一种太阳能电池的制备工艺及太阳能电池、组件和系统的制作方法

1.本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备工艺及太阳能电池、组件和系统。


背景技术：

2.太阳能电池，也称光伏电池，是一种能将太阳光直接转化为电能的电池，可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池。现有光伏电池领域中，晶体硅太阳能电池技术相对成熟，其应用也最广。然而，现有晶体硅太阳能电池仍然存在一些缺陷；例如，现有产业化晶体硅太阳能电池一般通过丝网印刷银浆料结合高温烧结工艺来完成金属化过程，以形成电极；然而，这一过程需采用大量价格昂贵的银浆，增加了晶体硅太阳能电池的材料成本。
3.因此，为降低太阳能电池的成本，目前，研发人员逐步对太阳能电池进行结构改进，如公开号cn113629155a提供的一种晶硅太阳能电池，其栅线电极包括形成于掺杂导电层之上的第一金属层(如硅化钛浆料)，形成于第一层金属层之上的介质导电层(如氮化钛浆料)，以及形成于介质导电层之上的第二金属层(如金属铝浆料)，该栅线电极无需使用价格高昂的银浆料，能降低其原料成本，且能实现较好的导电性能。然而，该晶硅太阳能电池的钝化介电层为氮化硅钝化膜，这种钝化膜容易被机械设备划伤，这大大降低了太阳能电池的生产良率，也会进一步导致太阳能电池的生产成本的提高。而且，在制备该晶硅太阳能电池的过程中，通常需要先沉积氮化硅钝化膜，再在栅线区域进行激光开槽后，依次沉积第一金属层和介质导电层，然后印刷第二金属层，再进行高温烧结得到该栅线电极；可见，该晶硅太阳能电池的栅线电极的制备工序繁多，且为实现钝化减反射效果，在制备栅线电极之前，还需额外增加沉积氮化硅钝化膜和激光开槽，这进一步增加了电池的制备工序，延长了电池的制备周期，这也会进一步影响电池的生产成本。


技术实现要素：

4.本发明的目的之一在于克服现有技术的不足，提供一种太阳能电池的制备工艺，以减少背面电极的制备工序、无需额外增加制备钝化膜和激光开槽的步骤，且所得的太阳能电池不易被划伤、生产良率高，接触电阻率更低，进而降低电池生产成本及电极原料成本。
5.本发明的目的之二在于克服现有技术的不足，提供上述制备工艺所制得的一种太阳能电池，以在简化该电池结构的同时，使该电池还具备不易被划伤、接触电阻率更低、金属复合损失小、成本低的优点。
6.本发明的目的之三在于提供一种太阳能电池组件。
7.本发明的目的之四在于提供一种太阳能电池系统。
8.基于此，本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：
9.步骤s1，在硅衬底的背面制备掺杂层；
10.步骤s2，在所述掺杂层的背面制备种子金属，其中，所述种子金属为钼、镍和钛中
的一种或多种形成的合金；
11.步骤s3，在种子金属的背面局域制备外金属，再进行热处理，以使种子金属与掺杂层的掺杂硅在界面形成种子金属硅化物层，并使种子金属与外金属在界面相互扩散形成混合导电层，而远离混合导电层的外金属形成外金属层，且未被外金属覆盖的种子金属氧化形成钝化抗划层。
12.优选地，所述钝化抗划层的厚度为10-100nm。
13.优选地，所述外金属为铜、铝和银中的一种或多种形成的合金；所述外金属层为铜层、铝层、银层或其合金层。
14.进一步优选地，所述外金属层为铜层、铝层或其合金层。
15.优选地，所述种子金属硅化物层的厚度小于或等于30nm；所述混合导电层的厚度为5-80nm；所述外金属层的厚度为5-20um。
16.优选地，所述步骤s3中，所述种子金属硅化物层与混合导电层之间还保留有部分种子金属，以形成种子金属层；也即，所述背面电极还包括位于种子金属硅化物层与混合导电层之间的种子金属层。
17.进一步优选地，所述种子金属硅化物层、种子金属层、混合导电层和钝化抗划层为一体成型结构。
18.进一步优选地，所述种子金属层的厚度为5-80nm。
19.优选地，所述掺杂层包括依次叠设于硅衬底背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层。
20.优选地，所述步骤s3中，热处理的温度为700-900℃。
21.优选地，在所述步骤s1之前，还包括对硅衬底的背面进行预处理，以使硅衬底的背面形成平面结构的步骤。
22.本发明还公开了一种太阳能电池，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层设有背面电极；所述背面电极包括覆设于整个掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层叠加；所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。
23.优选地，所述的一种太阳能电池，还包括位于硅衬底正面的正面电极。
24.本发明还公开了一种太阳能电池，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层设有背面电极；所述背面电极包括覆设于整个掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钼硅化物、镍硅化物和钛硅化物中的至少两种形成的合金层；所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。
25.本发明还公开了一种太阳能电池，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层包括依次交替排布的p型掺杂区和n型掺杂区，所述p型掺杂区与n型掺杂区之间设有隔离区，所述p型掺杂区设有正电极，且所述n型掺杂区设有负电极；所述正电极包括设于掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于对应p型掺杂区的种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述负电极包括所述种子金属硅化物层及依次叠设于对应n型掺杂区的所述种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层叠加；
所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。
26.本发明还公开了一种太阳能电池组件，包括依次层叠设置的前层、封装层、电池和光伏背板，所述电池为上述的一种太阳能电池，或者所述电池为上述的一种太阳能电池的制备工艺所制得的太阳能电池。
27.本发明还公开了一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，所述太阳能电池组件是上述的一种太阳能电池组件。
28.与现有技术相比，本发明至少包括以下有益效果：
29.(1)本发明的太阳能电池的制备工艺中，仅需依次制备种子金属和外金属，再进行热处理，即可得到包括种子金属硅化物层、混合导电层和外金属层的背面电极，同时还能使未被外金属覆盖的种子金属在热处理过程中氧化形成钝化抗划层；也即，仅需两步制备和一步热处理步骤，即可同时获得背面电极和钝化抗划层，相比现有晶硅太阳能电池(具有第一金属层、介质导电层和第二金属层的三层结构的栅线电极)，本发明的太阳能电池(其包括种子金属硅化物层、混合导电层和外金属层的三层结构的背面电极)不仅减少了金属制备步骤、简化了背面电极的制备工序，还无需额外增加制备钝化膜和激光开槽即能在获得背面电极的同时制得钝化抗划层，进一步简化了电池的制备工序，进而能提高电池生产良率，缩短电池的制备周期，大大降低电池生产成本。
30.(2)所得的太阳能电池中，该钝化抗划层，不仅能起到钝化减反射效果，还能使该太阳能电池不易被机械设备划伤，大大提高电池的生产良率，进一步降低电池的生产成本；(3)该背面电极包括依次叠设的种子金属硅化物层、混合导电层和外金属层，这是一种新的背面电极，相比如cn113629155a的现有晶硅太阳能电池(其栅线电极中的第一金属层与掺杂导电层仅在栅线区域进行局域接触)的栅线电极，这种新的背面电极中，种子金属硅化物层与掺杂层之间是整面接触，接触面积更大，具有更好的电接触能力和电子收集能力，能更好的降低接触电阻率，故而种子金属硅化物层和混合导电层均具有好的导电性能，进而该新的背面电极具有更好的导电性能；而且，种子金属硅化物层和混合导电层这两层在导电的同时还能将掺杂层与外金属层分隔开，以防止外金属层在热处理过程中穿过掺杂层而污染硅衬底，故而能降低金属复合损失。(4)此外，该背面电极中的种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层、钛硅化物层或其合金层，不含价格高昂的银，因此，能降低电极的原料成本。
附图说明
31.图1是实施例1的一种太阳能电池的结构示意图。
32.图2是实施例1的一种太阳能电池制备工艺中硅衬底经步骤1后的结构示意图。
33.图3是实施例1的一种太阳能电池制备工艺中硅衬底经步骤2后的结构示意图。
34.图4是实施例1的一种太阳能电池制备工艺中硅衬底经步骤3后的结构示意图。
35.图5是实施例2的一种太阳能电池的结构示意图。
36.附图标号说明：硅衬底1；掺杂层2；p型掺杂区21；隔离区22；n型掺杂区23；钝化抗划层3；种子金属硅化物层4；种子金属层5；混合导电层6；外金属层7；种子金属8。
具体实施方式
37.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体实施方式及附图对本发明作进一步详细的说明。
38.实施例1
39.本实施例的一种太阳能电池，参照图1，包括硅衬底1及叠设于硅衬底1背面的掺杂层2。实际应用中，该硅衬底1的背面叠设有掺杂层2，并在硅衬底1背面的掺杂层2设置背面电极；另外，还可根据不同电池结构的设计需求，在该硅衬底1的正面也叠设掺杂层2，并在硅衬底1正面的掺杂层2设置正面电极。以下详细介绍背面电极的结构及其制备工艺。当然，该背面电极的以下结构及其制备工艺也可应用至正面电极上。
40.其中，该背面电极包括叠设于掺杂层2的整个背面的种子金属硅化物层4及依次叠设于种子金属硅化物层4的背面局部区域(即电极区域)的混合导电层6和外金属层7；这是一种新的背面电极。本实施例的一种示例中，这种新的背面电极中的种子金属硅化物层4为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层叠加；本实施例的另一种示例中，种子金属硅化物层4可为钼硅化物、镍硅化物和钛硅化物中的至少两种形成的合金层(如钛硅化物与镍硅化物形成的合金层)。种子金属硅化物层4的厚度优选厚度小于或等于30nm、更优选为0.1-20nm，例如种子金属硅化物层4的厚度为0.1nm、0.5nm、1nm、3nm、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm；相比如cn113629155a的现有晶硅太阳能电池(其栅线电极中的第一金属层与掺杂导电层仅在栅线区域进行局域接触)的栅线电极，这种新的背面电极中，种子金属硅化物层4与掺杂层2之间是整面接触，接触面积更大，具有更好的电接触能力和电子收集能力，能更好的降低接触电阻率。
41.进一步，外金属层7在硅衬底1上的投影面积与硅衬底1的面积之比优选为大于1：10000；外金属层7为铜层、铝层、银层或其合金层(如铜铝合金层)，外金属层7的厚度优选为5-20um，例如外金属层7的厚度为5um、8um、10um、15um或20um。混合导电层6为种子金属8与外金属相互扩散形成的结构。具体地，该混合导电层6是在如700-900℃的高温热处理过程中，种子金属8与外金属在界面发生相互扩散而形成；种子金属8为钼、镍、钛或其合金(如钛镍合金)，更优选为钼、钛或其合金；该外金属为铜、铝、银或其合金(如铜铝合金)。混合导电层6的厚度优选为5-80nm，例如混合导电层6的厚度为5nm、8nm、10nm、15nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm或80nm。种子金属硅化物层4、混合导电层6和外金属层7均具有好的导电性能，再配合种子金属硅化物层4与掺杂层2之间的整面接触，该新的背面电极具有更好的导电性能。
42.而且，种子金属硅化物层4和混合导电层6这两层在导电的同时还能将掺杂层2与外金属层7分隔开，以防止外金属层7在热处理过程中穿过掺杂层2而污染硅衬底1，故而能降低金属复合损失。
43.更进一步，外金属层7优选为铜层、铝层或其合金层(如铜铝合金层)，这样，该背面电极完全不含价格高昂的银，能进一步降低电极的原料成本。
44.其中，该新的背面电极还包括位于种子金属硅化物层4与混合导电层6之间的种子金属层5，种子金属层5为钼层、镍层、钛层或其合金层(如钛镍合金层)，优选为钼层、钛层或其合金层；种子金属层5的厚度为5-80nm，例如种子金属层5的厚度为5nm、8nm、10nm、15nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm或80nm。这层种子金属层5不仅不会对背面电极的导电性
能造成负面影响，还能与种子金属硅化物层4及混合导电层6组成三层结构，以增加掺杂层2与外金属层7的隔离效果，进一步防止外金属层7在热处理过程中穿过掺杂层2而污染硅衬底1，降低金属复合损失。
45.其中，种子金属硅化物层4的未设有外金属层7的背面区域(非电极区域)还设有钝化抗划层3；该钝化抗划层3的厚度为10-100nm，例如钝化抗划层3的厚度为10nm、20nm、30nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm。设置这一层钝化抗划层3，不仅能替代现有氮化硅钝化膜起到钝化减反射效果，还能使该太阳能电池不易被机械设备划伤，大大提高电池的生产良率，进一步降低电池的生产成本。
46.其中，该钝化抗划层3可采用同时起钝化减反射和耐划伤作用的材料层，优选为种子金属氧化物层，即钼氧化物层、镍氧化物层、钛氧化物层或其合金氧化物层(如钛氧化物与镍氧化物的合金层)，更优选为钼氧化物层、钛氧化物层或其合金氧化物层。该类种子金属氧化物层能很好的粘附于掺杂层2背面，且其机械性能比氮化硅膜要好，抗划伤性能更优异，能大大提高电池的生产良率。
47.本实施例还提供了上述的一种太阳能电池的制备工序，包括依次进行的如下步骤：
48.步骤1，对硅衬底1的背面进行预处理。其中，硅衬底1优选为n型硅衬底1。
49.本实施例的一种示例为，对硅衬底1的背面进行预处理，以使硅衬底1的背面形成平面结构，如图2所示。
50.步骤2，在硅衬底1的平面结构背面制备掺杂层2，如图3所示。其中，为提高该太阳能电池的钝化接触性能，该掺杂层2优选为依次叠设于硅衬底1背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层(如n+掺杂多晶硅层)。
51.步骤3，在掺杂层2的整个背面制备种子金属8，如图4所示。其中，种子金属8的制备方式为丝网印刷或沉积，优选为pvd设备沉积。
52.步骤4，在种子金属8的背面局域制备外金属，再在700-900℃下进行热处理，以在热处理过程中，使种子金属8与掺杂层2的掺杂硅(如掺杂多晶硅)在界面形成种子金属硅化物层4，并使种子金属8与外金属在界面相互扩散形成混合导电层6，且种子金属硅化物层4与混合导电层6还可保留部分种子金属8以形成种子金属层5，而远离混合导电层6的外金属形成外金属层7，且未被外金属覆盖的种子金属氧化形成钝化抗划层3，即得背面电极。经上述步骤1-4，即完成本实施例的一种太阳能电池的制备，其结构如图1所示。其中，外金属的制备方式为丝网印刷、沉积或如蒸镀的其他方式，优选为丝网印刷。
53.该太阳能电池的制备工艺中，仅需依次制备种子金属8和外金属，再进行热处理，即可同时获得背面电极和钝化抗划层3，且种子金属硅化物层4、种子金属层5、混合导电层6和钝化抗划层3为一体成型结构，也即，钝化抗划层3与背面电极中的种子金属硅化物层4、种子金属层5、混合导电层6均是由种子金属8经上述步骤转变而成。能简化该电池的结构和制备工序。具体地，相比如cn113629155a的现有晶硅太阳能电池(具有第一金属层、介质导电层和第二金属层的三层结构的栅线电极)，本实施例制得的太阳能电池(其包括种子金属硅化物层4、混合导电层6和外金属层7的三层结构的背面电极)不仅减少了金属制备步骤、简化了背面电极的制备工序，还无需额外增加制备钝化膜和激光开槽即能在获得背面电极的同时制得钝化抗划层3，进一步简化了电池的制备工序，进而能提高电池生产良率，缩短
电池的制备周期，大大降低电池生产成本。
54.综上，该太阳能电池的制备工艺，不仅能使所得的太阳能电池具备不易被划伤、生产良率高，接触电阻率更低，金属复合损失小，成本低的优点；还能简化背面电极的制备工序、并省略制备钝化膜和激光开槽的步骤，仅需两步金属制备、一步热处理，即能同时制得背面电极和钝化抗划层3，大大降低电池生产成本，该制备工艺稳定可靠，适用于大规模生产。
55.本实施例的还公开了一种太阳能电池组件，包括依次层叠设置的前层、封装层、电池和光伏背板，所述电池为上述的一种太阳能电池。
56.本实施例的还公开了一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，所述太阳能电池组件是上述的一种太阳能电池组件。
57.实施例2
58.本实施例的一种太阳能电池，其结构、制备工艺、组件和系统均参照实施例1，参见图5，其与实施例1的区别在于：
59.本实施例的太阳能电池的硅衬底1正面不设有电极，硅衬底1背面的掺杂层2包括依次交替排布的p型掺杂区21和n型掺杂区23，p型掺杂区21与n型掺杂区23之间设有隔离区22；掺杂层2的p型掺杂区21设有正电极，且掺杂层2的n型掺杂区23设有负电极；正电极包括叠设于掺杂层2背面的种子金属硅化物层4及依次叠设于对应p型掺杂区21的种子金属硅化物层4的背面局部区域的混合导电层6和外金属层7，而负电极包括所述种子金属硅化物层4及依次叠设于对应n型掺杂区23的所述种子金属硅化物层4的背面局部区域的混合导电层6和外金属层7；也即，种子金属硅化物层4覆设于掺杂层2的整个背面，而正电极和负电极共用这一层种子金属硅化物层4。该正电极和负电极均参照上述实施例1的背面电极，故此不再赘述。
60.尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
61.以上对本发明所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：
1.一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤s1，在硅衬底的背面制备掺杂层；步骤s2，在所述掺杂层的背面制备种子金属，其中，所述种子金属为钛、镍和钼中的一种或多种形成的合金；步骤s3，在种子金属的背面局域制备外金属，再进行热处理，以使种子金属与掺杂层的掺杂硅在界面形成种子金属硅化物层，并使种子金属与外金属在界面相互扩散形成混合导电层，而远离混合导电层的外金属形成外金属层，且未被外金属覆盖的种子金属氧化形成钝化抗划层。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述钝化抗划层的厚度为10-100nm。3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述外金属为铜、铝和银中的一种或多种形成的合金；所述外金属层为铜层、铝层、银层或其合金层。4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述外金属层为铜层、铝层或其合金层。5.根据权利要求1或3所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述种子金属硅化物层的厚度小于或等于30nm；所述混合导电层的厚度为5-80nm；所述外金属层的厚度为5-20um。6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤s3中，所述种子金属硅化物层与混合导电层之间还保留有部分种子金属，以形成种子金属层。7.根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述种子金属硅化物层、种子金属层、混合导电层和钝化抗划层为一体成型结构。8.根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述种子金属层的厚度为5-80nm。9.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述掺杂层包括依次叠设于硅衬底背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层。10.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤s3中，热处理的温度为700-900℃。11.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，在所述步骤s1之前，还包括对硅衬底的背面进行预处理，以使硅衬底的背面形成平面结构的步骤。12.根据权利要求1-11任意一项所述的制备工艺制得的一种太阳能电池，其特征在于，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层设有背面电极；所述背面电极包括覆设于整个掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钛硅化物层、镍硅化物层和钼硅化物层中的一层或多层叠加；所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。13.根据权利要求12所述的一种太阳能电池，其特征在于，还包括位于硅衬底正面的正面电极。14.根据权利要求1-11任意一项所述的制备工艺制得的一种太阳能电池，其特征在于，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层设有背面电极；所述背面电极
包括覆设于整个掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钛硅化物、镍硅化物和钼硅化物中的至少两种形成的合金层；所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。15.根据权利要求1-11任意一项所述的制备工艺制得的一种太阳能电池，其特征在于，包括硅衬底及叠设于所述硅衬底背面的掺杂层，所述掺杂层包括依次交替排布的p型掺杂区和n型掺杂区，所述p型掺杂区与n型掺杂区之间设有隔离区，所述p型掺杂区设有正电极，且所述n型掺杂区设有负电极；所述正电极包括设于掺杂层背面的种子金属硅化物层及依次叠设于对应p型掺杂区的种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述负电极包括所述种子金属硅化物层及依次叠设于对应n型掺杂区的所述种子金属硅化物层的背面局部区域的混合导电层和外金属层，所述种子金属硅化物层为钛硅化物层、镍硅化物层和钼硅化物层中的一层或多层叠加；所述种子金属硅化物层的未设有外金属层的背面区域还设有钝化抗划层。16.一种太阳能电池组件，包括依次层叠设置的前层、封装层、电池和光伏背板，其特征在于，所述电池为权利要求1-11任意一项所述的制备工艺制得的一种太阳能电池。17.一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是权利要求16所述的一种太阳能电池组件。

技术总结
本发明公开一种太阳能电池的制备工艺、电池、组件和系统，该制备工艺包括：先在硅衬底的背面制备掺杂层；再在掺杂层的背面制备种子金属，其中，种子金属为钼、镍和钛中的一种或多种形成的合金；然后在种子金属的背面局域制备外金属，再进行热处理，以使种子金属与掺杂层的掺杂硅在界面形成种子金属硅化物层，并使种子金属与外金属在界面相互扩散形成混合导电层，而远离混合导电层的外金属形成外金属层，且未被外金属覆盖的种子金属氧化形成钝化抗划层。该制备工艺能减少背面电极的制备工序、无需额外增加制备钝化膜和激光开槽，且所得的太阳能电池不易被划伤、生产良率高，接触电阻率更低，进而降低电池生产成本及电极原料成本。进而降低电池生产成本及电极原料成本。进而降低电池生产成本及电极原料成本。


技术研发人员：陈程 季根华 沈承焕 张耕 曹俊 赵影文 包杰 黄策 陈春平 陈嘉 马丽敏
受保护的技术使用者：泰州中来光电科技有限公司
技术研发日：2022.01.29
技术公布日：2023/8/9