。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。

技术总结
本发明提供了显示面板及其制作方法和显示装置。制作显示面板的方法包括：提供阵列基板，阵列基板包括辅助阴极和漏极；在阵列基板的表面上形成钝化初层，且钝化初层覆盖辅助阴极和漏极；通过湿法刻蚀形成贯穿钝化初层的第一通孔和第二通孔，得到钝化层，且第一通孔暴露出辅助阴极，第二通孔暴露出所述漏极，第一通孔用于辅助阴极与发光器件中的阴极的电连接，第二通孔用于漏极与发光器件中的阳极的电连接。湿法刻蚀形成第一通孔和第二通孔，刻蚀的过程中不会对辅助阴极和漏极造成损伤，进而可以避免后续的金属刻蚀液会对通孔内的辅助阴极和漏极造成进一步的腐蚀，从而避免由于辅助阴极和漏极受损而引起的暗点不良的问题。助阴极和漏极受损而引起的暗点不良的问题。助阴极和漏极受损而引起的暗点不良的问题。


技术研发人员：苏同上 成军 闫梁臣
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2023.04.25
技术公布日：2023/7/25