高光效发光二极管光源的制作方法

1.本发明涉及一种发光二极管光源，特别是一种高光效发光二极管光源。


背景技术：

2.现有的发光二极管光源的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的负极焊盘。若发光二极管光源具有二个或以上相同尺寸的发光二极管晶粒，且这些发光二极管晶粒都放置在发光二极管支架的负极焊盘，则会导致严重的光干涉。上述的光干涉将导致发光二极管光源的光效大幅降低，且无法有效地利用发光二极管支架的空间。
3.若发光二极管光源具有一个大的发光二极管晶粒及一个小的发光二极管晶粒，大的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的负极焊盘，而小的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的正极焊盘。然而，由于上述二个发光二极管晶粒的电流不同，导致上述二个发光二极管晶粒的电压也不同。因此，上述二个发光二极管晶粒的发热量也会不一致，导致发光二极管光源的容易损坏，使其可靠性大幅降低。
4.中国专利公开文本cn112510026a及中国专利公开文本cn113725203a揭示了发光二极管光源的相关技术，但仍无法有效地解决上述问题。


技术实现要素：

5.本发明提出一种高光效发光二极管光源，其包括支架、正极焊盘、负极焊盘、第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒。正极焊盘设置于支架上。负极焊盘设置于支架上，负极焊盘与正极焊盘间形成沟槽。第一发光二极管晶粒设置于正极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。第二发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。其中第一发光二极管晶粒的一部分突出正极焊盘，并遮蔽沟槽的一部分。
6.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的5%~50%。
7.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的30%~50%。
8.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的45%~50%。
9.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒为矩形。
10.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒相互平行。
11.作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒相互垂直。
12.作为本发明的一种改进，发光二极管光源还包括第三发光二极管晶粒。第三发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。
13.作为本发明的一种改进，第三发光二极管晶粒为矩形。
14.作为本发明的一种改进，第二发光二极管晶粒与第三发光二极管晶粒相互平行。第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒与第一发光二极管晶粒相互垂直。
15.承上所述，依本发明的实施例的高光效发光二极管光源，其可具有一或多个下述优点：(1)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积，使第一发光二极管晶粒的尺寸可以与设置于负极焊盘的第二发光二极管晶粒的尺寸一致。因此，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒的发热量也会一致，第一发光二极管晶粒的使用寿命可以接近第二发光二极管晶粒的使用寿命。故上述的结构设计可以使发光二极管光源的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源的可靠性。
16.(2)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积。因此，负极焊盘可以容纳二个发光二极管晶粒(第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒)，且上述多个发光二极管晶粒的尺寸均可以有效地提升。
17.(3)第一发光二极管晶粒可设置在正极焊盘上，而第二发光二极管晶粒可设置在负极焊盘上，使这些发光二极管晶粒平均分布于正极焊盘及负极焊盘。另外，设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘。上述的结构设计可以有效地提升发光二极管光源的散热效果，进一步提升了发光二极管光源的使用寿命。
18.(4)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，其可以有效地降低第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒(及第三发光二极管晶粒)间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源的光效。因此，发光二极管光源的整体效能可以得到大幅提升。
19.(5)发光二极管光源的设计简单，故可以在不大幅提升成本的前提下达到所欲达到的功效，使发光二极管光源能达到更高的实用性。因此，发光二极管光源的应用上可以更为广泛，更能符合实际应用上的需求。
附图说明
20.图1为本发明的第一实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图；图2为本发明的第一实施例的高光效发光二极管光源的结构的侧视图；图3为本发明的第二实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图；图4为本发明的第三实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图。
21.附图标记说明：1-发光二极管光源；11-支架；12-正极焊盘；13-负极焊盘；l1-第一发光二极管晶粒；l2-第二发光二极管晶粒；l3-第三发光二极管晶粒；pc1-第一正极导线；nc1-第一负极导线；pc2-第二正极导线；nc2-第二负极导线；pc3-第三正极导线；nc3-第三负极导线；w1-第一发光二极管晶粒的第一部分的宽度；w2-第一发光二极管晶粒的第二部分的宽度；w3-沟槽的宽度；gv-沟槽。
22.以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本创作相关的目的及优点。
具体实施方式
23.以下将参照相关图式，说明依本发明的高光效发光二极管光源的实施例，为了清楚与方便图式说明，图式中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现。在以下描述及/或权利要求中，当提及组件「连接」或「耦合」至另一组件时，其可直接连接或耦合至该另一组件或可存在介入组件；而当提及组件「直接连接」或「直接耦合」至另一组件时，不存在介入组件，用于描述组件或层间的关系的其他字词应以相同方式解释。为使便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。
24.请参阅图1，其为本发明的第一实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图。如图所示，发光二极管光源1包括支架11、正极焊盘12、负极焊盘13、第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2。
25.正极焊盘12及负极焊盘13设置于支架11上。负极焊盘13与正极焊盘12间形成沟槽gv。
26.第一发光二极管晶粒l1设置于正极焊盘12上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第一发光二极管晶粒l1通过第一正极导线pc1连接至正极焊盘12，并通过第一负极导线nc1连接至负极焊盘13。在本实施例中，第一发光二极管晶粒l1为矩形。在另一实施例中，第一发光二极管晶粒l1也可为其它形状，其可依实际需求变化。
27.第二发光二极管晶粒l2设置于负极焊盘13上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第二发光二极管晶粒l2通过第二正极导线pc2连接至正极焊盘12，并通过第二负极导线nc2连接至负极焊盘13。在本实施例中，第二发光二极管晶粒l2为矩形。在另一实施例中，第二发光二极管晶粒l2也可以为其它形状，其可以依实际需求变化。第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2相互平行。也就是说，第一发光二极管晶粒l1的对称轴(与其长边平行)与第二发光二极管晶粒l2的对称轴(与其长边平行)相互平行。
28.发光二极管光源1具有特殊的跨沟槽结构。由图中可明显看出，第一发光二极管晶粒l2的一部分突出正极焊盘12，并遮蔽沟槽gv的一部分。
29.当然，本实施例仅用于举例说明而非限制本发明的范围，根据本实施例的高光效发光二极管光源1而进行的等效修改或变更仍应包括在本发明的专利范围内。
30.请参阅图2，其为本发明的第一实施例的高光效发光二极管光源的结构的侧视图。如图所示，第一发光二极管晶粒l1包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘12，第二部分未突出正极焊盘12。
31.第一发光二极管晶粒l1的第一部分的宽度为w1，而第一发光二极管晶粒l1的第一部分的第二部分的宽度为w2。另外，沟槽gv的宽度为w3。第一发光二极管晶粒l1的第一部分的宽度w1为沟槽gv的宽度w3的5%~50%。另外，第一发光二极管晶粒l1的第一部分的宽度w1也可以为沟槽gv的宽度w3的30%~50%。
32.在本实施例中，第一发光二极管晶粒l1的第一部分的宽度w1也可以为沟槽gv的宽度w3的45%~50%(接近50%)。另外，沟槽gv被第一发光二极管晶粒l1的第一部分所遮蔽的面积大于沟槽gv的总面积的1/3，但小于沟槽gv的总面积的1/2。上述的结构设计可以最有效地降低第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源1的光效。因此，发光二极管光源1的整体效能可以得到大幅提升。
33.由上述可知，发光二极管光源1具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘12的第
一发光二极管晶粒l1的一部分(第一部分)可以突出正极焊盘12，并遮蔽正极焊盘12与负极焊盘13间的沟槽gv的一部分。如此，第一发光二极管晶粒l1的尺寸不会受限于正极焊盘12的面积，使第一发光二极管晶粒l1的尺寸可以与设置于负极焊盘13的第二发光二极管晶粒l2的尺寸一致。因此，第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2的发热量也会一致，第一发光二极管晶粒l1的使用寿命可以接近第二发光二极管晶粒l2的使用寿命。故上述的结构设计可以使发光二极管光源1的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源1的可靠性。
34.另外，第一发光二极管晶粒l1可设置在正极焊盘12上，而第二发光二极管晶粒l2可设置在负极焊盘13上，使这些发光二极管晶粒平均分布于正极焊盘12及负极焊盘13。另外，设置于正极焊盘12的第一发光二极管晶粒l1的一部分可以突出正极焊盘12。上述的结构设计可以有效地提升发光二极管光源1的散热效果，进一步提升了发光二极管光源1的使用寿命。
35.当然，本实施例仅用于举例说明而非限制本发明的范围，根据本实施例的高光效发光二极管光源1而进行的等效修改或变更仍应包括在本发明的专利范围内。
36.请参阅图3，其为本发明的第二实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图。如图所示，发光二极管光源1包括支架11、正极焊盘12、负极焊盘13、第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2。
37.正极焊盘12及负极焊盘13设置于支架11上。负极焊盘13与正极焊盘12间形成沟槽gv。
38.第一发光二极管晶粒l1设置于正极焊盘12上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第一发光二极管晶粒l1通过第一正极导线pc1连接至正极焊盘12，并通过第一负极导线nc1连接至负极焊盘13。在本实施例中，第一发光二极管晶粒l1为矩形。在另一实施例中，第一发光二极管晶粒l1也可为其它形状，其可依实际需求变化。
39.第二发光二极管晶粒l2设置于负极焊盘13上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第二发光二极管晶粒l2通过第二正极导线pc2连接至正极焊盘12，并通过第二负极导线nc2连接至负极焊盘13。在本实施例中，第二发光二极管晶粒l2为矩形。在另一实施例中，第二发光二极管晶粒l2也可以为其它形状，其可以依实际需求变化。
40.与前述实施例不同的是，在本实施例中，第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2相互垂直。也就是说，第一发光二极管晶粒l1的对称轴(与其长边平行)与第二发光二极管晶粒l2的对称轴(与其长边平行)相互垂直。
41.同样的，发光二极管光源1具有特殊的跨沟槽结构。由图中可明显看出，第一发光二极管晶粒l2的一部分突出正极焊盘12，并遮蔽沟槽gv的一部分。
42.同样的，上述的结构设计也可以使发光二极管光源1的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源1的可靠性。另外，上述的结构设计也可以有效地降低第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源1的光效。因此，发光二极管光源1的整体效能可以得到大幅提升。
43.当然，本实施例仅用于举例说明而非限制本发明的范围，根据本实施例的高光效发光二极管光源1而进行的等效修改或变更仍应包括在本发明的专利范围内。
44.值得一提的是，现有的发光二极管光源的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管
支架的负极焊盘。上述的结构会导致严重的光干涉，使发光二极管光源的光效大幅降低，且无法有效地利用发光二极管支架的空间。另外，若发光二极管光源具有一个大的发光二极管晶粒及一个小的发光二极管晶粒，大的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的负极焊盘，而小的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的正极焊盘。然而，由于上述二个发光二极管晶粒的电流不同，导致上述二个发光二极管晶粒的电压也不同。因此，上述二个发光二极管晶粒的发热量也会不一致，导致发光二极管光源的容易损坏，使其可靠性大幅降低。相反的，根据本发明的第一实施例及第二实施例，发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积，使第一发光二极管晶粒的尺寸可以与设置于负极焊盘的第二发光二极管晶粒的尺寸一致。因此，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒的发热量也会一致，第一发光二极管晶粒的使用寿命可以接近第二发光二极管晶粒的使用寿命。故上述的结构设计可以使发光二极管光源的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源的可靠性。
45.此外，根据本发明的第一实施例及第二实施例，第一发光二极管晶粒可设置在正极焊盘上，而第二发光二极管晶粒可设置在负极焊盘上，使这些发光二极管晶粒平均分布于正极焊盘及负极焊盘。另外，设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘。上述的结构设计可以有效地提升发光二极管光源的散热效果，进一步提升了发光二极管光源的使用寿命。
46.另外，根据本发明的第一实施例及第二实施例，发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，其可以有效地降低第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源的光效。因此，发光二极管光源的整体效能可以得到大幅提升。
47.再者，根据本发明的第一实施例及第二实施例，发光二极管光源的设计简单，故可以在不大幅提升成本的前提下达到所欲达到的功效，使发光二极管光源能达到更高的实用性。因此，发光二极管光源的应用上可以更为广泛，更能符合实际应用上的需求。由上述可知，根据本发明的第一实施例及第二实施例的高光效发光二极管光源确实可以达到极佳的技术效果。
48.请参阅图4，其为本发明的第三实施例的高光效发光二极管光源的结构的上视图。如图所示，发光二极管光源1包括支架11、正极焊盘12、负极焊盘13、第一发光二极管晶粒l1及第二发光二极管晶粒l2。
49.与前述实施例不同的是，在本实施例中，发光二极管光源1还包括第二发光二极管晶粒l3。
50.正极焊盘12及负极焊盘13设置于支架11上。负极焊盘13与正极焊盘12间形成沟槽gv。
51.第一发光二极管晶粒l1设置于正极焊盘12上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第一发光二极管晶粒l1通过第一正极导线pc1连接至正极焊盘12，并通过第一负极导线nc1连接至负极焊盘13。在本实施例中，第一发光二极管晶粒l1为矩形。在另一实施例中，第一发光二极管晶粒l1也可为其它形状，其可依实际需求变化。
52.第二发光二极管晶粒l2设置于负极焊盘13上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性
连接。其中，第二发光二极管晶粒l2通过第二正极导线pc2连接至正极焊盘12，并通过第二负极导线nc2连接至负极焊盘13。在本实施例中，第二发光二极管晶粒l2为矩形。在另一实施例中，第一发光二极管晶粒l1也可以为其它形状，其可以依实际需求变化。
53.第三发光二极管晶粒l3设置于负极焊盘13上，并与正极焊盘12及负极焊盘13电性连接。其中，第三发光二极管晶粒l3通过第三正极导线pc3连接至正极焊盘12，并通过第三负极导线nc3连接至负极焊盘13。在本实施例中，第三发光二极管晶粒l3为矩形。在另一实施例中，第三发光二极管晶粒l3也可以为其它形状，其可以依实际需求变化。
54.在本实施例中，第二发光二极管晶粒l2与第三发光二极管晶粒l3相互平行。第二发光二极管晶粒l2及第三发光二极管晶粒l3与第一发光二极管晶粒l1相互垂直。也就是说，第二发光二极管晶粒l2的对称轴(与其长边平行)与第三发光二极管晶粒l3的对称轴(与其长边平行)相互平行；第二发光二极管晶粒l2的对称轴(与其长边平行)及第三发光二极管晶粒l3的对称轴(与其长边平行)与第一发光二极管晶粒l1的对称轴(与其长边平行)相互垂直。
55.发光二极管光源1具有特殊的跨沟槽结构。由图中可明显看出，第一发光二极管晶粒l2的一部分突出正极焊盘12，并遮蔽沟槽gv的一部分。如此，第一发光二极管晶粒l1的尺寸不会受限于正极焊盘12的面积。因此，负极焊盘13可以容纳第二发光二极管晶粒l2及第三发光二极管晶粒l3，且上述多个发光二极管晶粒的尺寸均可以有效地提升。
56.此外，上述的跨沟槽结构可以有效地降低第一发光二极管晶粒l1、第二发光二极管晶粒l2及第三发光二极管晶粒l3间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源1的光效。因此，发光二极管光源1的整体效能可以得到大幅提升。
57.另外，第一发光二极管晶粒l1、第二发光二极管晶粒l2及第三发光二极管晶粒l3的发热量也会一致。因此，第一发光二极管晶粒l1、第二发光二极管晶粒l2及第三发光二极管晶粒l3的使用寿命可以接近一致。故上述的结构设计可以使发光二极管光源1的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源1的可靠性。
58.当然，本实施例仅用于举例说明而非限制本发明的范围，根据本实施例的高光效发光二极管光源1而进行的等效修改或变更仍应包括在本发明的专利范围内。
59.综上所述，根据本发明的第一实施例、第二实施例及第三实施例，发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积，使第一发光二极管晶粒的尺寸可以与设置于负极焊盘的第二发光二极管晶粒的尺寸一致。因此，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒的发热量也会一致，第一发光二极管晶粒的使用寿命可以接近第二发光二极管晶粒的使用寿命。故上述的结构设计可以使发光二极管光源的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源的可靠性。
60.根据本发明的第一实施例、第二实施例及第三实施例，发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积。因此，负极焊盘可以容纳二个发光二极管晶粒(第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒)，且上述多个发光二极管晶粒的尺寸均可以有效地提升。
61.此外，根据本发明的第一实施例、第二实施例及第三实施例，第一发光二极管晶粒可设置在正极焊盘上，而第二发光二极管晶粒可设置在负极焊盘上，使这些发光二极管晶粒平均分布于正极焊盘及负极焊盘。另外，设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘。上述的结构设计可以有效地提升发光二极管光源的散热效果，进一步提升了发光二极管光源的使用寿命。
62.另外，根据本发明的第一实施例、第二实施例及第三实施例，发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，其可以有效地降低第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒(及第三发光二极管晶粒)间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源的光效。因此，发光二极管光源的整体效能可以得到大幅提升。
63.再者，根据本发明的第一实施例、第二实施例及第三实施例，发光二极管光源的设计简单，故可以在不大幅提升成本的前提下达到所欲达到的功效，使发光二极管光源能达到更高的实用性。因此，发光二极管光源的应用上可以更为广泛，更能符合实际应用上的需求。
64.需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明专利的保护范围内。

技术特征：
1.一种高光效发光二极管光源，其特征在于，包括：支架；正极焊盘，设置于所述支架上；负极焊盘，设置于所述支架上，所述负极焊盘与所述正极焊盘间形成沟槽；第一发光二极管晶粒，设置于所述正极焊盘上，并与所述正极焊盘及所述负极焊盘电性连接；以及第二发光二极管晶粒，设置于所述负极焊盘上，并与所述正极焊盘及所述负极焊盘电性连接；其中所述第一发光二极管晶粒的一部分突出所述正极焊盘，并遮蔽所述沟槽的一部分。2.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的5%~50%。3.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的30%~50%。4.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的45%~50%。5.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒为矩形。6.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒相互平行。7.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒相互垂直。8.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，还包括第三发光二极管晶粒，设置于所述负极焊盘上，并与所述正极焊盘及所述负极焊盘电性连接。9.如权利要求8所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第三发光二极管晶粒为矩形。10.如权利要求9所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第二发光二极管晶粒与所述第三发光二极管晶粒相互平行，所述第二发光二极管晶粒及所述第三发光二极管晶粒与所述第一发光二极管晶粒相互垂直。

技术总结
一种高光效发光二极管光源，其包括支架、正极焊盘、负极焊盘、第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒。正极焊盘设置于支架上。负极焊盘设置于支架上，负极焊盘与正极焊盘间形成沟槽。第一发光二极管晶粒设置于正极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。第二发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。其中第一发光二极管晶粒的一部分突出正极焊盘，并遮蔽沟槽的一部分。并遮蔽沟槽的一部分。并遮蔽沟槽的一部分。


技术研发人员：卢福星 林智荣
受保护的技术使用者：厦门普为光电科技有限公司
技术研发日：2023.06.29
技术公布日：2023/8/1