一种减少光罩的LCD电路结构及制造方法与流程

一种减少光罩的lcd电路结构及制造方法
技术领域
1.本发明涉及lcd电路技术领域，尤其涉及一种减少光罩的lcd电路结构及制造方法。


背景技术：

2.为了lcdarray面板上制作足够的金属内连线机增加电路的集成度，目前大多采用多层内连线的立体架构方式，以完成各个电路的传导，因此，在导电层(金属层)间需用介电层(绝缘层)来隔离各金属层，避免电路间非预期的导通。而每多一道金属层或绝缘层，在生产过程中，都需增加一道光罩，即降低了生产效率，又提高了生产成本。
3.以图1所示的lcd电路结构为例，其在玻璃基板1表面设置了m1层2、第一绝缘层3、se层5、m2层6、第二绝缘层7、第二透明电极层8、第三绝缘层9以及第一透明电极层4，并且在第二绝缘层和第三绝缘层间设置了过孔，第一透明电极层穿过过孔与m2层连接。该lcd电路结构在生产过程中需要用到光罩数较多，生产效率低，生产成本高。


技术实现要素：

4.本发明要解决的技术问题，在于提供一种减少光罩的lcd电路结构及制造方法，能够减少使用光罩的数量，提高生产效率，降低生产成本。
5.本发明是这样实现的：
6.第一方面，本发明提供了一种减少光罩的lcd电路结构，包括有设置在玻璃基板上表面的m1层以及能够覆盖m1层上表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层上表面设置有第一透明电极层和se层，所述第一透明电极层和se层上表面共同连接有m2层，所述m2层上表面连接有第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖第一透明电极层和se层，所述第二绝缘层上表面设置有第二透明电极层。
7.进一步的，所述m1层和m2层均为金属层，se层为有源层，所述第一透明电极层由se层通过离子化处理得到的，所述第二透明电极层为金属氧化物层。
8.进一步地，所述第一透明电极层和se层间留有间隙，且所述m2层的底部填满间隙。
9.进一步地，所述第一透明电极层的厚度与se层的厚度相等。
10.进一步地，所述m2层的厚度大于se层的厚度。
11.进一步地，所述第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。
12.第二方面，本发明提供了一种lcd电路结构的制造方法，基于上述的一种减少光罩的lcd电路结构，包括有如下步骤：
13.s1、在玻璃基板表面先后沉积m1层和第一绝缘层；
14.s2、沉积se层，并在se层表面涂抹pr胶；
15.s3、在pr胶表面遮盖半灰阶掩膜板，并进行曝光处理，使未被半灰阶掩膜板遮盖的pr胶被剥离；
16.s4、对暴露出的se层进行蚀刻处理，使se层被分两个区域，将两个区域分为离子化
区域和未离子化区域；
17.s5、进行灰化处理，使离子化区域表面的pr胶被剥离，并使未离子化区域表面的pr胶减薄；
18.s6、对暴露出的离子化区域采用行离子化处理，使离子化区域的se层转变为第一透明电极层；
19.s7、洗去未离子化区域表面的pr胶；
20.s8、沉积m2层；
21.s9、沉积第二绝缘层；
22.s10、沉积第二透明电极。
23.进一步地，所述步骤s8还包括，对m2层进行图案化处理。
24.进一步地，所述步骤s9还包括，对第二绝缘层进行图案化处理。
25.进一步地，所述步骤s10还包括，对第二透明电极进行图案化处理。
26.本发明的优点在于：本发明中的lcd电路结构将第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，无需开设过孔，并减少了第三绝缘层的设置，同时，本技术中的第一透明电极层采用se离子化处理得到，无需采用额外的金属氧化物再重新沉积一层新的透明电极层，本技术的lcd电路结构生产方式与现有的光罩相比，本技术能够减少两道光罩，因而提高了生产效率，降低了生产成本。
附图说明
27.下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。
28.图1为现有技术中的lcd电路层结构示意图。
29.图2为本发明中的lcd电路层结构示意图。
30.图3为本发明一种减少光罩的lcd电路结构的制造方法流程图。
31.图4为本发明一种减少光罩的lcd电路结构的生产工艺流程示意图。
32.图中标号说明：
33.1、玻璃基板；2、m1层；3、第一绝缘层；4、第一透明电极层；5、se层；6、m2层；7、第二绝缘层；8、第二透明电极层；9、第三绝缘层。
具体实施方式
34.实施例一
35.请参阅图2，本发明提供了一种减少光罩的lcd电路结构，包括有设置在玻璃基板1上表面的m1层2以及能够覆盖m1层2上表面的第一绝缘层3，所述第一绝缘层3上表面设置有第一透明电极层4和se层5，所述第一透明电极层4和se层5上表面共同连接有m2层6，所述m2层6上表面连接有第二绝缘层7，且所述第二绝缘层7覆盖第一透明电极层4和se层5，所述第二绝缘层7上表面设置有第二透明电极层8。
36.具体的，所述m1层2和m2层6均为金属层，se层5为有源层(有源层可以为igzo或者a-si，或者ltps(单晶硅)等半导体材料)，所述第一透明电极层4由se层5通过离子化处理得到的，所述第二透明电极层8为金属氧化物层。
37.具体的，所述第一透明电极层4和se层5间留有间隙，且所述m2层6的底部填满间
隙。
38.具体的，所述第一透明电极层4的厚度与se层5的厚度相等。
39.具体的，所述m2层6的厚度大于se层5的厚度。
40.具体的，所述第二绝缘层7的厚度大于第一绝缘层3的厚度。
41.实施例二
42.如图3和图4所示，本发明提供了一种lcd电路结构的制造方法，基于实施例一中的一种减少光罩的lcd电路结构，包括有如下步骤：
43.s1、在玻璃基板表面先后沉积m1层和第一绝缘层，如图4中(a)处所示；
44.s2、沉积se层，并在se层表面涂抹pr胶(光刻胶)；
45.s3、在pr胶表面遮盖半灰阶掩膜板，并进行曝光处理，使未被半灰阶掩膜板遮盖的pr胶被剥离；半灰阶掩膜板由遮光区、半透膜区以及完全透光区组成。经过曝光处理后，完全透光区下方的pr胶完全被剥离，部分的se层被露出，遮光区下方的pr胶被保留，而半透膜区下方的pr胶被部分剥离，即半透膜区下方的pr胶的厚度小于遮光区下方的pr胶的厚度；经过曝光处理后的pr胶，如图4中(b)处所示；
46.s4、对暴露出的se层进行蚀刻处理，使se层被分两个区域，如图4中(c)处所示，将两个区域分为离子化区域和未离子化区域；
47.s5、进行灰化处理，使离子化区域表面的pr胶被剥离，并使未离子化区域表面的pr胶减薄，如图4中(d)处所示；
48.s6、对暴露出的离子化区域采用行离子化处理，使离子化区域的se层转变为第一透明电极层，而未离子化区域的se层由于pr胶的存在，其未被转变为第一透明电极层，即通过离子化处理，将se层的部分转变为第一透明电极，如图4中(d)处所示；
49.s7、洗去未离子化区域表面的pr胶，使未离子化区域的se层完全露出；
50.s8、沉积m2层，使m2层与第一透明电极层和se层相连接，如图4中(e)处所示；
51.s9、沉积第二绝缘层，如图4中(f)处所示；
52.s10、沉积第二透明电极，如图4中(g)处所示。
53.具体的，所述步骤s8还包括，对m2层采用行图案化处理。
54.具体的，所述步骤s9还包括，对第二绝缘层进行图案化处理。
55.具体的，所述步骤s10还包括，对第二透明电极进行图案化处理。
56.本发明中的lcd电路结构将第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，且第一透明电极层是通过se离子化处理，将部分的se层转换为第一透明电极层，与现有的lcd电路结构相比，本发明通过优化工艺，在画素区域采用一次性成膜形成画素电极/有源层，能够减少两道光罩及制作流程，因而提高了生产效率，同时，因为光罩的减少，相应的减少了光罩中药液、特气的使用，从而降低了生产成本。
57.虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。

技术特征：
1.一种减少光罩的lcd电路结构，包括有设置在玻璃基板上表面的m1层以及能够覆盖m1层上表面的第一绝缘层，其特征在于：所述第一绝缘层上表面设置有第一透明电极层和se层，所述第一透明电极层和se层上表面共同连接有m2层，所述m2层上表面连接有第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖第一透明电极层和se层，所述第二绝缘层上表面设置有第二透明电极层。2.如权利要求1所述的一种减少光罩的lcd电路结构，其特征在于：所述m1层和m2层均为金属层，se层为有源层，所述第一透明电极层由se层通过离子化处理得到的，所述第二透明电极层为金属氧化物层。3.如权利要求1所述的一种减少光罩的lcd电路结构，其特征在于：所述第一透明电极层和se层间留有间隙，且所述m2层的底部填满间隙。4.如权利要求1所述的一种减少光罩的lcd电路结构，其特征在于：所述第一透明电极层的厚度与se层的厚度相等。5.如权利要求1所述的一种减少光罩的lcd电路结构，其特征在于：所述m2层的厚度大于se层的厚度。6.如权利要求1所述的一种减少光罩的lcd电路结构，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。7.一种lcd电路结构的制造方法，其特征在于：基于权利要求1至6任一项所述的减少光罩的lcd电路结构，包括有如下步骤：s1、在玻璃基板表面先后沉积m1层和第一绝缘层；s2、沉积se层，并在se层表面涂抹pr胶；s3、在pr胶表面遮盖半灰阶掩膜板，并进行曝光处理，使未被半灰阶掩膜板遮盖的pr胶被剥离；s4、对暴露出的se层进行蚀刻处理，使se层被分两个区域，将两个区域分为离子化区域和未离子化区域；s5、进行灰化处理，使离子化区域表面的pr胶被剥离，并使未离子化区域表面的pr胶减薄；s6、对暴露出的离子化区域采用行离子化处理，使离子化区域的se层转变为第一透明电极层；s7、洗去未离子化区域表面的pr胶；s8、沉积m2层；s9、沉积第二绝缘层；s10、沉积第二透明电极。8.如权利要求7所述的一种lcd电路结构的制造方法，其特征在于：所述步骤s8还包括，对m2层进行图案化处理。9.如权利要求7所述的一种lcd电路结构的制造方法，其特征在于：所述步骤s9还包括，对第二绝缘层进行图案化处理。10.如权利要求7所述的一种lcd电路结构的制造方法，其特征在于：所述步骤s10还包括，对第二透明电极进行图案化处理。

技术总结
本发明提供一种减少光罩的LCD电路结构及制造方法，所述结构包括设置在玻璃基板上表面的M1层以及能够覆盖在M1层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上表面设置有第一透明电极层和SE层，所述第一透明电极层和SE层上表面共同连接有M2层，所述M2层上表面连接有第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖第一透明电极层和SE层，所述第二绝缘层上表面设置有第二透明电极层。本发明中的LCD电路结构将第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，减少第三绝缘层的设置，且第一透明电极层是通过SE离子化处理直接得到，在LCD电路结构的生产上可比现有生产方式减少两道光罩，提高了生产效率，降低了生产成本。了生产成本。了生产成本。


技术研发人员：潜垚 金剑辉 陈伟
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：2023.05.11
技术公布日：2023/8/9