用于校准电阻的方法、设备、介质和系统与流程

1.本发明的实施例总体涉及电阻校准，并且更具体地涉及一种用于校准电阻的方法、计算设备、计算机存储介质和用于校准电阻的系统。


背景技术：

2.人工智能、大数据等技术的迅猛发展不仅使得信息处理总量显著增加，而且对数据的传输速率也提出了更高要求。在高速信号的传输中，发射器和接收器均需要高精度的电阻终端，用以保证信号的传输质量，因而电阻校准技术就被应用于芯片内部需要高精度阻值的情况。
3.传统的用于校准电阻的方案，例如是通过电流流过芯片外电阻，该芯片外电阻的精度一般可以配置得较高，因而电阻两端所产生的基准电压的准确度较高。然后使得流经芯片外电阻流过或者成比例地流过芯片内电阻，并且用一组控制位来控制芯片内电阻的阻值，以便控制芯片内电阻两端的电压，使得芯片内电阻两端的电压与芯片外电阻两端的基准电压相等，则芯片内电阻的阻值则与芯片外电阻的阻值存在比例关系，由此，可以利用精度较高的芯片外电阻来校准芯片内电阻的阻值。
4.在上述传统的用于校准电阻的方案中，通常利用比较器来比较芯片内电阻两端的电压与芯片外电阻两端的基准电压，当芯片内电阻两端的电压与芯片外电阻两端的基准电压不相等时，则调整控制位，以使得芯片内电阻两端的电压尽可能接近基准电压，但是，实际应用中，在环境因素的干扰下，由于比较器的精度有限，当芯片内电阻两端的电压接近基准电压时，比较器的运算结果会出现随机的态势，进而导致相同的电阻校准流程却得到不同的校准值，从而影响校准精度。
5.综上，传统的用于校准电阻的方案存在的不足之处在于：对于比较器的精度有限的情况下，存在相同的电阻校准流程却得到不同的校准值，从而影响校准精度。


技术实现要素：

6.针对上述问题，本发明提供了一种用于校准电阻的方法、计算设备、计算机存储介质和用于校准电阻的系统，即便对于比较器的精度有限的情形，也能够有效提高校准精度。
7.根据本发明的第一方面，提供了一种用于校准电阻的方法，包括：获取比较器所输出的、关于校准电压与基准电压的多次比较结果，校准电压为待校准的电阻阵列两端的电压，基准电压是由基准电流流经参考电阻而得到的；如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整用于控制校准开关的校准值，直至确定调整校准值所对应的调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致，其中，校准开关与电阻阵列电连接；基于调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致时的调准后校准值，确定校准值上限值和校准值下限值；以及基于所确定的校准值上限值和校准值下限值，确定校准值开关的目标校准值，以用于校准待校准的电阻阵列。
8.根据本发明的第二方面，提供了一种计算设备，包括：至少一个处理器；以及与至
少一个处理器通信连接的存储器；存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行本发明的第一方面的方法。
9.根据本发明的第三方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中计算机指令用于使计算机执行本发明的第一方面的方法。
10.根据本发明的第四方面，提供了一种用于校准电阻的系统，包括：待校准的电阻阵列，配置在芯片内部；校准开关，与电阻阵列电连接；参考电阻，配置在芯片外部；比较器，被配置为接收校准电压和基准电压，以及输出关于校准电压与基准电压的比较结果，校准电压为待校准的电阻阵列两端的电压，基准电压是由基准电流流经参考电阻而得到的；以及根据本发明的第二方面的计算设备，计算设备接收比较器所输出的比较结果，以及生成用于控制校准开关的校准值。
11.在一些实施例中，基于所确定的校准值上限值和校准值下限值确定校准值开关的目标校准值包括：计算校准值上限值和校准值下限值的平均值，以便基于所计算的平均值确定校准值开关的目标校准值。
12.在一些实施例中，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致调整用于控制校准开关的校准值包括：如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上加预设值，以便基于加预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果；确定多次比较结果是否指示调整校准电压均小于基准电压；如果确定多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压，停止在调整校准值上加预设值；以及如果确定多次比较结果指示调整校准电压并非均小于基准电压，在调整校准值上继续加预设值，直至确定继续加预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压。
13.在一些实施例中，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致调整用于控制校准开关的校准值包括：如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上减预设值，以便基于减预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果；确定多次比较结果是否指示调整校准电压均大于基准电压；如果确定多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压，停止在调整校准值上减预设值；以及如果确定多次比较结果指示调整校准电压并非均大于基准电压，在调整校准值上继续减预设值，直至确定继续减预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压。
14.在一些实施例中，预设值与比较器的精度相关联，参考电阻配置于芯片外部，待校准的电阻阵列配置于芯片内部。
15.在一些实施例中，基于调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致时的调准后校准值确定校准值上限值和校准值下限值包括：将多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压时的调整校准值确定为校准值下限值；以及将多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压时的调整校准值确定为校准值上限值。
16.在一些实施例中，用于校准电阻的方法还包括：基于同一类型的多个比较器所输出的关于校准电压与基准电压的比较结果，确定预设值。
17.在一些实施例中，校准电压是由另一基准电流流经待校准的电阻阵列而得到的。
18.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特
征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
19.结合附图并参考以下详细说明，本发明各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素。
20.图1示出了现有技术的用于校准电阻的方法的示意图。
21.图2示出了根据本发明的实施例的用于实施校准电阻的方法的系统的示意图。
22.图3a示出了根据本发明的实施例的当比较器正常工作时确定校准开关的校准值的方法的示意图。
23.图3b示出了根据本发明的实施例的当比较器非正常工作时确定校准开关的校准值的方法的示意图。
24.图4示出了根据本发明的实施例的用于校准电阻的方法的流程图。
25.图5示出了根据本发明的实施例的用于调整校准开关的校准值的方法的流程图。
26.图6a示出了根据本发明的实施例的当比较器在校准值“3’b100”和“3’b101”处非正常工作时调整校准开关的校准值的方法的示意图。
27.图6b示出了根据本发明的实施例的当比较器在校准值“3’b100”处非正常工作时调整校准开关的校准值的方法的示意图。
28.图7示出了根据本发明的实施例的用于调整开关的校准值的方法的流程图。
具体实施方式
29.以下结合附图对本发明的示范性实施例做出说明，其中包括本发明实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本发明的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
30.在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括，即“包括但不限于”。除非特别申明，术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
31.图1示出了现有技术的用于校准电阻的方法的示意图。以3比特的校准值开关为例，如图1所示，标记110指示基准电压，假设比较器的精度为1比特，则传统的校准电阻的方法中，比较器可能在校准开关的3比特的校准值为“3’b101”时出现比较错误，如图1的左侧部分所示，标记120所指示的校准电压实际小于基准电压110，但是比较器所输出的比较结果错误地指示“校准电压120大于基准电压110”，由此得到的目标校准值为“3’b101”，对应目标校准电压122。该目标校准电压122显然距离比较器正常工作时应当获得的期望校准电压存在较大误差。再例如，比较器也可能在校准开关的3比特的校准值为“3’b100”时出现比较错误，如图1中右侧部分所示，标记130所指示的校准电压实际大于基准电压110，但是比较器所输出的比较结果错误指示“校准电压130小于基准电压110”，由此得到的目标校准值为“3’b011”。该目标校准电压132显然距离比较器正常工作时应当获得的期望校准电压存
在较大误差，此时的校准误差甚至大于1比特。而且，当比较器的精度越低时，目标校准值的误差越大。
32.因此，如前文，传统的用于校准电阻的方案，由于比较器的精度有限，当芯片内电阻两端的电压接近基准电压时，比较器的运算结果会出现随机的态势，进而导致相同的电阻校准流程却得到不同的校准值，从而影响校准精度。
33.为了至少部分地解决上述问题以及其他潜在问题中的一个或者多个，本发明的示例实施例提出了一种用于校准电阻的方案。在该方案中，通过在校准电压与基准电压的多次比较结果不一致时，调整用于控制校准开关的校准值，使得调整校准电压远离基准电压，进而使得比较器可以精确地比较调整校准电压与基准电压的大小；以及通过多次比较结果再次一致时所确定的校准值上限值和校准值下限值准确地确定目标校准值。由此，即便对于比较器的精度有限的情形，也能够有效提高校准精度，而且显著降低了比较器的设计难度。
34.图2示出了根据本发明的实施例的用于实施校准电阻的方法的系统200的示意图。如图2所示，系统200包括：参考电阻210、比较器212、电阻阵列214、校准开关218和计算设备216。
35.关于参考电阻210，其例如为配置在芯片外部的高精度电阻。参考电阻210的一端接地，另一端分别连接电源端和比较器212的一个输入端。基准电流i
ref
流经参考电阻210而产生基准电压v
ref
。以下结合公式(1)说明出基准电压v
ref
的计算方式。
[0036]vref
＝i
ref
*r
ref
ꢀꢀ
(1)
[0037]
在上述表达式(1)中，r
ref
代表参考电阻210的电阻值。i
ref
代表基准电流。v
ref
代表基准电压。
[0038]
关于电阻阵列214，其例如是配置在芯片内部的待校准的电阻。在一些实施例中，电阻阵列214所包括的每个电阻与校准开关218中的对应开关串联。应当理解，当另一基准电流i
ref2
流入需要待校准的电阻阵列214时，在电阻阵列214两端得到校准电压v
cal
。以下结合公式(2)说明出校准电压v
cal
的计算方式。
[0039]vcal
＝i
ref2
*r
cal
[0040]
在上述表达式(2)中，r
cal
代表电阻阵列214的电阻值。i
ref2
代表与基准电流成比例的另一基准电流。v
cal
代表校准电压。由上述公式(2)可知，校准电压v
cal
是由另一基准电流i
ref2
流经待校准的电阻阵列214而得到的。
[0041]
关于校准开关218，其与电阻阵列214电连接，包括多个对应开关，每一个对应开关的一端与电阻阵列214中的对应电阻相连，另一端接地。每一个对应开关的打开和闭合状态由计算设备216所输出的校准开关的校准值s
cal
的对应控制位所控制。
[0042]
关于比较器212，其被配置为接收基准电压v
ref
和校准电压v
cal
，以及输出关于校准电压与基准电压的比较结果。比较器212的输入端分别与参考电阻210的一端和电阻阵列214的一端电连接。比较器212所输出的比较结果被提供至计算设备216。
[0043]
关于计算设备216，其被配置为接收比较器212所输出的多次比较结果，并且确定基准电压与校准电压的多次比较结果是否相一致；如果确定基准电压与校准电压的多次比较结果不相一致，调整校准开关的校准值，直至确定调整校准值所对应的调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致；确定校准值上限值和校准值下限值；以及基于所确定的
校准值上限值和校准值下限值，确定校准值开关的目标校准值，以用于校准待校准的电阻阵列。
[0044]
以下结合图3a、3b和图4示例性说明用于校准电阻的方法400。图3a示出了根据本发明的实施例的当比较器正常工作时确定校准开关的校准值的方法的示意图。图3b示出了根据本发明的实施例的当比较器非正常工作时确定校准开关的校准值的方法的示意图。图4示出了根据本发明的实施例的用于校准电阻的方法400的流程图。方法400可由如图2所示的计算设备216执行。应当理解的是，方法400还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的框，本发明的范围在此方面不受限制。
[0045]
在步骤402，计算设备216获取比较器所输出的、关于校准电压与基准电压的多次比较结果，校准电压为待校准的电阻阵列两端的电压，基准电压是由基准电流流经参考电阻而得到的。
[0046]
基准电压例如是经由预先设定。参考电阻例如也是已知的期望电阻值。在一些实施例中，参考电阻例如而不限于是50欧姆。
[0047]
基准电压与校准电压例如分别输入比较器的两个输入端，比较器输出关于基准电压与校准电压的多次比较结果。计算设备216读取比较器所输出的多次(例如而不限于是3-5次)比较结果。
[0048]
在步骤404，计算设备216确定校准电压与基准电压的多次比较结果是否相一致。例如，在二分法的每一个步骤中，重复多次使用比较器比较基准电压v
ref
和校准电压v
cal
。如果计算设备216确定校准电压与基准电压的多次比较结果相一致，跳转至步骤412，确定比较器正常工作，继续利用二分法校准电阻阵列，直至确定电阻阵列的校准值开关的目标校准值。
[0049]
例如，以3比特的校准值为例，在步骤0(即，图3a中step0)，即初始化设置步骤，令校准开关的3比特的校准值例如为“3’b100”(即，校准值的控制位为“100”)，使得校准开关基于上述校准值的控制位调整所包括对应开关的闭合状态(例如，控制位的最高位的对应开关被调整为闭合状态)。此时，比较器的多次比较结果例如指示校准电压均大于标记310所指示的基准电压。在步骤1(即，图3a中step1)，调整校准开关的3比特的校准值为“3’b110”(即，校准值的控制位为“110”)，例如，控制位的中间位的对应开关也被调整为闭合状态，此时比较器的多次比较结果例如指示校准电压322均小于标记310所指示的基准电压。在步骤2(即，图3a中step2)，调整校准开关的3比特的校准值为“3’b101”(即，校准值的控制位为“101”)，使得控制位的中间位的对应开关被调整为打开状态，并且控制位的最低位的对应开关被调整为闭合状态，此时，比较器的多次比较结果例如指示校准电压324均小于标记310所指示的基准电压。在步骤3(即，图3a中step3)，调整校准开关的3比特的校准值为“3’b100”(即，校准值的控制位为“100”)，确定当前位数是最低位，并且此时比较器的多次比较结果例如指示校准电压326均大于标记310所指示的基准电压，则确定“3’b100”为校准值开关的目标校准值。根据图3a可知，目标校准值所对应的目标校准电压，即校准电压326与基准电压310之间的误差小于1比特。
[0050]
在步骤406，如果计算设备216确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整用于控制校准开关的校准值，直至确定调整校准值所对应的调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致，其中，校准开关与电阻阵列电连接。
[0051]
关于校准开关，其与电阻阵列电连接，并且校准开关由校准值所控制。每一次校准值被调整，校准开关与电阻阵列之间的电连接关系也相应的被调整。
[0052]
关于调整用于控制校准开关的校准值的方法，其例如包括：如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上减预设值，以便基于减预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果；确定多次比较结果是否指示调整校准电压均大于基准电压；如果确定多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压，停止在调整校准值上减预设值；以及如果确定多次比较结果指示调整校准电压并非均大于基准电压，在调整校准值上继续减预设值，直至确定继续减预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压。
[0053]
关于预设值，其与比较器的精度相关联。在一些实施例中，预设值等于比较器的精度。具体而言，比较器的精度为1比特，预设值为“1”。
[0054]
关于预设值的确定方法，其例如包括：基于同一类型的多个比较器所输出的关于校准电压与基准电压的比较结果，确定预设值。应当理解，比较器的精度通常与其类型或型号相关联，并且比较器在临近精度附近时的比较结果容易出错、或者呈现出不一致性。因而，可以利用同一类型的多个比较器所输出的比较结果来确定对应于该类型比较器的预设值。具体而言，如图3b所示，例如，当校准值为“3’b101”时，比较器的多次(例如不限于5次)比较结果例如指示校准电压330与基准电压310的比较结果不一致，则在校准值“3’b101”上减预设值(预设值例如而不限于为“1”)。调准后的校准值(即，调整校准值)为“3’b100”，基于调整校准值“3’b100”来控制校准开关的闭合状态，此时，多次(例如不限于5次)多次比较结果例如指示调整校准电压334均大于基准电压310。
‘
在此之后，则在校准值“3’b101”上加预设值(预设值例如而不限于为“1”)。调准后校准值为“3’b110”，基于调整校准值“3’b110”来控制校准开关的闭合状态，此时，多次(例如不限于5次)多次比较结果例如指示调整校准电压332小于基准电压310。
[0055]
在步骤408，计算设备216基于调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致时的调准后校准值，确定校准值上限值和校准值下限值。
[0056]
关于确定校准值上限值和校准值下限值的方法，其例如包括：计算设备216将多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压时的调整校准值确定为校准值下限值；以及将多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压时的调整校准值确定为校准值上限值。应当理解，计算设备216可以先确定校准值上限值，再确定校准值下限值；也可以先确定校准值下限值，再确定校准值上限值。
[0057]
具体而言，如图3b所示，计算设备216获取调整校准电压332多次均小于基准电压310时的调准校准值“3’b110”作为校准值上限值s
cal-h
；以及将调整校准电压332多次均大于基准电压310时的调准后的校准值“3’b100”作为校准值下限值s
cal-l
。
[0058]
在步骤410，计算设备216基于所确定的校准值上限值和校准值下限值，确定校准值开关的目标校准值，以用于校准待校准的电阻阵列。
[0059]
例如，计算设备216计算校准值上限值和校准值下限值的平均值，以便基于所计算的平均值确定校准值开关的目标校准值。具体而言，如图3b所示，计算设备216计算校准值上限值s
cal-h
(即，校准值“3’b110”)和校准值下限值s
cal-l
(即，校准值“3’b100”)的平均值，
以将所得到的校准值平均值“3’b101”确定为校准值开关的目标校准值s
cal
。如图3b所示，即便在比较器在“3’b101”处存在错误比较结果输出的情况下，目标校准值s
cal
所对应的调整后校准电压336与基准电压310之间的误差也在一个比特之内。
[0060]
应当理解，由于比较器的精度有限，因此在校准电压距离基准电压较近时，难以生成准确的比较结果，在本发明的上述方案中，通过在校准电压与基准电压的多次比较结果不一致时，调整用于控制校准开关的校准值，使得调整校准电压远离基准电压，进而使得比较器可以精确地比较调整校准电压与基准电压的大小；以及通过多次比较结果再次一致时所确定的校准值上限值和校准值下限值准确地确定目标校准值。由此，即便对于比较器的精度有限的情形，也能够有效提高校准精度，而且显著降低了比较器的设计难度。
[0061]
以下结合图5和图6a和6b示例性说明用于调整校准开关的校准值的方法500。图5示出了根据本发明的实施例的用于调整校准开关的校准值的方法的500流程图。图6a示出了根据本发明的实施例的当比较器在校准值“3’b100”和“3’b101”处非正常工作时调整校准开关的校准值的方法的示意图。图6b示出了根据本发明的实施例的当比较器在校准值“3’b100”处非正常工作时调整校准开关的校准值的方法的示意图。方法500可由如图2所示的计算设备216执行。应当理解的是，方法500还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的框，本发明的范围在此方面不受限制。
[0062]
在步骤502处，如果计算设备216确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上加预设值，以便基于加预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果。应当理解，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，计算设备216也可以当前校准值上减预设值，以便基于减预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果。换言之，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，先加预设值或者先减预设值，在本发明中都是可以的。具体而言，如图6a所示，例如，当校准值为“3’b100”时，校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，即，校准电压并非均大于基准电压。在校准值为“3’b100”上加预设值“1”，加预设值“1”后的调整校准值为“3’b101”，从而获得调整校准电压624与基准电压610的多次比较结果。在步骤504处，计算设备216确定多次比较结果是否指示调整校准电压均小于基准电压。
[0063]
例如，计算设备216确定调整校准值“3’b101”状态下的、比较器的多次比较结果是否指示调整校准电压624均小于基准电压610。
[0064]
在步骤506处，如果计算设备216确定多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压，停止在调整校准值上加预设值。
[0065]
如图6b所示，如果调整校准值“3’b101”状态下，比较器工作正常，此时，比较器的多次比较结果指示调整校准电压624’均小于基准电压610’，则计算设备216停止在调整校准值“3’b101”上加预设值。
[0066]
在步骤508处，如果计算设备216确定多次比较结果指示调整校准电压并非均小于基准电压，在调整校准值上继续加预设值，直至确定继续加预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压。
[0067]
如图6a所示，如果调整校准值“3’b101”状态下，确定多次比较结果指示调整校准电压624并非均小于基准电压610，则在调整校准值“3’b101”上继续加预设值“1”，获得加预
设值后的调整校准值“3’b110”。如果计算设备216进一步确定继续加预设值后的调整校准值“3’b110”状态下的、多次比较结果指示调整校准电压626均小于基准电压610，则停止在调整校准值“3’b110”上加预设值。应当理解，调整校准电压均小于基准电压时的调整校准值“3’b110”为校准值上限值s
cal-h
。
[0068]
通过采用上述手段，本发明能够准确地调整电阻阵列的校准开关的校准值，使得调整校准电压远离基准电压，进而降低比较器的运算结果出现随机态势的可能性。
[0069]
以下结合图7和图6a和6b示例性说明用于调整电阻阵列的校准开关的校准值的方法500。图7示出了根据本发明的实施例的用于调整开关的校准值的方法700的流程图。方法700可由如图2所示的计算设备216执行。应当理解的是，方法700还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的框，本发明的范围在此方面不受限制。
[0070]
在步骤702处，如果计算设备216确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上减预设值，以便基于减预设值后的调整校准值来控制与电阻阵列中对应电阻所串联的校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果。应当理解，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，计算设备216也可以当前校准值上加预设值，以便基于加预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果。换言之，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，先加预设值或者先减预设值，在本发明中都是可以的。
[0071]
具体而言，如图6a所示，例如，当校准值为“3’b100”时，校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，即，校准电压并非均大于基准电压。则在校准值为“3’b100”上减预设值“1”，减预设值“1”后的调整校准值为“3’b011”，从而获得调整校准电压622与基准电压610的多次比较结果。
[0072]
在步骤704处，计算设备216确定多次比较结果是否指示调整校准电压均大于基准电压。例如，计算设备216确定调整校准值为“3’b011”所对应的调整校准电压622是否均大于基准电压610。
[0073]
在步骤706处，如果计算设备216确定多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压，停止在调整校准值上减预设值。例如，调整校准值“3’b011”状态下，多次比较结果指示调整校准电压622均大于基准电压610，则停止在调整校准值“3’b011”上减预设值。应当理解，调整校准电压均大于基准电压时的调整校准值“3’b011”为校准值下限值s
cal-l
。
[0074]
在步骤708处，如果计算设备216确定多次比较结果指示调整校准电压并非均大于基准电压，在调整校准值上继续减预设值，直至确定继续减预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压。
[0075]
上文所描述的各个过程和处理，例如方法400、500、700，可由计算设备处执行。该计算设备例如包括：至少一个处理器(至少一个图形处理器和至少一个中央处理器)；以及与至少一个处理器通信连接的存储器；其中存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行。在一些实施例中，方法400、500、700，可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由只读存储器(read-only memory，rom)和/或通信单元而被载入和/或安装到计算设备上。当计算机程序被加载到随机存取存储器(random-access memory，ram)并由图形处理
器(graphics processing unit，gpu)和cpu执行时，可以执行上文描述的方法400、500、700，的一个或多个动作。
[0076]
本发明可以是方法、装置、系统和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于执行本发明的各个方面的计算机可读程序指令。计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是但不限于电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。
[0077]
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。这里参照根据本发明实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本发明的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。
[0078]
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的中央处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的中央处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
[0079]
附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
[0080]
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本技术中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本技术公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
[0081]
上述具体实施方式，并不构成对本技术保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。

技术特征：
1.一种用于校准电阻的方法，其特征在于，包括：获取比较器所输出的、关于校准电压与基准电压的多次比较结果，校准电压为待校准的电阻阵列两端的电压，基准电压是由基准电流流经参考电阻而得到的；如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整用于控制校准开关的校准值，直至确定调整校准值所对应的调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致，其中，校准开关与电阻阵列电连接；基于调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致时的调准后校准值，确定校准值上限值和校准值下限值；以及基于所确定的校准值上限值和校准值下限值，确定校准值开关的目标校准值，以用于校准待校准的电阻阵列。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所确定的校准值上限值和校准值下限值确定校准值开关的目标校准值包括：计算校准值上限值和校准值下限值的平均值，以便基于所计算的平均值确定校准值开关的目标校准值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整用于控制校准开关的校准值包括：如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上加预设值，以便基于加预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果；确定多次比较结果是否指示调整校准电压均小于基准电压；如果确定多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压，停止在调整校准值上加预设值；以及如果确定多次比较结果指示调整校准电压并非均小于基准电压，在调整校准值上继续加预设值，直至确定继续加预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整用于控制校准开关的校准值包括：如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，则在当前校准值上减预设值，以便基于减预设值后的调整校准值来控制校准开关的闭合状态，从而获得关于调整校准电压与基准电压的多次比较结果；确定多次比较结果是否指示调整校准电压均大于基准电压；如果确定多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压，停止在调整校准值上减预设值；以及如果确定多次比较结果指示调整校准电压并非均大于基准电压，在调整校准值上继续减预设值，直至确定继续减预设值后的调整校准值所对应的多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述预设值与比较器的精度相关联，参考电阻配置于芯片外部，待校准的电阻阵列配置于芯片内部。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于调整校准电压与基准电压的多次比较
结果相一致时的调准后校准值确定校准值上限值和校准值下限值包括：将多次比较结果指示调整校准电压均大于基准电压时的调整校准值确定为校准值下限值；以及将多次比较结果指示调整校准电压均小于基准电压时的调整校准值确定为校准值上限值。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：基于同一类型的多个比较器所输出的关于校准电压与基准电压的比较结果，确定预设值。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校准电压是由另一基准电流流经待校准的电阻阵列而得到的。9.一种计算设备，包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-8中任一项所述的方法。10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1-8中任一项所述的方法。11.一种用于校准电阻的系统，其特征在于，包括：待校准的电阻阵列，配置在芯片内部；校准开关，与电阻阵列电连接；参考电阻，配置在芯片外部；比较器，被配置为接收校准电压和基准电压，以及输出关于校准电压与基准电压的比较结果，校准电压为待校准的电阻阵列两端的电压，基准电压是由基准电流流经参考电阻而得到的；以及根据权利要求9所述的计算设备，所述计算设备接收比较器所输出的比较结果，以及生成用于控制校准开关的校准值。

技术总结
本发明的实施例涉及用于校准电阻的方法、设备、介质和系统。根据该方法，获取比较器所输出的、关于校准电压与基准电压的多次比较结果；如果确定校准电压与基准电压的多次比较结果不相一致，调整电阻阵列的校准开关的校准值，直至确定调整后的校准值所对应的调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致；基于调整校准电压与基准电压的多次比较结果相一致时的、调准后的校准值，确定校准值上限值和校准值下限值；以及基于所确定的校准值上限值和校准值下限值，确定电阻阵列的校准值开关的目标校准值，以用于校准待校准的电阻阵列。由此即便对于比较器的精度有限的情形，也能够有效提高校准精度。提高校准精度。提高校准精度。


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：上海壁仞智能科技有限公司
技术研发日：2023.04.11
技术公布日：2023/7/25