一种TOPCon电池及其制备方法与流程

一种topcon电池及其制备方法
技术领域
1.本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种topcon电池及其制备方法。


背景技术：

2.topcon电池背面通常采用ag浆烧穿sinx介质膜与掺杂多晶硅形成欧姆接触。由于浆料烧结过程中，金属ag晶粒是可能穿透掺杂多晶硅膜层的，破坏界面氧化层的钝化效果；为了降低金属接触区的复合电流密度，需要采用足够的掺杂多晶硅厚度，通常在100～150nm；为了保证好的场钝化效果和低的欧姆接触，掺杂多晶硅需要足够的掺杂浓度，通常》1e20cm-3
。而掺杂多晶硅膜厚、掺杂浓度过大，由于掺杂多晶硅对长波光存在自由载流子吸收(fca)，会导致topcon电池短路电流的损失；同时掺杂多晶硅对背面入射光的寄生吸收会导致电池的双面率降低。掺杂多晶硅膜厚、掺杂浓度在复合、电阻损失与光学损失之间很难进行平衡。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种topcon电池及其制备方法，本发明提供的topcon电池能够在降低复合电流和接触电阻的同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
4.本发明提供了一种topcon电池，包括：
5.掺杂多晶硅层；
6.所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；
7.所述第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；
8.所述第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；
9.所述第一掺杂多晶硅区域的厚度选自100～200nm。
10.在本发明的实施例中，对于topcon电池的其它层结构可按照本领域技术人员熟知的topcon电池的结构进行设置，如可以在单晶硅正面依次设置扩散层、钝化层、正面减反射层和正面金属电极；可以在单晶硅片背面依次设置隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极。
11.在本发明的实施例中，单晶硅片可以为磷掺杂n型单晶硅片，电阻率可以为0.1～10ωcm，如0.5ωcm、1ωcm、2ωcm、4ωcm、6ωcm、8ωcm；厚度可以为100～200微米，如120微米、140微米、160微米、180微米。
12.在发明的实施例中，扩散层可以为硼掺杂形成的p型掺杂层，方阻可以选自100～300ω，如150ω、200ω、250ω。
13.在本发明的实施例中，钝化层可以选自氧化铝层；钝化层的厚度可以选自2～6nm，如3nm、4nm、5nm。
14.在本发明的实施例中，正面减反射层可以选自氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层中
的一种或几种形成的复合膜；正面减反射层的(总)厚度可以选自70～120nm，如80nm、90nm、100nm、110nm；正面减反射层的(综合)折射率可以选自1.9～2.1，如2.0。在本发明的实施例中，正面减反射层的折射率可以在远离单晶硅片的方向上膜层的折射率依次降低。
15.在本发明的实施例中，正面金属电极可以选自agal栅线电极。
16.在本发明的实施例中，隧穿层可以为氧化硅层；隧穿层的厚度可以为1～3nm，如2nm。
17.在本发明的实施例中，第一掺杂多晶硅区域(可以记为第一掺杂多晶硅层)设置在topcon电池中金属电极对应的位置，可以在单晶硅片的背面金属电极在隧穿层对应的位置处设置第一掺杂多晶硅区域；在非背面金属电极在隧穿层对应的位置处设置第二掺杂多晶合金硅区域(可以记为第二掺杂多晶合金硅层)，第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域共同形成掺杂多晶硅层。
18.在本发明的实施例中，第一掺杂多晶硅区域为磷掺杂多晶硅，掺杂浓度不低于1e20cm-3
(即1
×
10
20
cm-3
)，如可以为1～3e20cm-3
(即(1～3)
×
10
20
cm-3
)，如2e20cm-3
；第一掺杂多晶硅区域的厚度可以选自100～200nm，如120nm、140nm、160nm、180nm。
19.在本发明的实施例中，第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的掺杂多晶硅，如掺杂多晶氧化硅、掺杂多晶碳化硅、掺杂多晶氮化硅等，第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度可以选自1.9～2.2ev，如2.1ev；第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；第二掺杂多晶合金硅区域可以为磷掺杂的多晶合金硅，掺杂浓度可以选自1～5e19cm-3
(即(1～5)
×
10
19
cm-3
)，如2e20cm-3
、3e20cm-3
、4e20cm-3
；第二掺杂多晶合金硅区域的厚度可以选自100～200nm，如120nm、140nm、160nm、180nm。在本发明的实施例中，掺杂多晶硅层、第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域的厚度一致。
20.在本发明的实施例中，背面减反射层可以选自氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的一种或多种形成的复合膜；背面减反射层的(总)厚度可以选自70～120nm，如80nm、90nm、100nm、110nm；背面减反射层的(综合)折射率可以选自1.9～2.1，如2.0。在本发明的实施例中，背面减反射层在远离单晶硅片方向膜层的折射率依次降低。
21.在本发明的实施例中，背面金属电极可以选自ag栅线电极。
22.在本发明的实施例中，topcon电池的结构可以如图1所示，包括：n型单晶硅片1；扩散层2；钝化层3；正面减反射层4；正面金属电极5；隧穿层6；掺杂多晶硅层7；第一掺杂多晶硅区域7-1，第二掺杂多晶合金硅区域7-2；背面减反射层8；背面金属电极9；在n型单晶硅片上表面依次设置有扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极；在n型单晶硅片下表面依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极；第一掺杂多晶硅区域设置在隧穿层下表面的部分区域，第二掺杂多晶合金硅区域设置在剩余的其它区域，第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域形成整体的掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅区域设置位置与背面金属电极的位置相对应，即在背面金属电极在隧穿层对应的位置处设置第一掺杂多晶硅区域。
23.本发明提供了一种topcon电池的制备方法，包括：
24.在单晶硅片下表面依次制备隧穿层和本征非晶硅层；
25.通过掩膜版遮挡，采用离子注入方式将本征非晶硅层转换成非晶合金硅层；
26.对本征非晶硅层(离子注入时被掩模版遮挡的本征非硅层区域，进行磷扩散掺杂时移除掩膜板)和非晶合金硅层进行磷扩散掺杂，将其由非晶态转化成结晶态；形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域。
27.在本发明的实施例中，topcon电池的制备方法可以还包括：
28.在单晶硅片上表面(正面)依次制备扩散层、钝化层、正面减反射层和正面金属电极；
29.在单晶硅片下表面(背面)依次制备隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极。
30.在本发明的实施例中，单晶硅片的制备方法可以包括：
31.利用化学药品消除单晶硅片表面的污染，在单晶硅片表面形成表面织构。
32.在本发明的实施例中，化学药品可以为酸或碱；污染可以为有机沾污或金属杂质；在单晶硅片表面形成织构能够增加太阳光的吸收减少反射。
33.在本发明的实施例中，扩散层的制备方法可以为通过高温扩散形成扩散层，如可以采用硼化物高温扩散形成扩散层，即硼扩散形成正面pn结；硼化物可以选自bcl3或bbr3；扩散温度可以选自950～1050℃，如1000℃；对扩散层的具体制备方法没有特殊的限制，按照本领域熟知的高温扩散形成扩散层的方法制备得到扩散层即可。
34.在本发明的实施例中，得到扩散层后可以还包括：
35.对单晶硅片单面hf刻蚀，去除背面的bsg(硼硅玻璃)；
36.背面刻蚀，去除背面寄生扩散形成的pn结，防止边缘漏电。
37.在本发明的实施例中，钝化层可以通过采用ald(原子沉积)的方式在扩散层表面制备氧化铝薄膜制备得到；对钝化层的具体制备方法没有特殊的限制，采用本领域熟知的ald制备氧化铝(alox)薄膜的方法制备得到即可。
38.在本发明的实施例中，正面减反射层可以通过采用pecvd(等离子体增强化学的气相沉积法)的方式在钝化层表面沉积氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜中的一种或多种叠层膜制备得到；对正面减反射层的具体制备方法没有特殊的限制，采用本领域熟知的pecvd制备氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的方法制备得到即可。
39.在本发明的实施例中，正面金属电极可以通过涂覆ag/al浆制备得到；对其具体的制备方法没有特殊的限制，采用本领域熟知的印刷电极的方法制备得到即可。
40.在本发明的实施例中，隧穿层的制备方法可以采用热氧化、湿化学氧化、臭氧氧化、等离子氧化形成氧化硅制备得到。在本发明的实施例中，可以采用lpcvd(低压化学气相沉积)原位氧化生成隧穿氧化层，温度可以控制在550～650℃，如580℃、600℃、620℃。
41.在本发明的实施例中，掺杂多晶硅层的制备方法即为上述技术方案所述获得第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域的过程，上述技术方案中的本征非晶层的厚度可以选自120～150nm，如130nm、140nm；通过掩膜版遮挡单晶硅片的背面金属电极在本征非晶硅层对应的区域，采用离子注入的方式注入合金离子，如氧、碳、氮中的至少一种，在非金属电极区域对应位置处形成非晶合金硅层；可以采用氧离子注入，离子能量可以选自20～30kev，如25kev；离子注量可以选自1～5e1017ions/cm2(即(1～5)
×
10
17
ions/cm2)，如2e1017ions/cm2、3e1017ions/cm2、4e1017ions/cm2；然后将掩膜版移除，对未进行离子注入的本征非晶硅层区域和上述得到的非晶合金硅层进行磷扩散掺杂，并将非晶态硅层转化成
结晶态硅层；磷扩散掺杂过程中以pocl3为扩散源，扩散温度可以选自800～900℃，如820℃、840℃、860℃、880℃。
42.在掩膜版遮盖位置即背面金属电极在本征非晶硅层对应的位置处获得第一磷掺杂多晶硅区域；剩余的非晶合金硅层形成第二掺杂多晶合金硅区域，为氧、碳、氮中的至少一种合金化的磷掺杂多晶硅。
43.在本发明的实施例中，背面减反射层可以通过采用pecvd的方式在多晶硅掺杂层下表面沉积氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜中的一种或多种叠层膜；对背面减反射层的具体制备方法没有特殊限制，采用本领域熟知的pecvd法制备氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的方法制备得到即可。
44.在本发明的实施例中，背面金属电极可以通过采用丝网印刷、激光转印等方式印刷ag浆料，通过烧结穿透背面减反射层与掺杂多晶硅层形成欧姆接触。
45.在本发明的实施例中，得到正面金属电极和背面金属电极后还包括：
46.光注入修复电池体内和表面缺陷。
47.在本发明的实施例中，topcon电池的制备方法可以包括以下步骤，如图2所示：
48.1)制绒：利用酸碱化学品，消除硅片表面有机沾污和金属杂质，在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射；
49.2)硼扩散：形成正面pn结，形成扩散层；
50.3)bsg：单面hf刻蚀，去除背面bsg；
51.4)背面刻蚀：去除背面寄生扩散形成的pn结，防止边缘漏电；
52.5)lpcvd：原位氧化生成隧穿氧化层，并沉积本征非晶硅层；
53.6)局部合金离子注入：通过掩膜版遮挡，采用离子注入方式向非金属接触区对应位置的本征非晶硅层注入氧、碳、氮中至少一种元素，将本征非晶硅层转换成非晶合金硅层；
54.7)磷扩散：对单晶硅片的背面非晶硅和非晶合金硅进行磷扩散掺杂，并将其由非晶态转化成结晶态，形成掺杂多晶硅层；
55.8)psg：单面hf刻蚀，去除扩散后正面绕镀多晶硅表面psg；
56.9)正面刻蚀：采用碱溶液刻蚀的方式去除绕镀多晶硅层，采用氢氟酸清洗去除正面的bsg及背面的psg；
57.10)ald：以ald原子层沉积方式在基底(扩散层)正面沉积一层致密的alox薄膜；
58.11)正面pecvd：以pecvd的方式在基底(氧化铝薄膜)正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
59.12)背面pecvd：以pecvd的方式在基底(掺杂多晶硅层)背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
60.13)印刷/烧结/光注入：正面印刷负电极ag/al浆，背面印刷电极ag浆；共烧结，形成良好的欧姆接触；光注入修复电池体内和表面缺陷。
61.本发明通过在n型单晶硅片的背面设置背面金属区(背面金属电极)相应位置的第一掺杂多晶硅区域和位于背面非金属区相应位置的第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域为磷掺杂的多晶硅，厚度100～200nm，掺杂浓度不低于1e20cm-3
，第一掺杂多晶硅区域具有足够厚度，能有效屏蔽烧结过程中浆料的渗透，避免界面隧穿氧化层被破坏，从而
保证金属接触区具有较低的复合电流；另一方面，第一掺杂多晶硅区域具有足够的浓度，可以保证金属接触区具有较低的接触电阻。第二掺杂多晶合金硅区域为氧、碳、氮中至少一种元素合金化的掺杂多晶硅化合物，其禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域，可以降低非金属区的光寄生吸收，提高电池双面率；另一方面，受元素合金化形成化合物的影响，其掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域，相应的长波段自由载流子吸收也降低，电池正面短路电流也因此提高。
62.本发明通过在非金属区的对应位置采用局部离子注入方式将非金属区对应位置的本征非晶硅层转换成非晶硅化合物层，提高其光学带隙；再采用磷扩散方法对金属区(背面金属电极)对应位置的非晶硅和非金属区对应位置的非晶硅化合物层进行掺杂和晶化，利用非晶硅化合物中的合金元素氧、碳、氮降低第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度；本发明提供的方法过程简单，易于实现。
附图说明
63.图1为本发明实施例中topcon电池结构示意图；
64.图2为本发明实施例中topcon电池结构制备工艺流程图；
65.图3为本发明对比例1中topcon电池结构示意图。
具体实施方式
66.下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
67.实施例1
68.按照图2所示的流程图制备topcon电池，具体步骤包括：
69.s1制绒：选取磷掺杂n型单晶硅片，电阻率0.5～1.0ωcm，厚度130～160微米；利用酸碱化学品，消除硅片表面有机沾污和金属杂质，在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射；
70.s2硼扩散：采用bcl3低压扩散形成正面pn结，扩散温度950～1050℃，方阻150-250ω，形成硼扩散层；
71.s3bsg：单面hf刻蚀，去除背面bsg；
72.s4背面刻蚀：采用碱性溶液刻蚀，去除背面寄生扩散形成的pn结，防止边缘漏电；
73.s5lpcvd：采用lpcvd原位氧化生成隧穿氧化层，温度在550～650℃，厚度在1～3nm，并沉积本征非晶硅层，厚度120～150nm；
74.s6局部氧离子注入：通过掩膜版遮挡背面金属区(背面金属电极区域)，在非金属接触区对应的位置，采用氧离子注入，离子能量为20～30kev、离子注量为1～5e1017ions/cm2(即(1～5)
×
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ions/cm2)，将非金属区对应位置的本征非晶硅层转换成非晶氧化硅层；
75.s7磷扩散：以pocl3为扩散源，扩散温度800～900℃对非晶硅和非晶氧化硅进行磷扩散掺杂，并将其由非晶态转化成结晶态，形成掺杂多晶硅层；
76.s8psg：单面hf刻蚀，去除扩散后正面绕镀多晶硅表面psg；
77.s9正面刻蚀：采用碱溶液刻蚀的方式去除绕镀多晶硅层，采用氢氟酸清洗去除正面的bsg及背面的psg；
78.s10ald：以ald原子层沉积方式在基底(硼扩散层)正面沉积一层致密的alox薄膜，厚度在3～5nm；
79.s11正面pecvd：以pecvd的方式在氧化铝薄膜正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜，总厚度70～120nm，综合折射率1.9～2.1；
80.s12背面pecvd：以pecvd的方式在掺杂多晶硅层背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜，总厚度70～120nm，综合折射率1.9～2.1；
81.s13印刷/烧结/光注入：正面印刷负电极ag/al浆，背面印刷电极ag浆；共烧结，形成良好的欧姆接触；光注入修复电池体内和表面缺陷。
82.本发明实施例1制备的topcon电池结构示意图如图1所示，包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层和正面金属电极，依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层包括位于背面金属区(背面金属电极)相应位置的第一掺杂多晶硅区域和位于背面非金属区相应位置的第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅层为磷掺杂的多晶硅，厚度120～150nm，掺杂浓度1～3e20cm-3
；第二掺杂多晶合金硅区域为磷掺杂多晶氧化硅，其禁带宽度1.9～2.2ev，其掺杂浓度1～5e19cm-3
。
83.实施例2
84.按照实施例1的方法制备得到topcon电池，与实施例1的区别在于，s6为局部氮离子注入：
85.通过掩膜版遮挡背面金属区(背面金属电极区域)，在非金属接触区对应的位置，采用氮离子注入，离子能量为25～30kev、离子注量为(1～2)
×
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17
ions/cm2，将非金属区对应位置的本征非晶硅层转换成非晶氮化硅层；
86.s7磷扩散：以pocl3为扩散源，扩散温度800～900℃对非晶硅和非晶氮化硅进行磷扩散掺杂，并将其由非晶态转化成结晶态，形成掺杂多晶硅层。
87.实施例3
88.按照实施例1的方法制备得到topcon电池，与实施例1的区别在于，s6为局部碳离子注入：
89.通过掩膜版遮挡背面金属区(背面金属电极区域)，在非金属接触区对应的位置，采用碳离子注入，离子能量为20～25kev、离子注量为(3～5)
×
10
17
ions/cm2，将非金属区对应位置的本征非晶硅层转换成非晶碳化硅层；
90.s7磷扩散：以pocl3为扩散源，扩散温度800～900℃对非晶硅和非晶碳化硅进行磷扩散掺杂，并将其由非晶态转化成结晶态，形成掺杂多晶硅层。
91.对比例1
92.按照实施例1的方法制备topcon电池，与实施例1的区别在于，掺杂多晶硅层为单一掺杂多晶硅层；其结构示意图如图3所示，与实施例1相比，其单一浓度的掺杂多晶硅层的厚度为120～130nm，掺杂浓度为2～3e20cm-3
；图3中1为n型单晶硅片；2为扩散层；3为钝化层；4为正面减反射层；5为正面金属电极；6为隧穿层；7为掺杂多晶硅层；8为减反射层；9为
背面金属电极。
93.性能检测
94.对本发明实施例和对比例制备的topcon电池进行iv性能检测，检测结果如下：
[0095][0096]
比较实施例与对比例制备的topcon电池，可以看出，实施例中通过在n型单晶硅片的背面设置背面金属区相应位置的第一掺杂多晶硅区域和位于背面非金属区相应位置的第二掺杂多晶合金硅区域，第一掺杂多晶硅区域为磷掺杂的多晶硅，其厚度较大，能有效屏蔽烧结过程中浆料的渗透，避免界面隧穿氧化层被破坏，从而保证金属接触区具有较低的复合电流；另一方面，第一掺杂多晶硅区域具有足够的浓度，可以保证金属接触区具有较低的接触电阻；第二掺杂多晶合金硅区域为掺杂多晶氧化硅，其禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域，可以降低非金属区的光寄生吸收，提高电池双面率；另一方面，受掺杂多晶硅中氧元素的影响，其掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域，相应的长波段自由载流子吸收也降低，电池正面短路电流也因此提高。
[0097]
另外，实施例通过在非金属区相应位置采用局部氧离子注入方式将非金属区相应位置的本征非晶硅层转换成非晶氧化硅层，提高了其光学带隙；采用磷扩散方法对金属区相应位置的非晶硅和非金属区相应位置的非晶氧化硅进行掺杂和晶化，利用非晶氧化硅中的氧降低第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度，过程简单，易于实现。
[0098]
虽然已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明，但是这些描述和说明并不限制本发明。所属领域的技术人员可清晰地理解，在不脱离如由所附权利要求书定义的本发明的真实精神和范围的情况下，可进行各种改变，以使特定情形、材料、物质组成、物质、方法或过程适宜于本技术的目标、精神和范围。所有此类修改都意图在此所附权利要求书的范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并非本技术的限制。

技术特征：
1.一种topcon电池，包括：掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；所述第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；所述第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；所述第一掺杂多晶硅区域的厚度选自100～200nm。2.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1e20cm-3
；所述第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度。4.根据权利要求2所述的topcon电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度选自1～3e20cm-3
。5.根据权利要求2所述的topcon电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度选自1～5e19cm-3
。6.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度选自1.9～2.2ev。7.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅区域设置于单晶硅片背面的金属电极在隧穿层对应的位置处。8.一种topcon电池的制备方法，包括：在单晶硅片下表面依次制备隧穿层和本征非晶硅层；通过掩膜版遮挡，采用离子注入方式向topcon电池背面金属电极在本征非晶硅层对应的位置处注入离子元素，将本征非晶硅层转换成非晶合金硅层；所述离子元素选自氧、碳、氮中的至少一种；对本征非晶硅层和非晶合金硅层进行磷扩散掺杂，将其由非晶态转化成结晶态；形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子能量选自20～30kev；离子注量选自1～5e1017ions/cm2。

技术总结
本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm-3


技术研发人员：毛卫平 金竹 张明明 郭世成 范洵 付少剑 杨阳 叶风 潘利民
受保护的技术使用者：滁州捷泰新能源科技有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/7/25