研磨垫清理装置、半导体工艺设备及研磨垫清理方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种研磨垫清理装置、半导体工艺设备及研磨垫清理方法。


背景技术：

2.在化学机械研磨(cmp)过程中，研磨头控制晶圆与研磨垫接触摩擦，在研磨液的作用下去除晶圆表面部分薄膜。在研磨的过程中，摩擦会消耗研磨垫表面粗糙度，且研磨过程中产生的杂质，包括研磨副产物、研磨液结晶以及研磨修整盘表面脱落的钻石颗粒，也会覆盖研磨垫表面的孔隙，从而降低研磨垫的表面粗糙度，继而影响后续晶圆的研磨速率，且覆盖在研磨垫孔隙中的杂质还容易导致晶圆表面产生刮伤，影响晶圆良率。
3.现有的cmp机台的研磨垫的清理步骤主要包括：首先，对研磨修整盘施加压力，使其在研磨垫表面来回摩擦，从而将研磨垫中的杂质暴露出来；随后，采用研磨液供给臂提供高压纯水清洗研磨垫表面。然而，研磨修整盘的摩擦只是将研磨垫里的杂质暴露出来，并不能完全去除杂质；且研磨液供给臂提供的高压纯水清洗也只是在研磨结束后对研磨垫进行大面积清理，无法针对研磨修整盘摩擦的路径进行同步清理。
4.因此，如何及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷是目前亟需解决的问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种研磨垫清理装置、半导体工艺设备及研磨垫清理方法，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
6.为解决上述技术问题，本发明提供一种研磨垫清理装置，包括：
7.修整盘，用于摩擦研磨垫；
8.真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。
9.优选地，所述修整盘包括机械手臂和修整头，所述修整头设置于所述机械手臂的一端，所述修整头用于摩擦所述研磨垫。
10.优选地，所述真空管路包括一条第一管路和多条第二管路，所述第一管路设置于所述机械手臂上，所有所述第二管路环绕设置于所述修整头上，且所述第一管路的一端与所有所述第二管路的一端连通，所述第一管路的另一端与所述真空泵连通，所有所述第二管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。
11.优选地，所述第一管路上设置有过滤单元。
12.优选地，所述研磨垫清理装置还包括研磨液分配臂，所述研磨液分配臂设置于所述修整盘的侧方。
13.优选地，所述研磨液分配臂包括承载台、研磨单元以及清洗单元，所述研磨单元和所述清洗单元设置于所述承载台上，所述研磨单元用于向所述研磨垫提供研磨液，所述清
洗单元用于向所述研磨垫提供纯水。
14.优选地，所述承载台为扇形结构。
15.优选地，所述研磨单元包括一条第三管路和至少一个第一喷嘴，所述第三管路设置于所述承载台中，所述第一喷嘴设置于所述承载台的侧壁上，所述第三管路与所述第一喷嘴连通，所述第一喷嘴的出口朝向所述研磨垫的表面。
16.优选地，所述清洗单元包括一条第四管路和多个第二喷嘴，所述第四管路设置于所述承载台中，所述第二喷嘴设置于所述承载台的底面，所述第四管路与所述第二喷嘴连通，所述第二喷嘴的出口朝向所述研磨垫的表面。
17.本发明还提供一种半导体工艺设备，包括：研磨垫、研磨头以及所述的研磨垫清理装置，所述研磨头用于带动晶圆与所述研磨垫摩擦，所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫。
18.此外，本发明还提供一种研磨垫清理方法，包括：
19.提供一待清理的研磨垫；
20.采用所述的研磨垫清理装置清理所述研磨垫。
21.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
22.1、本发明的研磨垫清理装置，包括：修整盘，用于摩擦研磨垫；真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
23.2、本发明的半导体工艺设备，包括：研磨垫、研磨头以及所述的研磨垫清理装置，所述研磨头用于带动晶圆与所述研磨垫摩擦，所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
24.3、本发明的研磨垫清理方法，包括：提供一待清理的研磨垫；采用所述的研磨垫清理装置清理所述研磨垫，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
附图说明
25.图1是本发明一实施例的研磨清理装置的结构示意图；
26.图2是本发明一实施例的半导体工艺设备的俯视结构示意图；
27.图3是图2所示的半导体工艺设备中的研磨液分配臂的结构示意图；
28.图4是本发明一实施例的承载台的俯视结构示意图；
29.图5是图1所示的研磨清理装置中的修整盘的摆动路径的示意图；
30.图6a是本发明一实施例的采用修整盘清理的研磨垫的电子显微镜示意图；
31.图6b是本发明一实施例的未采用修整盘清理的研磨垫的电子显微镜示意图；
32.图7是本发明一实施例的采用不同形貌的修整盘清理的研磨垫的表面粗糙度的对比示意图；
33.图8是本发明一实施例的采用不同形貌的修整盘清理的研磨垫研磨的晶圆的刮伤水平的对比示意图。
34.其中，附图1～图8的附图标记说明如下：
35.11-修整盘；111-机械手臂；112-修整头；12-真空管路；121-第一管路；122-第二管路；13-真空泵；14-过滤单元；21-研磨垫；31-研磨头；41-研磨液分配臂；411-第一喷嘴；412-第二喷嘴；413-承载台。
具体实施方式
36.为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明提出的研磨垫清理装置、半导体工艺设备及研磨垫清理方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
37.本发明一实施例提供一种研磨垫清理装置，包括：修整盘，用于摩擦研磨垫；真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。
38.下面参阅图1～图8对本实施例提供的研磨垫清理装置进行详细介绍。
39.所述研磨垫清理装置包括修整盘11、真空管路12和真空泵13。
40.所述修整盘11用于摩擦研磨垫21。
41.其中，所述修整盘11包括机械手臂111和修整头112，所述修整头112设置于所述机械手臂111的一端，所述修整头112用于摩擦所述研磨垫21，所述机械手臂111能够固定住所述修整头112，方便所述修整头112来回摩擦所述研磨垫21，使得所述研磨垫21表面孔隙中的杂质能够暴露出来。
42.所述真空管路12设置于所述修整盘11上，且所述真空管路12的一端与所述真空泵13连通，所述真空管路12的另一端朝向所述研磨垫21的表面，用于吸除清理被所述修整盘11摩擦暴露在所述研磨垫21表面的杂质。
43.其中，所述真空管路12包括一条第一管路121和多条第二管路122，所述第一管路121设置于所述机械手臂111的外表面上，所有所述第二管路122均匀环绕设置于所述修整头112的侧壁上，且所述第一管路121的一端与所有所述第二管路122的一端连通，所述第一管路121的另一端与所述真空泵13连通，所有所述第二管路122的另一端朝向所述研磨垫21的表面。环绕设置在所述修整头112上的所述第二管路122能够方便所述修整头112在对所述研磨垫21表面进行摩擦的同时，所述第二管路122对摩擦暴露出来的杂质进行吸除。
44.优选地，所述第一管路121上还设置有过滤单元14，所述过滤单元14与所述真空泵13入口之间通过所述第一管路121连接，用于过滤进入到所述第一管路121的杂质中的颗粒物，防止较大的颗粒物进入到所述真空泵13中而损坏所述真空泵13。此外，所述真空泵13的出口还可以通过管路(未图示)与过滤器(未图示)连接，从而能够有效回收进入到所述真空泵13中的一些较小的颗粒杂质。
45.另外，所述真空泵13上设置有调节单元(未图示)，可用来调节所述真空管路12内部的压力和所述真空泵13的流速，从而保证所述真空泵13吸除杂质时的稳定性，提高杂质的吸除效率。
46.所述修整盘11在所述研磨垫21上的摆动路径如图5所示，随着时间的增加，所述修整头112的圆心不断向靠近所述研磨垫21的圆心方向移动，直至所述修整头112移动至距离
所述研磨垫21圆心最近的极限位置，此时，随着时间的继续增加，所述修整头112的圆心不断向远离所述研磨垫21的圆心方向移动，直至所述修整头112的圆心移动至未移动前的初始位置，所述修整头112随着时间的增加如此循环执行上述移动路径，直至晶圆停止研磨。且由于在对晶圆进行研磨的时候，所述研磨垫21会进行转动，因此，在所述研磨垫21对晶圆表面进行研磨的时候，所述研磨垫21上会被喷洒研磨液，所述修整盘11还能够对所述研磨垫21进行摩擦修整，并同时通过所述真空泵13吸除摩擦出来的杂质。
47.通过对比采用修整盘清理的研磨垫的电子显微镜示意图(如图6a)和不采用修整盘清理的研磨垫的电子显微镜示意图(如图6b)，采用所述修整盘11对所述研磨垫21进行清理后的所述研磨垫21相较于未采用所述修整盘11对所述研磨垫21进行清理的所述研磨垫21，图6a中的所述研磨垫21表面孔隙清晰，且所述研磨垫21表面粗糙，而图6b中的所述研磨垫21表面孔隙内的杂质较多，孔隙不明显，有效说明了所述修整盘11对于所述研磨垫21表面杂质的去除效果，有效减少了所述研磨垫21表面的杂质，保持了所述研磨垫21表面的粗糙度，从而保证了晶圆的研磨效率，有效改善了晶圆的刮伤缺陷。
48.并且，不同形貌的修整盘对于摩擦后的研磨垫表面的粗糙度以及晶圆表面的刮伤水平也会有影响。所述修整盘11的修整头112用于摩擦所述研磨垫21的一面上设置有金刚石。如图7所示，采用不同形貌的修整盘清理的研磨垫的表面粗糙度的对比示意图(采用箱形图表示)，横坐标为所述修整盘11表面金刚石颗粒的密度和尖锐度，从左往右，金刚石颗粒的密度和尖锐度越强，纵坐标为所述研磨垫21的粗糙度，当所述修整盘11表面金刚石颗粒的密度和尖锐度越强，经过所述修整盘11摩擦后的所述研磨垫21能够清理出的杂质越多，所述研磨垫21的粗糙度也就越稳定。且如图8所示，采用不同形貌的修整盘清理的研磨垫研磨的晶圆的刮伤水平的对比示意图(采用箱形图表示)，横坐标为所述修整盘11表面金刚石颗粒的密度和尖锐度，从左往右，金刚石颗粒的密度和尖锐度越强，纵坐标为晶圆表面的刮伤水平，当所述修整盘11表面金刚石颗粒的密度和尖锐度越强，经过所述修整盘11摩擦后的所述研磨垫21的粗糙度越稳定，而利用所述研磨垫21进行研磨后的晶圆表面受到的刮伤也就越少，晶圆表面的刮伤水平也就越低。
49.在一实施例中，所述真空管路12的材质为橡胶，所述第一管路121的直径范围为2厘米～2.5厘米，所述第二管路122的直径范围为1厘米～1.5厘米，从而保证杂质能够通过所述真空管路12。需要说明的是，在其他实施例中，所述真空管路12的材质、所述第一管路121的尺寸、所述第二管路122的尺寸可以根据所述修整头112的大小，所述研磨垫21的尺寸以及晶圆在研磨过程中可能掉落的杂质颗粒大小进行调整。
50.所述研磨垫清理装置还包括研磨液分配臂41，所述研磨液分配臂41设置于所述修整盘11的侧方，用于清洗吸除杂质后的所述研磨垫21，从而达到充分清理所述研磨垫21表面杂质的目标。
51.所述研磨液分配臂41包括承载台413、研磨单元以及清洗单元，所述研磨单元和所述清洗单元设置于所述承载台413上，所述研磨单元用于向所述研磨垫21提供研磨液，在所述研磨垫21研磨晶圆的时候，所述研磨单元能够向所述研磨垫21上喷洒研磨液，保证所述研磨垫21对晶圆的研磨效率；所述清洗单元用于向所述研磨垫21提供纯水，所述清洗单元的喷洒方向朝向所述研磨垫21，从而保证所述研磨垫21的清洗效率。
52.其中，在一实施例中，如图2和图3所示，所述承载台413可以为杆状结构，所述杆状
结构的一端朝向所述研磨垫21的中心，所述杆状结构的另一端朝向所述研磨垫21的外围，使得所述承载台413在所述研磨垫21上方发生旋转时，所述研磨液分配臂41中的所述清洗单元能够对所述研磨垫21在其半径范围内的面积进行清洗。
53.优选地，如图4所示，所述承载台413为扇形结构，所述扇形结构的圆心端朝向所述研磨垫21的中心，所述扇形结构的圆弧端朝向所述研磨垫21的外围。且此时所述承载台413在所述研磨垫21上方发生旋转时，所述承载台413在不同半径处的所述研磨垫21的上方所能覆盖的面积不同，从而使得所述研磨液分配臂41中的所述清洗单元在对所述研磨垫21进行清洗时，能够更加均匀且高效。
54.所述研磨单元包括一条第三管路(未图示)和至少一个第一喷嘴411，所述第三管路设置于所述承载台413中，所述第三管路与所述第一喷嘴411连通，其中，所述第三管路通过第一分支管路(未图示)与所述第一喷嘴411连通，所述第一分支管路的数量与所述第一喷嘴411的数量一致，所述第一分支管路的一端与所述第三管路的一端连通，所述第一分支管路的另一端与所述第一喷嘴411连通，从而使得研磨液能够通过所述第三管路进入到所有所述第一分支管路，并通过所述第一分支管路进入到对应的所述第一喷嘴411中，并通过所述第一喷嘴411喷洒出来。所述第一喷嘴411倾斜设置于所述承载台413的侧壁上，以使得所述第一喷嘴411的出口朝向所述研磨垫21的表面，且所述第一喷嘴411的喷洒方向与所述研磨垫21形成第一夹角(未图示)，所述第一夹角为锐角，使得所述第一喷嘴411的喷洒方向能够朝向所述研磨垫21上靠近晶圆的位置处，保证晶圆在所述研磨垫21上进行研磨的时候，所述第一喷嘴411处喷洒出的研磨液能够喷洒在所述研磨垫21上，提高晶圆的研磨效率。
55.此外，所述研磨单元还能够在机台空置的时候，喷洒去离子水对所述研磨垫21进行保湿。
56.所述清洗单元包括一条第四管路(未图示)和多个第二喷嘴412，所述第四管路设置于所述承载台413中，所述第四管路与所述第二喷嘴412连通。其中，所述第四管路通过第二分支管路(未图示)与所述第二喷嘴412连通，所述第二分支管路的数量与所述第二喷嘴412的数量一致，所述第二分支管路的一端与所述第四管路的一端连通，所述第二分支管路的另一端与所述第二喷嘴412连通，从而使得纯水能够通过所述第四管路进入到所有所述第二分支管路，并通过所述第二分支管路进入到对应的所述第二喷嘴412中，并通过所述第二喷嘴412喷洒出来。所述第二喷嘴412设置于所述承载台413的底面，所述第二喷嘴412的出口朝向所述研磨垫21的表面，且所述第二喷嘴412与所述第一喷嘴411形成第二夹角(未图示)，所述第二夹角为锐角。且当所述承载台413为扇形结构时，所述第二喷嘴412的数量随着所述承载台413的半径增加而逐渐增多，从而使得所述第二喷嘴412在喷洒纯水的时候，能够随着喷洒处的所述研磨垫21的半径增加，提高所述第二喷嘴412的喷洒面积，从而提高所述清洗单元对所述研磨垫21的清洗效率。
57.在一实施例中，所述第一喷嘴411的数量为2个，所述第二喷嘴412的数量为8个，需要说明的是，在其他实施例中，所述第一喷嘴411和所述第二喷嘴412的数量可以根据所述承载台413与所述研磨垫21的实际尺寸进行调整。
58.得益于所述研磨垫清理装置的存在，在所述研磨垫21研磨晶圆的同时，所述修整盘11能够对所述研磨垫21进行摩擦，并及时吸除所述研磨垫21表面摩擦暴露出来的杂质，
减少晶圆在研磨的时候碰触到杂质发生的刮伤，提高了晶圆的研磨效率和良率，并能够在晶圆研磨结束后，通过纯水对所述研磨垫21进行清洗，去除剩余的杂质，保证后续晶圆研磨的质量。
59.综上所述，本发明提供一种研磨垫清理装置，包括：修整盘，用于摩擦研磨垫；真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
60.本发明还提供了一种半导体工艺设备，包括：研磨垫、研磨头以及所述的研磨垫清理装置，所述研磨头用于带动晶圆与所述研磨垫摩擦，所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫。
61.下面参阅图1～图4对本发明提供的半导体工艺设备进行详细介绍。
62.所述研磨垫清理装置参见上述介绍，在此不再赘述。
63.所述半导体工艺设备即为化学机械研磨设备。
64.所述半导体工艺设备包括：研磨垫21、研磨头31以及所述研磨垫清理装置，所述研磨头31设置于所述研磨垫21的上方，用于带动晶圆与所述研磨垫21摩擦，进而实现对所述晶圆的研磨；所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫21，当所述研磨垫清理装置未工作时，所述研磨垫清理装置设置于所述研磨垫21的侧方，当所述研磨垫清理装置开始工作时，所述研磨垫清理装置设置于所述研磨垫21的上方。
65.其中，当所述研磨垫清理装置开始工作时，所述研磨头31带动晶圆设置于所述研磨垫21上，且偏离所述研磨垫21中心的位置；所述研磨垫清理装置中的修整盘11设置于所述研磨垫21的上方，且位于远离所述晶圆的方向，所述研磨垫清理装置中的研磨液分配臂41设置于所述研磨垫21的上方，且靠近所述修整盘11的位置。所述研磨头31、所述修整盘11以及所述研磨液分配臂41互相不接触。
66.采用所述半导体工艺设备研磨晶圆的具体步骤可以包括：首先，采用所述研磨头31对所述晶圆施加向下的压力，使得所述晶圆的表面与所述研磨垫21之间紧密接触，在所述研磨头31带动所述晶圆进行转动的同时，所述研磨垫21也进行转动，与此同时，所述研磨液分配臂41的第一喷嘴411喷洒研磨液至所述研磨垫21上，促进所述晶圆的研磨，并对所述修整盘11施加向下的压力，使得所述修整盘11中的修整头112与所述研磨垫21之间紧密接触，从而使得所述研磨垫21在旋转的同时，所述修整头112能够对所述研磨垫21进行摩擦，使得晶圆在研磨过程中掉落在所述研磨垫21表面孔隙中的杂质暴露出来，且通过所述修整盘11上的真空管路12吸除杂质；随后，在所述晶圆完成研磨后，所述研磨垫21继续旋转，并通过所述研磨液分配臂41的第二喷嘴412喷洒纯水清洗所述研磨垫21，去除所述研磨垫21表面剩余的杂质。
67.得益于所述研磨垫清理装置的存在，在所述研磨垫21研磨晶圆的同时，所述修整盘11能够对所述研磨垫21进行摩擦，并及时吸除所述研磨垫21表面摩擦暴露出来的杂质，减少晶圆在研磨的时候碰触到杂质发生的刮伤，提高了晶圆的研磨效率和良率，并能够在晶圆研磨结束后，通过纯水对所述研磨垫21进行清洗，去除剩余的杂质，保证后续晶圆研磨的质量。
68.综上所述，本发明提供了一种半导体工艺设备，包括：研磨垫、研磨头以及所述的
研磨垫清理装置，所述研磨头用于带动晶圆与所述研磨垫摩擦，所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
69.此外，本发明还提供了一种研磨垫清理方法，包括：
70.步骤s1，提供一待清理的研磨垫；
71.步骤s2，采用所述的研磨垫清理装置清理所述研磨垫。
72.下面对本实施提供的研磨垫清理方法进行详细介绍。
73.按照步骤s1，提供一待清理的研磨垫21，在所述研磨垫21研磨晶圆的时候，研磨液结晶颗粒以及研磨产生的副产物等杂质容易掉落进所述研磨垫21表面的孔隙中，从而导致所述研磨垫21表面的粗糙度减小，继而影响所述晶圆的研磨效率，且所述研磨垫21表面孔隙中的杂质会导致所述晶圆在研磨过程中发生刮伤，影响所述晶圆的良率。
74.按照步骤s2，采用所述研磨垫清理装置清理所述研磨垫21。其中，所述修整盘11上设置有真空管路12和真空泵13，可以及时吸除所述修整盘11在摩擦所述研磨垫21时暴露出来的杂质，从而减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷；且研磨液分配臂41上的清洁单元能够在所述晶圆完成研磨以后，对所述研磨垫21进行清洗，除去所述研磨垫21未完全吸除的剩余的杂质，彻底清理所述研磨垫21表面的杂质，避免后续晶圆研磨时发生刮伤，影响晶圆的良率。
75.其中，采用所述研磨垫清理装置清理所述研磨垫21的具体步骤可以包括：首先，对所述修整盘11施加向下的压力，使得所述修整盘11中的修整头112与所述研磨垫21之间紧密接触，从而使得所述研磨垫21在旋转的同时，所述修整头112能够对所述研磨垫21进行摩擦，使得晶圆在研磨过程中掉落在所述研磨垫21表面孔隙中的杂质暴露出来，且通过所述修整盘11上的真空管路12吸除杂质；随后，在所述晶圆完成研磨后，所述研磨垫21继续旋转，并通过所述研磨液分配臂41的第二喷嘴412喷洒纯水清洗所述研磨垫21，去除所述研磨垫21表面剩余的杂质。
76.综上所述，本发明提供了一种研磨垫清理方法，包括：提供一待清理的研磨垫；采用所述的研磨垫清理装置清理所述研磨垫，能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。
77.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

技术特征：
1.一种研磨垫清理装置，其特征在于，包括：修整盘，用于摩擦研磨垫；真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。2.如权利要求1所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述修整盘包括机械手臂和修整头，所述修整头设置于所述机械手臂的一端，所述修整头用于摩擦所述研磨垫。3.如权利要求2所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述真空管路包括一条第一管路和多条第二管路，所述第一管路设置于所述机械手臂上，所有所述第二管路环绕设置于所述修整头上，且所述第一管路的一端与所有所述第二管路的一端连通，所述第一管路的另一端与所述真空泵连通，所有所述第二管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。4.如权利要求3所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述第一管路上设置有过滤单元。5.如权利要求1所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述研磨垫清理装置还包括研磨液分配臂，所述研磨液分配臂设置于所述修整盘的侧方。6.如权利要求5所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述研磨液分配臂包括承载台、研磨单元以及清洗单元，所述研磨单元和所述清洗单元设置于所述承载台上，所述研磨单元用于向所述研磨垫提供研磨液，所述清洗单元用于向所述研磨垫提供纯水。7.如权利要求6所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述承载台为扇形结构。8.如权利要求6所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述研磨单元包括一条第三管路和至少一个第一喷嘴，所述第三管路设置于所述承载台中，所述第一喷嘴设置于所述承载台的侧壁上，所述第三管路与所述第一喷嘴连通，所述第一喷嘴的出口朝向所述研磨垫的表面。9.如权利要求6所述的研磨垫清理装置，其特征在于，所述清洗单元包括一条第四管路和多个第二喷嘴，所述第四管路设置于所述承载台中，所述第二喷嘴设置于所述承载台的底面，所述第四管路与所述第二喷嘴连通，所述第二喷嘴的出口朝向所述研磨垫的表面。10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：研磨垫、研磨头以及如权利要求1～9中任一项所述的研磨垫清理装置，所述研磨头用于带动晶圆与所述研磨垫摩擦，所述研磨垫清理装置用于清理所述研磨垫。11.一种研磨垫清理方法，其特征在于，包括：提供一待清理的研磨垫；采用如权利要求1～9中任一项所述的研磨垫清理装置清理所述研磨垫。

技术总结
本发明提供了一种研磨垫清理装置、半导体工艺设备及研磨垫清理方法，所述研磨垫清理装置包括：修整盘，用于摩擦研磨垫；真空管路和真空泵，所述真空管路设置于所述修整盘上，且所述真空管路的一端与所述真空泵连通，所述真空管路的另一端朝向所述研磨垫的表面。本发明的技术方案能够及时有效去除研磨垫表面的杂质，减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。减少晶圆研磨过程中的刮伤缺陷。


技术研发人员：鲜怡
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2023.05.30
技术公布日：2023/7/27