一种PMNT靶材及其制备方法与流程

一种pmnt靶材及其制备方法
技术领域
1.本技术涉及压电材料技术领域，特别是涉及一种pmnt靶材及其制备方法。


背景技术：

2.铌镁酸铅-钛酸铅(化学式为(1-x)[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-x(pbtio3)，其中0《x《1，简称为pmnt)相关的弛豫铁电材料因优异的介电、压电、热释电、电光及非线性光学性能，广泛应用在微波可调器件、换能器、传感器、光波导等领域。与块体材料相比，高性能弛豫铁电材料的减薄技术是提高集成电路发展的关键，可将薄膜直接沉积在集成电路上，与信号读取电路兼容，无需切割，集成度高、成本低，对于实现器件和系统微型化具有重要的意义。通过磁控溅射镀膜工艺来实现薄膜制备是物理气相沉积方法之一，主要是利用辉光放电产生的高能粒子轰击靶材材料，使得靶材溅射出分子或原子沉积到基板表面，从而形成薄膜，其优点在于成膜温度低、薄膜质量高、结晶度高以及与微电子工艺兼容性好，便于制作器件。
[0003]
目前pmnt薄膜主要利用溅射pmnt陶瓷靶材而获得。现有技术的pmnt陶瓷靶材致密度较差，气孔率高；晶粒尺寸大小不一，分布不均匀；晶界伴有杂质和缺陷，无法满足现有对高性能pmnt靶材材料性能要求。另外一个靶材获得途径是pmnt单晶，单晶靶材制备难度高，成本昂贵，并且难以实现4英寸以上大尺寸高质量靶材的制备。若通过多片靶材拼接方式，在镀膜过程中，拼接片数和缝隙越多，等离子体均匀一致性越差，会导致局部不正常放电等情况，大大降低溅射效果，从而降低镀膜产品的品质与成品率。


技术实现要素：

[0004]
本技术的目的在于提供一种pmnt靶材及其制备方法，能够提高靶材微观结构均匀性、致密度及纯度，特别是可以获得大尺寸高质量的pmnt靶材，从而提高pmnt薄膜产品的成品率，降低成本。具体技术方案如下：
[0005]
本技术第一方面提供一种pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0006]
(1)按照pmnt靶材的化学组成称量mgo、nb2o5和tio2粉料，然后混合、干燥、在1180℃-1250℃温度下高温处理120min-240min，获得mnt前驱体；
[0007]
(2)按照pmnt靶材的化学组成称量mnt前驱体和pbo粉料，将所述mnt前驱体与pbo混合、干燥、在800℃-860℃下高温处理120min-240min，获得pmnt粉体；
[0008]
(3)将所述pmnt粉体球磨后加入粘合剂进行造粒、过筛；
[0009]
(4)冷等静压成型，获得pmnt坯体，将所述pmnt坯体在500℃-700℃保温1.5h-4h进行排胶处理，获得pmnt素坯；
[0010]
(5)将所述pmnt素坯进行热压烧结，获得pmnt靶材；
[0011]
其中，所述pmnt靶材的化学组成为(1-x)[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-x(pbtio3)，其中x＝0.1-0.4。
[0012]
在本技术的一种实施方案中，所述mgo、nb2o5、tio2和pbo粉料的粒度为100nm-200nm。
[0013]
在本技术的一种实施方案中，所述方法还包括在称量之前，将mgo进行预烧处理。
[0014]
在本技术的一种实施方案中，所述粘合剂为聚乙烯醇(pva)的水溶液，所述粘合剂的浓度为5％-10％，以所述pmnt粉体重量为基准，所述粘合剂的加入量为0.5％-2％。
[0015]
在本技术的一种实施方案中，所述冷等静压成型的压力为100mpa-200mpa，时间为10min-40min。
[0016]
在本技术的一种实施方案中，所述热压烧结的压力为20mpa-30mpa，在1180℃-1250℃下保温200min-300min。
[0017]
本技术的第二方面提供了一种采用本技术第一方面提供的制备方法制备的pmnt靶材。
[0018]
在本技术的一种实施方案中，pmnt靶材的尺寸为4.3英寸-4.6英寸。
[0019]
本技术有益效果：
[0020]
本技术提供了的一种pmnt靶材及其制备方法，pmnt靶材的化学组成为(1-x)[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-x(pbtio3)，其中x＝0.1-0.4，通过制备出mnt前驱体，再混合pbo高温处理得到pmnt粉体，将pmnt粉体进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，获得pmnt靶材。本技术提供的制备方法可以得到微观结构均匀、致密度高、纯度高的pmnt靶材，特别是可以获得大尺寸高质量的pmnt靶材，从而提高pmnt薄膜产品的成品率，降低成本。
[0021]
当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0022]
为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0023]
图1为实施例1中的pmnt靶材的x射线衍射谱图；
[0024]
图2为对比例1中的pmnt靶材的x射线衍射谱图；
[0025]
图3为实施例1中的pmnt靶材的扫描电子显微镜图；
[0026]
图4为对比例1中的pmnt靶材的扫描电子显微镜图。
具体实施方式
[0027]
下面将结合本技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员基于本技术所获得的所有其他实施例，都属于本技术要求保护的范围。
[0028]
本技术第一方面提供一种pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0029]
(1)按照pmnt靶材的化学组成称量mgo、nb2o5和tio2粉料，然后混合、干燥、在1180℃-1250℃温度下高温处理120min-240min，获得mnt前驱体；
[0030]
(2)按照pmnt靶材的化学组成称量mnt前驱体和pbo粉料，将mnt前驱体与pbo混合、干燥、在800℃-860℃下高温处理120min-240min，获得pmnt粉体；
[0031]
(3)将pmnt粉体球磨后加入粘合剂进行造粒、过筛；
[0032]
(4)冷等静压成型，获得pmnt坯体，将pmnt坯体在500℃-700℃保温1.5h-4h进行排胶处理，获得pmnt素坯；
[0033]
(5)将pmnt素坯进行热压烧结，获得pmnt靶材；
[0034]
其中，pmnt靶材的化学组成为(1-x)[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-x(pbtio3)，其中x＝0.1-0.4。
[0035]
本技术采用两步合成法，先制备出mnt前驱体，再混合pbo进行高温处理得到单一钙钛矿结构的pmnt粉体原料，然后对pmnt粉体原料进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，经机加工最终获得微观结构均匀、致密度高、纯度高的pmnt靶材。采用一步法合成pmnt靶材时容易导致pmnt靶材的化学组成发生变化，并且产生微观结构上的不均匀性，而本技术是pbo与mnt前驱体混合后进行反应得到pmnt靶材，因而能够获得微观结构均匀、致密度高、纯度高的pmnt靶材。
[0036]
通常情况下，初始原料mgo、nb2o5、tio2、pbo为纯度大于99.99％的高纯试剂。当初始原料mgo、nb2o5、tio2、pbo的纯度为上述范围时，可以避免杂质对pmnt靶材纯度的影响，进而提高pmnt靶材的质量。
[0037]
本技术中，对混合方式没有特别限制，只要能够实现本技术的目的即可，例如湿法混合，如球磨；混合方式为球磨时，例如，球磨时间可以为20h-26h，球磨机转速可以为90r/min-120r/min。
[0038]
本技术中，对干燥方式没有特别限制，只要能够实现本技术的目的即可，例如干燥方式为烘干。
[0039]
本技术中，对球磨方式没有特别限制，只要能够实现本技术的目的即可，例如球磨罐的材质为尼龙，磨球为氧化铝球，球磨介质为无水乙醇；球磨混合时，球磨中大磨球、中磨球和小磨球的质量为1∶2∶4，物料、磨球和球磨介质的质量比为2∶1.2∶1。
[0040]
本技术中，pmnt粉体过筛后要进行颗粒级配，本技术对颗粒级配方式没有特别限制，只要能够实现本技术的目的即可。例如，造粒的颗粒通过25目、60目、100目的标准筛过筛，取筛上料按4∶3∶1的质量比进行混合。进行颗粒级配有助于粉料致密度的提高，同时增加粉料流动性。
[0041]
在本技术的一种实施方案中，mgo、nb2o5、tio2和pbo粉料的粒度为100nm-200nm。当mgo、nb2o5、tio2和pbo粉料的粒度控制在上述范围内时，具有较好的烧结活性，并且有利于粉料分散。
[0042]
在本技术的一种实施方案中，在按照pmnt靶材的化学组成称量mgo、nb2o5和tio2粉料之前，先将mgo进行预烧处理。本技术对预烧处理方式没有特殊限制，只要能实现本技术的目的即可。例如预烧处理方式为烘干。在本技术中，先将mgo进行预烧处理，可以防止mgo粉体吸潮，而导致化学计量比不准的问题。
[0043]
在本技术的一种实施方案中，粘合剂为聚乙烯醇(pva)的水溶液，粘合剂的浓度为5％-10％，以pmnt粉体重量为基准，粘合剂的加入量为0.5％-2％。当粘合剂选用上述物质，且粘合剂的浓度和加入量控制在上述范围内时，具有较好的造粒效果，有利于胶体排出，不会造成污染。
[0044]
在本技术的一种实施方案中，冷等静压成型的压力为100mpa-200mpa，时间为10min-40min。当冷等静压成型的压力和时间控制在上述范围内时，有利于降低成本，能够
得到高质量的坯体，且有利于坯体成型。
[0045]
在本技术的一种实施方案中，热压烧结的压力为20mpa-30mpa，在1180℃-1250℃下保温200min-300min。当热压烧结的压力、温度和时间控制在上述范围内时，有利于降低成本，减少设备损耗，提高pmnt靶材致密度。
[0046]
在本技术中，将pmnt素坯进行热压烧结之后，还要经过机加工将外缘及端面修整平齐、打磨光滑。本技术对机加工方式没有特别限制，只要能够实现本技术的目的即可，例如车床。
[0047]
本技术的第二方面提供了一种采用本技术第一方面提供的制备方法制备的pmnt靶材。
[0048]
在本技术的一种实施方案中，pmnt靶材的尺寸为4.3英寸-4.6英寸。
[0049]
测试方法：
[0050]
x射线衍射谱图的测试：
[0051]
采用x-射线粉末衍射仪(型号为bruker d8 advance)(cu kα)对制备得到的pmnt靶材进行测试，其中，扫描范围2θ：10
°‑
80
°
，扫描速率：6
°
/min，测试温度：20
±
5℃。
[0052]
元素质量百分含量的测试：
[0053]
在室温条件下，采用型号为ms agilent 7700的电感耦合等离子体质谱仪(icp)对制备得到的pmnt靶材进行测试。
[0054]
扫描电子显微镜(sem)图的测试：
[0055]
在室温条件下，采用扫描电子显微镜(型号为su1510)对制备得到的pmnt靶材进行测试，观察pmnt靶材的断面微观形貌。
[0056]
实施例1
[0057]
化学组成为0.62[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-0.38(pbtio3)的pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0058]
先将mgo进行预烧处理，根据所需产物的成分称取相应重量的tio2、mgo、nb2o5，在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，得到mnt浆料；将浆料用20目筛子过筛一次倒入容器中，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到mnt原料；将mnt原料置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，经180min升温至800℃，再经120min升温至1100℃，再经60min升温至1250℃，保温180min，又经180min降温至700℃，再经120min降至300℃，后自然降至室温得到mnt前驱体。
[0059]
根据所需产物的重量称取过量1％pbo和mnt前驱体在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到混合粉体pmnt；将混合粉体pmnt置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至600℃，再经360min至850℃；在850℃保持180min后，又经180min降至300℃，随炉自然冷却，获得pmnt粉体。
[0060]
加入浓度为8％的聚乙烯醇(pva)水溶液粘合剂后造粒，以pmnt粉体重量为基准，粘合剂的加入量为1％，造粒的颗粒通过25目、60目、100目的标准筛过筛，取筛上料按4∶3∶1的质量比进行混合。
[0061]
将造粒原料冷等静压成型为素坯，条件为180mpa，30min；并在箱式电炉中在650℃保温2h进行排胶处理。
[0062]
将素坯放入热压烧结炉中进行热压烧结，外加25mpa的压力，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至800℃，再经360min至1250℃，在1250℃下保持240min后，又经180min降至600℃，随炉自然冷却，获得pmnt陶瓷坯体；最后经过机加工车床将坯体外缘及端面修整平齐、打磨光滑，制成pmnt靶材。
[0063]
所得的pmnt靶材的x射线衍射谱图见图1。
[0064]
从图中可以看出，本实施例制备得到的pmnt靶材的晶相仅含有钙钛矿相，说明采用本技术制备方法得到的pmnt靶材的晶相单一，不含有杂晶相，有利于进一步获得高质量的pmnt靶材。
[0065]
所得的pmnt靶材的扫描电子显微镜图见图3。
[0066]
从图中可以看出，本实施例制备得到的pmnt靶材内部晶粒大小均匀，无气孔，致密度高，有利于提高后续溅射效果。
[0067]
所得的pmnt靶材的尺寸为4.6英寸，说明本实施例可获得大尺寸的pmnt靶材，同时满足了纯度、致密度、材料均匀性等性能要求，有利于提高pmnt薄膜产品的成品率，降低成本。
[0068]
实施例2
[0069]
化学组成为0.75[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-0.25(pbtio3)的pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0070]
先将mgo进行预烧处理，根据所需产物的成分称取相应重量的tio2、mgo、nb2o5，在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，得到mnt浆料；将浆料用20目筛子过筛一次倒入容器中，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到mnt原料；将mnt原料置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉，经180min升温至800℃，再经120min升温至1100℃，再经60min升温至1220℃，保温180min，又经180min降温至700℃，再经120min降至300℃，后自然降至室温得到mnt前驱体。
[0071]
根据所需产物的重量称取过量1％pbo和mnt前驱体在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到混合粉体pmnt；将混合粉体pmnt置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至650℃，再经360min至820℃；在820℃保持180min后，又经180min降至300℃，随炉自然冷却，获得pmnt粉体。
[0072]
加入浓度为8％的聚乙烯醇(pva)水溶液粘合剂后造粒，以pmnt粉体重量为基准，粘合剂的加入量为1％，造粒的颗粒通过25目、60目、100目的标准筛过筛，取筛上料按4∶3∶1的质量比进行混合。
[0073]
将造粒原料冷等静压成型为素坯，条件为150mpa，30min；并在箱式电炉中在650℃保温2h进行排胶处理。
[0074]
将素坯放入热压烧结炉中进行热压烧结，外加25mpa的压力，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至800℃，再经360min至1250℃，在1250℃保持240min后，又经180min降至600℃，随炉自然冷却，获得pmnt陶瓷坯体；最后经过机加工车床将坯体外缘及端面修整平齐、打磨光滑，制成pmnt靶材。
[0075]
所得的pmnt靶材的尺寸为4.3英寸，说明本实施例可获得大尺寸的pmnt靶材，同时满足了纯度、致密度、材料均匀性等性能要求，从而有利于获得高质量的pmnt薄膜。
[0076]
实施例3
[0077]
化学组成为0.82[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-0.18(pbtio3)的pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0078]
先将mgo进行预烧处理，根据所需产物的成分称取相应重量的tio2、mgo、nb2o5，在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，得到mnt浆料；将浆料用20目筛子过筛一次倒入容器中，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到mnt原料；将mnt原料置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉，经180min升温至800℃，再经120min升温至1100℃，再经60min升温至1200℃，保温180min，又经180min降温至650℃，再经120min降至300℃，后自然降至室温得到mnt前驱体。
[0079]
根据所需产物的重量称取过量1％pbo和mnt前驱体在转速为100r/min的球磨机上球磨24h，再放入烘箱在100℃干燥12h，得到混合粉体pmnt；将混合粉体pmnt置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至700℃，再经360min至850℃，在850℃保持180min后，又经180min降至300℃，随炉自然冷却，获得pmnt粉体。
[0080]
加入浓度为8％的聚乙烯醇(pva)水溶液粘合剂后造粒，以pmnt粉体重量为基准，粘合剂的加入量为1％，造粒的颗粒通过25目、60目、100目的标准筛过筛，取筛上料按4∶3∶1的质量比进行混合。
[0081]
将造粒原料冷等静压成型为素坯，条件为150mpa，25min；并在箱式电炉中在680℃保温2h进行排胶处理。
[0082]
将素坯放入热压烧结炉中进行热压烧结，外加24mpa的压力，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至800℃，再经360min至1210℃，在1210℃保持240min后，又经180min降至600℃，随炉自然冷却，获得pmnt陶瓷坯体；最后经过机加工车床将坯体外缘及端面修整平齐、打磨光滑，制成pmnt靶材。
[0083]
所得的pmnt靶材的尺寸为4.5英寸，说明本实施例可获得大尺寸的pmnt靶材，同时满足了纯度、致密度、材料均匀性等性能要求，从而有利于获得高质量的pmnt薄膜。
[0084]
对比例1
[0085]
化学组成为0.62[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-0.38(pbtio3)的pmnt陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0086]
根据上述化学组成，按比例称取所需的tio2、mgo、nb2o5、pbo球磨混合，球磨转速为100r/min，时间为24h，球磨完成后经干燥，形成混合粉体；
[0087]
将混合粉体置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至500℃，再经210min至850℃，在850℃保持180min后，又经180min降至550℃，再经180min降至室温，获得pmnt粉体；
[0088]
加入浓度为8％的聚乙烯醇(pva)水溶液粘合剂后造粒，以pmnt粉体重量为基准，粘合剂的加入量为1％，造粒的颗粒通过100目的标准筛过筛；
[0089]
将造粒原料干压成型为素坯，并在箱式电炉中在650℃保温2h进行排胶处理；
[0090]
将素坯放入管式炉，进行常压烧结。具体工艺如下：设置升温程序使炉内温度从室温经240min至750℃，再经210min至1100℃，在1100℃保持360min后，又经180min降至600℃，再经180min降至室温，通氧气的速率为0.3l/min至0.7l/min。
[0091]
所得的pmnt陶瓷靶材的x射线衍射谱图见图2。
[0092]
从图中可以看出，采用现有技术合成过程中部分nb2o5与pbo副反应生成pb2nb2o7焦绿石相，从而使得所制备的pmnt陶瓷靶材中含有第二相，导致材料纯度低。
[0093]
所得的pmnt陶瓷靶材的扫描电子显微镜图见图4。
[0094]
从图中可以看出，陶瓷内部含有大量气孔和杂质，使致密度降低，同时，晶界明显，晶粒大小不均匀，会对后续溅射效果产生不利影响。
[0095]
所得的pmnt靶材的尺寸为4.1英寸，说明本对比例可获得大尺寸pmnt靶材，但pmnt靶材性能差，无法满足现有对pmnt靶材在纯度、致密度、材料均匀性等性能方面的要求，无法获得高质量的pmnt薄膜材料。
[0096]
对比例2
[0097]
化学组成为0.62[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-0.38(pbtio3)的单晶pmnt靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0098]
根据所需产物的成分称取相应重量的mgo、nb2o5、pbo、tio2球磨混合，球磨转速为100r/min，时间为24h，球磨完成后经干燥，形成混合粉体；
[0099]
将混合粉体置于刚玉坩埚中，加盖密闭，放入箱式电炉中，设置升温程序使炉内温度从室温经180min至500℃，再经210min至850℃，在850℃保持180min后，又经180min降至550℃，再经180min降至室温，获得pmnt多晶料；
[0100]
采用坩埚下降法进行pmnt晶体生长。将炉体温度控制于1300℃-1350℃，下降速率为0.3mm/h-0.6mm/h。待生长结束后，以40℃/h-60℃/h速率降至室温，获得pmnt晶体。
[0101]
所得的单晶pmnt靶材的尺寸为3英寸。由于目前单晶生长尺寸难以突破直径4英寸以上，因此制备大尺寸单晶靶材相当困难，产品成品率极低，更无法应用于制备大尺寸的pmnt薄膜。
[0102]
本技术实施例和对比例制备得到的pmnt靶材的各元素的质量百分含量如表1所示。
[0103]
表1
[0104][0105]
参考实施例和对比例，从表1可以看出，采用本技术制备方法得到的pmnt靶材中各
元素质量百分含量的测量值与目标值基本一致，相对误差较小，说明本技术采用mnt与氧化铅两步烧结合成法，避免了焦绿石相的生成，使得制备得到的pmnt靶材中各组分的实际化学组成与原始设计的化学组成一致性高，有利于生长高纯度高质量pmnt靶材，从而提高薄膜产品的成品率。
[0106]
以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。

技术特征：
1.一种pmnt靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照pmnt靶材的化学组成称量mgo、nb2o5和tio2粉料，然后混合、干燥、在1180℃-1250℃温度下高温处理120min-240min，获得mnt前驱体；(2)按照pmnt靶材的化学组成称量mnt前驱体和pbo粉料，将所述mnt前驱体与pbo混合、干燥、在800℃-860℃下高温处理120min-240min，获得pmnt粉体；(3)将所述pmnt粉体球磨后加入粘合剂进行造粒、过筛；(4)冷等静压成型，获得pmnt坯体，将所述pmnt坯体在500℃-700℃保温1.5h-4h进行排胶处理，获得pmnt素坯；(5)将所述pmnt素坯进行热压烧结，获得pmnt靶材；其中，所述pmnt靶材的化学组成为(1-x)[pb(mg
1/3
nb
2/3
)o3]-x(pbtio3)，其中x＝0.1-0.4。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述mgo、nb2o5、tio2和pbo粉料的粒度为100nm-200nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在称量之前，将mgo进行预烧处理。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为聚乙烯醇(pva)的水溶液，所述粘合剂的浓度为5％-10％，以所述pmnt粉体重量为基准，所述粘合剂的加入量为0.5％-2％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷等静压成型的压力为100mpa-200mpa，时间为10min-40min。6.根据权利要求1的所述制备方法，其特征在于，所述热压烧结的压力为20mpa-30mpa，在1180℃-1250℃下保温200min-300min。7.一种根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法制备的pmnt靶材。8.根据权利要求7所述的pmnt靶材，其尺寸为4.3英寸-4.6英寸。

技术总结
本申请提供了一种PMNT靶材的制备方法，包括：获得MNT前驱体；将MNT前驱体与PbO混合并进行高温处理，获得PMNT粉体；将PMNT粉体进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，获得PMNT靶材。本申请提供的制备方法可以得到微观结构均匀、致密度高、纯度高的PMNT靶材，特别是可以获得大尺寸高质量的PMNT靶材，从而提高PMNT薄膜产品的成品率，降低成本。降低成本。降低成本。


技术研发人员：童亚琦 郑彧 李辉 刘晓花 王震
受保护的技术使用者：北京中材人工晶体研究院有限公司 中国建材集团有限公司
技术研发日：2023.04.11
技术公布日：2023/8/9