一种太阳能电池及其制作方法与流程

1.本技术涉及光伏领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法。


背景技术：

2.topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化钝化接触技术)电池在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂非晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，使得电池光电转换效率提升。但是，研究发现电池背面整面的掺杂非晶硅层也影响对长波光的吸收。
3.目前，为了解决背面整面非晶硅层带来的问题，采取将非晶硅层减薄的方式。但是，目前的解决方式仍然存在以下缺陷：第一，非晶硅层减薄后，杂质原子的掺杂量会变低，钝化及接触效果也会降低，从而使得电池光电转换效率受到影响；第二，仅仅是将背面整面非晶硅层减薄，背面非栅线区还是存在影响长波吸收的现象，该方式仍具有局限性。
4.因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。


技术实现要素：

5.本技术的目的是提供一种太阳能电池及其制作方法，以提升电池光电转换效率。
6.为解决上述技术问题，本技术提供一种太阳能电池，包括：
7.硅片；
8.设于所述硅片背面依次层叠的第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层；
9.设于所述硅片正面的掺杂层；
10.设于所述硅片正面依次层叠的第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层；
11.正面电极和背面电极；所述第一图形化隧穿氧化层和所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状与所述背面电极的形状相同，且与所述背面电极相对应；所述第二图形化隧穿氧化层和所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状与所述正面电极的形状相同，且与所述正面电极相对应。
12.可选的，所述背面电极为铝电极。
13.可选的，所述第一图形化掺杂非晶硅层中掺杂浓度的范围为0.1e21～2.0e21，包括端点值。
14.可选的，还包括：
15.设于所述硅片背面的第一钝化层。
16.可选的，所述第一钝化层包括氧化铝层和氮化硅层。
17.可选的，还包括：
18.设于所述硅片正面的第二钝化层。
19.本技术还提供一种太阳能电池制作方法，包括：
20.对硅片的正面进行掺杂形成掺杂层；
21.在所述硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂非晶硅层；
22.在所述硅片的正面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂非晶硅层；
23.在所述硅片的正面和背面分别形成图形化掩膜层；
24.去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层；
25.去除所述图形化掩膜层；
26.去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层；
27.在所述硅片的正面和背面分别印刷电极浆料并烧结，形成正面电极和背面电极；所述正面电极与所述第二图形化隧穿氧化层、所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应；所述背面电极所述第一图形化隧穿氧化层、所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应。
28.可选的，去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层包括：
29.使用碱性溶液去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层。
30.可选的，去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层包括：
31.使用酸性溶液去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层。
32.可选的，对硅片的正面进行掺杂形成掺杂层之前，还包括：
33.对所述硅片进行制绒处理。
34.本技术所提供的一种太阳能电池，包括：硅片；设于所述硅片背面依次层叠的第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层；设于所述硅片正面的掺杂层；设于所述硅片正面依次层叠的第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层；正面电极和背面电极；所述第一图形化隧穿氧化层和所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状与所述背面电极的形状相同，且与所述背面电极相对应；所述第二图形化隧穿氧化层和所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状与所述正面电极的形状相同，且与所述正面电极相对应。
35.可见，本技术在太阳能电池的背面设置的是第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层，第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层形状与背面电极相对应，即仅在背面栅线区设置第一图形化掺杂非晶硅层，非栅线区没有第一图形化掺杂非晶硅层，第一图形化掺杂非晶硅层可以避免对长波光的吸收影响，改善电池的弊端，提升电池光电转换效率，并且，无需采用减薄背面掺杂非晶硅的方式，可以避免背面的接触钝化效果
降低，进而避免电池光电转换效率受到影响。另外，本技术在电池的正面也设置有第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层，可以在电池正面阻挡少数载流子通过、允许多数载流子通过，形成极高的载流子浓度势垒，从而增强电池正面钝化及接触效果，提升电池光电转换效率。因此，本技术中的太阳能电池相较于常规技术中的电池，电池光电转换效率增加。
36.此外，本技术还提供一种具有上述优点的电池制作方法。
附图说明
37.为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1为本技术实施例所提供的一种太阳能电池的结构示意图；
39.图2为本技术实施例所提供的一种太阳能电池制作方法的流程图；
40.图中，1、硅片，2、掺杂层，3、第二图形化隧穿氧化层，4、第二图形化掺杂非晶硅层，5、第二钝化层，6、正面电极，7、第一图形化隧穿氧化层，8、第一图形化掺杂非晶硅层，9、氧化铝层，10、氮化硅层，11、背面电极。
具体实施方式
41.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
43.正如背景技术部分所述，目前为了解决电池背面整面非晶硅层带来的问题，采取将非晶硅层减薄的方式，但是，仍然会影响电池的光电转换效率。
44.有鉴于此，本技术提供了一种太阳能电池，请参考图1，该太阳能电池包括：
45.硅片1；
46.设于所述硅片1背面依次层叠的第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8；
47.设于所述硅片1正面的掺杂层2；
48.设于所述硅片1正面依次层叠的第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4；
49.正面电极6和背面电极11；所述第一图形化隧穿氧化层7和所述第一图形化掺杂非晶硅层8的形状与所述背面电极11的形状相同，且与所述背面电极11相对应；所述第二图形化隧穿氧化层3和所述第二图形化掺杂非晶硅层4的形状与所述正面电极6的形状相同，且与所述正面电极6相对应。
50.硅片1的正面即接收太阳光线照射的一面，硅片1的背面与正面相背。
51.作为一种可实施方式，硅片1的正面具有绒面结构，绒面结构具有陷光效果，可以增加对太阳光线的吸收效率，进而增加电池的光电转换效率。
52.本技术中的硅片1为n型硅片，相较于p型硅片，n型硅片具有高少子寿命的优势，使得电池光电转换效率更高。n型单晶硅片的厚度可以为100-160μm，包括端点值，电阻率可以为0.4-10ohm/sq，包括端点值。
53.当硅片1为n型硅片，掺杂层2为p型掺杂层，与硅片1形成pn结，掺杂层2的掺杂元素可以为硼(b)等。为了提升电池的转换光电转换效率，掺杂层2的方块电阻可以为100-180ohm/sq，包括端点值，结深可以为0.1-0.4μm，包括端点值。
54.第一图形化隧穿氧化层7为二氧化硅层，第一图形化隧穿氧化层7的厚度范围可以为1.2-2.0nm，包括端点值。
55.第一图形化掺杂非晶硅层8为n型掺杂非晶硅，掺杂元素可以为磷(p)等，第一图形化掺杂非晶硅层8的厚度范围可以为60-200nm，包括端点值。
56.为了进一步提升电池的光电转换效率，作为一种可实施方式，所述第一图形化掺杂非晶硅层8中掺杂浓度的范围为0.1e21～2.0e21，包括端点值。
57.第一图形化掺杂非晶硅层8的方块电阻可以为70-130ohm/sq，包括端点值。第一图形化掺杂非晶硅层8的方块电阻可以使用p型硅片1监控得到。
58.第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8的形状相同，且与背面电极11的形状相同，同时第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8与背面电极11相对应。背面电极11的所在区域称为背面栅线区，也即第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8的区域与背面栅线区相同，在背面非栅线区没有设置掺杂非晶硅层，可以避免背面非栅线区对长波光的吸收，进而提升电池光电转换效率。其中，背面栅线区的宽度可以在30-150μm，也即第一图形化隧穿氧化层7、第一图形化掺杂非晶硅层8和背面电极11的宽度在30-150μm，包括端点值。
59.第二图形化隧穿氧化层3厚度可以在1.2-2.0nm，包括端点值。
60.第二图形化掺杂非晶硅层4为p型掺杂非晶硅，掺杂元素可以为硼(b)等，第二图形化掺杂非晶硅层4厚度可以在30-200nm，包括端点值。第二图形化掺杂非晶硅层4中掺杂浓度本技术中不做限定，可自行设置。
61.第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4的形状相同，且与正面电极6的形状相同，同时第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4与正面电极6相对应。正面电极6的所在区域称为正面栅线区，也即第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4的区域与正面栅线区相同。其中，正面栅线区的宽度可以在30-150μm，也即第二图形化隧穿氧化层3、第二图形化掺杂非晶硅层4和正面电极6的宽度在30-150μm，包括端点值。
62.本实施例中在电池的正面设置有第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4，在正面形成钝化接触，可以进一步提升电池的光电转换效率。
63.正面电极6可以为银电极。
64.需要说明的是，本技术中对背面电极11不做限定，可自行设置。例如，背面电极11可以为银电极，或者所述背面电极11为铝电极。当背面电极11为铝电极时，铝浆料价格低，
可以降低电池制作成本。
65.作为一种可实施方式，在本技术的一个实施例中，太阳能电池还可以包括：
66.设于所述硅片1背面的第一钝化层，第一钝化层可以增强电池背面的钝化效果，进一步提升电池的光电转换效率。
67.第一钝化层包括在远离硅片1方向上层叠的氧化铝层9和氮化硅层10。
68.作为一种可实施方式，在本技术的一个实施例中，太阳能电池还可以包括：
69.设于所述硅片1正面的第二钝化层5。
70.第二钝化层5可以为氧化铝层，或者氮化硅层，或者在远离硅片1方向上层叠的氧化铝层和氮化硅层，均在本技术的保护范围内。
71.本实施例在太阳能电池的背面设置的是第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8，第一图形化隧穿氧化层7和第一图形化掺杂非晶硅层8形状与背面电极11相对应，即仅在背面栅线区设置第一图形化掺杂非晶硅层8，非栅线区没有第一图形化掺杂非晶硅层8，第一图形化掺杂非晶硅层8可以避免对长波光的吸收影响，改善电池弊端，提升电池光电转换效率，并且，无需采用减薄背面掺杂非晶硅的方式，可以避免背面的接触钝化效果降低，进而避免电池光电转换效率受到影响。另外，本技术在电池的正面也设置有第二图形化隧穿氧化层3和第二图形化掺杂非晶硅层4，可以在电池正面阻挡少数载流子通过、允许多数载流子通过，形成极高的载流子浓度势垒，从而增强电池正面钝化及接触效果，提升电池光电转换效率。因此，本技术中的太阳能电池相较于常规技术中的电池，电池光电转换效率增加。
72.请参考图2，本技术还提供一种太阳能电池制作方法，包括：
73.步骤s101：对硅片的正面进行掺杂形成掺杂层。
74.作为一种可实施方式，可以采用扩散的方式对硅片的正面进行掺杂。但是本技术对此并不做具体限定，作为另一种可实施方式，还可以采用离子注入的方式对硅片的正面进行掺杂。
75.硅片可以为n型硅片，掺杂元素可以为硼，掺杂层的方块电阻可以为100-180ohm/sq，包括端点值，结深可以为0.1-0.4μm，包括端点值。当采用扩散方式时，扩散温度可以在800-1100℃，扩散时间可以为10-50分钟。
76.需要指出的是，在扩散时还会在硅片的背面和侧面产生硼硅玻璃(bsg)层，bsg层厚度可以在110-160nm。在扩散结束后，还需要去除背面和侧面的bsg层，并对硅片背面进行抛光。
77.步骤s102：在所述硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂非晶硅层。
78.第一隧穿氧化层和第一掺杂非晶硅层是在背面整面的。
79.在所述硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂非晶硅层包括：
80.在硅片的背面依次沉积第一隧穿氧化层和第一多晶硅层；第一隧穿氧化层厚度可以在1.2-2.0nm，第一多晶硅层厚度可以在60-200nm；
81.对第一多晶硅层进行掺杂，形成第一掺杂多晶硅层；其中，第一掺杂多晶硅层为n型掺杂多晶硅，掺杂元素可以为磷，掺杂浓度的范围为0.1e21～2.0e21；第一掺杂多晶硅层的方块电阻使用p型硅片监控可以在70-130ohm/sq；
82.对第一掺杂多晶硅层进行高温晶化处理，形成第一掺杂非晶硅层；
83.使用氢氟酸溶液去除硅片正面和侧面的磷硅玻璃(psg)层；其中，psg层由对第一多晶硅层进行掺杂形成，psg层的厚度可以在10-80nm。
84.第一隧穿氧化层和第一多晶硅层的沉积方式可以为低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)法，lpcvd设备可一站式完成第一隧穿氧化层和第一多晶硅层的制备，热氧和淀积第一多晶硅层两个工艺二合一能够大幅提高产能，降低设备成本。热氧工艺完成后在低压状态下进行淀积第一多晶硅层，除节约时间外，更重要的是能够对第一隧穿氧化层起到保护作用，一方面使第一隧穿氧化层不会在出舟过程中被进一步氧化，失去隧穿效应；另一方面第一隧穿氧化层也不会在空气中被污染。
85.步骤s103：在所述硅片的正面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂非晶硅层。
86.第二隧穿氧化层和第二掺杂非晶硅层是在正面整面的。
87.在所述硅片的正面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂非晶硅层包括：
88.在硅片的正面依次沉积第二隧穿氧化层和第二多晶硅层；第二隧穿氧化层厚度可以在1.2-2.0nm，第二多晶硅层厚度可以在30-200nm；
89.对第二多晶硅层进行掺杂，形成第二掺杂多晶硅层；其中，第二掺杂多晶硅层为p型掺杂多晶硅，掺杂元素可以为硼；
90.对第二掺杂多晶硅层进行高温晶化处理，形成第二掺杂非晶硅层；
91.去除背面和侧面的bsg层；其中，bsg层由对第二多晶硅层进行掺杂形成。
92.第二隧穿氧化层和第二多晶硅层的沉积方式可以为低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)法，lpcvd设备可一站式完成第二隧穿氧化层和第二多晶硅层的制备，热氧和淀积第二多晶硅层两个工艺二合一能够大幅提高产能，降低设备成本。热氧工艺完成后在低压状态下进行淀积第一多晶硅层，除节约时间外，更重要的是能够对第二隧穿氧化层起到保护作用，一方面使第二隧穿氧化层不会在出舟过程中被进一步氧化，失去隧穿效应；另一方面第二隧穿氧化层也不会在空气中被污染。
93.需要指出的是，步骤s102和步骤s103的顺序可以相互调换，本技术不做具体限定。
94.步骤s104：在所述硅片的正面和背面分别形成图形化掩膜层。
95.图形化掩膜层可以为蜡印，图形化掩膜层的形状与后续正面电极、背面电极的形状相同。
96.需要说明的是，在形成图形化掩膜层之后，需要将正面未被所述图形化掩膜层覆盖的bsg层以及背面未被所述图形化掩膜层覆盖的psg层完全去除或者减薄，侧面bsg层、psg层、bpsg层进行完全去除。
97.步骤s105：去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层。
98.作为一种可实施方式，去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层包括：
99.使用碱性溶液去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层。
100.碱性溶液包括但不限于氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。图形化掩膜层为耐碱性溶
液。
101.步骤s106：去除所述图形化掩膜层。
102.当图形化掩膜层为蜡印，可以使用bdg(二乙二醇丁醚)将正面和背面的图形化掩膜层去除。
103.步骤s107：去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层。
104.作为一种可实施方式，去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层包括：
105.使用酸性溶液去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层。
106.需要说明的是，酸性溶液同时还将正面原来被所述图形化掩膜层覆盖的bsg层以及背面原来被所述图形化掩膜层覆盖的psg层一起去除。
107.酸性溶液可以为氢氟酸溶液，或者氢氟酸和盐酸的混合溶液。
108.在本技术的一个实施例中，去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层之后，还包括：
109.在所述硅片的背面制作第一钝化层；
110.在所述硅片的正面制作第二钝化层。
111.步骤s108：在所述硅片的正面和背面分别印刷电极浆料并烧结，形成正面电极和背面电极；
112.所述正面电极与所述第二图形化隧穿氧化层、所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应；所述背面电极所述第一图形化隧穿氧化层、所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应。
113.正面和背面的电极浆料采用丝网印刷的方式印刷形成，正面电极浆料为银浆料，背面电极浆料即可为银浆料，也可以为铝浆料。背面电极浆料使用铝浆料时，可以降低制作成本。
114.本实施例制作的太阳能电池，在太阳能电池的背面设置的是第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层，第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层形状与背面电极相对应，即仅在背面栅线区设置掺杂非晶硅层，非栅线区没有掺杂非晶硅层，第一图形化掺杂非晶硅层可以避免对长波光的吸收影响，提升电池光电转换效率，并且，无需采用减薄背面掺杂非晶硅的方式，可以避免背面的接触钝化效果降低，进而避免电池光电转换效率受到影响。另外，本技术在电池的正面也设置有第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层，可以在电池正面阻挡少数载流子通过、允许多数载流子通过，形成极高的载流子浓度势垒，从而增强电池正面钝化及接触效果，提升电池光电转换效率。因此，本技术中的太阳能电池相较于常规技术中的电池，电池光电转换效率增加。
115.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，对硅片的正面进行掺杂形成
掺杂层之前，还包括：
116.对所述硅片进行制绒处理。
117.制绒时先在硅片正面和背面两面形成绒面结构，背面的绒面结构经过抛光处理后去掉。
118.通过制绒处理，可以在硅片的正面形成绒面结构，绒面结构具有陷光效果，可以增加对太阳光线的吸收效率，进而增加电池的光电转换效率。
119.制绒的具体方式可参考相关技术，此处不再详细赘述。
120.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
121.以上对本技术所提供的太阳能电池及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以对本技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本技术权利要求的保护范围内。

技术特征：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅片；设于所述硅片背面依次层叠的第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层；设于所述硅片正面的掺杂层；设于所述硅片正面依次层叠的第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层；正面电极和背面电极；所述第一图形化隧穿氧化层和所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状与所述背面电极的形状相同，且与所述背面电极相对应；所述第二图形化隧穿氧化层和所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状与所述正面电极的形状相同，且与所述正面电极相对应。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述背面电极为铝电极。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一图形化掺杂非晶硅层中掺杂浓度的范围为0.1e21～2.0e21，包括端点值。4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：设于所述硅片背面的第一钝化层。5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化铝层和氮化硅层。6.如权利要求1至5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：设于所述硅片正面的第二钝化层。7.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：对硅片的正面进行掺杂形成掺杂层；在所述硅片的背面依次形成第一隧穿氧化层和第一掺杂非晶硅层；在所述硅片的正面依次形成第二隧穿氧化层和第二掺杂非晶硅层；在所述硅片的正面和背面分别形成图形化掩膜层；去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层；去除所述图形化掩膜层；去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层；在所述硅片的正面和背面分别印刷电极浆料并烧结，形成正面电极和背面电极；所述正面电极与所述第二图形化隧穿氧化层、所述第二图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应；所述背面电极所述第一图形化隧穿氧化层、所述第一图形化掺杂非晶硅层的形状相同，且相对应。8.如权利要求7所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层包括：使用碱性溶液去除未被所述图形化掩膜层覆盖的所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层，对应形成所述第一图形化掺杂非晶硅层和所述第二图形化掺杂非晶硅层。9.如权利要求7所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，去除未被所述第一图形化掺
杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层包括：使用酸性溶液去除未被所述第一图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第一隧穿氧化层、以及未被所述第二图形化掺杂非晶硅层覆盖的所述第二隧穿氧化层，对应形成第一图形化隧穿氧化层和第二图形化隧穿氧化层。10.如权利要求7至9任一项所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，对硅片的正面进行掺杂形成掺杂层之前，还包括：对所述硅片进行制绒处理。

技术总结
本申请涉及光伏领域，公开了太阳能电池及其制作方法，包括：硅片；设于硅片背面依次层叠的第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层；设于硅片正面的掺杂层；设于硅片正面依次层叠的第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层；正面电极和背面电极；第一图形化隧穿氧化层和第一图形化掺杂非晶硅层的形状与背面电极的形状相同，且与背面电极相对应；第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层的形状与正面电极的形状相同，且与正面电极相对应。本申请仅在背面栅线区设置第一图形化掺杂非晶硅层，可避免背面对长波光的吸收影响；在正面设有第二图形化隧穿氧化层和第二图形化掺杂非晶硅层，增强正面钝化及接触效果，提升电池转换效率。提升电池转换效率。提升电池转换效率。


技术研发人员：范洵 付少剑 张明明
受保护的技术使用者：滁州捷泰新能源科技有限公司
技术研发日：2023.04.25
技术公布日：2023/7/25