基片处理系统和颗粒除去方法与流程

1.本发明涉及基片处理系统和颗粒除去方法。


背景技术：

2.专利文献1公开了将内置有珀耳帖元件等冷却吸附部的保护部件以覆盖腔室内的载置台的上表面的方式配置，在利用冷却吸附部对保护部件进行冷却的同时进行抽真空来捕集颗粒的技术。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开第2010-103443号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供能够高效率地除去颗粒的技术。
8.用于解决技术问题的手段
9.本发明的一个方面的基片处理系统包括真空输送模块、基片处理模块、大气输送模块、负载锁定模块、至少一个基片输送机器人、和控制部。基片处理模块与真空输送模块连接，能够在减压环境下对基片进行处理。负载锁定模块与真空输送模块和大气输送模块连接，能够在真空输送模块与大气输送模块之间对基片进行中继，负载锁定模块的内部能够切换为减压环境和大气压环境。至少一个基片输送机器人配置在真空输送模块和大气输送模块的内部，包括至少一个末端执行器。控制部能够对颗粒除去动作进行控制。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送模块、基片处理模块、负载锁定模块和大气输送模块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。
10.发明效果
11.采用本发明，能得到能够高效率地除去颗粒的效果。
附图说明
12.图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
13.图2a是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
14.图2b是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
15.图3a是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
16.图3b是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
17.图3c是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
18.图3d是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
19.图3e是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
20.图3f是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
21.图4是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
22.图5是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
23.图6a是表示实施方式的清洁晶片的移动路径的一个例子的图。
24.图6b是表示实施方式的清洁晶片的移动路径的一个例子的图。
25.图7a是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
26.图7b是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
27.图8是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
28.图9是表示实施方式的颗粒除去方法的流程的流程图。
29.图10a是表示颗粒的除去结果的一个例子的图。
30.图10b是表示颗粒的除去结果的一个例子的图。
31.图11a是表示改变施加电压的情况下的颗粒的捕集效率的变化的一个例子的图。
32.图11b是表示改变施加电压的情况下的颗粒的捕集效率的变化的一个例子的图。
33.附图标记说明
[0034]1…
基片处理系统，10
…
真空输送室，15
…
第一输送机构，15a
…
第一臂，15a1
…
电源部，15b
…
第二臂，20
…
常压输送室，25
…
第二输送机构，25a
…
臂，25d
…
基座，27a
…
第一拾取器，27b
…
第二拾取器，30
…
控制装置，31
…
存储部，32
…
处理部，33
…
输入输出接口，34
…
显示部，51
…
绝缘膜，53
…
电源，54a、54b
…
带电区域，60、60a、60b
…
颗粒，70
…
带电机构，71
…
物体，80
…
照射部，cw
…
清洁晶片，gv
…
闸阀，llm、llm1、llm2
…
负载锁定模块，lp、lp1～lp5
…
负载端口，pm、pm1～pm8
…
处理模块，st
…
载置台，w
…
基片。
具体实施方式
[0035]
下面，参照附图对本发明的基片处理系统和颗粒除去方法的实施方式进行详细说明。此外，本发明的基片处理系统和颗粒除去方法不受下面的实施方式限定。
[0036]
基片处理系统当在启动时或维护时，将内部向大气开放来实施作业时，存在会因异物的侵入而产生颗粒的情况。例如，基片处理系统当将内部向大气开放来实施作业时，存在大气中的水分附着在内壁上，水分残留，产生作为二次生成物的水合物，从而产生颗粒的情况。另外，基片处理系统当使用时长变长时，存在因生成的沉积物、附着气体等的影响而产生颗粒的情况。
[0037]
以往，在基片处理系统中，实施在内部反复输送伪硅晶片(下面，也称为伪晶片)，使颗粒附着在伪晶片上而将颗粒除去的方法。虽然采用这样的以往的方法也能够获得一定的清洁效果，但是自由落下的物质仅是偶尔落在伪晶片上，颗粒的除去效率低。
[0038]
因此，期待高效率地除去颗粒的技术。
[0039]
(实施方式)
[0040]
(基片处理系统1)
[0041]
接着，对实施方式进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的一个例子的图。基片处理系统1包括多个真空处理室(下面，也称为处理模块)pm1～pm8、真空输送室10和常压输送室20。另外，基片处理系统1还包括多个负载锁定模块llm1～llm2、多个负载端口lp1～lp5、和控制装置30。
[0042]
此外，在图1的例子中，示出8个处理模块pm1～pm8、2个负载锁定模块llm1～llm2和5个负载端口lp1～lp5。但是，基片处理系统1所包括的处理模块pm、负载锁定模块llm和负载端口lp的数量并不限于图示的数量。下面，在不需要特别区分的情况下，将8个处理模块pm1～pm8统称为处理模块pm。同样地，将2个负载锁定模块llm1～llm2统称为负载锁定模块llm。另外，同样地，将5个负载端口lp1～lp5统称为负载端口lp。此外，本实施方式的基片处理系统1包括至少2个负载锁定模块llm。
[0043]
处理模块pm气密地构成，能够通过利用排气机构对内部进行排气，来使内部为减压状态。处理模块pm能够在使内部为适合于基片处理的规定的减压状态的减压气氛中，对基片w执行例如蚀刻、成膜等基片处理。基片w例如为半导体晶片。处理模块pm分别在内部具有用于支承基片w的载置台st。处理模块pm内在基片处理中被维持为减压气氛。处理模块pm各自经由可开闭的闸阀gv与真空输送室10连接。
[0044]
真空输送室10气密地构成，能够通过利用排气机构对内部进行排气，来使内部为减压状态。真空输送室10能够在形成为规定的减压状态的减压气氛中，实施基片w的输送。例如，真空输送室10在内部配置有用于输送基片w的第一输送机构15。第一输送机构15具有可伸缩的机械臂。第一输送机构15在真空输送室10内配置有至少一个，包括至少一个末端执行器。本实施方式的第一输送机构15具有可单独动作的第一臂15a和第二臂15b。第一臂15a和第二臂15b各自在前端具有大致u字形状的拾取器，各自能够保持基片w。第一输送机构15能够使机械臂伸缩从而在处理模块pm1～pm8与负载锁定模块llm1、llm2之间输送基片w。基片w经由真空输送室10被输送到各处理模块pm。在处理模块pm内被处理后的基片w，经由真空输送室10被输送到接下来要进行处理的处理模块pm。所有的处理都已结束的基片w，经由真空输送室10被输送到负载锁定模块llm。
[0045]
负载锁定模块llm气密地构成，能够利用排气机构将内部切换为大气气氛和减压气氛。负载锁定模块llm沿着没有配置处理模块pm的真空输送室10的一边排列配置。负载锁定模块llm和真空输送室10构成为内部可经由闸阀gv连通。负载锁定模块llm在与真空输送室10连接的一侧的相反侧与常压输送室20连接。负载锁定模块llm与常压输送室20之间构成为各自的内部可经由闸阀gv连通。
[0046]
常压输送室20的内部被维持为常压气氛。在常压输送室20的一侧并列设置有多个负载锁定模块llm。另外，在常压输送室20的另一侧并列设置有多个负载端口lp。常压输送室20在内部配置有用于在负载锁定模块llm与负载端口lp之间输送输送物的第二输送机构25。第二输送机构25具有臂25a。臂25a可旋转地固定在基座25d上。基座25d被固定在负载端口lp3附近。臂25a的前端将大致u字形状的第一拾取器27a和第二拾取器27b可旋转地连接。在本实施方式中，第一输送机构15和第二输送机构25与本发明的基片输送机器人对应。另外，第一臂15a、第二臂15b的拾取器、第一拾取器27a和第二拾取器27b与本发明的末端执行器对应。
[0047]
负载端口lp形成为能够安装用于收纳基片w的保管容器(下面，也称为front opening unified pod(foup)：前开式晶片传送盒)。foup是能够收纳基片w的保管容器。foup具有可开闭的盖(未图示)。当foup被设置在负载端口lp时，foup的盖与负载端口lp的门卡合。在该状态下，通过打开负载端口lp的门，foup的盖与门一起移动，foup打开，foup内和常压输送室20经由负载端口lp连通。
[0048]
如上述那样构成的处理模块pm、真空输送室10、第一输送机构15、负载锁定模块llm、常压输送室20、第二输送机构25、负载端口lp各自与控制装置30连接，被控制装置30控制。
[0049]
控制装置30为计算机等信息处理装置。控制装置30能够对基片处理系统1的各部分进行控制。控制装置30的具体结构和功能没有特别限定。控制装置30例如包括存储部31、处理部32、输入输出接口(io i/f)33和显示部34。存储部31例如是硬盘、光盘、半导体存储元件等任意的存储装置。处理部32例如是cpu(central processing unit：中央处理器)、mpu(micro processing unit：微处理器)等处理器。显示部34例如是液晶画面或触摸屏等显示信息的功能部。处理部32通过读取并执行存储在存储部31中的程序和方案，经由输入输出接口33控制基片处理系统1的各部分。
[0050]
但是，基片处理系统1当在启动时或维护时，使处理模块pm或真空输送室10等的内部对大气开放来实施作业时，存在会因异物的侵入而产生颗粒的情况。另外，基片处理系统1当使用时长变长时，存在因生成的沉积物、附着气体等的影响而产生颗粒的情况。
[0051]
以往，在基片处理系统中，实施在内部反复输送伪晶片，使颗粒附着在伪晶片上而将颗粒除去的方法。但是，在以往的方法中，自由落下的物质仅是偶尔落在伪晶片上，颗粒的除去效率低。例如，真空输送室10、负载锁定模块llm、常压输送室20的内部的颗粒与处理模块pm不同，有从上部、内壁落下的类型较多的趋势。这些颗粒长时间连续，直接蓄积在下部或第一输送机构15、第二输送机构25等的表面等，存在会二次地、三次地对基片w表面造成污染的情况。
[0052]
但是，颗粒即使不特别地进行积极的电荷赋予，通常也大多具有正负中的任一种电荷。
[0053]
因此，在本实施方式中，在基片处理系统1的内部输送带电的至少一个带电部件，使带电部件在内部滞留或移动，利用静电力使颗粒附着在带电部件的表面来进行颗粒的收集(集尘)。然后，通过将附着有颗粒的状态的带电部件送出到外部，能够提高基片处理系统1的内部的清洁度。
[0054]
带电部件只要是能够带电的结构的部件即可。带电部件优选为与基片w同样的形状。通过使带电部件为与基片w同样的形状，能够利用第一输送机构15或第二输送机构25等输送基片w的输送系统，与基片w同样地输送带电部件。例如，作为带电部件，可以利用在硅晶片等半导体晶片的表面形成绝缘膜的部件、或者在半导体晶片的表面专门形成电介质膜的部件等。通过利用电压施加或其它方法对带电部件的表面赋予电荷使其带电，能够使带电部件发挥清洁功能。下面，对带电部件为与基片w同样的形状的情况进行说明。
[0055]
图2a和图2b是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。在图2a和图2b中，示出带电部件为在上表面形成有绝缘膜51的清洁用的半导体晶片cw(下面，称为清洁晶片)的情况。如图2a所示，清洁晶片cw通过使上表面(上侧的表面)带正电，能够电吸附带负电的颗粒60a。另外，如图2b所示，清洁晶片cw通过使上表面带负电，能够电吸附带正电的颗粒60b。此外，上面以在清洁晶片cw的上表面形成绝缘膜51的情况为例进行了说明，但是并不限于此，也可以是在下表面(下侧的表面)形成绝缘膜51，也可以是在上表面和下表面形成绝缘膜51，还可以是在上表面、下表面和侧面形成绝缘膜51。另外，带电部件只要是表面能够带电的结构即可。
[0056]
图3a～图3f是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。在图3a～图3f中，示出了使作为带电部件的清洁晶片cw带电的带电方法。在图3a中，对清洁晶片cw的基片施加正或负的电压来使表面带电。在图3b中，对清洁晶片cw照射离子或电子来使表面带电。在图3c中，对清洁晶片cw照射x射线来使表面带电。在图3d中，对清洁晶片cw喷射气体，利用与气体的摩擦来使表面带电。在图3e中，通过利用物体71摩擦清洁晶片cw的表面来使表面带电。在图3f中，在清洁晶片cw的表面形成有导电性的膜52，设置有电源53。在图3f中，从电源53对膜52施加电压来使清洁晶片cw带电。此外，在图3f中，也可以是从第一输送机构15或第二输送机构25等输送系统供给电力来使清洁晶片cw带电。
[0057]
可以是在基片处理系统1的外部使清洁晶片cw带电。例如，将在基片处理系统1的外部带电的清洁晶片cw存储在foup中并设置在负载端口lp。基片处理系统1从foup取出带电的清洁晶片cw，使带电的清洁晶片cw在内部滞留或移动来进行颗粒的收集(集尘)。然后，基片处理系统1使集尘后的附着有颗粒的清洁晶片cw返回到foup，来对基片处理系统1的内部进行清洁。
[0058]
另外，也可以是在基片处理系统1的内部使清洁晶片cw带电。例如，可以是在基片处理系统1的第一输送机构15的第一臂15a和第二臂15b的拾取器或第二输送机构25的第一拾取器27a和第二拾取器27b设置用于使清洁晶片cw带电的电源部。另外，例如，也可以是在基片处理系统1的内部设置能够利用图3a～图3e的带电方法使清洁晶片cw带电的带电机构。
[0059]
图4是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的一个例子的图。在图4中，示出了在设置在真空输送室10中的第一输送机构15的第一臂15a的拾取器上设置有用于使清洁晶片cw带电的电源部15a1的情况。清洁晶片cw在与电源部15a1接触的部分设置有端子等导电部。电源部15a1经由第一臂15a的内部被供给电力。电源部15a1通过对清洁晶片cw的导电部施加正或负的电压，使清洁晶片cw带正电或负电。
[0060]
图5是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的一个例子的图。在图5中，示出了在负载锁定模块llm设置有能够使清洁晶片cw带电的带电机构70的情况。带电机构70例如能够利用图3a～图3e中的任一种带电方法使清洁晶片cw带电。此外，带电机构70也可以是设置在真空输送室10、常压输送室20或负载端口lp的内部，也可以是设置在foup。
[0061]
基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在内部滞留或移动来进行颗粒的收集(集尘)。图5表示使带电的清洁晶片cw沿着真空输送室10的内部的与处理模块pm连接的内侧面移动的情况。由此，能够利用带电的清洁晶片cw，收集从处理模块pm侵入的颗粒。也可以是基片处理系统1使带电的多个清洁晶片cw在内部滞留或移动来进行颗粒的收集(集尘)。例如，基片处理系统1在第一臂15a的拾取器和第二臂15b的拾取器上分别载置有带电的清洁晶片cw的状态下，使带电的清洁晶片cw沿着真空输送室10的内部的与处理模块pm连接的内侧面移动。由此，能够利用带电的多个清洁晶片cw，迅速地收集颗粒。
[0062]
带电的清洁晶片cw的移动路径可以是任何路径，优选带电的清洁晶片cw在内部进行网罗。另外，也可以是基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在内部环绕多次。另外，也可以是基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在内部网罗性地移动。另外，也可以是基片处理系统1使带电的清洁晶片cw追随基片w而移动。例如，也可以是基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在基片w的周围环绕。图6a和图6b是表示实施方式的清洁晶片cw的移动路径的一个例子
的图。图6a表示使带电的清洁晶片cw在真空输送室10的内部环绕多次的情况。图6b表示使带电的清洁晶片cw在由处理模块pm进行了基片处理的基片w的周围环绕多次的情况。
[0063]
可以是基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在内部的多个位置中的任一个位置维持第一时长的时间。第一时长优选为10分钟以上。通过将清洁晶片cw的输送停止来维持，能够利用静电力使周围的颗粒吸附在清洁晶片cw上。例如，在图5和图6a的情况下，可以在与各处理模块pm连接的连接部位附近使输送暂时停止，并维持第一时长的时间。
[0064]
可以是在清洁晶片cw的表面设置能够分别带正电和负电的带电区域。另外，也可以是在清洁晶片cw的表面设置能够带正电和负电中的任一者的带电区域。清洁晶片cw通过在侧面或下表面设置绝缘膜51且使表面带电，能够高效率地捕集在输送系统的底部或侧部浮游的颗粒、和附着在载置台st等用于载置基片w的载置部上的颗粒。
[0065]
图7a是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。图7a表示在清洁晶片cw的上表面设置有带正电的带电区域54a和带负电的带电区域54b的情况。带电区域54a通过带正电，能够电吸附带负电的颗粒60a。带电区域54b通过带负电，能够电吸附带正电的颗粒60b。可以是在清洁晶片cw设置多个带电区域54a、54b。
[0066]
图7b是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。图7b表示在清洁晶片cw的上表面设置有带正电的带电区域54a，在清洁晶片cw的下表面设置有带负电的带电区域54b的情况。图7b所示的清洁晶片cw能够利用上表面的带电区域54a电吸附带负电的颗粒60a，利用下表面的带电区域54b电吸附带正电的颗粒60b。此外，也可以是清洁晶片cw在上表面设置带负电的带电区域54b，在下表面设置带正电的带电区域54a。
[0067]
可以是基片处理系统1使表面的带电区域分别带正电和负电的清洁晶片cw在内部滞留或移动来一次地对带正电和带负电的颗粒进行收集(集尘)。另外，也可以是基片处理系统1使表面的带电区域带正电的清洁晶片cw和表面的带电区域带负电的清洁晶片cw同时在内部滞留或移动来一次地对正电和负电的颗粒进行收集(集尘)。另外，也可以是基片处理系统1使表面的带电区域带正电的清洁晶片cw和表面的带电区域带负电的清洁晶片cw单独在内部滞留或移动来单独地对带正电和带负电的颗粒进行收集(集尘)。
[0068]
颗粒能够通过照射紫外线或x射线或者通过电晕放电而带电。因此，可以是基片处理系统1积极地使内部的颗粒带电。例如，可以是基片处理系统1在内部设置能够通过照射紫外线或x射线或者通过电晕放电使颗粒带电的颗粒带电机构。
[0069]
图8是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的一个例子的图。在图8中，示出了在真空输送室10的内部设置有用于照射紫外线的照射部80作为颗粒带电机构的情况。能够利用从照射部80照射的紫外线使颗粒60带正电或负电。通过这样强制地使颗粒60带电，能够提高颗粒60与清洁晶片cw吸附的静电力。由此，能够获得高的收集(集尘)效果。另外，能够在短时间内清洁大的范围。此外，照射部80等颗粒带电机构也可以是设置在常压输送室20、各处理模块pm或负载端口lp的内部。
[0070]
清洁晶片cw通过将吸附的颗粒除去而能够再利用。清洁晶片cw能够通过一边交替施加正负电荷使其与颗粒之间产生斥力，一边进行气体吹送和真空排气，来将吸附的颗粒除去。另外，清洁晶片cw也能够通过加热或生成高频等离子体来将颗粒除去。从清洁晶片cw除去颗粒，可以是在基片处理系统1的外部实施，也可以是在基片处理系统1的内部实施。例如，在图5的结构的情况下，基片处理系统1可以在负载锁定模块llm中利用带电机构70使清
洁晶片cw交替地带正负电并且进行气体吹送和排气，来将颗粒从清洁晶片cw除去。
[0071]
(颗粒除去方法)
[0072]
图9是表示实施方式的颗粒除去方法的流程的流程图。实施方式的颗粒除去方法的处理，例如在存储有清洁晶片cw的foup被放置在负载端口lp且在控制装置30中进行了指示颗粒的除去的规定操作的情况下实施。
[0073]
使至少一个清洁晶片cw带电(步骤s10)。例如，控制装置30控制第一输送机构15或第二输送机构25等输送系统，从foup取出清洁晶片cw，并输送到带电机构70。然后，控制装置30控制带电机构70，利用带电机构70使清洁晶片cw带电。此外，当在foup存储有在基片处理系统1的外部带电的清洁晶片cw的情况下，可以不实施步骤s10的处理。
[0074]
接着，使带电的至少一个清洁晶片cw在基片处理系统1的内部滞留或移动来进行颗粒的收集(集尘)(步骤s11)。例如，控制装置30控制第一输送机构15或第二输送机构25等输送系统，在真空输送室10、处理模块pm、负载锁定模块llm、常压输送室20中的任一者的内部输送带电的清洁晶片cw。然后，控制装置30将带电的清洁晶片cw在内部的多个位置中的任一个位置维持第一时长的时间，进行颗粒的收集(集尘)。
[0075]
接着，将集尘后的清洁晶片cw送出到foup(步骤s12)，结束处理。例如，控制装置30控制第一输送机构15或第二输送机构25等输送系统，将集尘后的清洁晶片cw输送到foup。
[0076]
这样，实施方式的颗粒除去方法，通过在基片处理系统1的内部输送带电的清洁晶片cw，能够利用静电力积极地捕集颗粒。由此，实施方式的颗粒除去方法能够高效率地除去颗粒。
[0077]
对实施方式的颗粒除去方法的效果的一个例子进行说明。图10a是表示颗粒的除去结果的一个例子的图。图10a是使用粒径已知的测试用的颗粒并使模拟清洁晶片cw的电极板带电来评价颗粒的捕集效率的结果。在图10a中，表示出了粒径为30nm、100nm、200nm的颗粒的捕集效率。在图10a的评价中，是在没有设置照射部80等颗粒带电机构的情况下捕集颗粒。颗粒即使不特别地进行积极的电荷赋予，通常也大多具有正负中的任一种电荷。因此，颗粒即使不进行积极的带电，也能够捕集56％的30nm的颗粒，产生了集尘功能。而且，粒径越小，静电力越能够超过颗粒所具有的惯性力/重力的影响。因此，粒径越小的颗粒，越能够高效率地进行收集(集尘)。因此，实施方式的颗粒除去方法是在颗粒的微细化进一步发展的将来更有效的清洁方法。
[0078]
图10b是表示颗粒的除去结果的另一个例子的图。图10b与图10a同样地，是使用粒径已知的测试用的颗粒并使模拟清洁晶片cw的电极板带电来评价颗粒的捕集效率的结果。在图10b的评价中，是利用电晕放电使颗粒积极地带电来捕集颗粒。在不进行积极的带电的情况下，如图10a所示，30nm的颗粒的捕集效率为56％。而在使颗粒带电的情况下，如图10b所示，结果是30nm的颗粒的捕集效率提高到89％，电极板附近的颗粒几乎全部被捕集。
[0079]
从该结果可以推测，基片处理系统1使带电的清洁晶片cw在内部滞留或移动，内部的颗粒的数量大幅减少。
[0080]
在施加电压使清洁晶片cw带电的情况下，施加电压越高，带电量越多，与颗粒的静电力越高，颗粒的捕集效率越好。
[0081]
图11a和图11b是表示改变施加电压的情况下的颗粒的捕集效率的变化的一个例子的图。图11a和图11b是改变使模拟清洁晶片cw的电极板带电的施加电压，利用分别通过
施加电压而带电的电极板，进行粒径已知的测试用的颗粒的捕集的结果。图11a表示在正电的范围内改变施加电压的情况。图11a表示在负电的范围内改变施加电压的情况。如图11a和图11b所示，为了捕集颗粒，无论是正电、负电中的任一种电压，施加电压都需要为500v以上，通过使施加电压为2000v以上，能够获得高的捕集效率。因此，优选使清洁晶片cw带电至
±
500v以上，更优选带电至
±
2000v以上。
[0082]
基片处理系统1在实施实施方式的颗粒除去方法的处理时，为了提高清洁效果，可以促进颗粒从内壁的剥离。例如，基片处理系统1可以在输送清洁晶片cw时通过闸阀gv的开闭动作或者第一输送机构15和第二输送机构25等的臂动作，来促进颗粒从内壁的剥离。另外，基片处理系统1也可以通过进行气体导入、排气等的装置动作，利用气体或振动的力，来促进颗粒从内壁的剥离。另外，基片处理系统1在促进颗粒的剥离的情况下，如果不是通常的基片处理时的动作，而是利用更快的速度或更多的气体等以更强的力使颗粒剥离，则效果好。
[0083]
实施方式的颗粒除去方法，可以在需要除去颗粒的时机实施。例如，实施方式的颗粒除去方法，可以在基片处理系统1的制造时、启动时、或维护后的启动时实施。例如，实施方式的颗粒除去方法，可以在真空输送室10的大气开放后的抽真空后实施。另外，实施方式的颗粒除去方法可以在装置批量生产运转时适当地实施。例如，实施方式的颗粒除去方法可以在产品晶片或伪晶片的颗粒检查中颗粒多时等实施。由此，能够维持基片处理系统1内部的清洁度，能够短缩启动时间、减少维护次数、提高成品率。
[0084]
(实施方式的效果)
[0085]
如上所述，实施方式的基片处理系统1包括真空输送室10(真空输送模块)、处理模块pm(基片处理模块)、常压输送室20(大气输送模块)、负载锁定模块llm、至少一个基片输送机器人(第一输送机构15和第二输送机构25)、和控制装置30(控制部)。处理模块pm与真空输送室10连接，能够在减压环境下对基片w进行处理。负载锁定模块llm与真空输送室10和常压输送室20连接，能够在真空输送室10与常压输送室20之间对基片w进行中继，负载锁定模块llm的内部能够切换为减压环境和大气压环境。至少一个基片输送机器人配置在真空输送室10和常压输送室20的内部，包括至少一个末端执行器。控制装置30能够对颗粒除去动作进行控制。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个清洁晶片cw(带电部件)载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送室10、处理模块pm、负载锁定模块llm和常压输送室20中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。由此，实施方式的基片处理系统1能够高效率地除去颗粒。
[0086]
另外，颗粒除去动作中，在真空输送室10的内部进行输送。由此，基片处理系统1能够高效率地除去真空输送室10的内部的颗粒。
[0087]
颗粒除去动作中，在第一输送机构15将清洁晶片cw分别载置在第一臂15a的拾取器和第二臂15b的拾取器上的状态下，使带电的清洁晶片cw沿着真空输送室10的内部的与处理模块pm连接的内侧面移动。由此，实施方式的基片处理系统1能够利用带电的多个清洁晶片cw迅速地收集颗粒。
[0088]
颗粒除去动作中，在使带电的清洁晶片cw沿着真空输送室10的内部的与处理模块pm连接的内侧面移动时，在与处理模块pm连接的连接部位附近使输送暂时停止，并维持第一时长的时间。第一时长为10分钟以上。由此，基片处理系统1能够利用静电力使周围的颗
粒充分吸附在清洁晶片cw上。
[0089]
另外，基片输送机器人(第一输送机构15)在末端执行器具有用于使清洁晶片cw带电的电源部15a1(电源部)。颗粒除去动作中，从电源部15a1向载置在末端执行器上的清洁晶片cw供电以使清洁晶片cw带电，在真空输送室10、处理模块pm、负载锁定模块llm和常压输送室20中的任一者的内部输送末端执行器。由此，实施方式的基片处理系统1能够利用基片输送机器人使清洁晶片cw带电，能够通过输送带电的清洁晶片cw来高效率地除去颗粒。
[0090]
另外，实施方式的基片处理系统1还包括用于使清洁晶片cw带电的带电机构70。颗粒除去动作中，利用带电机构70使清洁晶片cw带电，在将带电的清洁晶片cw载置在末端执行器上的状态下，在真空输送室10、处理模块pm、负载锁定模块和常压输送室20中的任一者的内部输送末端执行器。另外，带电机构70设置在真空输送室10、负载锁定模块和常压输送室20中的任一者中。由此，实施方式的基片处理系统1能够利用带电机构70使清洁晶片cw带电，能够通过输送带电的清洁晶片cw来高效率地除去颗粒。
[0091]
另外，在清洁晶片cw的表面设置有能够分别带正电和负电的带电区域54a、54b。颗粒除去动作中，输送带电区域54a、54b分别带正电和负电的清洁晶片cw。由此，基片处理系统1能够同时对带正电和带负电的颗粒进行收集(集尘)。
[0092]
另外，在清洁晶片cw的表面设置有能够带正电和负电中的任一者的带电区域。颗粒除去动作中，对使带电区域分别带正电和负电的清洁晶片cw单独进行输送。由此，基片处理系统1能够利用分别带正电和负电的清洁晶片cw对带正电和带负电的颗粒单独地进行收集(集尘)。
[0093]
另外，实施方式的基片处理系统1还包括用于使处理模块pm、负载锁定模块和常压输送室20中的任一者的内部的颗粒带电的颗粒带电机构(照射部80)。由此，基片处理系统1能够提高颗粒的捕集效率。另外，基片处理系统1能够高效率地捕集粒径大的颗粒。
[0094]
另外，实施方式的基片处理系统1还包括用于将附着在清洁晶片cw上的颗粒除去的颗粒除去机构。由此，基片处理系统1能够在本装置中再利用清洁晶片cw。
[0095]
上面，对实施方式进行了说明，但是本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。
[0096]
例如，在上述的实施方式中，以基片w为半导体晶片的情况为例进行了说明，但是并不限于此。基片可以是任意的基片。
[0097]
此外，本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

技术特征：
1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：真空输送模块；与所述真空输送模块连接的基片处理模块，其能够在减压环境下对基片进行处理；大气输送模块；与所述真空输送模块和所述大气输送模块连接的、能够在所述真空输送模块与所述大气输送模块之间对所述基片进行中继的负载锁定模块，该负载锁定模块的内部能够切换为减压环境和大气压环境；配置在所述真空输送模块和所述大气输送模块的内部的至少一个基片输送机器人，其包括至少一个末端执行器；和能够对颗粒除去动作进行控制的控制部，所述颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在所述至少一个末端执行器上的状态下，在所述真空输送模块、所述基片处理模块、所述负载锁定模块和所述大气输送模块中的任一者的内部输送所述至少一个末端执行器。2.根据权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，在所述真空输送模块的内部进行输送。3.根据权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动。4.根据权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：所述至少一个末端执行器包括第一末端执行器和第二末端执行器，所述颗粒除去动作中，在将所述带电部件分别载置在所述第一末端执行器和所述第二末端执行器上的状态下，使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动。5.根据权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，在使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动时，在与所述基片处理模块连接的连接部位附近使输送暂时停止，并维持第一时长的时间。6.根据权利要求5所述的基片处理系统，其特征在于：所述第一时长为10分钟以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：所述基片输送机器人在所述末端执行器具有用于使所述带电部件带电的电源部，所述颗粒除去动作中，从所述电源部向载置在所述末端执行器上的所述带电部件供电以使所述带电部件带电来进行输送。8.根据权利要求1～6中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：还包括用于使所述带电部件带电的带电机构，所述颗粒除去动作中，利用所述带电机构使所述带电部件带电，在将带电的所述带电部件载置在所述末端执行器上的状态下进行输送。9.根据权利要求8所述的基片处理系统，其特征在于：所述带电机构设置在所述真空输送模块、所述负载锁定模块和所述大气输送模块中的
任一者上。10.根据权利要求1～9中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：在所述带电部件的表面设置有能够分别带正电和负电的带电区域，所述颗粒除去动作中，对所述带电区域分别带正电和负电的所述带电部件进行输送。11.根据权利要求1～9中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：在所述带电部件的表面设置有能够带正电和负电中的任一者的带电区域，所述颗粒除去动作中，对使所述带电区域分别带正电和负电的所述带电部件单独进行输送。12.根据权利要求1～11中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：还包括用于使所述基片处理模块、所述负载锁定模块和所述大气输送模块中的任一者的内部的颗粒带电的颗粒带电机构。13.根据权利要求1～12中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：还包括用于将附着在所述带电部件上的颗粒除去的颗粒除去机构。14.一种颗粒除去方法，其为基片处理系统的颗粒除去方法，所述基片处理系统包括：真空输送模块；与所述真空输送模块连接的基片处理模块，其能够在减压环境下对基片进行处理；大气输送模块；与所述真空输送模块和所述大气输送模块连接的、能够在所述真空输送模块与所述大气输送模块之间对所述基片进行中继的负载锁定模块，该负载锁定模块的内部能够切换为减压环境和大气压环境；和配置在所述真空输送模块和所述大气输送模块的内部的至少一个基片输送机器人，其包括至少一个末端执行器，所述颗粒除去方法的特征在于，具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在所述至少一个末端执行器上的状态下，在所述真空输送模块、所述基片处理模块、所述负载锁定模块和所述大气输送模块中的任一者的内部输送所述至少一个末端执行器。

技术总结
本发明提供能够高效率地除去颗粒的基片处理系统和颗粒除去方法。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送模块、基片处理模块、负载锁定模块和大气输送模块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。


技术研发人员：长池宏史 佐藤直纪 小原真智 长田英之
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.01.31
技术公布日：2023/8/5