MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质与流程

mosfet老化测试方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种mosfet老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.在半导体制备技术领域中，成品的mosfet通常会存在接口态缺陷，其主要是指mosfet器件界面处的能带结构上发生的局部扰动，例如sic mosfet中接口层的缺陷，该缺陷会引起瞬时电性飘移，例如阈值电压vth的漂移，使得vth在不同的时间点或操作状态下不一致，导致mosfet的工作不稳定。
3.在mosfet老化测试过程中，由于接口态引起的瞬时电性飘移会对老化测试造成干扰，而该现象在固定频率开关中更为严重，原因是对接口缺陷快速充电，但是放电时间不够，其瞬时电性飘移在短时间内无法恢复，而该瞬时电性飘移会掩盖接口老化所造成的vth负偏移现象，因此无法快速准确地得到老化测试结果。


技术实现要素：

4.为了解决上述提出的至少一个技术问题，本发明提供一种mosfet老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，能够快速地分离mosfet的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到mosfet器件的老化测试结果。
5.第一方面，本发明提供了一种mosfet老化测试方法，所述方法包括：
6.设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；
7.利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
8.根据所述第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。
9.在一种可能实现的方式中，在所述利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值之后，还包括：
10.获取mosfet在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数；
11.根据所述第一阈值电压函数和所述第二阈值电压函数，确定阈值电压的偏压迟滞结果。
12.在一种可能实现的方式中，在所述确定阈值电压的偏压迟滞结果之后，还包括：
13.根据所述第一阈值电压函数和所述阈值电压的偏压迟滞结果，对所述mosfet老化测试结果进行更新。
14.在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
15.在驱动电压信号的第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得所述驱动电压信号在第四时段输出第四电压；所述第四电压与所述第三电压的大小相同。
16.在一种可能实现的方式中，在所述利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值之后，还包括：
17.获取mosfet在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；
18.根据所述第一阈值电压函数和所述第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。
19.在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
20.控制所述驱动电压信号在所述第一时段后，以第一时段为周期，每间隔t时间输出所述第一电压；所述t时间为所述第二时段和所述第三时段之和。
21.在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
22.控制所述驱动电压信号在所述第二时段后，每间隔第三时段输出第二电压，以及在所述第三时段后，每间隔第二时段输出第三电压。
23.第二方面，本发明还提供了一种mosfet老化测试装置，所述装置包括：
24.驱动电压信号设置单元，用于设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；
25.第一阈值电压函数获取单元，用于利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
26.老化测试结果生成单元，用于根据所述第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。
27.第三方面，本发明还提供了一种电子设备，包括：处理器、发送装置、输入装置、输出装置和存储器，所述存储器用于存储计算机程序代码，所述计算机程序代码包括计算机指令，当所述处理器执行所述计算机指令时，所述电子设备执行如上述第一方面及其任意一种可能实现的方式的方法。
28.第四方面，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上述第一方面及其任意一种可能实现的方式的方法。
29.与传统的mosfet老化测试方法相比，本发明首先设置驱动电压信号，使得驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中第三电压小于第一电压，且为正值，第二电压为负值；然后利用驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；最后根据第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。本发明能够快速地分离mosfet的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到mosfet器件的老化测试结果。
30.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本公开。
附图说明
31.为了更清楚地说明本发明实施例或背景技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或背景技术中所需要使用的附图进行说明。
32.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了符合本公
开的实施例，并与说明书一起用于说明本公开的技术方案。
33.图1为本发明实施例提供的一种mosfet老化测试方法的流程示意图；
34.图2为一种传统高压老化测试中的栅极驱动电压信号的波形示意图；
35.图3(a)为本发明某一实施例提供的老化测试中栅极驱动电压信号的波形示意图；
36.图3(b)为在图3(a)的栅极驱动电压信号动作下获取vth的原理示意图；
37.图4(a)为本发明另一实施例提供的老化测试中栅极驱动电压信号的波形示意图；
38.图4(b)为在图4(a)的栅极驱动电压信号动作下获取vth的原理示意图；
39.图5为本发明实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
40.图6为本发明另一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
41.图7为本发明又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
42.图8为本发明又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
43.图9为本发明又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
44.图10为本发明又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
45.图11(a)为本发明实施例提供的vth随次数的变化曲线示意图；
46.图11(b)为本发明实施例提供的vth漂移量的变化曲线示意图；
47.图12为本发明实施例提供的一种mosfet老化测试装置的结构示意图；
48.图13为本发明实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
49.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
50.本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
51.本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中术语“至少一种”表示多种中的任意一种或多种中的至少两种的任意组合，例如，包括a、b、c中的至少一种，可以表示包括从a、b和c构成的集合中选择的任意一个或多个元素。
52.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
53.另外，为了更好地说明本发明，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本发明同样能够实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本发明的主旨。
54.在传统的mosfet老化测试中，由于mosfet的接口态缺陷会引起瞬时电性飘移，例如阈值电压vth的正偏移，会导致测试结果的不准确，这主要是因为瞬时电性飘移在短暂的放电时间内无法消除，而在进行老化测试时，假设mosfet已经老化，其接口会发生漏电，此时所引起的vth的负偏移就会被接口态引起的vth的正偏移所掩盖，因此无法准确的测量出mosfet是否发生老化。为了解决该问题，本发明提供了一种mosfet老化测试方法，主要通过在传统的老化测试的开关断开时间内加入一个正电压和一个负电压，进而能够快速地分离mosfet的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到mosfet器件的老化测试结果。
55.请参阅图1，图1为本发明实施例提供的一种mosfet老化测试方法的流程示意图。如图1所示，该测试方法具体包括以下步骤:
56.s10、设置驱动电压信号，使得驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，第三电压小于第一电压，且为正值，第二电压为负值；
57.s20、利用驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
58.s30、根据第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。
59.mos(金属-氧化物-半导体)管，也称为场效应晶体管(fet)，是一种常见的半导体器件。mosfet由源极、漏极和栅极三部分组成，其中栅极与源极之间被夹着一个薄氧化物层。当在栅极上施加电压时，由于栅极与源极之间存在电场，这个电场会影响到沟道中载流子的浓度。如果施加的电压足够大，可以使得沟道区域的电子或空穴数目发生变化，从而改变了漏极和源极之间的导通电阻。因此，mosfet可以用作放大器或开关等各种电路应用中。本实施例中，主要研究mosfet老化测试。
60.为了帮助理解本发明实施例提供的测试方案，首先对传统的mosfet老化测试方法进行说明：
61.参见图2，图2提供了一种传统的mosfet老化测试的原理图。首先，将如图2所示的电压信号施加给mosfet的栅极电压，该电压信号是按照t为周期，每隔t0时间输出一个高电压，即进行高压老化测试。在图2中，栅极在每一个t时间段内导通，在t0时间段内关断。通过对栅极周期性的施加高电压，会导致场效应晶体管中的阈值电压(vth)发生变化。当栅极电压升高时，电子在沟道区域的能量也会升高，从而使得沟道中的载流子浓度增加。如此阈值电压vth将会下降，因为要控制住沟道中的载流子就需要更大的负偏压。传统的mosfet老化测试就是基于上述原理进行，当施加高电压时，可以观察到场效应晶体管的阈值电压变小，具体地，主要采集vgs从低到高电压变化动作后，搜集电流＝1ua时的vgs电压当作vth。然而这种方式根本无法测试出接口老化情况所引起的vth偏移，因为接口缺陷快速充电而放电时间不够，导致瞬时电性飘移无法快速解除，因此vth的负偏移会被瞬时电性正漂移给隐藏起来。
62.为此，在本实施例中，首先提供了如图1所示的测试方法。
63.步骤s10中，需要设置一个驱动电压信号，该驱动电压信号如图3(a)所示，即在传统老化测试的任意两段高压之间的关断时刻，增设两个电压信号，在每一个电压信号动作后可以在短时间内捕捉对应的阈值电压。如图3(a)所示，该驱动电压信号在第一时段输出
第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；对应图3(a)中的1、2、3时间段。其中，增设的两个电压信号中，第三电压小于第一电压，且为正值，第二电压为负值。
64.步骤s20中，将在步骤s10中设置好的驱动电压信号给vgs赋值，然后获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数，对应图3(b)中的vth3。
65.最后，在步骤s30，根据第一阈值电压函数vth3，对该时间内的vth3的函数进行微分，根据dvth3就可以判断出老化测试中高压是否已经使器件发生衰退老化，即vth是否发生负向偏移。
66.在上述实施例中，通过在传统的高压老化测试中增设了一负一正的电压信号，通过这部分的驱动电压，即低电压stress能够给予固定时间，让迟滞现象引起的vth固定，从而将mosfet的接口态瞬时电性引起的vth正偏移与稳态电性下的vth负偏移快速分离，进而能够快速准确地得到mosfet器件的老化测试结果。
67.在一种可能实现的方式中，在步骤s20中利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值之后，还包括：
68.1)获取mosfet在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数；
69.2)根据第一阈值电压函数和第二阈值电压函数，确定阈值电压的偏压迟滞结果。
70.需要说明的是，阈值电压的偏压迟滞(threshold voltage bias hysteresis)指的是当场效应晶体管(fet)所施加的栅极电压在放大或缩小时，其阈值电压会发生不同程度的变化。这种偏压迟滞是由于栅极和沟道之间的电容存在着历史效应，使得其响应速度受到一定的限制。在实际使用中，由于fet的内部结构和工艺等因素的不同，导致阈值电压的偏压迟滞会有所差异。对于mosfet而言，在栅极电压上升时，沟道中的载流子浓度也会增加，使得阈值电压下降。但是，当栅极电压开始降低时，沟道中的载流子浓度不会立即随着电压的减小而减小，需要一定时间才能恢复到初始状态。这就导致了阈值电压在缩小电压范围时发生了偏移。
71.参见图2，本实施例中，首先获取mosfet在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数vth2，然后根据第一阈值电压函数vth3和第二阈值电压函数vth2，确定阈值电压的偏压迟滞结果。具体地，先计算vth3-vth2，然后对vth3-vth2进行微分，得到dvth_h，而该值就能够反应正负电压引起的迟滞现象总和。
72.在一种可能实现的方式中，在确定阈值电压的偏压迟滞结果之后，还包括：
73.3)根据第一阈值电压函数和阈值电压的偏压迟滞结果，对mosfet老化测试结果进行更新。
74.在上述实施例中，第一阈值电压函数vth3实际包含了真实高压老化测试后的产生的永久飘移加上偏压迟滞结果，因此为了进一步提高老化测试结果的准确性，在本实施例中，获取第一阈值电压函数微分后的结果，即dvth3，然后根据dvth3减去dvth_h，就可以消除阈值电压的迟滞偏压，使得剩下的老化测试高压影响的vth负漂移更加接近真实情况，大大提高了测试精度。
75.参见图4，在一种可能实现的方式中，设置驱动电压信号，还包括：
76.在驱动电压信号的第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得驱动电压信号在第四时段输出第四电压；其中，第四电压与第三电压的大小相同。
77.为了更好地让迟滞现象引起的vth固定，本实施例基于图3(a)所示的电压信号，在
第一时段和第二时段之间增设第四时段，即图3(a)中的4时间段，使得驱动电压信号在第四时段输出第四电压。其中第四电压与第三电压的大小相同，均为正电压，第二电压为负电压。
78.作为优选的实施方式，第二时段、第三时段和第四时段应该设置为等长，加入三个时间长度为dt的低电压目的是为了给予固定时间，才能让迟滞现象引起的vth更好的固定。因此，通过在传统的高压老化测试的关断时间内加入图4(a)所示的电压信号，能够进一步地提高mosfet老化测试结果的精确度。
79.在一种可能实现的方式中，在设置了新的驱动信号后，驱动电压信号在第四时段会输出第四电压；此时还可以进一步的执行以下步骤：
80.4)获取mosfet在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；
81.5)根据第一阈值电压函数和第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。
82.瞬时电性飘移(transient electrical drift)是指半导体器件在高温、高电场或高辐射环境下，其电学性能发生短暂改变的现象。与永久性飘移不同，瞬时电性飘移是可恢复的，当环境条件回归正常后，器件的电学性能可以恢复到之前的状态。
83.在晶体管中，瞬时电性飘移通常表现为阈值电压、电流增益和漏电流等特性的临时变化。例如，在mosfet器件中，当电场或辐射较强时，会产生电子空穴对(electron-hole pair)，它们可能会被俘获在介电层或在沟道区域形成暂时性损伤，从而使器件的阈值电压发生暂时性偏移。此外，瞬时电性飘移还可能由于半导体材料中的载流子寿命短暂降低，引起暂时性性能变化。这种现象通常在高温、高电场、较强辐射以及在弱信号电路中容易发生。
84.现有的高压老化测试中，无法准确地测试出由接口老化引起的vth负偏移，其原因是因为这部分偏移被接口态的瞬时电性飘移引起的阈值电压正漂移给掩盖了。因此，现有的测试方式中，也无法检测出器件的瞬时电性飘移情况。
85.为了解决该问题，本实施例中首先获取了第四时段动作结束后的第三阈值电压函数vth1，然后利用第三阈值电压函数vth1减去第三阈值电压函数vth3，得到vth1-vth3的值，然后对该值进行微分，就可以得到阈值电压的瞬时电性正漂移结果。
86.在一种可能实现的方式中，设置驱动电压信号，还包括：
87.控制驱动电压信号在第一时段后，以第一时段为周期，每间隔t时间输出第一电压；其中t时间为第二时段和第三时段之和。
88.参见图3和图5，图5与图3(a)的区别在于，在第三时段后又周期性的输出了第一电压。具体为在第一时段后，以第一时段为周期每间隔t时间输出第一电压；t时间为第二时段和第三时段之和。通过该驱动电压信号赋值给mosfet的栅极电压，同样可以获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数vth3，然后对vth3微分，根据dvth3确定mosfet老化测试结果。
89.作为另一种优选的实施方式，在驱动电压信号也可以图6所示。该实施例中，相当于在另外两段高压之间的关断时间内加入了第二电压和第三电压，此处同样地也能获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数vth3，然后对vth3微信，根据dvth3确定mosfet老化测试结果。可以理解的是，图5和图6只是提供了两种在高压老化测试的关断时
间内注入新的电压信号的方式，该电压信号包括一个正电压和一个负电压，且正电压小于老化测试的高压。在其他实施例中，还可以选择其他关断时间来设置驱动电压信号，此处不做任何限定。
90.需要说明的是，为了保证测试效果，第一时段1、第二时段2和第三时段3优选为等同的时长，在实际应用中，1、2和3时间段也可以为不同的时长，且在第三时段3周期性输出的高压信号与第一周期内的高压信号，可以为等时长，也可以为不同时长，即图5中的1和5时段可以相同，可以不同；5和6时段可以相同，可以不同。此处不做任何限定。
91.根据上述实施例提供的驱动电压信号，可知在一个实施例中，驱动电压信号还分别可以如图7和图8所示。
92.图7中，驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；然后在第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得驱动电压信号在第四时段输出第四电压；第四电压与第三电压的大小相同。然后按照图5的方式，控制驱动电压信号在第一时段后，以第一时段为周期，每间隔t1时间输出第一电压；t时间为第二时段、第三时段和第四时段之和。
93.进一步的，将该驱动电压信号赋值给mosfet的栅极电压，同样可以获取mosfet在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；根据第一阈值电压函数和第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。其中确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果可参见上述实施例，此处不再进一步赘述。
94.同理，图8相对于图7来说，相当于更换了高压老化测试中的另外的关断时间，以在另外的关断时间内注入第二电压、第三电压和第四电压。可以理解的是，图7和图8只是提供了两种在高压老化测试的关断时间内注入新的电压信号的方式，该电压信号包括两个正电压和一个负电压，且正电压小于老化测试的高压。在其他实施例中，还可以选择其他关断时间来设置驱动电压信号，此处不做任何限定。
95.在一种可能实现的方式中，设置驱动电压信号，还包括：
96.控制驱动电压信号在第二时段后，每间隔第三时段输出第二电压，以及在第三时段后，每间隔第二时段输出第三电压。
97.请参阅图9，在图9所示的驱动电压信号中，在高压老化测试的任意两个高压的关断时间内，按照周期性的方式注入第二电压和第三电压，使得驱动电压信号包含多个第二时段和第三时段，利用该驱动电压信号为mosfet的栅极赋值，只要获取在任意一个第三时段动作后的第一阈值电压函数vth3，就可以确定mosfet老化测试结果。具体地，如何根据vth3确定老化测试结果可参见上述实施例，此处不再进一步赘述。
98.请参阅图10，图10所示的驱动电压信号，相比与图9来说只是多了第四时段的第四电压信号，将该驱动电压信号注入给mosfet的栅极，可以获取mosfet在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数vth1，以及任意一个第三时段动作后的第一阈值电压函数vth3，然后就可以根据第一阈值电压函数vth3和第三阈值电压函数vth1，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。其中具体的计算方式可参照上述实施例描述的内容，此处不再进一步赘述。
99.可以理解的是，图9所示的驱动电压信号中，还可以选在在其他关断时间内注入第二电压和第三电压；图10所示的驱动电压信号中，还可以选在在其他关断时间内注入第二电压、第三电压和第四电压，其同样能够获得对应的阈值电压函数，以得到准确的老化测试
结果。
100.请参阅图11，在一个实施例中，图11(a)还提供了vth1、vth2和vth3的变化曲线，图11(b)还提供了dvth1、dvth2和dvth3的变化曲线。根据图11(a)可以知道，vth2和vth3都是一个稳定的电压，此电压不同是因为正负偏压引起的迟滞现象，因此根据vth2和vth3可以计算总的偏压迟滞结果。而vth1、vth2、vth3的漂移量分别用dvth1、dvth2、dvth3表示。根据dvth3即可直接得到老化测试结果，根据。综上，本发明实施例提供的老化测试方法，能够快速地分离mosfet的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到mosfet器件的老化测试结果。
101.请参阅图12，本发明某一实施例还提供了一种mosfet老化测试装置，包括：
102.驱动电压信号设置单元10，用于设置驱动电压信号，使得驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，第三电压小于第一电压，且为正值，第二电压为负值；
103.第一阈值电压函数获取单元20，用于利用驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
104.老化测试结果生成单元30，用于根据第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。
105.在一些实施例中，本发明公开实施例提供的装置具有的功能或包含的模块可以用于执行上文方法实施例描述的方法，其具体实现可以参照上文方法实施例的描述，为了简洁，这里不再赘述。
106.本发明还提供了一种处理器，所述处理器用于执行如上述任意一种可能实现的方式的方法。
107.本发明还提供了一种电子设备，包括：处理器、发送装置、输入装置、输出装置和存储器，所述存储器用于存储计算机程序代码，所述计算机程序代码包括计算机指令，当所述处理器执行所述计算机指令时，所述电子设备执行如上述任意一种可能实现的方式的方法。
108.本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上述任意一种可能实现的方式的方法。
109.请参阅图13，图13为本发明实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。
110.该电子设备2包括处理器21，存储器22，输入装置23，输出装置24。该处理器21、存储器22、输入装置23和输出装置24通过连接器相耦合，该连接器包括各类接口、传输线或总线等等，本发明实施例对此不作限定。应当理解，本发明的各个实施例中，耦合是指通过特定方式的相互联系，包括直接相连或者通过其他设备间接相连，例如可以通过各类接口、传输线、总线等相连。
111.处理器21可以是一个或多个图形处理器(graphics processing unit，gpu)，在处理器21是一个gpu的情况下，该gpu可以是单核gpu，也可以是多核gpu。可选的，处理器21可以是多个gpu构成的处理器组，多个处理器之间通过一个或多个总线彼此耦合。可选的，该处理器还可以为其他类型的处理器等等，本发明实施例不作限定。
112.存储器22可用于存储计算机程序指令，以及用于执行本发明方案的程序代码在内
的各类计算机程序代码。可选地，存储器包括但不限于是随机存储记忆体(random access memory，ram)、只读存储器(read-only memory，rom)、可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read only memory，eprom)、或便携式只读存储器(compact disc read-only memory，cd-rom)，该存储器用于相关指令及数据。
113.输入装置23用于输入数据和/或信号，以及输出装置24用于输出数据和/或信号。输出装置23和输入装置24可以是独立的器件，也可以是一个整体的器件。
114.可理解，本发明实施例中，存储器22不仅可用于存储相关指令，本发明实施例对于该存储器中具体所存储的数据不作限定。
115.可以理解的是，图13仅仅示出了一种电子设备的简化设计。在实际应用中，电子设备还可以分别包含必要的其他元件，包含但不限于任意数量的输入/输出装置、处理器、存储器等，而所有可以实现本发明实施例的视频解析装置都在本发明的保护范围之内。
116.本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
117.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。所属领域的技术人员还可以清楚地了解到，本发明各个实施例描述各有侧重，为描述的方便和简洁，相同或类似的部分在不同实施例中可能没有赘述，因此，在某一实施例未描述或未详细描述的部分可以参见其他实施例的记载。
118.在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
119.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
120.另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
121.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者通过所述计算机可读存储介质进行传输。所述计算机指令可以从一个网站站点、计
算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line，dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，数字通用光盘(digital versatile disc，dvd))、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk，ssd))等。
122.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，该流程可以由计算机程序来指令相关的硬件完成，该程序可存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法实施例的流程。而前述的存储介质包括：只读存储器(read-only memory，rom)或随机存储存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可存储程序代码的介质。

技术特征：
1.一种mosfet老化测试方法，其特征在于，所述方法包括：设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。2.根据权利要求1所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，在所述利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值之后，还包括：获取mosfet在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数和所述第二阈值电压函数，确定阈值电压的偏压迟滞结果。3.根据权利要求2所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，在所述确定阈值电压的偏压迟滞结果之后，还包括：根据所述第一阈值电压函数和所述阈值电压的偏压迟滞结果，对所述mosfet老化测试结果进行更新。4.根据权利要求1所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，所述设置驱动电压信号，还包括：在驱动电压信号的第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得所述驱动电压信号在第四时段输出第四电压；所述第四电压与所述第三电压的大小相同。5.根据权利要求4所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，在所述利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值之后，还包括：获取mosfet在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数和所述第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。6.根据权利要求1或4任一项所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，所述设置驱动电压信号，还包括：控制所述驱动电压信号在所述第一时段后，以第一时段为周期，每间隔t时间输出所述第一电压；所述t时间为所述第二时段和所述第三时段之和。7.根据权利要求1所述的mosfet老化测试方法，其特征在于，所述设置驱动电压信号，还包括：控制所述驱动电压信号在所述第二时段后，每间隔第三时段输出第二电压，以及在所述第三时段后，每间隔第二时段输出第三电压。8.一种mosfet老化测试装置，其特征在于，所述装置包括：驱动电压信号设置单元，用于设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；第一阈值电压函数获取单元，用于利用所述驱动电压信号为mosfet的栅极电压赋值，获取mosfet在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
老化测试结果生成单元，用于根据所述第一阈值电压函数确定mosfet老化测试结果。9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、发送装置、输入装置、输出装置和存储器，所述存储器用于存储计算机程序代码，所述计算机程序代码包括计算机指令，当所述处理器执行所述计算机指令时，所述电子设备执行如权利要求1至7中任一项所述的mosfet老化测试方法。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行权利要求1至7中任意一项所述的mosfet老化测试方法。

技术总结
本发明公开了一种MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。本发明能够快速地分离MOSFET的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。


技术研发人员：黄汇钦
受保护的技术使用者：天狼芯半导体（成都）有限公司
技术研发日：2023.05.16
技术公布日：2023/8/9