窗模块及包括其的显示装置的制作方法

1.本发明的实施方式大体上涉及窗模块及包括该窗模块的显示装置。


背景技术：

2.显示装置包括显示面板和设置在显示面板上的窗。为了提高显示装置的显示质量，已经开发了能够降低显示装置的反射率的结构。


技术实现要素：

3.实施方式提供了窗模块。
4.实施方式提供了包括该窗模块的显示装置。
5.根据实施方式的窗模块包括：窗；第一抗反射层，设置在窗上；以及第二抗反射层，设置在第一抗反射层上，包括氟化镁(mgf2)，并且具有比第一抗反射层的折射率小的折射率。
6.在实施方式中，第一抗反射层可以包括：第一无机层，具有第一折射率；第二无机层，设置在第一无机层上并且具有比第一折射率大的第二折射率；以及第三无机层，设置在第二无机层上并且具有比第一折射率和第二折射率中的每个小的第三折射率。
7.在实施方式中，第一折射率可以是约1.6至约1.8。
8.在实施方式中，第一无机层可以包括氮氧化硅(sion)。
9.在实施方式中，第二折射率可以是约1.7至约2.0。
10.在实施方式中，第二无机层可以包括氮化硅(sin
x
)。
11.在实施方式中，第二无机层可以包括氮氧化硅(sion)。
12.在实施方式中，第三折射率可以是约1.5至约1.6。
13.在实施方式中，第三无机层可以包括氧化硅(sio
x
)。
14.在实施方式中，第一无机层的第一厚度可以是约60纳米(nm)至约100nm，第二无机层的第二厚度可以是约100nm至约130nm，以及第三无机层的第三厚度可以是约15nm至约25nm。
15.在实施方式中，第二抗反射层的折射率可以是约1.3至约1.5。
16.在实施方式中，第二抗反射层的厚度可以是约20nm至约70nm。
17.在实施方式中，窗模块还可以包括设置在第二抗反射层上的中间层以及涂覆在中间层上的抗指纹层。
18.在实施方式中，中间层可以包括氧化硅(sio
x
)。
19.在实施方式中，中间层可以包括si9al2o
10
。
20.根据实施方式的显示装置包括：显示面板，显示图像；以及窗模块，设置在显示面板上。窗模块包括：窗；第一抗反射层，设置在窗上；以及第二抗反射层，设置在第一抗反射层上，包括氟化镁(mgf2)，并且具有比第一抗反射层的折射率小的折射率。
21.在实施方式中，第一抗反射层可以包括：第一无机层，具有第一折射率；第二无机
层，设置在第一无机层上并且具有比第一折射率大的第二折射率；以及第三无机层，设置在第二无机层上并且具有比第一折射率和第二折射率中的每个小的第三折射率。
22.在实施方式中，显示面板可以包括：衬底；晶体管，设置在衬底上；以及发射层，设置在晶体管上。
23.因此，根据本发明的实施方式的窗模块可以包括第一抗反射层和第二抗反射层。第一抗反射层可以具有其中第一无机层、第二无机层和第三无机层依次堆叠的结构。第二抗反射层可以设置在第三无机层上。第一无机层的第一折射率可以小于第二无机层的第二折射率并且大于第三无机层的第三折射率。第二抗反射层的折射率可以小于第一抗反射层的折射率。因此，第一抗反射层和第二抗反射层引起入射光和反射光彼此相消干涉，从而有效地抑制外部光的反射。
附图说明
24.被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本发明的实施方式。
25.图1是示出根据本发明的实施方式的显示装置的剖视图。
26.图2是示出包括在图1的显示装置中的显示面板的剖视图。
27.图3是示出根据比较实施方式的显示装置的剖视图。
28.图4是示出通过测量图3的显示装置的反射率而获得的实验值的表。
29.图5是示出通过测量图1的显示装置的反射率而获得的实验值的表。
30.图6是示出制造图1的显示装置的方法的流程图。
31.图7至图11是示出制造图1的显示装置的方法的剖视图。
32.图12是示出根据本发明的另一实施方式的显示装置的剖视图。
具体实施方式
33.将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者其间可以存在居间的元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间的元件。
34.将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
35.本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一(个)”、“一种”、“该”和“至少一个(种)”不表示数量的限制，并且除非上下文另外清楚地指示，否则旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指示，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种)”不应被解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。还将理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，指
定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
36.如本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。通过以下结合附图的详细描述，将会更清楚地理解说明性的、非限制性的实施方式。
37.图1是示出根据本发明的实施方式的显示装置的剖视图。
38.参考图1，根据实施方式的显示装置1000可以包括显示面板pnl、粘合层adl和窗模块wm。窗模块wm可以包括窗win、第一抗反射层100、第二抗反射层200、中间层iml和抗指纹层afl。第一抗反射层100可以包括第一无机层il1、第二无机层il2和第三无机层il3。
39.显示面板pnl可以显示图像。例如，显示面板pnl可以包括晶体管和电连接到晶体管的发射层。晶体管可以向发射层提供驱动电流，并且发射层可以基于驱动电流发射光。稍后将参考图2描述显示面板pnl。
40.粘合层adl可以设置在显示面板pnl上。粘合层adl可以由粘合材料形成或包括粘合材料，并且窗win可以通过粘合层adl附接到显示面板pnl。在实施方式中，粘合层adl可以包括压敏粘合剂(“psa”)、光学透明粘合剂(“oca”)、光学透明树脂(“ocr”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
41.窗win可以设置在粘合层adl上。在实施方式中，窗win可以由玻璃、石英、塑料等形成或包括玻璃、石英、塑料等。能够用作窗win的材料的示例可以包括聚酰亚胺(“pi”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)、聚丙烯(“pp”)、聚碳酸酯(“pc”)、聚苯乙烯(“ps”)、聚砜(“psul”)、聚乙烯(“pe”)、聚邻苯二甲酰胺(“ppa”)、聚醚砜(“pes”)、聚芳酯(“par”)、聚碳酸酯氧化物(“pco”)、改性聚苯醚(“mppo”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
42.第一无机层il1可以设置在窗win上。第一无机层il1可以具有第一折射率。在实施方式中，第一折射率可以是约1.6至约1.8。例如，对于具有约550纳米(nm)的波长的光，第一折射率可以是约1.6或约1.7。
43.在实施方式中，第一无机层il1可以具有第一厚度th1。例如，第一厚度th1可以是约60nm至约100nm。
44.在实施方式中，第一无机层il1可以由无机材料形成或包括无机材料。能够用作第一无机层il1的无机材料的示例可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)、氮氧化硅(“sion”)、氧化铝(“al2o
3”)、氧化钛(“tio
x”)、氧化钽(“ta2o
5”)、氧化铪(“hfo
x”)、氧化锌(“zno
x”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。例如，第一无机层il1可以由氮氧化硅(“sion”)形成或包括氮氧化硅(“sion”)。
45.第二无机层il2可以设置在第一无机层il1上。第二无机层il2可以具有第二折射率。在实施方式中，第二折射率可以大于第一折射率。第二折射率可以是约1.7至约2.0。例如，对于具有约550nm的波长的光，第二折射率可以是约1.86或约1.968。
46.在实施方式中，第二无机层il2可以具有第二厚度th2。第二厚度th2可以大于第一厚度th1。例如，第二厚度th2可以是约100nm至约130nm。
47.在实施方式中，第二无机层il2可以由无机材料形成或包括无机材料。能够用作第二无机层il2的无机材料的示例可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)、氮氧化硅(“sion”)、氧化铝(“al2o
3”)、氧化钛(“tio
x”)、氧化钽(“ta2o
5”)、氧化铪(“hfo
x”)、氧化锌(“zno
x”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。例如，第二无机层il2可以由氮化硅(“sin
x”，例如“si3n
4”)形成或包括氮化硅(“sin
x”，例如“si3n
4”)。
48.第三无机层il3可以设置在第二无机层il2上。第三无机层il3可以具有第三折射率。在实施方式中，第三折射率可以小于第一折射率，并且可以小于第二折射率。第三折射率可以是约1.5至约1.6。例如，对于具有约550nm的波长的光，第三折射率可以是约1.48。
49.在实施方式中，第三无机层il3可以具有第三厚度th3。第三厚度th3可以小于第一厚度th1并且可以小于第二厚度th2。例如，第三厚度th3可以是约15nm至约25nm。
50.在实施方式中，第三无机层il3可以由无机材料形成或包括无机材料。能够用作第三无机层il3的无机材料的示例可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)、氮氧化硅(“sion”)、氧化铝(“al2o
3”)、氧化钛(“tio
x”)、氧化钽(“ta2o
5”)、氧化铪(“hfo
x”)、氧化锌(“zno
x”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。例如，第三无机层il3可以由氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)形成或包括氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)。
51.第二抗反射层200可以设置在第三无机层il3上。在实施方式中，第二抗反射层200的折射率可以小于第一折射率，小于第二折射率，并且小于第三折射率。例如，对于波长为约550nm的光，第二抗反射层200的折射率可以是约1.3至约1.5。
52.在实施方式中，第二抗反射层200可以具有第四厚度th4。第四厚度th4可以小于第一厚度th1，小于第二厚度th2，并且可以大于或等于第三厚度th3。例如，第四厚度th4可以是约20nm至约70nm。
53.在实施方式中，第二抗反射层200可以由无机材料形成或包括无机材料。例如，第二抗反射层200可以由氟化镁(“mgf
2”)形成或包括氟化镁(“mgf
2”)。
54.中间层iml可以设置在第二抗反射层200上。在实施方式中，中间层iml可以由无机材料形成或包括无机材料。能够用作中间层iml的无机材料的示例可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)、氮氧化硅(“sion”)、氧化铝(“al2o
3”)、氧化钛(“tio
x”)、氧化钽(“ta2o
5”)、氧化铪(“hfo
x”)、氧化锌(“zno
x”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施方式中，中间层iml可以由氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)形成或包括氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)，或者由si9al2o
10
形成或包括si9al2o
10
。
55.抗指纹层afl可以涂覆在中间层iml上。在实施方式中，抗指纹层afl可以通过在中间层iml上涂覆抗指纹材料来形成。能够用作抗指纹层afl的抗指纹材料的示例可以包括金属氧化物(例如，氧化钛(“tio
x”)、硅基化合物、氟基化合物等。
56.在显示装置1000中，第二抗反射层200的折射率可以小于第一抗反射层100的折射率。例如，第一无机层il1的第一折射率可以是约1.6至约1.8，第二无机层il2的第二折射率可以是约1.7至约2.0，第三无机层il3的第三折射率可以是约1.5至约1.6，以及第二抗反射层200的折射率可以是约1.3至约1.5。因此，第一抗反射层100和第二抗反射层200可以引起入射光和反射光彼此相消干涉，并且可以抑制外部光的反射。
57.此外，当还设置有由无机材料形成或包括无机材料的第一抗反射层100时，可以改善显示装置1000的强度特性。
58.此外，通过调节第一无机层il1、第二无机层il2和第三无机层il3的折射率和厚度，可以调节显示装置1000的反射颜色。
59.此外，第三无机层il3可以设置在第一无机层il1和第二无机层il2上并且可以包括氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)。第三无机层il3可以保护第一无机层il1和第二无机层il2免受湿气、空气和冲击的影响。此外，第三无机层il3可以允许第二无机层il2平滑地附接到第二抗反射层200。
60.此外，中间层iml可以设置在第二抗反射层200上并且可以包括氧化硅(“sio
x”，例如“sio
2”)。中间层iml可以允许抗指纹层afl平滑地涂覆。
61.图2是示出包括在图1的显示装置中的显示面板的剖视图。
62.参考图2，显示面板pnl可以包括衬底sub、缓冲层bfr、晶体管tft、第一绝缘层isl1、第二绝缘层isl2、第三绝缘层isl3、第一电极ed1、像素限定层pdl、发射层el、第二电极ed2和封装层enc。晶体管tft可以包括有源图案act、栅电极gat、第一连接电极ce1和第二连接电极ce2。
63.在实施方式中，衬底sub可以由玻璃、石英、塑料等形成或包括玻璃、石英、塑料等。能够用于衬底sub的塑料的示例可以包括聚酰亚胺(“pi”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)、聚丙烯(“pp”)、聚碳酸酯(“pc”)、聚苯乙烯(“ps”)、聚砜(“psul”)、聚乙烯(“pe”)、聚邻苯二甲酰胺(“ppa”)、聚醚砜(“pes”)、聚芳酯(“par”)、聚碳酸酯氧化物(“pco”)、改性聚苯醚(“mppo”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
64.缓冲层bfr可以设置在衬底sub上。在实施方式中，缓冲层bfr可以由绝缘材料形成或包括绝缘材料。能够用于缓冲层bfr的材料的示例可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
65.有源图案act可以设置在缓冲层bfr上。在实施方式中，有源图案act可以由氧化物半导体、硅半导体等形成或包括氧化物半导体、硅半导体等。
66.第一绝缘层isl1可以设置在缓冲层bfr上并且可以覆盖有源图案act。在实施方式中，第一绝缘层isl1可以由绝缘材料形成或包括绝缘材料。能够用作第一绝缘层isl1的材料的示例可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
67.栅电极gat可以设置在第一绝缘层isl1上并且可以与有源图案act重叠。在实施方式中，栅电极gat可以由金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等形成或包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。能够用作栅电极gat的材料的示例可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
68.第二绝缘层isl2可以设置在第一绝缘层isl1上并且可以覆盖栅电极gat。在实施方式中，第二绝缘层isl2可以由绝缘材料形成或包括绝缘材料。能够用作第二绝缘层isl2的材料的示例可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
69.第一连接电极ce1和第二连接电极ce2可以设置在第二绝缘层isl2上并且可以接触有源图案act。在实施方式中，第一连接电极ce1和第二连接电极ce2可以由金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等形成或包括金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。
能够用作第一连接电极ce1和第二连接电极ce2的材料的示例可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
70.第三绝缘层isl3可以设置在第二绝缘层isl2上并且可以覆盖第一连接电极ce1和第二连接电极ce2。在实施方式中，第三绝缘层isl3可以由绝缘材料形成或包括绝缘材料。能够用作第三绝缘层isl3的材料的示例可以包括光刻胶、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
71.第一电极ed1可以设置在第三绝缘层isl3上并且可以接触第二连接电极ce2。像素限定层pdl可以设置在第三绝缘层isl3上并且可以包括暴露第一电极ed1的开口。发射层el可以设置在第一电极ed1上。第二电极ed2可以设置在发射层el上。
72.封装层enc可以设置在第二电极ed2上。封装层enc可以防止湿气和空气渗透到发射层el中。在实施方式中，封装层enc可以具有其中无机绝缘层、有机绝缘层和无机绝缘层依次堆叠的结构。
73.图3是示出根据比较实施方式的显示装置的剖视图。图4是示出通过测量图3的显示装置的反射率而获得的实验值的表。图5是示出通过测量图1的显示装置的反射率而获得的实验值的表。如本文中所使用的，显示装置的反射率被限定为从显示装置反射的光的量与入射到显示装置的光的量的比率。
74.参考图3，根据比较实施方式的显示装置1000'可以包括显示面板pnl、粘合层adl、窗win、第二抗反射层200'、中间层iml和抗指纹层afl。除了第一抗反射层100之外，显示装置1000'可以基本上与参考图1描述的显示装置1000相同。换句话说，第二抗反射层200'可以基本上与参考图1描述的第二抗反射层200相同，并且显示装置1000'可以是其中未形成第一抗反射层100的显示装置。
75.参考图3和图4，根据第二抗反射层200'的厚度测量了显示装置1000'(比较例)相对于具有约550nm的波长的光的反射率。
76.当第二抗反射层200'的厚度为约30nm时，显示装置1000'的反射率为约2.11％。当第二抗反射层200'的厚度为约40nm时，显示装置1000'的反射率为约1.91％。当第二抗反射层200'的厚度为约50nm时，显示装置1000'的反射率为约1.79％。当第二抗反射层200'的厚度为约60nm时，显示装置1000'的反射率为约1.78％。当第二抗反射层200'的厚度为约70nm时，显示装置1000'的反射率为约1.86％。当第二抗反射层200'的厚度为约80nm时，显示装置1000'的反射率为约2.04％。
77.当第二抗反射层200'的厚度为约30nm至约80nm时，显示装置1000'的反射率为约1.7％至约2.2％。
78.参考图1和图5，根据第二抗反射层200的厚度测量了显示装置1000(实施例1)相对于具有约550nm的波长的光的反射率。
79.当第二抗反射层200的厚度为约20nm时，显示装置1000的反射率为约1.49％。当第二抗反射层200的厚度为约30nm时，显示装置1000的反射率为约0.67％。当第二抗反射层200的厚度为约40nm时，显示装置1000的反射率为约0.23％。当第二抗反射层200的厚度为约50nm时，显示装置1000的反射率为约0.24％。当第二抗反射层200的厚度为约60nm时，显
示装置1000的反射率为约0.67％。当第二抗反射层200的厚度为约70nm时，显示装置1000的反射率为约1.48％。
80.当第二抗反射层200的厚度为约20nm至约70nm时，包括第一抗反射层100的显示装置1000的反射率为约0.2％至约1.5％。
81.如图4和图5中所示，当显示装置1000包括第一抗反射层100时，可以显著降低显示装置1000的反射率。
82.图6是示出制造图1的显示装置的方法的流程图。图7至图11是示出制造图1的显示装置的方法的剖视图。
83.参考图1和图6，在制造显示装置1000的方法中(s1000)，可以将窗win附接到显示面板pnl(s100)，可以在窗win上形成第一抗反射层100(s200)，可以在第一抗反射层100上形成第二抗反射层200(s300)，可以在第二抗反射层200上形成中间层iml(s400)，以及可以在中间层iml上涂覆抗指纹层afl(s500)。
84.在实施方式中，如图6中所示，在将显示面板pnl附接到窗win之后，可以在窗win上依次形成第一抗反射层100、第二抗反射层200、中间层iml和抗指纹层afl。在这种情况下，显示面板pnl可以经受住用于形成第一抗反射层100、第二抗反射层200、中间层iml和抗指纹层afl的工艺条件。
85.然而，本发明不限于此。在另一实施方式中，在窗win上形成第一抗反射层100、第二抗反射层200、中间层iml和抗指纹层afl之后，可以将显示面板pnl附接到窗win。
86.在实施方式中，如图6中所示，第一抗反射层100可以通过一个工艺形成。例如，第一无机层il1、第二无机层il2和第三无机层il3可以通过单个化学气相沉积(“cvd”)工艺形成。
87.然而，本发明不限于此。在另一实施方式中，第一无机层il1、第二无机层il2和第三无机层il3可以通过两个或更多个工艺形成。例如，第一无机层il1可以通过第一化学气相沉积工艺形成，第二无机层il2可以通过继第一化学气相沉积工艺之后的第二化学气相沉积工艺形成，以及第三无机层il3可以通过继第二化学气相沉积工艺之后的第三化学气相沉积工艺形成。
88.参考图6和图7，可以在显示面板pnl上形成粘合层adl，并可以在粘合层adl上设置窗win。因此，显示面板pnl可以附接到窗win(s100)。
89.参考图6和图8，可以在窗win上形成第一抗反射层100(s200)。在实施方式中，第一抗反射层100可以通过单个化学气相沉积(cvd)工艺形成。化学气相沉积(cvd)工艺可以在约65摄氏度(℃)至约200℃下执行。
90.参考图6和图9，可以在第一抗反射层100上形成第二抗反射层200(s300)。在实施方式中，第二抗反射层200可以用电子束(e束)沉积设备形成。电子束沉积设备可以在约200℃至约300℃下使用。
91.参考图6和图10，可以在第二抗反射层200上形成中间层iml(s400)。
92.参考图6和图11，可以在中间层iml上涂覆抗指纹层afl(s500)。
93.图12是示出根据本发明的另一实施方式的显示装置的剖视图。
94.参考图12，根据另一实施方式的显示装置2000可以包括显示面板pnl、粘合层adl和窗模块wm'。窗模块wm'可以包括窗win、第一抗反射层100'、第二抗反射层200、中间层iml
和抗指纹层afl。第一抗反射层100'可以包括第一无机层il1、第二无机层il2'和第三无机层il3。
95.除了第二无机层il2'之外，显示装置2000可以基本上与参考图1描述的显示装置1000相同。
96.在实施方式中，第二无机层il2'可以设置在第一无机层il1上。第二无机层il2'可以具有第二折射率。在实施方式中，第二折射率可以大于第一无机层il1的第一折射率。对于具有约550nm的波长的光，第二折射率可以是约1.7。
97.在实施方式中，第二无机层il2'可以具有第二厚度th2'。第二厚度th2'可以大于第一无机层il1的第一厚度th1。例如，第二厚度th2'可以是约100nm至约130nm。
98.在实施方式中，第二无机层il2'可以由无机材料形成或包括无机材料。能够用作第二无机层il2'的无机材料的示例可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)、氮氧化硅(“sion”)、氧化铝(“al2o
3”)、氧化钛(“tio
x”)、氧化钽(“ta2o
5”)、氧化铪(“hfo
x”)、氧化锌(“zno
x”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。例如，第二无机层il2'可以由氮氧化硅(“sion”)形成或包括氮氧化硅(“sion”)。
99.当第二无机层il2'由氮氧化硅(“sion”)形成或包括氮氧化硅(“sion”)时，可以提高第二无机层il2'的可靠性。换句话说，在制造显示装置2000期间，第二无机层il2'可以不被损坏。因此，可以更容易地调节第一抗反射层100'的折射率。此外，当第二无机层il2'由氮氧化硅(“sion”)形成或包括氮氧化硅(“sion”)时，可以调节显示装置2000的反射颜色。
100.尽管本文中已经描述了某些实施方式和实现，但是其它实施方式和修改将从该描述变得显而易见。因此，本发明不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求的更宽的范围以及对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。

技术特征：
1.一种窗模块，包括：窗；第一抗反射层，设置在所述窗上；以及第二抗反射层，设置在所述第一抗反射层上，包括氟化镁，并且具有比所述第一抗反射层的折射率小的折射率。2.根据权利要求1所述的窗模块，其中，所述第一抗反射层包括：第一无机层，具有第一折射率；第二无机层，设置在所述第一无机层上并且具有比所述第一折射率大的第二折射率；以及第三无机层，设置在所述第二无机层上并且具有比所述第一折射率和所述第二折射率中的每个小的第三折射率。3.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第一折射率为1.6至1.8。4.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第一无机层包括氮氧化硅。5.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第二折射率为1.7至2.0。6.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第二无机层包括氮化硅。7.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第二无机层包括氮氧化硅。8.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第三折射率为1.5至1.6。9.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第三无机层包括氧化硅。10.根据权利要求2所述的窗模块，其中，所述第一无机层的第一厚度为60nm至100nm，其中，所述第二无机层的第二厚度为100nm至130nm，以及其中，所述第三无机层的第三厚度为15nm至25nm。11.根据权利要求1所述的窗模块，其中，所述第二抗反射层的所述折射率为1.3至1.5。12.根据权利要求1所述的窗模块，其中，所述第二抗反射层的厚度为20nm至70nm。13.根据权利要求1所述的窗模块，还包括：中间层，设置在所述第二抗反射层上；以及抗指纹层，涂覆在所述中间层上。14.根据权利要求13所述的窗模块，其中，所述中间层包括氧化硅。15.根据权利要求13所述的窗模块，其中，所述中间层包括si9al2o
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。16.一种显示装置，包括：显示面板，显示图像；以及窗模块，设置在所述显示面板上，其中，所述窗模块包括：窗；第一抗反射层，设置在所述窗上；以及第二抗反射层，设置在所述第一抗反射层上，包括氟化镁，并且具有比所述第一抗反射层的折射率小的折射率。17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一抗反射层包括：第一无机层，具有第一折射率；第二无机层，设置在所述第一无机层上并且具有比所述第一折射率大的第二折射率；
以及第三无机层，设置在所述第二无机层上并且具有比所述第一折射率和所述第二折射率中的每个小的第三折射率。18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：衬底；晶体管，设置在所述衬底上；以及发射层，设置在所述晶体管上。

技术总结
本发明公开了一种窗模块，窗模块包括：窗；第一抗反射层，设置在窗上；以及第二抗反射层，设置在第一抗反射层上，包括氟化镁并且具有比第一抗反射层的折射率小的折射率。第一抗反射层的折射率小的折射率。第一抗反射层的折射率小的折射率。


技术研发人员：梁基勳 金兑敃 徐奉成 申东根 李瑟琪 林虎
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.02.02
技术公布日：2023/8/4