用于大腔室净化控制的自对准净化环的制作方法

用于大腔室净化控制的自对准净化环
1.背景
技术领域
2.本公开内容的实施方式总体涉及工艺腔室。更具体而言，本公开内容的实施方式涉及具有净化系统的工艺腔室及使用净化系统的方法。


背景技术：

3.平板显示器常常用于有源矩阵显示器，诸如计算机及电视监视器。通常采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)以在基板上沉积薄膜，基板诸如是用于平板显示器实例的透明基板之类。pecvd通常通过将气体或气体混合物引入至含有基板的真空腔室中而完成。气体或气体混合物典型地穿过位于腔室顶部附近而相对于基板的扩散器而被引导朝向基板。在腔室中的气体或气体混合物通过从耦合至腔室的一或多个rf源施加射频(rf)功率至腔室而被激发(例如，激活)成等离子体。激活的气体或气体混合物反应以在基板的表面上形成材料的层。激活的气体被分配在整个腔室。等离子体环境可能非意图地腐蚀腔室部件。相应地，本领域中需要改善的净化系统。


技术实现要素：

4.在一个实施方式中，提供一种净化系统。净化系统包括杆；举升系统，耦合至所述杆；底部凸缘，耦合至所述举升系统；顶部凸缘，耦合至工艺腔室的外部表面；和波纹管(bellow)，耦合至所述底部凸缘及所述顶部凸缘。所述举升系统、所述底部凸缘、所述波纹管及所述顶部凸缘在所述杆周围限定净化空间。所述净化空间流体耦合至所述工艺腔室的工艺空间。净化系统进一步包括净化气体入口，所述净化气体入口与所述净化空间流体连通。所述净化气体入口穿过所述顶部凸缘而布置。净化系统进一步包括净化环，所述净化环设置于所述工艺腔室的所述外部表面与在所述顶部凸缘中的凹槽(recess)之间。所述净化环在所述净化环的内部表面与所述杆之间形成净化间隙。
5.在另一实施方式中，提供一种净化系统。净化系统包括杆；举升系统，耦合至所述杆；底部凸缘，耦合至所述举升系统；顶部凸缘，耦合至工艺腔室的外部表面；及旋转轴承，耦合于所述底部凸缘与所述杆之间。所述旋转轴承能操作以促进所述杆的旋转。净化系统进一步包括波纹管，所述波纹管耦合至所述底部凸缘及所述顶部凸缘。所述举升系统、所述底部凸缘、所述波纹管及所述顶部凸缘在所述杆周围限定净化空间。所述净化空间流体耦合至所述工艺腔室的工艺空间。净化系统进一步包括净化气体入口，所述净化气体入口与所述净化空间流体连通。所述净化气体入口穿过所述顶部凸缘而设置。净化系统进一步包括净化环，所述净化环设置于所述工艺腔室的所述外部表面与在所述顶部凸缘中的凹槽之间。所述净化环在所述净化环的内部表面与所述杆之间形成净化间隙。
6.在又一实施方式中，提供一种方法。方法包括使净化气体流动至净化空间中。所述净化空间设置于工艺腔室的下部部分中，且所述净化空间形成于杆周围。所述杆经由开口
穿过所述工艺腔室的所述下部部分及工艺空间而设置，且所述开口将所述工艺空间连接至所述净化空间。方法进一步包括穿过所述工艺腔室的所述开口使所述净化气体流动。所述净化气体经由净化间隙穿过所述开口流动至所述工艺空间，且所述净化间隙限定于净化环的内部表面与杆之间。所述杆穿过所述净化空间及所述工艺空间而设置。所述净化环部分地设置于所述工艺腔室的所述下部部分的凹槽中，且部分地设置于所述净化空间中。方法进一步包括调整所述净化环的横向位置，以维持净化间隙距离在所述杆周围是恒定或大体上恒定的。所述净化间隙距离是从所述净化环的所述内部表面至所述杆。所述横向位置被调整以平衡压力差，所述压力差来自在所述净化间隙的不同部分处的所述净化气体。
附图说明
7.为了可详细理解本公开内容上述特征的方式，可通过参考实施方式而获得以上简要概述的本公开内容的更特定说明，实施方式中的一些在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示范例实施方式，且因此不应视为限制本公开内容的范围，且可认可其他同等有效的实施方式。
8.图1a是根据本文所述的实施方式具有工艺腔室的下部部分的第一配置的在降低的位置中的工艺腔室的示意性横截面图。
9.图1b是根据本文所述的实施方式具有工艺腔室的下部部分的第一配置的在处理位置中的工艺腔室的示意性横截面图。
10.图1c是根据本文所述的实施方式具有工艺腔室的下部部分的第二配置的在降低的位置中的工艺腔室的示意性横截面图。
11.图1d是根据本文所述的实施方式具有工艺腔室的下部部分的第二配置的在处理位置中的工艺腔室的示意性横截面图。
12.图2是根据本文所述的实施方式以净化系统使净化气体流动至工艺空间中的方法的流程图。
13.为了促进理解，已尽可能地使用相同的参考数字指示图中共有的相同元件。设想一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方式中而无须进一步叙述。
具体实施方式
14.本公开内容的实施方式总体涉及工艺腔室，且更具体而言，涉及具有净化系统的工艺腔室，及使用净化系统的方法。本文所述的实施方式提供具有自对准的净化环的净化系统，所述净化环在净化环与工艺腔室的杆(stem)之间维持恒定的间隙或大体上恒定的间隙。在净化环与工艺腔室的杆之间恒定的间隙或大体上恒定的间隙提供净化气体到腔室的工艺空间中的均匀或大体上均匀的流动，同时维持净化系统的净化空间中的压力。
15.图1a是具有工艺腔室100的下部部分115的第一配置101a的在降低的位置中的工艺腔室100的示意性横截面图。图1b是具有工艺腔室100的下部部分115的第一配置101a的在处理位置中的工艺腔室100的示意性横截面图。图1c是具有工艺腔室100的下部部分115的第二配置101b的在降低的位置中的工艺腔室100的示意性横截面图。图1d是具有工艺腔室100的下部部分115的第二配置101b的在处理位置中的工艺腔室100的示意性横截面图。
16.工艺腔室100通常为任何适合的沉积腔室。工艺腔室100的范例包括原子层沉积
(ald)腔室或化学气相沉积(cvd)腔室。举例而言，工艺腔室100可以是等离子体增强cvd(pecvd)腔室，被配置成处理大面积基板，且在某些实施方式中，处理矩形基板。然而，应考量可利用其他工艺腔室。应考量也可根据本文所述的实施方式实施来自其他制造商的其他适合地配置的装置。另外，应理解本文所述的各种实例在其他系统配置中有用，诸如蚀刻系统、其他化学气相沉积系统、或期望在工艺腔室内分配气体的其他系统，包括配置成处理圆形基板的系统。
17.工艺腔室100包括侧壁102、腔室底部104、扩散器110及下部部分115。侧壁102、腔室底部104及扩散器110限定工艺空间106。工艺空间106设置于工艺腔室100的下部部分115上方。更具体而言，工艺空间106进一步通过侧壁102的内部表面107限定。侧壁102支撑盖组件116。扩散器110可耦合至盖组件116。腔室底部104包括外部表面126。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，侧壁102、腔室底部104及扩散器110由金属材料制作，诸如铝、不锈钢及上述项的合金。举例而言，扩散器110可由铝合金形成，诸如6061铝合金之类。在另一实施方式中，扩散器110可由阳极氧化铝材料形成。基板支撑件130设置于工艺空间106中而相对于扩散器110。通过穿过侧壁102形成的狭缝阀开口108进出工艺空间106，使得基板105可传送进出工艺腔室100。
18.基板支撑件130包括基板接收表面132，用于在基板支撑表面132上支撑基板105。基板105通过静电吸盘、真空吸盘、基板固定夹或类似者中的一者而保留在基板接收表面132上。杆134耦合至基板支撑件130。杆134进一步耦合至举升系统(lift system)136，以升高及降低基板支撑件130。举升系统136在降低的位置(显示于图1a及图1c中)及提升的处理位置(显示于图1b及图1d中)之间移动基板支撑件130。降低的位置促进基板105穿过狭缝阀开口108被传送到工艺腔室100和从工艺腔室100传送。在可与本文所述的其他实施方式结合的某些实施方式中，基板支撑件130能操作以在工艺空间106内旋转。举升系统136可以能操作以促进基板支撑件130的旋转，或其他致动结构可与基板支撑件130通信以促进旋转。杆134穿过腔室底部104中的开口103设置于工艺空间106内，使得杆134部分地设置于工艺空间106中。基板支撑件130也可包括加热及/或冷却元件(未显示)，以将基板支撑件130及定位于基板接收表面132上的基板105维持在期望的温度下。举例而言，期望的温度是从约摄氏200度至约摄氏500度或更低。
19.工艺腔室100包括真空泵140。真空泵140耦合至工艺腔室100以控制工艺空间106内的压力。工艺空间106在处理期间维持在腔室压力下。在一个实施方式中，腔室压力是真空压力。工艺腔室进一步包括与扩散器110连通的气源142。气源142能操作以提供工艺气体及/或清洁气体。工艺气体包括但不限于硅烷(sih4)或氨(nh3)中的一或多者。清洁气体包括但不限于三氟化氮(nf3)或三氯化硼(bcl3)中的一或多者。流量控制器144(诸如质量流量控制(mfc)设备之类)设置于气源142与扩散器110之间，以控制工艺气体或清洁气体从气源142至扩散器110的流率。扩散器110能操作以跨工艺空间106分配工艺气体及清洁气体。
20.扩散器110提供工艺气体及清洁气体穿过形成于扩散器110中的多个气体通路至工艺空间106。扩散器110通过用于在扩散器110与基板支撑件130之间产生电场的rf馈电器(feed)148连接至rf功率源146。在操作中，存在于扩散器110与基板支撑件130之间的气体通过rf电场被激发成等离子体。可使用各种rf频率，诸如介于约0.3mhz与约200mhz之间的频率。在一个实施方式中，rf功率源146以13.56mhz的频率提供功率至扩散器110。在操作
中，当将工艺气体引入至工艺空间106且将工艺气体激发成等离子体时，产生的等离子体在基板105上形成薄膜。除了在基板上沉积薄膜之外，产生的等离子体通常泄漏至腔室的其他部分，成为寄生等离子体而在各种腔室部件上形成不期望的膜。可使用工艺腔室100以沉积各种材料，诸如氮化硅材料、氧化硅材料、非晶硅材料，用于各种应用，包括层间介电膜及栅极绝缘体膜等等。
21.如图1a及图1b中所显示，工艺腔室100可包括工艺腔室100的下部部分115的第一配置101a。下部部分115设置于腔室底部104下方。下部部分115包括净化系统112a。净化系统112a包括举升系统136、顶部凸缘154、底部凸缘156及波纹管152。举升系统136、开口103、顶部凸缘154、底部凸缘156、杆134及波纹管152限定净化空间150。净化空间150通过开口103与工艺空间106流体连通。净化空间150维持在净化空间压力下。净化空间压力高于工艺空间106的腔室压力。真空泵140耦合至工艺腔室100以控制工艺空间106内的压力，使得工艺空间106的腔室压力低于净化空间150。
22.波纹管152设置于顶部凸缘154与底部凸缘156之间。波纹管152允许基板支撑件130从处理位置(显示于图1b中)和降低的位置(显示于图1a中)移动。举例而言，如图1b中所显示，由于基板支撑件130移动至处理位置，压缩波纹管152。在图1a中，由于基板支撑件130在降低的位置中，延伸波纹管152。下部部分115进一步包括设置于顶部凸缘154与腔室底部104的外部表面126之间的o形环166。o形环166提供顶部凸缘154与工艺腔室100的腔室底部104的外部表面126之间的密封。
23.底部凸缘156耦合至举升系统136且顶部凸缘154耦合至工艺腔室100的腔室底部104的外部表面126。顶部凸缘154包括穿过顶部凸缘154而设置的凹槽174。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，如图1a及图1b中所显示，顶部凸缘156具有穿过顶部凸缘156设置的净化气体入口160。在可与本文所述的其他实施方式结合的另一实施方式中，底部凸缘156具有穿过底部凸缘156设置的净化气体入口160。净化气体入口160从净化气源162供应净化气体至净化空间150。净化气体包括但不限于惰性气体。举例而言，惰性气体包括氮、氩或上述项的结合。
24.如图1c及图1d中所显示，工艺腔室100可包括工艺腔室100的下部部分115的第二配置101b。下部部分115设置于腔室底部104下方。第二配置101b类似于第一配置101a，尽管下部部分115的第二配置101a包括具有旋转轴承178的净化系统112b。净化系统112b包括举升系统136、顶部凸缘154、底部凸缘156及波纹管152。举升系统136、开口103、顶部凸缘154、底部凸缘156、杆134及波纹管152限定净化空间150。净化空间150通过开口103与工艺空间106流体连通。净化空间150维持在净化空间压力下。净化空间压力高于工艺空间106的腔室压力。真空泵140耦合至工艺腔室100以控制工艺空间106内的压力，使得工艺空间106的腔室压力低于净化空间150。
25.旋转轴承178设置于净化空间150内。旋转轴承178耦合于底部凸缘156与杆134之间。旋转轴承178促进杆134在工艺腔室100内的旋转，使得基板105在处理期间旋转。举升系统136能操作以致动杆134的旋转。举例而言，举升系统可包括配置成使杆134旋转的马达。基板105的旋转允许在基板105上薄膜的均匀形成。
26.从气源142流动至工艺空间106的工艺气体由于工艺气体接近rf功率而在各点处可离子化。在工艺腔室100中从rf功率可发生电弧，而可损伤工艺腔室100及工艺腔室100的
部件。净化气体经由在图1a-图1d中所显示的净化系统112a及112b流动通过净化空间150。净化气体接着流动至腔室的工艺空间106中，以避免工艺气体进入净化空间150，且从净化空间150净化任何污染物。
27.为了在工艺空间106中均匀或大体上均匀地分配净化气体，在图1a-图1d中所显示的净化系统112a及112b包括净化环164。净化环164包括但不限于聚四氟乙烯、聚酰胺-酰亚胺或其他工程塑料材料(engineered plastic material)。净化环164可进一步包括与工艺气体或净化气体不会化学反应或物理反应的任何其他适合的材料。净化环164部分地设置于凹槽174中，使得净化环164定位于凹槽174的底部表面180与腔室底部104的外部表面126之间。净化环164包括允许净化环164在凹槽174内横向移动而具有小摩擦至无摩擦的材料。净化环164也部分地设置于净化空间150中，以形成净化间隙168。净化间隙168形成于净化环164与杆134之间。净化间隙168提供从净化空间150至开口103的流体连通。净化间隙距离170限定为净化环164的径向向内边缘172至杆134之间的距离。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，净化间隙距离170是约1mm至约2mm。
28.如图1a及图1c中所显示，在降低的位置中的基板支撑件130促进基板105穿过狭缝阀开口108被传送到工艺腔室100和从工艺腔室100传送。当基板支撑件130在降低的位置中时，净化气体不流动至工艺空间106中。因此，净化气体不接触净化环164。照此，如图1a及图1c中所显示，净化环164的水平表面181放置于凹槽174的底部表面180上。
29.如图1b及图1d中所显示，基板支撑件130在处理位置中。当基板支撑件130在处理位置中时，净化气体流动至工艺空间106中。由于来自流动穿过开口103的净化气体的压力，在净化空间150内举升净化环164。净化气体接触净化环164以举升净化环164。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，净化环164与工艺腔室100的腔室底部104的外部表面126接触。在另一实施方式中，净化环164经定位使得净化环164在腔室底部104的外部表面126与凹槽174的底部表面180之间浮动。净化气体提供压力以从底部表面180移动净化环164。净化环164能操作以在净化空间150内横向移动，以改变横向位置。
30.在操作中，由于流动至工艺空间106中的净化气体，工艺气体不流动穿过开口103。为了均匀或大体上均匀地分配净化气体，净化环164配置成当从净化气源162使净化气体流动时自对准。净化环164以自对准操作维持恒定或大体上恒定的净化间隙距离170。在操作期间，杆134可在开口103内略微移动。因此，能操作以自对准的净化环164将确保维持净化间隙距离170而不论其他腔室部件的状况。
31.举例而言，当净化气体初始地流动时，净化间隙距离170在杆134周围可以不是恒定或大体上恒定的。随着净化气体流动，在杆134周围的压力差通过移动净化环164的横向位置而将迫使净化环164自对准。因此，当净化间隙距离170不是恒定或大体上恒定时，由于杆134周围的压力差将不断调整净化环164的横向位置，净化间隙距离170将维持恒定或大体上恒定。恒定或大体上恒定的净化间隙距离170将均匀或大体上均匀的净化气体流动提供至工艺空间106中。因此，工艺气体及/或清洁气体无法进入净化空间150。举例而言，恒定或大体上恒定的净化间隙距离170提供净化空间与工艺气体及清洁气体的密封，以保护在工艺腔室100的下部部分115中的部件，诸如波纹管152之类。至工艺空间中的均匀或大体上均匀的净化气体流动提供来自工艺气体的所沉积的层或蚀刻的层的均匀性。此外，净化间隙距离170提供在净化空间150中的压力控制。净化间隙距离170提供较少的传导且允许净
化空间压力保持高于工艺空间106的腔室压力。
32.水平表面181限定净化环164的水平部分，并且径向向内边缘172限定净化环164的竖直部分。净化环164的成角度的表面183设置于水平表面181与径向向内边缘172之间。成角度的表面183引导净化气体至净化间隙168及开口103。净化气体施加压力至成角度的表面183，而当净化间隙距离170在杆134周围不恒定时建立压力差。因为当净化间隙距离170在杆134周围不恒定时净化间隙168的体积维持恒定，所以当净化间隙距离170不恒定时，净化气体施加至成角度的表面183的压力建立压力差。举例而言，若净化间隙168允许较多的净化气体在杆134的一侧上穿过净化间隙168，则净化气体在这一侧上将施加较少的压力至成角度的表面183，且杆134的相对侧将具有在成角度的表面183上净化气体的较高压力。压力差将引起净化环164通过调整净化环164的横向位置而自对准，以确保在杆134周围恒定或大体上恒定的净化间隙距离170。
33.图2是以净化系统112a或112b使净化气体流动至工艺空间106中的方法200的流程图。方法200能操作以利用工艺腔室100的下部部分115的第一配置101a。方法200也能操作以利用工艺腔室100的下部部分115的第二配置101b。也考量可与方法200连同地利用其他工艺腔室。
34.在操作201处，使净化气体流动至净化空间150中。净化气体从净化气源162经由净化气体入口160流动至净化空间150中。在操作202处，使净化气体流动至工艺空间106。在净化空间150中的净化气体被引导至开口103。开口103将净化空间150连接至工艺空间106。净化空间压力高于工艺空间106的腔室压力。照此，压力差使得净化气体能够从净化空间150流动至工艺空间106。
35.在操作203处，净化环164在净化空间150内横向移动。净化环164通过使净化环164的横向位置移动而自对准，使得随着净化气体流动穿过净化间隙168，净化间隙168维持恒定或大体上恒定的净化间隙距离170。调整净化环164的横向位置，使得净化环164的径向向内边缘172与基板支撑件130垂直。随着净化气体穿过净化间隙168，当在净化间隙168中存在压力差时，净化环164自对准。举例而言，当净化间隙的部分具有小于净化间隙的另一部分的净化间隙距离170，在具有较小净化间隙距离170的部分处的较高压力将在这些部分之间建立压力差。压力差将使净化环164的横向位置移动以平衡压力差，且达成恒定或大体上恒定的净化间隙距离170。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，净化间隙距离170为约1mm至约2mm。维持恒定或大体上恒定的净化间隙距离170避免工艺气体进入净化空间150且损伤工艺腔室100的下部部分115。此外，净化气体提供净化空间150中的压力控制。净化间隙距离170提供较少的传导且允许净化空间压力保持高于工艺空间106的腔室压力。
36.在操作204处，使工艺气体或清洁气体流动至工艺空间106中。工艺气体或清洁气体从气源142流动。工艺气体可被激发成等离子体。维持恒定或大体上恒定的净化间隙距离170避免工艺气体或清洁气体进入净化空间150且损伤工艺腔室100的下部部分115。工艺气体、清洁气体及净化气体通过在工艺空间106中的真空泵140排出。
37.综上所述，工艺腔室，且更具体为具有净化系统的工艺腔室，及使用净化系统的方法。方法利用使用净化系统使净化气体流动至腔室中。净化气体穿过在净化环的内侧表面与杆之间的净化间隙而流动。净化环促进净化气体至腔室中的流动，使得净化气体被均匀
或大体上均匀地分配。净化气体在腔室的工艺空间中均匀或大体上均匀地分配，以避免气体进入净化空间。因此，在净化空间中的腔室部件受保护而免于气体的潜在损伤。此外，净化气体至工艺空间中的均匀或大体上均匀的流动提供来自工艺气体的所沉积的层或蚀刻的层的均匀性。
38.尽管以上针对本公开内容的范例，但是可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他及进一步范例，且本公开内容的范围通过所附的权利要求来确定。

技术特征：
1.一种净化系统，包含：杆；举升系统，耦合至所述杆；底部凸缘，耦合至所述举升系统；顶部凸缘，耦合至工艺腔室的外部表面；波纹管，耦合至所述底部凸缘及所述顶部凸缘，其中所述举升系统、所述底部凸缘、所述波纹管及所述顶部凸缘在所述杆周围限定净化空间，所述净化空间流体耦合至所述工艺腔室的工艺空间；净化气体入口，与所述净化空间流体连通，所述净化气体入口穿过所述顶部凸缘而设置；及净化环，设置于所述工艺腔室的所述外部表面与在所述顶部凸缘中的凹槽之间，所述净化环在所述净化环的内部表面与所述杆之间形成净化间隙。2.如权利要求1所述的净化系统，其中从所述净化环的所述内侧表面至所述杆的净化间隙距离在所述杆周围为恒定或大体上恒定的。3.如权利要求2所述的净化系统，其中所述净化环的横向位置能操作以被调整成平衡压力差，所述压力差来自在所述净化间隙的不同部分处穿过所述净化空间提供的净化气体。4.如权利要求3所述的净化系统，其中所述净化环的所述横向位置被调整成维持所述净化间隙距离在约1mm至约2mm处。5.如权利要求1所述的净化系统，其中当将净化气体提供至所述净化空间时，所述净化环能操作以接触所述工艺腔室的所述外部表面。6.如权利要求1所述的净化系统，进一步包含o形环，所述o形环设置于所述顶部凸缘与所述工艺腔室的所述外部表面之间。7.一种净化系统，包含：杆；举升系统，耦合至所述杆；底部凸缘，耦合至所述举升系统；顶部凸缘，耦合至工艺腔室的外部表面；旋转轴承，耦合于所述底部凸缘与所述杆之间，所述旋转轴承能操作以促进所述杆的旋转；波纹管，耦合至所述底部凸缘及所述顶部凸缘，其中所述举升系统、所述底部凸缘、所述波纹管及所述顶部凸缘在所述杆周围限定净化空间，所述净化空间流体耦合至所述工艺腔室的工艺空间；净化气体入口，与所述净化空间流体连通，所述净化气体入口穿过所述顶部凸缘而设置；及净化环，设置于所述工艺腔室的所述外部表面与在所述顶部凸缘中的凹槽之间，所述净化环在所述净化环的内部表面与所述杆之间形成净化间隙，所述净化环包括径向向内边缘、水平表面及成角度的表面(angled surface)。8.如权利要求7所述的净化系统，其中从所述净化环的所述内侧表面至所述杆的净化
间隙距离在所述杆周围为恒定或大体上恒定的。9.如权利要求8所述的净化系统，其中所述净化环的横向位置能操作以被调整成平衡压力差，所述压力差来自在所述净化间隙的不同部分处穿过所述净化空间提供的净化气体，其中所述净化环的所述横向位置被调整成维持所述净化间隙距离在约1mm至约2mm处。10.如权利要求7所述的净化系统，其中所述净化环包括径向向内边缘、水平表面及成角度的表面。11.一种方法，包含以下步骤：使净化气体流动至净化空间中，所述净化空间设置于工艺腔室的下部部分中，其中所述净化空间形成于杆周围，所述杆经由开口穿过所述工艺腔室的所述下部部分及工艺空间而设置，所述开口将所述工艺空间连接至所述净化空间；穿过所述工艺腔室的所述开口使所述净化气体流动，其中所述净化气体经由净化间隙穿过所述开口流动至所述工艺空间，所述净化间隙限定于净化环的内部表面与杆之间，所述杆穿过所述净化空间及所述工艺空间而设置，所述净化环部分地设置于所述工艺腔室的所述下部部分的凹槽中，且部分地设置于所述净化空间中；及调整所述净化环的横向位置，以维持净化间隙距离在所述杆周围为恒定或大体上恒定的，其中所述净化间隙距离为从所述净化环的所述内部表面至所述杆，其中所述横向位置被调整成平衡压力差，所述压力差来自在所述净化间隙的不同部分处的所述净化气体。12.如权利要求11所述的方法，其中所述下部部分的第一配置包括：举升系统，耦合至所述杆；顶部凸缘，耦合至所述工艺空间的腔室底部；底部凸缘，耦合至所述举升系统；及波纹管，设置于所述顶部凸缘与所述底部凸缘之间。13.如权利要求12所述的方法，其中所述净化空间通过所述举升系统、所述开口、所述顶部凸缘、所述底部凸缘及所述波纹管来限定。14.如权利要求11所述的方法，其中所述下部部分的第二配置包括：举升系统，耦合至所述杆；顶部凸缘，耦合至所述工艺空间的腔室底部；底部凸缘，耦合至所述举升系统；旋转轴承，耦合于所述底部凸缘与所述杆之间；及波纹管，设置于所述顶部凸缘与所述底部凸缘之间。15.如权利要求14所述的方法，其中所述旋转轴承促进所述工艺空间内的所述杆的旋转。16.如权利要求11所述的方法，进一步包含以下步骤：使工艺气体流动至所述工艺空间中，其中所述净化气体避免所述工艺气体进入所述净化空间。17.如权利要求11所述的方法，其中所述净化环的所述横向位置被调整成维持所述净化间隙距离在约1mm至约2mm处。18.如权利要求11所述的方法，其中所述净化环的所述横向位置经调整使得所述净化环的所述内部表面与在所述工艺空间中耦合至所述杆的基板支撑件垂直。19.如权利要求11所述的方法，其中所述净化气体为惰性气体。
20.如权利要求11所述的方法，其中净化空间压力高于所述工艺空间的腔室压力，使得所述净化气体从所述净化空间流动至所述工艺空间。

技术总结
本文所述的实施方式提供一种净化系统及使用净化系统的方法。方法使用净化系统使净化气体流动至腔室中。净化气体流动穿过在净化环的内侧表面与杆之间的净化间隙。净化环促进净化气体流动至腔室中。化气体流动至腔室中。化气体流动至腔室中。


技术研发人员：安翔 安德鲁
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.10.14
技术公布日：2023/8/5