吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本发明涉及自动化设计技术领域，尤其是涉及一种吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.车载域控制器是实现汽车智能化不可或缺的部件，随着车载域控制器需要实现的功能越来越多，域控制器的芯片产生的热量和电磁辐射也更强，可以通过在芯片上方布置导热材料和吸波材料，将芯片产生的热量导出，降低电磁辐射。然而域控制器中不同尺寸的芯片，其吸波材料的布置结构不同，因此如何高效率地设计吸波材料布置结构是一个难点。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质，以提高吸波材料布置结构的设计效率。
4.第一方面，本发明实施例提供了一种吸波材料布置结构设计方法，包括：
5.获取域控制器中多个芯片的尺寸；
6.根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，所述限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，所述限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；
7.根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果；
8.根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，所述设计结果包括每个所述芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。
9.进一步地，所述根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，包括：
10.根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸；
11.根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸、预设的吸波材料尺寸公差和预设的限位结构尺寸公差，确定每个所述芯片对应的限位结构的初始尺寸。
12.进一步地，所述根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果，包括：
13.根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，计算得到每个所述芯片对应的理论晃动公差；
14.根据每个所述芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个所述芯片对应的累积公差；
15.根据每个所述芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个所述芯片对应的验证结果。
16.进一步地，所述根据每个所述芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个所述芯片对应的累积公差，包括：
17.根据每个所述芯片对应的理论晃动公差、预设的凸台位置公差、预设的限位结构尺寸公差、预设的吸波材料尺寸公差、预设的芯片相关公差和预设的pcb相关公差，通过最小二乘法计算得到每个所述芯片对应的累积公差。
18.进一步地，所述根据每个所述芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个所述芯片对应的验证结果，包括：
19.对于每个所述芯片，当该芯片对应的累积公差小于所述预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为通过；
20.当该芯片对应的累积公差大于或等于所述预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为不通过。
21.进一步地，所述根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果，包括：
22.对于每个所述芯片，当该芯片对应的验证结果为通过时，将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值；
23.当该芯片对应的验证结果为不通过时，根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值。
24.进一步地，所述根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，包括：
25.计算该芯片对应的累积公差与所述预设数值的差，得到该芯片对应的尺寸差值；
26.将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸与所述尺寸差值的和，确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸。
27.第二方面，本发明实施例还提供了一种吸波材料布置结构设计装置，包括：
28.尺寸获取模块，用于获取域控制器中多个芯片的尺寸；
29.第一确定模块，用于根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，所述限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，所述限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；
30.覆盖验证模块，用于根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果；
31.第二确定模块，用于根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，所述设计结果包括每个所述芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。
32.第三方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储
器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面所述的吸波材料布置结构设计方法。
33.第四方面，本发明实施例还提供了一种存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行第一方面所述的吸波材料布置结构设计方法。
34.本发明实施例提供的吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质，在进行吸波材料布置结构设计时，先获取域控制器中多个芯片的尺寸；然后根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；再根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个芯片对应的验证结果；进而根据各个芯片对应的验证结果，确定域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，设计结果包括每个芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。这样在吸波材料布置结构的设计过程中，进行了极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，能够保证极限晃动位置下吸波材料完全覆盖芯片，从而在保证最终得到的设计结果的有效性的同时，提高了吸波材料布置结构的设计效率。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本发明实施例提供的一种域控制器中芯片的安装结构示意图；
37.图2为本发明实施例提供的一种域控制器中芯片的吸波材料布置结构的示意图；
38.图3为本发明实施例提供的一种吸波材料布置结构设计方法的流程示意图；
39.图4为本发明实施例提供的一种限位结构的深度示意图；
40.图5为本发明实施例提供的一种限位结构的宽度示意图；
41.图6为本发明实施例提供的一种限位结构的卡接结构宽度示意图；
42.图7为本发明实施例提供的一种累积公差的计算示意图；
43.图8为本发明实施例提供的一种吸波材料布置结构设计装置的结构示意图；
44.图9为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
45.下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
46.随着域控制器要实现功能的增多，芯片产生的电磁辐射越来越强，即芯片的辐射量越来越大。考虑到这类辐射量很大的芯片发热量都比较大，需要将吸波材料与导热凸台对应，因此可以在导热凸台上设计吸波材料的布置结构。
47.参见图1所示的一种域控制器中芯片的安装结构示意图，导热凸台100的上方布置吸波材料110，吸波材料110的上表面设置导热胶120，芯片130压在导热胶120上。具体的装配顺序可以如下：
48.①
将吸波材料110放置于导热凸台100上；
49.②
在吸波材料110表面涂导热胶120，其中，导热胶120的涂敷可以保证芯片130的散热需求，同时可吸收公差，保证装配精度；
50.③
装配pcba(printed circuit board assembly)，并使芯片130压实导热胶120，其中，装配pcba包括将芯片130焊接在pcb上。
51.为了方便吸波材料的布置，如图2所示，可以在每个导热凸台100的上表面设置吸波材料110的布置结构-限位结构101，限位结构101可以是四周设置有卡接结构的限位凹槽。限位结构101的结构设计需要考虑吸波材料110的尺寸，并且保证吸波材料110能够完全覆盖芯片130，而吸波材料110的尺寸与芯片130的尺寸有关，且一个域控制器中可能包括多种不同尺寸的芯片，因此采用人工方式进行域控制器中吸波材料布置结构设计，需要耗费大量时间，设计效率较低。基于此，本发明实施例提供的一种吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质，可以在保证最终得到的设计结果的有效性的同时，提高吸波材料布置结构的设计效率。
52.为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种吸波材料布置结构设计方法进行详细介绍。
53.本发明实施例提供了一种吸波材料布置结构设计方法，该方法可以由具有数据处理能力的电子设备执行。参见图3所示的一种吸波材料布置结构设计方法的流程示意图，该方法主要包括如下步骤s302～步骤s308：
54.步骤s302，获取域控制器中多个芯片的尺寸。
55.域控制器中包括多个芯片，不同芯片的尺寸可能不同。例如，有的芯片呈正方形，其尺寸包括正方形的边长；有的芯片呈长方形，其尺寸包括长方形的长度和宽度。
56.步骤s304，根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸。
57.其中，限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，限位结构用于放置相应芯片的吸波材料，初始尺寸指第一次确定的尺寸。优选地，吸波材料的形状可以与相应芯片的形状对应，限位结构的开口形状(即限位结构在水平面上的投影形状)可以与吸波材料的形状对应，例如呈正方形的芯片对应的吸波材料呈正方形，其限位结构的开口呈正方形；又如，呈长方形的芯片对应的吸波材料呈长方形，其限位结构的开口呈长方形。这种吸波材料的形状设计方式，在保证吸波材料对芯片的覆盖效果(即保证吸波效果)的同时，可以减小吸波材料的尺寸，从而节约成本；这种限位结构的开口形状设计方式，具有较好的限位效果。
58.在一些可能的实施例中，为了保证良好的吸波效果，吸波材料的尺寸根据芯片的尺寸确定，限位结构的尺寸根据吸波材料的尺寸确定。基于此，上述步骤s304可以通过如下过程实现：根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸；根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸、预设的吸波材料尺寸公差和预设的限位结构尺寸公差，确定每个芯片对应的限位结构的初始尺寸。
59.吸波材料的尺寸可以设计为单边比芯片大预设长度值，预设长度值可以根据实际
需求设置，例如，预设长度值为1mm，若芯片呈正方形，其边长为10mm，则吸波材料呈正方形，其边长为11mm。限位结构的尺寸设计可以考虑吸波材料尺寸公差及限位结构尺寸公差，以计算限位结构的宽度w为例，w＝吸波材料的宽度+吸波材料尺寸公差+限位结构尺寸公差。其中，吸波材料尺寸公差指吸波材料在水平面上的尺寸公差，如吸波材料在长度方向的尺寸公差或在宽度方向的尺寸公差；限位结构尺寸公差指限位结构在水平面上的尺寸公差，如限位结构在长度方向的尺寸公差或在宽度方向的尺寸公差。
60.步骤s306，根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个芯片对应的验证结果。
61.由于尺寸公差的存在，吸波材料安装后存在水平方向晃动的可能，因此需验证在极限晃动位置时，吸波材料是否可以完全覆盖芯片。
62.在一些可能的实施例中，可以基于理论晃动公差进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证。基于此，上述步骤s306可以通过如下过程实现：根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，计算得到每个芯片对应的理论晃动公差；根据每个芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个芯片对应的累积公差；根据每个芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个芯片对应的验证结果。这种基于理论晃动公差的验证方式，更加贴合实际情况，验证效果较好。
63.理论晃动公差包括相邻两条边方向的晃动公差，每个方向的晃动公差可以基于吸波材料和限位结构二者相应方向的尺寸计算得到：每个方向的晃动公差＝
±
(限位结构的相应尺寸-吸波材料的相应尺寸)/2。例如，吸波材料的长度为1mm，限位结构的长度为1.5mm，则长度方向的晃动公差＝
±
(1.5mm-1mm)/2＝
±
0.25mm。
64.可以通过考量与芯片的散热吸波有关的多个公差，进行累积公差的计算。基于此，累积公差可以通过如下方式计算：根据每个芯片对应的理论晃动公差、预设的凸台位置公差、预设的限位结构尺寸公差、预设的吸波材料尺寸公差、预设的芯片相关公差和预设的pcb相关公差，通过最小二乘法计算得到每个芯片对应的累积公差。其中，芯片相关公差可以包括芯片尺寸公差和芯片焊接公差等，pcb相关公差可以包括pcb装配公差、pcb定位孔公差和pcb定位销公差等。这种累积公差计算方式考虑了多种公差，计算结果比较准确。
65.可以基于累积公差与预设数值的大小关系比较结果来确定芯片对应的验证结果，基于此，对于每个芯片，当该芯片对应的累积公差小于预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为通过；当该芯片对应的累积公差大于或等于预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为不通过。其中，预设数值可以根据实际需求设置，优选地，预设数值与吸波材料的尺寸设计方式有关，可选地，当吸波材料的尺寸设计为单边比芯片大预设长度值时，预设数值等于该预设长度值，例如，若吸波材料的尺寸设计为单边比芯片大1mm，则预设数值为1mm。
66.步骤s308，根据各个芯片对应的验证结果，确定域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，设计结果包括每个芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。
67.若验证结果为通过，则说明吸波材料的初始尺寸满足晃动要求，可以直接将吸波材料的初始尺寸确定为吸波材料的目标尺寸，进而确定限位结构的几何参数值。若验证结
果为不通过，则说明吸波材料的初始尺寸不满足晃动要求，此时可以增大吸波材料的尺寸，使所得到的吸波材料的目标尺寸满足晃动要求，进而确定限位结构的几何参数值。
68.基于上述分析，上述步骤s308可以通过如下方式实现：对于每个芯片，当该芯片对应的验证结果为通过时，将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值；当该芯片对应的验证结果为不通过时，根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值。
69.在一些可能的实施方式中，上述步骤根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，可以通过如下过程实现：计算该芯片对应的累积公差与预设数值的差，得到该芯片对应的尺寸差值；将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸与尺寸差值的和，确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸。例如，吸波材料的初始宽度为9mm，吸波材料的初始长度为11mm，预设数值为1mm，若累积公差为2mm，则尺寸差值δ＝2mm-1mm＝1mm，吸波材料的目标宽度为9mm+1mm＝10mm，吸波材料的目标长度为11mm+1mm＝12mm。这种基于芯片对应的累积公差与预设数值的差，确定吸波材料的目标尺寸的方式，可以保证吸波材料的目标尺寸满足晃动要求。
70.上述限位结构的几何参数值可以包括限位结构的深度(如图4中的h)、尺寸(如图5中的宽度w)和卡接结构尺寸(如图6中的卡接结构宽度l)，其中，限位结构的尺寸可以包括限位结构的长度和宽度，卡接结构尺寸可以包括卡接结构长度和卡接结构宽度。具体地，以限位结构的尺寸为限位结构的宽度w，卡接结构尺寸为卡接结构宽度l为例，限位结构的几何参数值可以通过如下方式确定：
71.①
限位结构的深度h＝吸波材料的厚度+吸波材料厚度尺寸公差+限位结构深度尺寸公差；其中，吸波材料的厚度、吸波材料厚度尺寸公差和限位结构深度尺寸公差均是预先设置好的；
72.②
限位结构的宽度w＝吸波材料的宽度+吸波材料尺寸公差+限位结构尺寸公差；
73.③
卡接结构宽度l大于或等于吸波材料的宽度的1/4。
74.本发明实施例提供的吸波材料布置结构设计方法，在进行吸波材料布置结构设计时，先获取域控制器中多个芯片的尺寸；然后根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；再根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个芯片对应的验证结果；进而根据各个芯片对应的验证结果，确定域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，设计结果包括每个芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。这样在吸波材料布置结构的设计过程中，进行了极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，能够保证极限晃动位置下吸波材料完全覆盖芯片，从而在保证最终得到的设计结果的有效性的同时，提高了吸波材料布置结构的设计效率。
75.为了便于理解，下面对上述吸波材料布置结构设计方法进行示例性介绍：
76.1、限位结构的深度设计：
77.依据选取吸波材料的厚度进行限位结构深度的设计，使限位结构的深度＝吸波材
料的厚度+吸波材料厚度尺寸公差+限位结构深度尺寸公差，保证吸波材料完全嵌入到限位结构中，防止水平方向的冲击掉落。
78.2、限位结构的尺寸(水平方向的尺寸)设计：
79.限位结构的尺寸根据吸波材料大小确定，吸波材料尺寸x设计为单边比芯片大1mm，以保证良好的吸波效果。限位结构的尺寸设计应考虑吸波材料尺寸公差及限位结构尺寸公差。
80.限位结构的尺寸＝吸波材料尺寸公差+限位结构尺寸公差+吸波材料尺寸x。
81.3、限位结构的卡接结构尺寸设计：
82.卡接结构尺寸设计应大于或等于吸波材料尺寸x的1/4，以保证良好的阻挡吸波材料掉落。
83.4、吸波材料晃动后仍可覆盖芯片校核：
84.由于尺寸公差的存在，吸波材料安装后存在水平方向晃动的可能，需验证在极限晃动位置时，吸波材料是否可以完全覆盖芯片。可以验证计算考量如图7所示的公差，其中，吸波材料理论晃动公差即上述的理论晃动公差，累计公差即上述的累积公差。
85.通过最小二乘法进行累计公差计算，若累计公差小于1mm，则将当前的吸波材料尺寸和限位结构的几何参数值确定为最终的设计结果；否则计算差值δ＝累计公差
–
1mm，并将吸波材料尺寸x替换为x+δ，其他尺寸依次变更(即更新限位结构的几何参数值)，得到最终的设计结果。
86.对应于上述的吸波材料布置结构设计方法，本发明实施例还提供了一种吸波材料布置结构设计装置，参见图8所示的一种吸波材料布置结构设计装置的结构示意图，该装置包括：
87.尺寸获取模块801，用于获取域控制器中多个芯片的尺寸；
88.第一确定模块802，用于根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；
89.覆盖验证模块803，用于根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个芯片对应的验证结果；
90.第二确定模块804，用于根据各个芯片对应的验证结果，确定域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，设计结果包括每个芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。
91.进一步地，上述第一确定模块802具体用于：根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸；根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸、预设的吸波材料尺寸公差和预设的限位结构尺寸公差，确定每个芯片对应的限位结构的初始尺寸。
92.进一步地，上述覆盖验证模块803具体用于：根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，计算得到每个芯片对应的理论晃动公差；根据每个芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个芯片对应的累积公差；根据每个芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个芯片对应的验证结果。
93.进一步地，上述覆盖验证模块803还用于：根据每个芯片对应的理论晃动公差、预设的凸台位置公差、预设的限位结构尺寸公差、预设的吸波材料尺寸公差、预设的芯片相关公差和预设的pcb相关公差，通过最小二乘法计算得到每个芯片对应的累积公差。
94.进一步地，上述覆盖验证模块803还用于：对于每个芯片，当该芯片对应的累积公差小于预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为通过；当该芯片对应的累积公差大于或等于预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为不通过。
95.进一步地，上述第二确定模块804具体用于：对于每个芯片，当该芯片对应的验证结果为通过时，将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值；当该芯片对应的验证结果为不通过时，根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值。
96.进一步地，上述第二确定模块804还用于：计算该芯片对应的累积公差与预设数值的差，得到该芯片对应的尺寸差值；将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸与尺寸差值的和，确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸。
97.本实施例所提供的吸波材料布置结构设计装置，其实现原理及产生的技术效果和前述吸波材料布置结构设计方法实施例相同，为简要描述，吸波材料布置结构设计装置实施例部分未提及之处，可参考前述吸波材料布置结构设计方法实施例中相应内容。
98.如图9所示，本发明实施例提供的一种电子设备900，包括：处理器901、存储器902和总线，存储器902存储有可在处理器901上运行的计算机程序，当电子设备900运行时，处理器901与存储器902之间通过总线通信，处理器901执行计算机程序，以实现上述吸波材料布置结构设计方法。
99.具体地，上述存储器902和处理器901能够为通用的存储器和处理器，这里不做具体限定。
100.本发明实施例还提供了一种存储介质，该存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行前面方法实施例中所述的吸波材料布置结构设计方法。该存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，简称rom)、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
101.在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
102.附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
103.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
104.所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
105.另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。
106.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.一种吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，包括：获取域控制器中多个芯片的尺寸；根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，所述限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，所述限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果；根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，所述设计结果包括每个所述芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。2.根据权利要求1所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，包括：根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸；根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸、预设的吸波材料尺寸公差和预设的限位结构尺寸公差，确定每个所述芯片对应的限位结构的初始尺寸。3.根据权利要求1所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果，包括：根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，计算得到每个所述芯片对应的理论晃动公差；根据每个所述芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个所述芯片对应的累积公差；根据每个所述芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个所述芯片对应的验证结果。4.根据权利要求3所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据每个所述芯片对应的理论晃动公差，计算得到每个所述芯片对应的累积公差，包括：根据每个所述芯片对应的理论晃动公差、预设的凸台位置公差、预设的限位结构尺寸公差、预设的吸波材料尺寸公差、预设的芯片相关公差和预设的pcb相关公差，通过最小二乘法计算得到每个所述芯片对应的累积公差。5.根据权利要求3所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据每个所述芯片对应的累积公差与预设数值的大小关系，验证极限晃动位置下相应吸波材料是否完全覆盖该芯片，得到每个所述芯片对应的验证结果，包括：对于每个所述芯片，当该芯片对应的累积公差小于所述预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为通过；当该芯片对应的累积公差大于或等于所述预设数值时，确定该芯片对应的验证结果为不通过。6.根据权利要求3所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果，包括：对于每个所述芯片，当该芯片对应的验证结果为通过时，将该芯片对应的吸波材料的
初始尺寸确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值；当该芯片对应的验证结果为不通过时，根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，并根据该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，确定该芯片对应的限位结构的几何参数值。7.根据权利要求6所述的吸波材料布置结构设计方法，其特征在于，所述根据该芯片对应的累积公差，确定该芯片对应的吸波材料的目标尺寸，包括：计算该芯片对应的累积公差与所述预设数值的差，得到该芯片对应的尺寸差值；将该芯片对应的吸波材料的初始尺寸与所述尺寸差值的和，确定为该芯片对应的吸波材料的目标尺寸。8.一种吸波材料布置结构设计装置，其特征在于，包括：尺寸获取模块，用于获取域控制器中多个芯片的尺寸；第一确定模块，用于根据每个所述芯片的尺寸，确定每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；其中，所述限位结构设置在相应芯片的导热凸台上，所述限位结构用于放置相应芯片的吸波材料；覆盖验证模块，用于根据每个所述芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个所述芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，得到每个所述芯片对应的验证结果；第二确定模块，用于根据各个所述芯片对应的验证结果，确定所述域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果；其中，所述设计结果包括每个所述芯片对应的吸波材料的目标尺寸和限位结构的几何参数值。9.一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1-7中任一项所述的吸波材料布置结构设计方法。10.一种存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1-7中任一项所述的吸波材料布置结构设计方法。

技术总结
本发明提供了一种吸波材料布置结构设计方法、装置、电子设备及存储介质，涉及自动化设计技术领域，在进行吸波材料布置结构设计时，先获取域控制器中多个芯片的尺寸；然后根据每个芯片的尺寸，确定每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸；再根据每个芯片对应的吸波材料的初始尺寸和限位结构的初始尺寸，对每个芯片进行极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证；进而根据各个芯片对应的验证结果，确定域控制器对应的吸波材料布置结构的设计结果。本发明进行了极限晃动位置下吸波材料是否完全覆盖芯片的验证，在保证最终得到的设计结果的有效性的同时，提高了吸波材料布置结构的设计效率。波材料布置结构的设计效率。波材料布置结构的设计效率。


技术研发人员：李恒旭 孙永刚 王宁
受保护的技术使用者：东软睿驰汽车技术（沈阳）有限公司
技术研发日：2023.04.11
技术公布日：2023/8/5