显示面板、数据处理装置、显示面板的制造方法与流程

1.本发明的一个方式涉及一种显示面板、显示面板的制造方法、数据处理装置或者半导体装置。
2.注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。


背景技术：

3.已知有不用高精细金属掩模版也可以形成发光层的有机el显示器的制造方法。作为其一个例子，有一种有机el显示器的制造方法，包括：在形成在绝缘衬底上方的包括第一及第二像素电极的电极阵列的上方沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物的第一发光性有机材料，来形成第一发光层作为设置在包括电极阵列的显示区域整体上的连续膜的工序；不向第一发光层中位于第一像素电极的上方的部分而向第一发光层中位于第二像素电极的上方的部分照射紫外光的工序；在第一发光层上沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物并与第一发光性有机材料不同的第二发光性有机材料，来形成第二发光层作为设置在显示区域整体上的连续膜的工序；以及在第二发光层的上方形成对置电极的工序(专利文献1)。
4.[先行技术文献]
[0005]
[专利文献]
[0006]
[专利文献1]日本专利申请公开第2012-160473号公报


技术实现要素：

[0007]
发明所要解决的技术问题
[0008]
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的数据处理装置。此外，提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的数据处理装置或者新颖的半导体装置。
[0009]
注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述目的以外的目的，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述目的以外的目的。
[0010]
解决技术问题的手段
[0011]
(1)本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。
[0012]
第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层具有夹在第二电极与第一电极间的区域。
[0013]
第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0014]
第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层具有夹在第四电极与第三电极间的区域。
[0015]
第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第二层与第一层间具有第一间隙。
[0016]
第一间隙具有与分隔壁重叠的区域，第一间隙防止第一层与第二层间的电导通。
[0017]
(2)另外，本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。
[0018]
第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元及第一层，第二电极与第一电极重叠，第一单元具有夹在第二电极与第一电极间的区域。另外，第一层具有夹在第一单元与第一电极间的区域。
[0019]
第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0020]
第二发光器件包括第三电极、第四电极、第二单元及第二层，第四电极与第三电极重叠，第二单元具有夹在第四电极与第三电极间的区域。另外，第二层具有夹在第二单元与第一电极间的区域。
[0021]
第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第二层与第一层间具有第一间隙。
[0022]
分隔壁包括第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠。另外，分隔壁在第一开口部与第二开口部间重叠于第一间隙。
[0023]
由此，可以防止第一层与第二层间的电导通。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第一电极与第四电极间的现象。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第三电极与第二电极间的现象。另外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0024]
(3)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一发光器件包括第三单元及第一中间层。
[0025]
第三单元具有夹在第二电极与第一单元间的区域，第一中间层具有夹在第三单元与第一单元间的区域。
[0026]
第一中间层包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有受体性的物质，第一中间层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0027]
第二发光器件包括第四单元及第二中间层，第四单元具有第四电极与第二单元间的区域。另外，第二中间层具有夹在第四单元与第二单元间的区域。
[0028]
第二中间层包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有受体性的物质，第二中间层与第一中间层间具有第二间隙。
[0029]
分隔壁在第一开口部与第二开口部间重叠于第二间隙。
[0030]
由此，可以抑制电流通过第一层及第二层或者第三中间层及第四中间层流过第一
电极与第四电极间的现象。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第三电极与第二电极间的现象。另外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0031]
(4)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一具有空穴传输性的材料为具有芳香胺化合物或富π电子型杂芳环的有机化合物，第一具有受体性的物质为包含氟或氰基的有机化合物或者过渡金属氧化物。
[0032]
由此，可以从阳极一侧向阴极一侧供应空穴。此外，第二发光器件的第二层与第一发光器件的第一层分离，由此可以抑制串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0033]
(5)另外，本发明的一个方式是还包括第一绝缘膜的上述显示面板。第一绝缘膜与第一电极间夹持第二电极，第一绝缘膜与第三电极间夹持第四电极。
[0034]
由此，可以抑制第一发光器件周围的杂质扩散到第一发光器件。另外，可以抑制第二发光器件周围的杂质扩散到第二发光器件。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0035]
(6)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一层包括第一侧壁，第二层包括第二侧壁。第二侧壁与第一侧壁相对，第二侧壁与第一侧壁间夹持第一间隙。另外，第一绝缘膜与第一侧壁及第二侧壁接触。
[0036]
(7)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一绝缘膜与分隔壁接触。
[0037]
(8)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一绝缘膜包括第二绝缘膜及第三绝缘膜。
[0038]
第二绝缘膜夹在第三绝缘膜与第二电极间，并夹在第三绝缘膜与第四电极间。另外，第二绝缘膜包含氧及铝，第三绝缘膜包含氮及硅。
[0039]
(9)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中分隔壁与第二绝缘膜接触，并且分隔壁包含氮及硅。
[0040]
(10)另外，本发明的一个方式是还包括绝缘层的上述显示面板，其中绝缘层填充第一间隙，并且绝缘层填充第一单元与第二单元间。
[0041]
由此，可以抑制杂质扩散到第一发光器件及第二发光器件的现象。另外，可以提高第一发光器件及第二发光器件的可靠性。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0042]
(11)另外，本发明的一个方式是还包括第一着色层及第二着色层的上述显示面板。第一着色层与第一发光器件重叠，第二着色层与第二发光器件重叠。
[0043]
第二着色层与第一着色层间具有第三间隙，第二着色层在第一着色层一侧包括第一侧壁。
[0044]
第四单元包括与第一侧壁连续的第二侧壁，第二单元包括与第二侧壁连续的第三侧壁。
[0045]
由此，可以将第二发光器件所发射的光高效地引导至第二着色层。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0046]
(12)另外，本发明的一个方式是还包括功能层、第一像素以及第二像素的上述显示面板。
[0047]
第一像素包括第一发光器件及像素电路。另外，第二像素包括第二发光器件。
[0048]
功能层包括像素电路及具有透光性的区域，像素电路与第一发光器件电连接，具有透光性的区域透过第一发光器件所发射的光。
[0049]
(13)另外，本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置和姿态检测装置中的一个以上以及上述显示面板。
[0050]
由此，可以根据使用各种各样的输入装置供应的数据使运算装置生成图像数据或控制数据。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理装置。
[0051]
(14)另外，本发明的一个方式是一种包括第一步骤至第十步骤的显示面板的制造方法。
[0052]
在第一步骤中，形成第一电极及第二电极。
[0053]
在第二步骤中，在第一电极与第二电极间形成分隔壁。
[0054]
在第三步骤中，在第一电极及第二电极上形成第一层。
[0055]
在第四步骤中，在第一层上形成第一单元。
[0056]
在第五步骤中，在第一单元上形成第三电极。
[0057]
在第六步骤中，利用光蚀刻法去除第二电极上的第一层、第一单元及第三电极来形成第一发光器件。
[0058]
在第七步骤中，在第三电极及第二电极上形成第二层。
[0059]
在第八步骤中，在第二层上形成第二单元。
[0060]
在第九步骤中，在第二单元上形成第四电极。
[0061]
在第十步骤中，利用光蚀刻法去除第三电极上的第二层、第二单元及第四电极来以与第一发光器件分离的方式形成第二发光器件。
[0062]
(15)另外，本发明的一个方式是一种包括第一步骤至第八步骤的显示面板的制造方法。
[0063]
在第一步骤中，形成第一电极及第二电极。
[0064]
在第二步骤中，在第一电极与第二电极间形成分隔壁。
[0065]
在第三步骤中，在第一电极及第二电极上形成层。
[0066]
在第四步骤中，在层上形成第一单元。
[0067]
在第五步骤中，在第一单元上形成中间层。
[0068]
在第六步骤中，在中间层上形成第二单元。
[0069]
在第七步骤中，在第二单元上形成导电膜。
[0070]
在第八步骤中，利用光蚀刻法去除分隔壁上的层、第一单元、中间层、第二单元及导电膜来形成第一发光器件及第二发光器件。
[0071]
由此，不用金属掩模也可以制造包括多个发光器件的显示面板。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0072]
在本说明书的附图中，根据其功能对构成要素进行分类而示出为彼此独立的方框的方框图，但是，实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。
[0073]
在本说明书中，晶体管所具有的源极和漏极的名称根据晶体管的极性及施加到各
端子的电位的高低互相调换。一般而言，在n沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为源极，而将被施加高电位的端子称为漏极。另外，在p沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为漏极，而将被施加高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为方便起见在一些情况下假定源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系，但是实际上，源极和漏极的名称根据上述电位关系而相互调换。
[0074]
在本说明书中，晶体管的源极是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区域或与上述半导体膜连接的源电极。与此同样，晶体管的漏极是指上述半导体膜的一部分的漏区域或与上述半导体膜连接的漏电极。另外，栅极是指栅电极。
[0075]
在本说明书中，晶体管串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中只有一个只与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接的状态。另外，晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。
[0076]
在本说明书中，连接是指电连接，相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此，连接状态不一定必须是指直接连接的状态，而在其范畴内还包括能够供应或传送电流、电压或电位的通过布线、电阻、二极管、晶体管等的电路元件间接地连接的状态。
[0077]
即使在本说明书中电路图上独立的构成要素彼此连接时，实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况，例如布线的一部分用作电极的情况等。本说明书中的连接的范畴内包括这种一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。
[0078]
另外，在本说明书中，晶体管的第一电极和第二电极中的其中一个是源电极，而另一个是漏电极。
[0079]
发明效果
[0080]
根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的数据处理装置。此外，可以提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的数据处理装置或者新颖的半导体装置。
[0081]
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述效果以外的效果，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述效果以外的效果。
附图说明
[0082]
图1a至图1c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0083]
图2是说明根据实施方式的显示面板的像素的电路图。
[0084]
图3a至图3d是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0085]
图4a至图4c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0086]
图5a至图5c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0087]
图6是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0088]
图7是说明图6的一部分的图。
[0089]
图8a及图8b是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0090]
图9a至图9c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0091]
图10a至图10c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0092]
图11是说明图10a的一部分的图。
[0093]
图12是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0094]
图13是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0095]
图14是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0096]
图15是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0097]
图16是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。
[0098]
图17a及图17b是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0099]
图18a至图18c是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0100]
图19a至图19c是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0101]
图20a至图20c是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0102]
图21a至图21c是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0103]
图22a至图22c是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0104]
图23a及图23b是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。
[0105]
图24a及图24b是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。
[0106]
图25a及图25b是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。
[0107]
图26a至图26e是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的图。
[0108]
图27a至图27e是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的图。
[0109]
图28a及图28b是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的图。
[0110]
图29是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。
具体实施方式
[0111]
本发明的一个方式的显示面板包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层具有夹在第二电极与第一电极间的区域。另外，第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层具有夹在第四电极与第三电极间的区域。另外，第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，第二层与第一层间具有第一间隙。第一间隙具有与分隔壁重叠的区域，第一间隙防止第一层与第二层间的电导通。
[0112]
由此，可以防止第一层与第二层间的电导通。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第一电极与第四电极间的现象。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第三电极与第二电极间的现象。另外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0113]
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的符号来显示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
[0114]
(实施方式1)
[0115]
在本实施方式中，参照图1至图16说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0116]
图1是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图1a是说明本发明的一个方式的显示面板的俯视图，图1b是说明显示面板的一部分的俯视图。图1c是说明本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图。
[0117]
图2是说明本发明的一个方式的显示面板的像素的电路图。
[0118]
图3是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。图3a是说明图1a所示的截断线x1-x2处、截断线x3-x4处以及一组像素703(i，j)的截面的图。图3b是说明可用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的截面图。图3c是说明本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图，图3d是说明与使用图3c说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图。
[0119]
图4是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图4a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图4b是图4a所示的像素的立体图，图4c是图4a所示的像素的俯视图。
[0120]
图5是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图5a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图5b是图5a所示的像素的立体图，图5c是图5a所示的像素的俯视图。注意，与图4a所示的像素不同，图5a所示的像素包括绝缘膜，图5a及图5c中为了避免繁杂省略绝缘膜。
[0121]
图6是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0122]
图7是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图7是说明图6所示的像素的一部分的图。
[0123]
图8是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图8a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图8b是说明图8a所示的显示面板的一部分的截面图。
[0124]
图9是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图9a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图9b是图9a所示的像素的立体图，图9c是图9a所示的像素的俯视图。
[0125]
图10是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图10a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图10b是图10a所示的像素的立体图，图10c是图10a所示的像素的俯视图。注意，与图9a所示的像素不同，图10a包括绝缘膜，图10b及图10c中为了避免繁杂省略绝缘膜。
[0126]
图11是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，并是说明图10a所示的像素的一部分的图。
[0127]
图12是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0128]
图13是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0129]
图14是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0130]
图15是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0131]
图16是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。
[0132]
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或fmm(fine metal mask，高精细金属掩模版)的器件称为mm(metal mask)结构。此外，在本说明书等中，将不使用金属掩模或fmm的器
件称为mml(metal mask less)结构。
[0133]
此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(b)、绿色(g)及红色(r))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为sbs(side by side)结构。另外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以用作以全彩色显示的发光器件。
[0134]
另外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。
[0135]
串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。
[0136]
另外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和sbs结构的发光器件进行比较的情况下，可以使sbs结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。想要降低功耗的器件优选采用sbs结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比sbs结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。
[0137]
注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数的值的变数用于符号。例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数p的(p)用于指定最大为p个构成要素中的任一个的符号的一部分。另外，例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数m及变数n的(m，n)用于指定最大为m
×
n个构成要素中的任一个的符号的一部分。
[0138]
《显示面板700的结构例子1》
[0139]
显示面板700具有显示区域231，显示区域231包括一组像素703(i，j)(参照图1a)。另外，显示区域231还包括相邻一组像素703(i，j)的一组像素703(i+1，j)(参照图1b)。
[0140]
《《显示区域231的结构例子1》》
[0141]
例如，显示区域231每英寸包括500个以上的一群一组像素。另外，每英寸包括1000个以上、优选为5000个以上、更优选为10000个以上的一群一组像素。由此，例如可以在将显示面板700用于护目镜型显示装置时减轻纱门效应。
[0142]
《《显示区域231的结构例子2》》
[0143]
例如，显示区域231以矩阵状包括多个像素。例如，显示区域231在行方向上包括7600个以上的像素，在列方向上包括4300个以上的像素。具体而言，在行方向上包括7680个像素，在列方向上包括4320个像素。
[0144]
由此，可以显示清晰图像。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0145]
《《显示区域231的结构例子3》》
[0146]
例如，在将显示面板700用于电视系统时，显示区域231的对角线的长度为32英寸以上，优选为55英寸以上，更优选为80英寸以上。另外，在显示区域231的对角线的长度例如为200英寸以下时可以减轻重量，所以是优选的。
[0147]
由此，可以显示感受真实感图像。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0148]
《《像素703(i，j)的结构例子1》》
[0149]
可以将多个像素用于像素703(i，j)(参照图1b)。例如，可以使用显示色相不同的颜色的多个像素。注意，可以将多个像素的每一个换称为子像素。另外，可以以多个子像素为一组而将其换称为像素。
[0150]
由此，可以对该多个像素所显示的颜色进行加法混色或减法混色。另外，可以显示用各个像素不能显示的色相的颜色。
[0151]
具体而言，可以将显示蓝色的像素702b(i，j)、显示绿色的像素702g(i，j)及显示红色的像素702r(i，j)用于像素703(i，j)。此外，可以将像素702b(i，j)、像素702g(i，j)及像素702r(i，j)的每一个换称为子像素。
[0152]
此外，例如，可以对上述一组追加显示白色等的像素等而将其用于像素703(i，j)。此外，可以将显示青色的像素、显示品红色的像素及显示黄色的像素用于像素703(i，j)。
[0153]
此外，例如，可以对上述一组追加发射红外线的像素而将其用于像素703(i，j)。具体而言，可以将发射包含具有650nm以上且1000nm以下的波长的光的像素用于像素703(i，j)。
[0154]
《显示面板700的结构例子2》
[0155]
在本实施方式中说明的显示面板700包括驱动电路gd及驱动电路sd(参照图1a及图3a)。另外，还包括端子519b。端子519b例如可以与柔性印刷电路fpc1电连接。
[0156]
《《驱动电路gd的结构例子》》
[0157]
驱动电路gd具有供应第一选择信号及第二选择信号的功能。例如，驱动电路gd与导电膜g1(i)及导电膜g2(i)电连接并分别供应第一选择信号及第二选择信号。
[0158]
《《驱动电路sd的结构例子》》
[0159]
驱动电路sd具有供应图像信号及控制信号的功能，控制信号具有第一电平及第二电平。例如，驱动电路sd与导电膜s1g(j)及导电膜s2g(j)电连接并分别供应图像信号及控制信号。
[0160]
《显示面板700的结构例子3》
[0161]
显示面板700包括一组像素703(i，j)以及功能层520(参照图3a)。
[0162]
一组像素703(i，j)包括像素702b(i，j)、像素702g(i，j)及分隔壁528(参照图1b)。
[0163]
像素702b(i，j)包括发光器件550b(i，j)及像素电路530b(i，j)(参照图3a)。
[0164]
另外，像素702g(i，j)包括发光器件550g(i，j)。
[0165]
显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3a)。功能层520夹在基材770与基材510之间。另外，显示面板700包括绝缘层705，绝缘层705具有贴合基材770与功能层520的功能。
[0166]
功能层520包括像素电路530b(i，j)、像素电路530g(i，j)以及驱动电路gd。像素电路530b(i，j)通过开口部591b与发光器件550b(i，j)电连接，像素电路530g(i，j)通过开口部591g与发光器件550g(i，j)电连接。
[0167]
此外，显示面板700通过基材770显示信息(参照图3c)。换言之，发光器件550b(i，j)向没有配置功能层520的方向发射光。另外，可以将发光器件550b(i，j)称为顶部发射结
构的发光元件。
[0168]
此外，可以将以矩阵状包括触摸传感器的基材用作基材770。例如，可以将静电电容式触摸传感器或者光学式触摸传感器用作基材770。由此，可以将本发明的一个方式的显示面板用作触摸面板。
[0169]
《显示面板700的结构例子4》
[0170]
显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3d)。注意，与参照图3c说明的显示面板700不同，参照图3d说明的显示面板700经过基材510进行显示。换言之，发光器件550b(i，j)向功能层520发射光。另外，可以将发光器件550b(i，j)称为底部发射结构的发光元件。
[0171]
功能层520包括像素电路530b(i，j)以及具有透光性的区域520t(参照图3a及图3d)。像素电路530b(i，j)与发光器件550b(i，j)电连接，具有透光性的区域520t透过发光器件550b(i，j)所发射的光。
[0172]
《显示面板700的结构例子5》
[0173]
显示面板700包括导电膜g1(i)、导电膜g2(i)、导电膜s1g(j)、导电膜s2g(j)、导电膜ano及导电膜vcom2(参照图2)。
[0174]
例如，导电膜g1(i)被供应第一选择信号，导电膜g2(i)被供应第二选择信号，导电膜s1g(j)被供应图像信号，导电膜s2g(j)被供应控制信号。
[0175]
《《像素703(i，j)的结构例子2》》
[0176]
一组像素703(i，j)包括像素702g(i，j)(参照图1b)。像素702g(i，j)包括像素电路530g(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图2)。
[0177]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子1》》
[0178]
像素电路530g(i，j)被供应第一选择信号，像素电路530g(i，j)根据第一选择信号取得图像信号。例如，可以使用导电膜g1(i)供应第一选择信号(参照图2)。或者，可以使用导电膜s1g(j)供应图像信号。注意，可以将供应第一选择信号且使像素电路530g(i，j)取得图像信号的工作称为“写入”。
[0179]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子2》》
[0180]
像素电路530g(i，j)包括开关sw21、开关sw22、晶体管m21、电容器c21及节点n21(参照图2)。另外，像素电路530g(i，j)包括节点n22、电容器c22及开关sw23。
[0181]
晶体管m21包括与节点n21电连接的栅电极、与发光器件550g(i，j)电连接的第一电极、与导电膜ano电连接的第二电极。
[0182]
开关sw21具有根据与节点n21电连接的第一端子、与导电膜s1g(j)电连接的第二端子、导电膜g1(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0183]
开关sw22具有根据与导电膜s2g(j)电连接的第一端子、导电膜g2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0184]
电容器c21包括与节点n21电连接的导电膜、与开关sw22的第二电极电连接的导电膜。
[0185]
由此，可以将图像信号储存在节点n21中。另外，可以使用开关sw22改变节点n21的电位。另外，可以使用节点n21的电位控制发光器件550g(i，j)所发射的光的强度。
[0186]
《《晶体管m21的结构例子》》
[0187]
可以将底栅型晶体管或顶栅型晶体管等用于功能层520。具体而言，可以将晶体管用于开关。
[0188]
晶体管m21包括半导体膜508、导电膜504、导电膜512a及导电膜512b(参照图3b)。晶体管m21例如形成在绝缘膜501c上。此外，也可以形成绝缘膜518而在绝缘膜501c与绝缘膜518之间夹持晶体管m21。另外，也可以在绝缘膜518与绝缘膜501c之间形成绝缘膜516并在绝缘膜516与绝缘膜501c之间夹持半导体膜508。例如，可以将绝缘膜516a和绝缘膜516b的叠层膜用作绝缘膜516。
[0189]
半导体膜508包括与导电膜512a电连接的区域508a及与导电膜512b电连接的区域508b。半导体膜508包括区域508a和区域508b之间的区域508c。
[0190]
导电膜504包括与区域508c重叠的区域，导电膜504具有第一栅电极的功能。
[0191]
绝缘膜506包括夹在半导体膜508与导电膜504之间的区域。绝缘膜506具有第一栅极绝缘膜的功能。
[0192]
导电膜512a具有源电极的功能和漏电极的功能中的一个，导电膜512b具有源电极的功能和漏电极的功能中的另一个。
[0193]
另外，可以将导电膜524用于晶体管m21。导电膜524包括在其与导电膜504之间夹着半导体膜508的区域。导电膜524具有第二栅电极的功能。绝缘膜501d夹在半导体膜508与导电膜524之间，并具有第二栅极绝缘膜的功能。
[0194]
在形成用于像素电路的晶体管的半导体膜的工序中，可以形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜。例如，可以将半导体膜用于驱动电路，该半导体膜具有与像素电路的晶体管中的半导体膜相同的组成。
[0195]
《《半导体膜508的结构例子1》》
[0196]
例如，可以将包含第14族元素的半导体用于半导体膜508。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜508。
[0197]
[氢化非晶硅]
[0198]
例如，可以将氢化非晶硅用于半导体膜508。或者，可以将微晶硅等用于半导体膜508。由此，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的显示面板相比显示不均匀较少的显示面板。或者，容易实现显示面板的大型化。
[0199]
[多晶硅]
[0200]
例如，可以将多晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的场效应迁移率。或者，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的驱动能力。或者，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的像素开口率。
[0201]
或者，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的可靠性。
[0202]
或者，例如，可以使制造晶体管时需要的温度比使用单晶硅的晶体管低。
[0203]
或者，可以通过同一工序形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜及用于像素电路的晶体管的半导体膜。或者，可以在与形成有像素电路的衬底同一衬底上形成驱动电路。或者，可以减少构成电子设备的构件数量。
[0204]
[单晶硅]
[0205]
例如，可以将单晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于
半导体膜508的显示面板高的清晰度。或者，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的显示面板相比显示不均匀较少的显示面板。或者，例如，可以提供智能眼镜或头戴显示器。
[0206]
《《半导体膜508的结构例子2》》
[0207]
例如，可以将金属氧化物用于半导体膜508。由此，与利用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路相比，可以延长像素电路能够保持图像信号的时间。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30hz、优选为低于1hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低数据处理装置的使用者的眼睛疲劳。另外，可以降低用于驱动的功耗。
[0208]
例如，可以利用使用氧化物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体、包含铟、镓及锌的氧化物半导体或包含铟、镓、锌及锡的氧化物半导体用于半导体膜。
[0209]
例如，可以使用关闭状态时的泄漏电流比将非晶硅用于半导体膜的晶体管小的晶体管。具体而言，可以将在半导体膜中使用氧化物半导体的晶体管用于开关等。由此，与将使用非晶硅的晶体管用于开关的电路相比，可以以更长的时间保持浮动节点的电位。
[0210]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子1》》
[0211]
发光器件550g(i，j)与像素电路530g(i，j)电连接(参照图2)。此外，发光器件550g(i，j)包括与像素电路530g(i，j)电连接的电极551g(i，j)、与导电膜vcom2电连接的电极552(参照图2及图4a)。另外，发光器件550g(i，j)具有根据节点n21的电位进行工作的功能。
[0212]
例如，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件、发光二极管或qdled(quantum dot led：量子点发光二极管)等用于发光器件550g(i，j)。
[0213]
《显示面板700的结构例子6》
[0214]
本实施方式中说明的显示面板700包括发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)、分隔壁528及发光器件550r(i，j)(参照图4a)。
[0215]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子1》》
[0216]
发光器件550b(i，j)包括电极551b(i，j)、电极552b(j)、单元103b(j)及层104b(j)(参照图4a)。另外，还包括层105b(j)。层105b(j)例如可以被用作电子注入层。
[0217]
电极552b(j)与电极551b(i，j)重叠，单元103b(j)具有夹在电极552b(j)与电极551b(i，j)之间的区域。单元103b(j)包括发光层，具有发射光的功能。例如，可以发射蓝色光。
[0218]
例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103b(j)。
[0219]
层104b(j)具有夹在单元103b(j)与电极551b(i，j)之间的区域，并包含具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质。另外，层104b(j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。层104b(j)例如可以被用作空穴注入层。
[0220]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子2》》
[0221]
发光器件550g(i，j)包括电极551g(i，j)、电极552g(j)、单元103g(j)及层104g(j)。另外，还包括层105g(j)。层105g(j)例如可以被用作电子注入层。
[0222]
电极552g(j)与电极551g(i，j)重叠，单元103g(j)具有夹在电极552g(j)与电极551g(i，j)之间的区域。单元103g(j)包括发光层，具有发射光的功能。例如，可以发射绿色光。
[0223]
例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103g
(j)。
[0224]
层104g(j)具有夹在单元103g(j)与电极551g(i，j)之间的区域，并包含与层104b(j)相同的具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质。层104g(j)例如可以被用作空穴注入层。
[0225]
层104g(j)与层104b(j)之间包括间隙104s(j)。由于层104b(j)及层104g(j)具有导电性，因此间隙104s(j)具有防止层104b(j)与层104g(j)之间的电导通的功能。
[0226]
《《层104b(j)及层104g(j)的结构例子1》》
[0227]
可以将具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质用于层104b(j)及层104g(j)。
[0228]
[具有空穴传输性的材料]
[0229]
例如，可以将芳香胺化合物或具有富π电子杂芳环的有机化合物用于具有空穴传输性的材料。
[0230]
由此，可以从阳极一侧向阴极一侧供应空穴。此外，发光器件550g(i，j)的层104g(j)与发光器件550b(i，j)的层104b(j)分离，由此可以抑制串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0231]
例如，可以将具有芳香胺骨架的化合物、咔唑衍生物、芳烃、具有乙烯基的芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。另外，可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于具有空穴传输性的材料。
[0232]
作为具有芳香胺骨架的化合物，例如可以使用n，n
’‑
二(对甲苯基)-n，n
’‑
二苯基-对亚苯基二胺(简称：dtdppa)、4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：dntpd)、1，3，5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]苯(简称：dpa3b)等。
[0233]
作为咔唑衍生物，例如可以使用3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)、3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)、3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)、4，4
’‑
二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、1，3，5-三[4-(n-咔唑基)苯基]苯(简称：tcpb)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、1，4-双[4-(n-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。
[0234]
作为芳烃，例如可以使用2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-budna)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：dppa)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-budba)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：dna)、9，10-二苯基蒽(简称：dpanth)、2-叔丁基蒽(简称：t-buanth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：dmna)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝、并五苯、晕苯等。
[0235]
作为具有乙烯基的芳烃，例如可以使用4，4
’‑
双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：dpvbi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：dpvpa)等。
[0236]
作为高分子化合物，例如可以使用聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)、聚[n-(4-{n'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n'-苯基氨基}苯基)甲
基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(简称：pcbbif)、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-4-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-3-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-2-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-1-胺等。
[0239]
[具有受体性的物质]
[0240]
例如，可以将包含氟或氰基的有机化合物或者过渡金属氧化物用于具有受体性的物质。具有受体性的物质借助于施加电场而能够从相邻的空穴传输层或具有空穴传输性的材料抽出电子。另外，具有受体性的有机化合物可以利用蒸镀容易地沉积。因此，可以提高发光器件的生产率。
[0241]
具体而言，可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：f
4-tcnq)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：hat-cn)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：f6-tcnnq)、2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7h-芘-2-亚基)丙二腈等。
[0242]
尤其是，hat-cn这样的吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物热稳定，所以是优选的。
[0243]
另外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基或氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高，所以是优选的。
[0244]
具体而言，可以使用α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。
[0245]
另外，可以将钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等用于具有受体性的物质。
[0246]
另外，可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：h2pc)、铜酞菁(cupc)等；具有芳香胺骨架的化合物如4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：dntpd)等。
[0247]
另外，可以使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(pedot/pss)等高分子等。
[0248]
《《分隔壁528的结构例子1》》
[0249]
分隔壁528包括开口部528b(i，j)及开口部528g(i，j)(参照图4c)。开口部528b(i，j)与电极551b(i，j)重叠，开口部528g(i，j)与电极551g(i，j)重叠。另外，分隔壁528包括开口部528r(i，j)。
[0250]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间重叠于间隙104s(j)(参照图4a)。
[0251]
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于分隔壁528。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个膜的叠层材料用于分隔壁528。例如，可以将氧化硅膜、包含丙烯酸树脂的膜或包含聚酰亚胺的膜等用于分隔壁528。
[0252]
由此，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)流过电极551b(i，j)与电极552g
(j)间的现象。另外，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)流过电极551g(i，j)与电极552b(j)间的现象。另外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)间的串扰现象。
[0253]
例如，在超过1000ppi的高清晰显示面板中，若层104b(j)与层104g(j)间有电导通则发生串扰现象，显示面板可显示的色域变窄。通过在超过1000ppi的高清晰显示面板、优选为超过2000ppi的高清晰显示面板、更优选为超过5000ppi的超高清晰显示面板中设置间隙104s，可以提供能够显示鲜明色彩的显示面板。
[0254]
《《发光器件550r(i，j)的结构例子》》
[0255]
发光器件550r(i，j)包括电极551r(i，j)、电极552r(j)、单元103r(j)及层104r(j)。单元103r(j)具有发射光的功能。例如，可以发射红色光。另外，层104r(j)例如可以被用作空穴注入层。另外，发光器件550r(i，j)还包括层105r(j)，层105r(j)例如可以被用作电子注入层。
[0256]
例如，可以将蓝色的发光材料、绿色的发光材料、红色的发光材料分别用于单元103b(j)、单元103g(j)、单元103r(j)。由此，可以提高各发光器件的发光效率。另外，可以有效地利用发光器件所发射的光。
[0257]
《显示面板700的结构例子7》
[0258]
在本实施方式中说明的显示面板700包括绝缘层705(参照图4a)。
[0259]
《《绝缘层705的结构例子》》
[0260]
绝缘层705填充间隙104s(j)，并填充单元103b(j)与单元103g(j)之间。
[0261]
绝缘层705包括夹在功能层520与基材770之间的区域，并具有贴合功能层520与基材770的功能。
[0262]
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于绝缘层705。
[0263]
具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个膜的叠层材料用于绝缘层705。
[0264]
例如，可以将包含氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等或层叠有选自这些膜中的多个材料的叠层材料的膜用于绝缘层705。氮化硅膜是致密的膜，具有优良的抑制杂质扩散的功能。或者，作为绝缘层705也可以使用氧化物半导体(例如，igzo膜等)。具体而言，可以采用氧化铝膜和该氧化铝膜上的igzo膜的叠层结构等。
[0265]
例如，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多个树脂的叠层材料或复合材料等用于绝缘层705。
[0266]
例如，可以将反应固化型粘合剂、光固化型粘合剂、热固化型粘合剂或/及厌氧型粘合剂等有机材料用于绝缘层705。
[0267]
由此，可以抑制杂质扩散到发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)的现象。另外，可以提高发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)的可靠性。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0268]
《显示面板700的结构例子8》
[0269]
参照图5说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0270]
注意，与参照图4说明的显示面板700不同，参照图5说明的显示面板700包括绝缘膜573。
[0271]
《《绝缘膜573的结构例子1》》
[0272]
绝缘膜573与电极551b(i，j)之间夹持电极552b(j)，并与电极551g(i，j)之间夹持电极552g(j)(参照图5a)。
[0273]
例如，可以将氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氮化硅或氮氧化硅等用于绝缘膜573。
[0274]
由此，可以抑制发光器件550b(i，j)周围的杂质扩散到发光器件550b(i，j)。另外，可以抑制发光器件550g(i，j)周围的杂质扩散到发光器件550g(i，j)。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0275]
《《绝缘膜573a的结构例子》》
[0276]
例如，可以将具有非晶结构的氧化物用于绝缘膜573a。具体而言，可以适当地使用氧化铝(alo
x
：x为大于0的任意数)或氧化镁(mgoy：y为大于0的任意数)等金属氧化物。当将氧化铝用于绝缘膜573a时，绝缘膜573a至少包括氧及铝。
[0277]
另外，具有非晶结构的金属氧化物有时具有如下性质：氧原子具有悬空键而由该悬空键俘获或固定氢或包含氢的分子。由此，可以俘获或固定水或者发光器件550g(i，j)周围的水。
[0278]
绝缘膜573a优选采用非晶结构，但其一部分也可以形成有结晶区域。另外，绝缘膜573a也可以采用层叠非晶结构的层与具有结晶区域的层的多层结构。例如，绝缘膜573a也可以采用非晶结构的层上形成有具有结晶区域的层，典型的是多晶结构的层的叠层结构。
[0279]
另外，可以将层叠多个层的叠层膜用作绝缘膜573a。例如，可以将层叠利用原子层沉积(ald：atomic layer deposition)法沉积的氧化铝和利用溅射法沉积的氧化铝的叠层膜用作绝缘膜573a。由此，在利用溅射法沉积的膜中形成针孔或断开等的情况下，可以使用覆盖性优异的利用ald法沉积的膜填埋重叠于针孔或断开等的部分。
[0280]
[绝缘膜573a的形成方法]
[0281]
绝缘膜573a可以利用溅射法、化学气相沉积(cvd：chemical vapor deposition)法、分子束外延(mbe：molecular beam epitaxy)法、脉冲激光沉积(pld：pulsed laser deposition)法或ald法等形成。另外，可以利用光刻法等将绝缘膜573a形成为指定形状。
[0282]
例如，可以在含氧气体气氛下利用铝靶材通过脉冲dc溅射法沉积氧化铝。由此，可以在作为沉积气体不使用包含氢分子的气体下通过溅射法形成绝缘膜573a。另外，可以降低绝缘膜573a的氢浓度。另外，可以进一步俘获或固定发光器件550g(i，j)所包含的水等杂质。
[0283]
《《绝缘膜573b的结构例子》》
[0284]
例如，可以适当地使用氮化硅(sin
x
：x为大于0的任意数)。在此情况下，绝缘膜573b为至少包含氮及硅的绝缘膜。氮化硅抑制水等杂质的扩散的能力较高。
[0285]
另外，可以将层叠多个层的叠层膜用作绝缘膜573b。例如，可以将层叠利用溅射法沉积的氮化硅和利用等离子体增强原子层沉积(peald：plasma enhanced ald)法沉积的氮化硅的叠层膜用作绝缘膜573b。由此，在利用溅射法沉积的膜中形成针孔或断开等的情况下，可以使用覆盖性优异的利用ald法沉积的膜填埋重叠于针孔或断开等的部分。
[0286]
另外，可以在沉积绝缘膜573b后进行加热处理。由此，可以脱离发光器件550g(i，j)所包含的水并将该水从发光器件550g(i，j)扩散到绝缘膜573a。另外，可以降低发光器件
550g(i，j)所包含的水的浓度。另外，绝缘膜573b可以抑制水从绝缘膜573b的外部扩散到发光器件550g(i，j)。
[0287]
《《分隔壁528的结构例子2》》
[0288]
分隔壁528与绝缘膜573a接触，并包含氮化硅。
[0289]
可以将抑制水等杂质的扩散的能力较高的绝缘膜用作分隔壁528。例如，可以适当地使用与绝缘膜573b同样的结构。分隔壁528在不重叠于发光器件550g(i，j)的区域与绝缘膜573a接触。换言之，可以由绝缘膜573a、绝缘膜573b及分隔壁528密封发光器件550g(i，j)。
[0290]
由此，可以抑制水从绝缘膜573b及分隔壁528的外部扩散到发光器件550g(i，j)的现象。另外，可以俘获或固定绝缘膜573b及分隔壁528的内部的水。另外，可以降低发光器件550g(i，j)的水的浓度。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0291]
《《绝缘膜573的结构例子2》》
[0292]
另外，可以将绝缘膜573(1)、绝缘膜573(2)及绝缘膜573(3)用作绝缘膜573(参照图6及图7)。
[0293]
绝缘膜573(1)包括绝缘膜573c、绝缘膜573d、绝缘膜573e及绝缘膜573f。绝缘膜573c与层104b(j)的侧壁wl1及分隔壁528接触。绝缘膜573d与电极552b(j)之间夹持绝缘膜573c。
[0294]
绝缘膜573(2)包括绝缘膜573d、绝缘膜573e及绝缘膜573f。绝缘膜573d与层104g(j)的侧壁wl2及分隔壁528接触。绝缘膜573e与电极552g(j)之间夹持绝缘膜573d。
[0295]
绝缘膜573(3)包括绝缘膜573e及绝缘膜573f。绝缘膜573e与层104r(j)的侧壁及分隔壁528接触。绝缘膜573f与电极552r(j)之间夹持绝缘膜573e。另外，绝缘膜573f覆盖绝缘膜573e。
[0296]
由此，例如，可以在形成发光器件550b(i，j)之后形成绝缘膜573c而然后形成发光器件550g(i，j)。另外，可以在形成发光器件550g(i，j)之后形成绝缘膜573d而然后形成发光器件550r(i，j)。另外，可以在形成发光器件550g(i，j)的工序中使用绝缘膜573c保护发光器件550b(i，j)。另外，可以在形成发光器件550r(i，j)的工序中使用绝缘膜573d保护发光器件550g(i，j)。另外，可以使用绝缘膜573(3)保护发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0297]
《显示面板700的结构例子9》
[0298]
参照图8说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0299]
注意，与参照图5说明的显示面板700不同，参照图8说明的显示面板700的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)都发射白色光。
[0300]
另外，与参照图5说明的显示面板700不同，参照图8说明的显示面板700包括着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)(参照图8a)。在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0301]
《《单元103b(j)的结构例子1》》
[0302]
例如，可以将发射蓝色光el(1)的层111b、发射绿色光el(2)的层111g及发射红色
光el(3)的层111r用于一个单元103b(j)(参照图8b)。由此，可以发射白色光。
[0303]
具体而言，可以将层叠包含蓝色发光性材料的层111b、包含绿色发光性材料的层111g和包含红色发光性材料的层111r的结构用于单元103b(j)(参照图8b)。
[0304]
另外，可以将包含空穴传输性材料的层、包含电子传输性材料的层、包含双极性材料的层用于单元103b(j)。例如，可以将空穴传输性材料用于层112(1)。另外，可以将电子传输性材料用于层113。另外，可以将双极性材料用于层112(2)。
[0305]
此外，可以将用于单元103b(j)的结构用于单元103g(j)及单元103r(j)。
[0306]
《《着色层的结构例子1》》
[0307]
着色层cfb(j)、着色层cfg(j)分别与发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)重叠，并且着色层cfg(j)透过与着色层cfb(j)不同颜色的光。另外，着色层cfr(j)与发光器件550r(i，j)重叠，并透过与着色层cfb(j)及着色层cfg(j)不同颜色的光。
[0308]
例如，可以将优先透过蓝色光的材料用于着色层cfb(j)。由此，可以从白色光取出蓝色光。
[0309]
例如，可以将优先透过绿色光的材料用于着色层cfg(j)。由此，可以从白色光取出绿色光。
[0310]
例如，可以将优先透过红色光的材料用于着色层cfr(j)。由此，可以从白色光取出红色光。
[0311]
《《单元103b(j)的结构例子2》》
[0312]
例如，可以将蓝色发光性材料用于单元103b(j)、单元103g(j)及单元103r(j)。由此，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)都可以发射蓝色光。
[0313]
另外，也可以使用颜色转换层代替着色层。例如，可以将纳米粒子、量子点等用于颜色转换层。
[0314]
例如，可以使用将蓝色光转换为绿色光的颜色转换层代替着色层cfg(j)。由此，可以将发光器件550g(i，j)所发射的蓝色光转换为绿色光。另外，可以使用将蓝色光转换为红色光的颜色转换层代替着色层cfr(j)。由此，可以将发光器件550r(i，j)所发射的蓝色光转换为红色光。
[0315]
由此，可以在形成第一发光器件的工序中还形成第二发光器件。另外，可以使用第一发光器件及第二发光器件改变色相。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0316]
《显示面板700的结构例子10》
[0317]
参照图9说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0318]
注意，参照图9说明的显示面板700的与参照图4说明的显示面板700不同之处是：发光器件550b(i，j)包括单元103b2(j)及中间层106b(j)；以及发光器件550g(i，j)包括单元103g2(j)及中间层106g(j)。另外，发光器件550r(i，j)包括单元103r2(j)及中间层106r(j)。在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0319]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子2》》
[0320]
发光器件550b(i，j)包括单元103b2(j)及中间层106b(j)(参照图9a)。
[0321]
单元103b2(j)具有夹在电极552b(j)与单元103b(j)间的区域。
[0322]
《《中间层106b(j)的结构例子1》》
[0323]
中间层106b(j)具有夹在单元103b2(j)与单元103b(j)间的区域，并包含具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质。另外，中间层106b(j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。中间层106b(j)具有通过施加电压来向阳极一侧供应电子并向阴极一侧供应空穴的功能。
[0324]
可以将具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质用于中间层106b(j)。例如，可以将可用于层104b(j)及层104g(j)的结构用于中间层106b(j)。
[0325]
例如，可以将与单元103b(j)的发光颜色不同的发光颜色的结构用于单元103b2(j)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103b(j)和发射蓝色光的单元103b2(j)。因此，就可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。
[0326]
另外，可以使用着色层cfb(j)从发光器件所发射的白色光取出蓝色光，可以使用着色层cfg(j)从发光器件所发射的白色光取出绿色光，并且可以使用着色层cfr(j)从发光器件所发射的白色光取出红色光。
[0327]
另外，例如，单元103b(j)和单元103b2(j)的发光颜色可以为相同。具体而言，可以使用发射蓝色光的单元103b(j)及发射蓝色光的单元103b2(j)。由此，可以在抑制功耗的同时得到亮度较高的发光。
[0328]
另外，在使用颜色转换层代替着色层cfb(j)的情况下，可以将蓝色光转换为绿色光或红色光。例如，可以将纳米粒子、量子点等用于颜色转换层。
[0329]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子3》》
[0330]
发光器件550g(i，j)包括单元103g2(j)及中间层106g(j)，单元103g2(j)具有夹在电极552g(j)与单元103g(j)间的区域。
[0331]
中间层106g(j)具有夹在单元103g2(j)与单元103g(j)之间的区域，并包含与中间层106b(j)相同的具有空穴传输性的材料及具有受体性的物质。另外，中间层106g(j)与中间层106b(j)之间包括间隙106s(j)。由于中间层106b(j)及中间层106g(j)具有导电性，因此间隙106s(j)具有防止中间层106b(j)与中间层106g(j)之间的电导通的功能。
[0332]
《《分隔壁528的结构例子3》》
[0333]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间重叠于间隙106s(j)(参照图9a及图9c)。
[0334]
由此，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)或者中间层106b及中间层106g流过电极551b(i，j)与电极552g(j)之间的现象。另外，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)或者中间层106b及中间层106g流过电极551g(i，j)与电极552b(j)之间的现象。另外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)之间的串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0335]
《显示面板700的结构例子11》
[0336]
参照图10及图11说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0337]
注意，与参照图9说明的显示面板700不同，参照图10及图11说明的显示面板700包括绝缘膜573。
[0338]
《《层104b(j)及层104g(j)的结构例子2》》
[0339]
层104b(j)包括第一侧壁wl1，且层104g(j)包括第二侧壁wl2(参照图11)。
[0340]
第二侧壁wl2与第一侧壁wl1相对，并与第一侧壁wl1间夹持间隙104s(j)。
[0341]
《《绝缘膜573的结构例子3》》
[0342]
绝缘膜573与第一侧壁wl1及第二侧壁wl2接触。
[0343]
《《绝缘膜573的结构例子4》》
[0344]
另外，绝缘膜573与分隔壁528接触(参照图11)。
[0345]
《《绝缘膜573的结构例子5》》
[0346]
绝缘膜573包括绝缘膜573a及绝缘膜573b。
[0347]
绝缘膜573a夹在绝缘膜573b与电极552b(j)之间，并夹在绝缘膜573b与电极552g(j)之间。
[0348]
《显示面板700的结构例子12》
[0349]
参照图12说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0350]
注意，参照图12说明的显示面板700的与参照图9说明的显示面板700不同之处是：在着色层cfg(j)与着色层cfb(j)之间包括间隙cfs(j)；以及在着色层cfb(j)与电极552b(j)之间包括绝缘膜573。在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0351]
《《着色层的结构例子2》》
[0352]
另外，在本发明的一个方式的显示面板中，着色层cfg(j)与着色层cfb(j)之间具有间隙cfs(j)(参照图12)。另外，着色层cfg(j)在着色层cfb(j)一侧包括第三侧壁。
[0353]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子4》》
[0354]
单元103g2(j)包括与第三侧壁连续的第四侧壁，单元103g(j)包括与第四侧壁连续的第五侧壁。
[0355]
由此，可以将发光器件550g(i，j)所发射的光高效地引导至着色层cfg(j)。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0356]
《《绝缘膜573的结构例子6》》
[0357]
本发明的一个方式的显示面板在着色层cfb(j)与电极552b(j)之间以及着色层cfg(j)与电极552g(j)之间包括绝缘膜573(参照图12)。另外，在着色层cfr(j)与电极552r(j)之间包括绝缘膜573。
[0358]
例如，可以将层叠有机材料和无机材料的叠层膜用作绝缘膜573。由此，可以形成缺陷少的高品质绝缘膜573。另外，在形成着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)的工序中，例如，绝缘膜573可以保护夹在绝缘膜573与电极551b(i，j)之间的结构。另外，可以抑制杂质扩散到发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)的现象。
[0359]
《显示面板700的结构例子13》
[0360]
参照图13说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0361]
注意，与参照图9说明的显示面板700不同，参照图13说明的显示面板700在着色层cfb(j)与电极552b(j)之间包括绝缘膜573，并且绝缘膜573填充间隙104s(j)。
[0362]
《显示面板700的结构例子14》
[0363]
参照图14说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0364]
注意，参照图14说明的显示面板700与参照图9说明的显示面板700不同之处是：在
分隔壁528上包括分隔壁528(2)；以及电极552被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)各自的一个电极。
[0365]
例如，可以在利用光蚀刻法形成层104b(j)、单元103b(j)、中间层106b及单元103b2之后在分隔壁528上利用光刻法形成分隔壁528(2)。再者，可以以覆盖单元103b(j)及分隔壁528的方式形成电极552。
[0366]
《显示面板700的结构例子15》
[0367]
参照图15说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0368]
注意，参照图15说明的显示面板700与参照图9说明的显示面板700不同之处是：在分隔壁528上包括分隔壁528(2)；在分隔壁528(2)与电极551b(i，j)之间具有较大的台阶；以及分隔壁528(2)的顶部与其底部相比以檐状突出。由此，防止层104b(j)与层104g(j)之间的电导通以及中间层106b(j)与中间层106g(j)之间的电导通。
[0369]
《显示面板700的结构例子16》
[0370]
参照图16说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0371]
注意，参照图16说明的显示面板700与参照图9说明的显示面板700不同之处是：单元1032被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)各自的一个单元；以及电极552被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)各自的一个电极。
[0372]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0373]
(实施方式2)
[0374]
在本实施方式中，参照图17至图23说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法。
[0375]
图17至图20是说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0376]
图21是说明与参照图17至图20说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0377]
图22及图23是说明与参照图17至图20说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0378]
《显示面板的制造方法例子1》
[0379]
本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十三步骤。例如，可以制造参照图5说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0380]
《《第一步骤》》
[0381]
在第一步骤中，形成电极551b(i，j)及电极551g(i，j)。另外，形成电极551r(i，j)。例如，在基材510上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为指定形状(参照图17a)。
[0382]
《《第二步骤》》
[0383]
在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间以及电极551g(i，j)与电极551r(i，j)之间形成分隔壁528。例如，形成覆盖电极551b(i，j)至电极551r(i，j)的绝缘膜，并利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)至电极551r(i，j)各自的一部分露出(参照图17b)。
[0384]
《《第三步骤》》
[0385]
在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上形成层104b(j)。例如，利用
真空蒸镀法在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104b(j)。注意，电极551r(i，j)也被覆盖。
[0386]
《《第四步骤》》
[0387]
在第四步骤中，在层104b(j)上形成单元103b(j)。例如，利用真空蒸镀法形成单元103b(j)。
[0388]
《《第五步骤》》
[0389]
在第五步骤中，在单元103b(j)上形成层105b(j)及电极552b(j)。例如，利用真空蒸镀法形成电极552b(j)(参照图18a)。
[0390]
《《第六步骤》》
[0391]
在第六步骤中，将层104b(j)、单元103b(j)及电极552b(j)加工为指定形状(参照图18c)。例如，利用光蚀刻法去除电极551g(i，j)上的层104b(j)、单元103b(j)及电极552b(j)，来将剩下的层104b(j)、单元103b(j)及电极552b(j)加工为在交叉于纸面的方向上延伸的带状形状。由此，形成发光器件550b(i，j)。注意，电极551r(i，j)上的层104b(j)、单元103b(j)及电极552b(j)也被去除。
[0392]
具体而言，使用形成在电极552b(j)上的抗蚀剂res(参照图18b)。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0393]
《《第七步骤》》
[0394]
在第七步骤中，在电极552b(j)及电极551g(i，j)上形成层104g(j)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104g(j)。注意，电极551r(i，j)也被覆盖。
[0395]
《《第八步骤》》
[0396]
在第八步骤中，在层104g(j)上形成单元103g(j)。例如，利用真空蒸镀法形成单元103g(j)。
[0397]
《《第九步骤》》
[0398]
在第九步骤中，在单元103g(j)上形成电极552g(j)。例如，利用真空蒸镀法形成电极552g(j)(参照图19a)。
[0399]
《《第十步骤》》
[0400]
在第十步骤中，将层104g(j)、单元103g(j)及电极552g(j)加工为指定形状(参照图19c)。例如，利用光蚀刻法去除电极552b(i，j)上的层104g(j)、单元103g(j)及电极552g(j)，来将剩下的层104g(j)、单元103g(j)及电极552g(j)加工为在交叉于纸面的方向上延伸的带状形状，并从发光器件550b(i，j)分离。由此，形成发光器件550g(i，j)。注意，电极551r(i，j)上的层104g(j)、单元103g(j)及电极552g(j)也被去除。
[0401]
具体而言，使用形成在电极552g(j)上的抗蚀剂res(参照图19b)。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0402]
《《第十一步骤》》
[0403]
在第十一步骤中，依次形成层104r(j)、单元103r(j)、层105r(j)及电极552r(j)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖电极551r(i，j)的方式形成层104r(j)、单元103r(j)、层105r及电极552r(j)(参照图20a)。
[0404]
《《第十二步骤》》
[0405]
在第十二步骤中，将层104r(j)、单元103r(j)及电极552r(j)加工为指定形状(参照图20c)。例如，将它们加工为在交叉于纸面的方向上延伸的带状形状。
[0406]
具体而言，利用形成在层104r(j)、单元103r(j)及电极552r(j)上的抗蚀剂res以及蚀刻法(参照图20b)。另外，可以将电极552b(j)、电极552g(j)及分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0407]
通过上述工序，可以分离地形成发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)。
[0408]
《《第十三步骤》》
[0409]
另外，在第十三步骤中，形成接触分隔壁528的绝缘膜573来覆盖发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)。通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)(参照图20c)。
[0410]
《显示面板的制造方法例子2》
[0411]
本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第八步骤。例如，可以制造参照图12说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0412]
《《第一步骤》》
[0413]
在第一步骤中，形成电极551b(i，j)及电极551g(i，j)。另外，形成电极551r(i，j)。例如，在基材510上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为指定形状(参照图17a)。
[0414]
《《第二步骤》》
[0415]
在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间形成分隔壁528。例如，在形成覆盖电极551b(i，j)至电极551r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)至电极551r(i，j)各自的一部分露出(参照图17b)。
[0416]
《《第三步骤》》
[0417]
在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上形成层104。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104。注意，电极551r(i，j)也被覆盖。
[0418]
《《第四步骤》》
[0419]
在第四步骤中，在层104上形成单元103。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。
[0420]
《《第五步骤》》
[0421]
在第五步骤中，在单元103上形成层106。例如，利用真空蒸镀法形成层106。
[0422]
《《第六步骤》》
[0423]
在第六步骤中，在层106上形成单元1032。例如，利用真空蒸镀法形成单元1032。
[0424]
《《第七步骤》》
[0425]
在第七步骤中，在单元1032上形成电极552。例如，利用真空蒸镀法形成电极552(参照图21a)。
[0426]
另外，在电极552上形成绝缘膜573，并在绝缘膜573上分别形成着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)(参照图21b)。
[0427]
例如，层叠平坦膜和致密膜形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法(ald：atomic layer deposition)等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高品质绝缘膜573。
[0428]
例如，使用彩色抗蚀剂将着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)形成为指定形状。在远离着色层cfb(j)的位置形成着色层cfg(j)，并在着色层cfg(j)与着色层cfb(j)之间形成间隙cfs(j)。
[0429]
《《第八步骤》》
[0430]
在第八步骤中，将层104、单元103、层106、单元1032、电极552及绝缘膜573加工为指定形状(参照图21c)。例如，将它们加工为在交叉于纸面的方向上延伸的带状形状。
[0431]
具体而言，利用形成在着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)上的抗蚀剂以及蚀刻法去除重叠于间隙cfs(j)的部分。或者，也可以将着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)用作抗蚀剂。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0432]
层104被加工为层104b(j)、层104g(j)及层104r(j)。单元103被加工为单元103b(j)、单元103g(j)及单元103r(j)。层106被加工为中间层106b(j)、中间层106g(j)及中间层106r(j)。单元1032被加工为单元103b2(j)、单元103g2(j)及单元103r2(j)。电极552被加工为电极552b(j)、电极552g(j)及电极552r(j)。例如，间隙104s(j)防止层104b(j)与层104g(j)之间的电导通以及中间层106b(j)与中间层106g(j)之间的电导通。
[0433]
通过上述工序，可以分离地形成发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)。
[0434]
《显示面板的制造方法例子3》
[0435]
本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第六步骤。例如，可以制造参照图16说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0436]
《《第一步骤》》
[0437]
在第一步骤中，形成电极551b(i，j)及电极551g(i，j)。另外，形成电极551r(i，j)。例如，在基材510上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为指定形状(参照图17a)。
[0438]
《《第二步骤》》
[0439]
在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间以及电极551g(i，j)与电极551r(i，j)之间形成分隔壁528。例如，形成覆盖电极551b(i，j)至电极551r(i，j)的绝缘膜，并利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)至电极551r(i，j)各自的一部分露出(参照图17b)。
[0440]
《《第三步骤》》
[0441]
在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上依次形成层104、单元103及层106(参照图22a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104、单元103及层106。注意，电极551r(i，j)也被覆盖。
[0442]
《《第四步骤》》
[0443]
在第四步骤中，将层104、单元103和层106加工为指定形状(参照图22c)。例如，将它们加工为重叠于电极551b(i，j)的岛状形状以及重叠于电极551g(i，j)的岛状形状。或者，也可以将它们加工为在交叉于纸面的方向上延伸的带状形状。另外，将它们加工为重叠于电极551r(i，j)的形状。
[0444]
具体而言，利用形成在层104、单元103及层106上的抗蚀剂res以及蚀刻法(参照图22b)。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0445]
层104被加工为层104b(i，j)、层104g(i，j)及层104r(i，j)。单元103被加工为单元
103b(i，j)、单元103g(i，j)及单元103r(i，j)。层106被加工为中间层106b(i，j)、中间层106g(i，j)及中间层106r(i，j)。例如，间隙104s(j)防止层104b(i，j)与层104g(i，j)之间的电导通以及中间层106b(i，j)与中间层106g(i，j)之间的电导通。
[0446]
《《第五步骤》》
[0447]
在第五步骤中，依次形成单元1032、层105及电极552(参照图23a)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖中间层106b(i，j)、中间层106g(i，j)及中间层106r(i，j)的方式形成单元1032、层105及电极552。
[0448]
《《第六步骤》》
[0449]
在第六步骤中，形成绝缘膜573、着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)(参照图23b)。
[0450]
例如，层叠平坦膜和致密膜形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法(ald：atomic layer deposition)等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高品质绝缘膜573。
[0451]
例如，使用彩色抗蚀剂将着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)形成为指定形状。注意，以在分隔壁528上着色层cfr(j)重叠于着色层cfb(j)的方式进行加工。由此，可以抑制发光器件所发射的光进入到邻接的发光器件的现象。
[0452]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0453]
(实施方式3)
[0454]
在本实施方式中，参照图24a说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0455]
《发光器件150的结构例子》
[0456]
在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102及单元103。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。可用于单元103的结构例如可以用于在实施方式1中说明的单元103b(j)、单元103g(j)或单元103r(j)。
[0457]
《单元103的结构例子》
[0458]
单元103具有单层结构或叠层结构。例如，单元103包括层111、层112及层113(参照图24a)。单元103具有发射光el1的功能。
[0459]
层111具有夹在层112与层113间的区域，层112具有夹在电极101与层111间的区域，层113具有夹在电极102与层111间的区域。
[0460]
例如，可以将选自发光层、空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103。另外，可以将选自空穴注入层、电子注入层、激子阻挡层及电荷产生层等中的层用于单元103。
[0461]
《《层112的结构例子》》
[0462]
例如，可以将具有空穴传输性的材料用于层112。另外，可以将层112称为空穴传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层112。因此，可以抑制从层111所产生的激子向层112的能量转移。
[0463]
[具有空穴传输性的材料]
[0464]
可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于具有空穴传输性的材料。
[0465]
例如，可以将胺化合物或具有富π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有空穴传输性的材料。具体而言，可以使用具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物、具有噻吩骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物等。尤其是，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。
[0466]
《《层113的结构例子》》
[0467]
例如，可以将具有电子传输性的材料、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于层113。另外，可以将层113称为电子传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层113。因此，可以抑制从层111所产生的激子向层113的能量转移。
[0468]
[具有电子传输性的材料]
[0469]
例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。
[0470]
可以将如下材料适合用于具有电子传输性的材料：在电场强度[v/cm]的平方根为600的条件下，电子迁移率为1
×
10-7
cm2/vs以上且5
×
10-5
cm2/vs以下的材料。由此，可以控制电子传输层中的电子的传输性。另外，可以控制向发光层的电子注入量。另外，可以防止发光层成为电子过多的状态。
[0471]
作为包括缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物，例如可以使用具有聚唑(polyazole)骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物等。尤其是，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。此外，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，而可以降低驱动电压。
[0472]
[具有蒽骨架的材料]
[0473]
可以将具有蒽骨架的有机化合物用于层113。尤其是，可以适合使用具有蒽骨架和杂环骨架的双方的有机化合物。
[0474]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮五元环骨架的双方的有机化合物。另外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮五元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡唑环、咪唑环、恶唑环、噻唑环等适合用于该杂环骨架。
[0475]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮六元环骨架的双方的有机化合物。另外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮六元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡嗪环、吡啶环、哒嗪环等适合用于该杂环骨架。
[0476]
[混合材料的结构例子]
[0477]
另外，可以将混合多种物质的材料用于层113。具体而言，可以将包含碱金属、碱金属化合物或碱金属配合物及具有电子传输性的物质的混合材料用于层113。注意，具有电子传输性的材料的homo能级更优选为-6.0ev以上。
[0478]
此外，例如，可以将具有受体性的物质和具有空穴传输性的材料的复合材料用于层104。具体而言，可以将具有受体性的物质与具有-5.7ev以上且-5.4ev以下的较深homo能级homo1的物质的复合材料用于层104(参照图24b)。另外，可以与将复合材料用于层104的结构组合而将该混合材料适合用于层113。由此，可以提高发光器件的可靠性。
[0479]
另外，组合将该混合材料用于层113且将上述复合材料用于层104的结构和将具有
空穴传输性的材料用于层112的结构而适合地使用。例如，可以将相对于上述较深homo能级homo1在-0.2ev以上且0ev以下的范围具有homo能级homo2的物质用于层112(参照图24b)。由此，可以提高发光器件的可靠性。
[0480]
碱金属、碱金属化合物或碱金属配合物优选以在层113的厚度方向上有浓度差(包括浓度差为0的情况)的方式存在。
[0481]
例如，可以使用具有8-羟基喹啉结构的金属配合物。另外，也可以使用具有8-羟基喹啉结构的金属配合物的甲基取代物(例如，2-甲基取代物或5-甲基取代物)等。
[0482]
《《层111的结构例子1》》
[0483]
例如，可以将发光性材料或者发光性材料及主体材料用于层111。另外，可以将层111称为发光层。优选在空穴与电子再结合的区域中配置层111。由此，可以高效地将载流子复合所产生的能量作为光发射。另外，优选从用于电极等的金属远离的方式配置层111。因此，可以抑制用于电极等的金属发生猝灭现象。
[0484]
例如，可以将荧光发光物质、磷光发光物质或呈现热活化延迟荧光(tadf：thermally delayed fluorescence)的物质(也被称为tadf材料)用于发光性材料。由此，可以将因载流子的复合而产生的能量从发光性材料作为光el1射出(参照图24a)。
[0485]
[荧光发光物质]
[0486]
可以将荧光发光物质用于层111。例如，可以将下述荧光发光物质用于层111。注意，荧光发光物质不局限于此，可以将各种已知的荧光发光物质用于层111。
[0487]
尤其是，以1，6flpaprn、1，6mmemflpaprn、1，6bnfaprn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性和良好的发光效率或可靠性，所以是优选的。
[0488]
[磷光发光物质]
[0489]
可以将磷光发光物质用于层111。例如，可以将下述磷光发光物质用于层111。注意，磷光发光物质不局限于此，可以将各种已知的磷光发光物质用于层111。
[0490]
例如，可以将如下材料用于层111：具有4h-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有1h-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有咪唑骨架的有机金属铱配合物、具有吸电子基团且以苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物、具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物、具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物、具有吡啶骨架的有机金属铱配合物、稀土金属配合物、铂配合物等。
[0491]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]
[0492]
可以将tadf材料用于层111。例如，可以将以下所示的tadf材料用于发光性材料。注意，不局限于此，可以将各种已知的tadf材料用于发光性材料。
[0493]
由于tadf材料中s1能级与t1能级之差小而可以利用少量热能量将三重激发态反系间窜跃(上转换)为单重激发态。由此，可以高效地从三重激发态生成单重激发态。另外，可以将三重激发态转换成发光。
[0494]
以两种物质形成激发态的激基复合物(exciplex)因s1能级和t1能级之差极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的tadf材料的功能。
[0495]
注意，作为t1能级的指标，可以使用在低温(例如，77k至10k)下观察到的磷光光谱。关于tadf材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为s1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长
能量为t1能级时，s1与t1之差为0.3ev以下，更优选为0.2ev以下。
[0496]
此外，当使用tadf材料作为发光物质时，主体材料的s1能级优选比tadf材料的s1能级高。此外，主体材料的t1能级优选比tadf材料的t1能级高。
[0497]
例如，可以将富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等用于tadf材料。另外，可以将包含镁(mg)、锌(zn)、镉(cd)、锡(sn)、铂(pt)、铟(in)或钯(pd)等的含金属卟啉用于tadf材料。
[0498]
另外，例如可以将具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物用于tadf材料。
[0499]
另外，该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受体性高且可靠性良好，所以是优选的。
[0500]
另外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑骨架。
[0501]
在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接受性都高而s1能级与t1能级之间的能量差变小，可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。另外，也可以使用键合有如氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。
[0502]
此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。
[0503]
如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环和富π电子杂芳环中的至少一个。
[0504]
《《层111的结构例子2》》
[0505]
可以将具有载流子传输性的材料用于主体材料。例如，可以将具有空穴传输性的材料、具有电子传输性的材料、呈现热活化延迟荧光(tadf：thermally delayed fluorescence)的物质、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于主体材料。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于主体材料。因此，可以抑制从层111所产生的激子向主体材料的能量转移。
[0506]
[具有空穴传输性的材料]
[0507]
可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于具有空穴传输性的材料。
[0508]
例如，可以将可用于层112的具有空穴传输性的材料用于层111。具体而言，可以将可用于空穴传输层的具有空穴传输性的材料用于层111。
[0509]
[具有电子传输性的材料]
[0510]
例如，可以将可用于层113的具有电子传输性的材料用于层111。具体而言，可以将可用于电子传输层的具有电子传输性的材料用于层111。
[0511]
[具有蒽骨架的材料]
[0512]
可以将具有蒽骨架的有机化合物用于主体材料。尤其是，在作为发光物质使用荧光发光物质时，具有蒽骨架的有机化合物很合适。由此，可以实现发光效率及耐久性良好的发光器件。
[0513]
作为具有蒽骨架的有机化合物，具有二苯基蒽骨架，尤其是具有9，10-二苯基蒽骨架的有机化合物在化学上稳定，所以是优选的。另外，在主体材料具有咔唑骨架时，空穴的注入及传输性提高，所以是优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其homo能级比咔唑浅0.1ev左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。注意，从上述空穴注入及传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。
[0514]
因此，作为主体材料优选使用具有9，10-二苯基蒽骨架和咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和苯并咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和二苯并咔唑骨架的物质。
[0515]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]
[0516]
可以将tadf材料用于主体材料。在将tadf材料用于主体材料时，可以通过反系间窜跃将在tadf材料中生成的三重态激发能转换为单重态激发能。另外，可以将激发能转移到发光物质。换言之，tadf材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。由此，可以提高发光器件的发光效率。
[0517]
当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，tadf材料的s1能级优选比荧光发光物质的s1能级高。此外，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的s1能级高。因此，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的t1能级高。
[0518]
此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的tadf材料。由此，激发能顺利地从tadf材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。
[0519]
为了高效地从三重激发能通过反系间窜跃生成单重激发能，优选在tadf材料中产生载流子的复合。此外，优选的是在tadf材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子复合几乎没有影响，可以使tadf材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。
[0520]
在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。
[0521]
作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四
苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。
[0522]
例如，可以将可用于发光性材料的tadf材料用于主体材料。
[0523]
[混合材料的结构例子1]
[0524]
另外，可以将混合多种物质的材料用于主体材料。例如，可以将混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料用于混合材料。混合的材料中的具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的重量比的值为(具有空穴传输性的材料/具有电子传输性的材料)＝(1/19)以上且(19/1)以下即可。由此，可以容易调整层111的载流子传输性。另外，可以更简便地进行复合区域的控制。
[0525]
[混合材料的结构例子2]
[0526]
可以将混合磷光发光物质的材料用于主体材料。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。
[0527]
另外，可以将包含形成激基复合物的材料的混合材料用于主体材料。例如，可以将所形成的激基复合物的发射光谱与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的材料用于主体材料。因此，可以使能量转移变得顺利，从而提高发光效率。另外，可以抑制驱动电压。
[0528]
可以将磷光发光物质用于形成激基复合物的材料的至少一个。由此，可以利用反系间窜跃。或者，可以高效地将三重激发能转换为单重激发能。
[0529]
作为形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的homo能级优选为具有电子传输性的材料的homo能级以上。或者，具有空穴传输性的材料的lumo能级优选为具有电子传输性的材料的lumo能级以上。由此，可以高效地形成激基复合物。另外，材料的lumo能级及homo能级可以从电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。具体而言，可以利用循环伏安法(cv)测定法测量还原电位及氧化电位。
[0530]
注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(pl)、具有电子传输性的材料的瞬态pl及混合这些材料而成的混合膜的瞬态pl进行比较，当观察到混合膜的瞬态pl寿命与各材料的瞬态pl寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态pl称为瞬态电致发光(el)。换言之，与对具有空穴传输性的材料的瞬态el、具有电子传输性的材料的瞬态el及这些材料的混合膜的瞬态el进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。
[0531]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0532]
(实施方式4)
[0533]
在本实施方式中，参照图24a说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0534]
《发光器件150的结构例子》
[0535]
在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103及层104。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。另外，层104具有夹在电极101与单元103间的区域。可用于电极101的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极551b(i，j)、电极551g(i，j)或电极551r(i，j)。另外，可用于层104的结构例如可以用于在实施方式1中说明的层104b(j)、层104g(j)或层104r(j)。
[0536]
《电极101的结构例子》
[0537]
例如，可以将导电材料用于电极101。具体而言，可以将金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等用于电极101。例如，可以适合使用具有4.0ev以上的功函数的材料。
[0538]
例如，可以使用氧化铟-氧化锡(ito：indium tin oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(iwzo)等。
[0539]
另外，例如可以使用金(au)、铂(pt)、镍(ni)、钨(w)、铬(cr)、钼(mo)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钯(pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，可以使用石墨烯。
[0540]
《《层104的结构例子1》》
[0541]
例如，可以将具有空穴注入性的材料用于层104。另外，可以将层104称为空穴注入层。
[0542]
例如，可以将在电场强度[v/cm]的平方根为600时空穴迁移率为1
×
10-3
cm/vs以下的材料用于层104。另外，可以将具有1
×
104[ω
·
cm]以上且1
×
107[ω
·
cm]以下的电阻率的膜用于层104。另外，层104优选具有5
×
104[ω
·
cm]以上且1
×
107[ω
·
cm]以下的电阻率，更优选具有1
×
105[ω
·
cm]以上且1
×
107[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0543]
《《层104的结构例子2》》
[0544]
具体而言，可以将具有受体性的物质用于层104。或者，可以将包含多种物质的复合材料用于层104。由此，例如可以从电极101容易注入空穴。另外，可以降低发光器件150的驱动电压。
[0545]
[具有受体性的物质]
[0546]
可以将有机化合物及无机化合物用于具有受体性的物质。具有受体性的物质借助于施加电场而能够从相邻的空穴传输层或具有空穴传输性的材料抽出电子。
[0547]
例如，可以将具有吸电子基团(卤基或氰基)的化合物用于具有受体性的物质。另外，具有受体性的有机化合物可以利用蒸镀容易地沉积。因此，可以提高发光器件150的生产率。
[0548]
具体而言，可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：f
4-tcnq)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：hat-cn)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：f6-tcnnq)、2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7h-芘-2-亚基)丙二腈等。
[0549]
尤其是，hat-cn这样的吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物热稳定，所以是优选的。
[0550]
另外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基或氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高，所以是优选的。
[0551]
具体而言，可以使用α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙
腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。
[0552]
另外，可以将钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等用于具有受体性的物质。
[0553]
另外，可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：h2pc)或铜酞菁(cupc)等；具有芳香胺骨架的化合物如4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：dntpd)等。
[0554]
另外，可以使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(pedot/pss)等高分子等。
[0555]
[复合材料的结构例子1]
[0556]
另外，例如，可以将包含具有受体性的物质及具有空穴传输性的材料的复合材料用于层104。由此，除了功函数较大的材料以外，还可以将功函数较小的材料用于电极101。或者，不依赖于功函数，可以从宽范围的材料中选择用于电极101的材料。
[0557]
例如，可以将具有芳香胺骨架的化合物、咔唑衍生物、芳烃、具有乙烯基的芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。另外，可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。
[0558]
另外，可以将具有较深homo能级的物质适合用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。具体而言，homo能级优选为-5.7ev以上且-5.4ev以下。由此，可以容易将空穴注入到单元103。另外，可以容易将空穴注入到层112。另外，可以提高发光器件150的可靠性。
[0559]
作为具有芳香胺骨架的化合物，例如可以使用n，n
’‑
二(对甲苯基)-n，n
’‑
二苯基-对亚苯基二胺(简称：dtdppa)、4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：dntpd)、1，3，5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]苯(简称：dpa3b)等。
[0560]
作为咔唑衍生物，例如可以使用3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)、3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)、3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)、4，4
’‑
二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、1，3，5-三[4-(n-咔唑基)苯基]苯(简称：tcpb)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、1，4-双[4-(n-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。
[0561]
作为芳烃，例如可以使用2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-budna)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：dppa)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-budba)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：dna)、9，10-二苯基蒽(简称：dpanth)、2-叔丁基蒽(简称：t-buanth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：dmna)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝、并五苯、晕苯等。
[0562]
作为具有乙烯基的芳烃，例如可以使用4，4
’‑
双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：
(1-萘基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbanb)、4，4
’‑
二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbnbb)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9
’‑
二芴-2-胺(简称：pcbasf)、n-(1，1
’‑
联苯-4-基)-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(简称：pcbbif)、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-4-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-3-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-2-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-1-胺等。
[0566]
[复合材料的结构例子2]
[0567]
例如，可以将包含具有受体性的物质、具有空穴传输性的材料及碱金属的氟化物或碱土金属的氟化物的复合材料用作具有空穴注入性的材料。尤其是，可以适合使用氟原子的原子比率为20％以上的复合材料。因此，可以降低层104的折射率。此外，可以在发光器件150内部形成折射率低的层。另外，可以提高发光器件150的外部量子效率。
[0568]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0569]
(实施方式5)
[0570]
在本实施方式中，参照图24a说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0571]
《发光器件150的结构例子》
[0572]
在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103及层105。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。另外，层105具有夹在单元103与电极102间的区域。另外，例如可以将实施方式3所说明的结构用于单元103。另外，可用于电极102的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极552b(j)、电极552g(j)或电极552r(j)。另外，可用于层105的材料例如可以用于在实施方式1中说明的层105b(j)、层105g(j)或层105r(j)。
[0573]
《电极102的结构例子》
[0574]
例如，可以将导电材料用于电极102。具体而言，可以将金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等用于电极102。例如，可以将功函数小于电极101的材料用于电极102。具体而言，可以使用具有3.8ev以下的功函数的材料。
[0575]
例如，可以将属于元素周期表中的第1族的元素、属于元素周期表中的第2族的元素、稀土金属及包含它们的合金用于电极102。
[0576]
具体而言，可以将锂(li)、铯(cs)等、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)等、铕(eu)、镱(yb)等及包含它们的合金(mgag、alli)用于电极102。
[0577]
《《层105的结构例子》》
[0578]
例如，可以将具有电子注入性的材料用于层105。另外，可以将层105称为电子注入层。
[0579]
具体而言，可以将具有供体性的物质用于层105。或者，可以将具有供体性的物质及具有电子传输性的材料的复合材料用于层105。或者，可以将电子化合物用于层105。由此，例如可以从电极102容易注入电子。或者，除了功函数较小的材料以外，还可以将功函数较大的材料用于电极102。或者，不依赖于功函数，可以从宽范围的材料中选择用于电极102
的材料。具体而言，可以将al、ag、ito、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用于电极102。另外，可以降低发光器件的驱动电压。
[0580]
[具有供体性的物质]
[0581]
例如，可以将碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的化合物(氧化物、卤化物、碳酸盐等)用于具有供体性的物质。另外，可以将四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)(简称：ttn)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物用于具有供体性的物质。
[0582]
[复合材料的结构例子1]
[0583]
另外，可以将复合多种物质的材料用于具有电子注入性材料。例如，可以将具有供体性的物质及具有电子传输性的材料用于复合材料。
[0584]
[具有电子传输性的材料]
[0585]
例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。
[0586]
例如，可以将可用于单元103的具有电子传输性的材料用于复合材料。
[0587]
[复合材料的结构例子2]
[0588]
另外，可以将微晶状态的碱金属的氟化物和具有电子传输性的材料用于复合材料。另外，可以将微晶状态的碱土金属的氟化物及具有电子传输性的材料用于复合材料。尤其是，可以适合使用包含50wt％以上的碱金属的氟化物或碱土金属的氟化物的复合材料。另外，可以适合使用包含具有联吡啶骨架的有机化合物的复合材料。因此，可以降低层105的折射率。另外，可以提高发光器件的外部量子效率。
[0589]
[电子化合物]
[0590]
例如，可以将对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等用于具有电子注入性的材料。
[0591]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0592]
(实施方式6)
[0593]
在本实施方式中，参照图25a说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。
[0594]
图25a是说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件的结构的截面图。
[0595]
《发光器件150的结构例子》
[0596]
在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103及层106(参照图25a)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。层106具有夹在单元103与电极102间的区域。
[0597]
《《层106的结构例子》》
[0598]
层106包括层106(1)及层106(2)。层106(2)具有夹在层106(1)与电极102间的区域。
[0599]
《《层106(1)的结构例子》》
[0600]
例如，可以将具有电子传输性的材料用于层106(1)。另外，可以将层106(1)称为电子中继层。通过使用层106(1)，可以使接触于层106(1)的阳极侧的层远离接触于层106(1)的阴极侧的层。另外，可以减轻接触于层106(1)的阳极侧的层和接触于层106(1)的阴极侧的层间的相互作用。由此，可以向接触于层106(1)的阳极侧的层顺利地供应电子。
[0601]
可以将如下物质适合用于层106(1)，即其lumo能级位于接触于层106(1)的阳极侧的层中的具有受体性的物质的lumo能级与接触于层106(1)的阴极侧的层中的物质的lumo能级间的物质。
[0602]
例如，可以将如下物质用于层106(1)，即在-5.0ev以上，优选在-5.0ev以上且-3.0ev以下的范围内具有lumo能级的材料。
[0603]
具体而言，可以将酞菁类材料用于层106(1)。此外，可以将具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物用于层106(1)。
[0604]
《《层106(2)的结构例子》》
[0605]
例如，可以将如下材料用于层106(2)，即通过施加电压可以对阳极侧供应电子且对阴极侧供应空穴的材料。具体而言，可以对配置在阳极侧的单元103供应电子。另外，可以将层106(2)称为电荷产生层。
[0606]
具体而言，可以将可用于层104的具有空穴注入性的材料用于层106(2)。例如，可以将复合材料用于层106(2)。另外，例如可以将层叠有包含该复合材料的膜与包含具有空穴传输性的材料的膜的叠层膜用于层106(2)。
[0607]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0608]
(实施方式7)
[0609]
在本实施方式中，参照图25b及图29说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。
[0610]
图25b是说明发光器件的截面图，该发光器件可用于具有与图25a所示的结构不同的结构的本发明的一个方式的显示面板。
[0611]
图29是说明发光器件的截面图，该发光器件可用于具有与图25b所示的结构不同的结构的本发明的一个方式的显示面板。
[0612]
《发光器件150的结构例子1》
[0613]
本实施方式所说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103、层106及单元103(12)(参照图25b)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域，层106具有夹在单元103与电极102间的区域。另外，单元103(12)具有夹在层106与电极102间的区域，并具有发射光el1(2)的功能。
[0614]
另外，有时将包括层106及多个单元的结构称为叠层型发光器件或串联型发光器件。因此，能够在将电流密度保持为低的同时获得高亮度发光。另外，可以提高可靠性。此外，可以降低在以同一亮度进行比较时的驱动电压。此外，可以抑制功耗。
[0615]
《《单元103(12)的结构例子》》
[0616]
可以将可用于单元103的结构用于单元103(12)。换言之，发光器件150包括层叠的多个单元。注意，层叠的多个单元不局限于两个单元，可以层叠三个以上的单元。
[0617]
可以将与单元103同一结构用于单元103(12)。另外，可以将与单元103不同结构用于单元103(12)。
[0618]
例如，可以将与单元103的发光颜色不同的发光颜色的结构用于单元103(12)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103和发射蓝色光的单元103(12)。因此，就可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。
[0619]
《《层106的结构例子》》
[0620]
层106具有向单元103和单元103(12)中的一个供应电子并向其中另一个供应空穴的功能。例如，可以使用实施方式6所说明的层106。
[0621]
《发光器件150的结构例子2》
[0622]
本实施方式所说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103、层106、单元103(12)、单元103(13)、层105(12)、层105(13)及层106(13)(参照图29)。
[0623]
注意，与参照图25b说明的发光器件150不同，参照图29说明的发光器件150在层106与单元103(12)间包括单元103(13)、层105(13)及层106(13)。
[0624]
层111具有发射光el1的功能，层111(12)具有发射光el1(2)的功能，层111(13)具有发射光el1(3)的功能，层111(14)具有发射光el1(4)的功能。
[0625]
例如，可以将发射蓝色光的发光性材料用于层111及层111(12)。另外，例如，可以将发射黄色光的发光性材料用于层111(13)。另外，例如，可以将发射红色光的发光性材料用于层111(14)。
[0626]
例如，可以将可用于单元103的结构用于单元103(13)，可以将可用于层105的结构用于层105(12)及层105(13)，可以将可用于层106的结构用于层106(13)。
[0627]
《发光器件150的制造方法》
[0628]
例如，可以通过干法、湿法、蒸镀法、液滴喷射法、涂敷法或印刷法等形成电极101、电极102、单元103、层106及单元103(12)的各层。另外，可以通过不同方法形成各构成要素。
[0629]
具体而言，可以使用真空蒸镀装置、喷墨装置、涂敷装置如旋涂机等、凹版印刷装置、胶版印刷装置、丝网印刷装置等制造发光器件150。
[0630]
电极例如可以通过利用金属材料的膏剂的湿法或溶胶-凝胶法形成。另外，可以使用相对于氧化铟添加有1wt％以上且20wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌膜。另外，可以使用相对于氧化铟添加有0.5wt％以上且5wt％以下的氧化钨和0.1wt％以上且1wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(iwzo)膜。
[0631]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0632]
(实施方式8)
[0633]
在本实施方式中，参照图26至图28说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构。
[0634]
图26至图28是说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构的图。图26a是数据处理装置的方框图，图26b至图26e是说明数据处理装置的结构的立体图。另外，图27a至图27e是说明数据处理装置的结构的立体图。另外，图28a及图28b是说明数据处理装置的结构的立体图。
[0635]
《数据处理装置》
[0636]
在本实施方式中说明的数据处理装置5200b包括运算装置5210及输入/输出装置5220(参照图26a)。
[0637]
运算装置5210具有被供应操作数据的功能，并具有根据操作数据供应图像数据的功能。
[0638]
输入/输出装置5220包括显示部5230、输入部5240、检测部5250及通信部5290，并
具有供应操作数据的功能及被供应图像数据的功能。此外，输入/输出装置5220具有供应检测数据的功能、供应通信数据的功能及被供应通信数据的功能。
[0639]
输入部5240具有供应操作数据的功能。例如，输入部5240根据数据处理装置5200b的使用者的操作供应操作数据。
[0640]
具体而言，可以将键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、音频输入装置、视线输入装置、姿态检测装置等用于输入部5240。
[0641]
显示部5230包括显示面板并具有显示图像数据的功能。例如，可以将实施方式1所说明的显示面板用于显示部5230。
[0642]
检测部5250具有供应检测数据的功能。例如，具有检测使用数据处理装置的周围的环境而供应检测数据的功能。
[0643]
具体地，可以将照度传感器、摄像装置、姿态检测装置、压力传感器、人体感应传感器等用于检测部5250。
[0644]
通信部5290具有被供应通信数据的功能及供应通信数据的功能。例如，具有以无线通信或有线通信与其他电子设备或通信网连接的功能。具体而言，具有无线局域网通信、电话通信、近距离无线通信等的功能。
[0645]
《《数据处理装置的结构例子1》》
[0646]
例如，可以将沿着圆筒状的柱子等的外形用于显示部5230(参照图26b)。另外，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。此外，具有检测人的存在而改变显示内容的功能。因此，例如可以设置在建筑物的柱子上。或者，能够显示广告或指南等。或者，可以用于数字标牌等。
[0647]
《《数据处理装置的结构例子2》》
[0648]
例如，具有根据使用者所使用的指示物的轨迹生成图像数据的功能(参照图26c)。具体而言，可以使用对角线的长度为20英寸以上、优选为40英寸以上，更优选为55英寸以上的显示面板。或者，可以将多个显示面板排列而用作一个显示区域。或者，可以将多个显示面板排列而用作多屏幕显示面板。因此，例如可以用于电子黑板、电子留言板、数字标牌等。
[0649]
《《数据处理装置的结构例子3》》
[0650]
可以从其他装置接收数据且将其显示在显示部5230上(参照图26d)。此外，可以显示几个选择项。另外，使用者可以从选择项选择几个项且将其回复至该数据的发信者。例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，例如可以降低便携式电子设备的功耗。另外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用便携式电子设备的方式将图像显示在便携式电子设备上。
[0651]
《《数据处理装置的结构例子4》》
[0652]
显示部5230例如具有沿着框体的侧面缓慢地弯曲的曲面(参照图26e)。或者，显示部5230包括显示面板，显示面板例如具有在其前面、侧面、顶面及背面进行显示的功能。由此，例如可以将数据不仅显示于移动电话的前面，而且显示于移动电话的侧面、顶面及背面。
[0653]
《《数据处理装置的结构例子5》》
[0654]
例如，可以从因特网接收数据且在显示部5230上显示该数据(参照图27a)。另外，可以在显示部5230上确认所制作的通知。另外，可以将所制作的通知发送到其他装置。此
外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，可以降低智能手机的功耗。此外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用智能手机的方式将图像显示在智能手机上。
[0655]
《《数据处理装置的结构例子6》》
[0656]
可以将遥控器用作输入部5240(参照图27b)。此外，例如，可以从广播电台或因特网接收数据且将其显示在显示部5230上。另外，可以使用检测部5250拍摄使用者。另外，可以发送使用者的图像。另外，可以取得使用者的收看履历且将其提供给云服务。此外，可以从云服务取得推荐数据且将其显示在显示部5230上。此外，可以根据推荐数据显示节目或动态图像。另外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，以即使在晴天射入户内的外光强的环境下也能够适宜地使用电视系统的方式将影像显示在电视系统上。
[0657]
《《数据处理装置的结构例子7》》
[0658]
例如，可以从因特网接收教材且将其显示在显示部5230上(参照图27c)。此外，可以使用输入部5240输入报告且将其发送到因特网。另外，可以从云服务取得报告的批改结果或评价且将其显示在显示部5230上。另外，可以根据评价选择适当的教材且将其显示在显示部5230上。
[0659]
例如，可以从其他数据处理装置接收图像信号且将其显示在显示部5230上。另外，可以将显示部5230靠在支架等上且将显示部5230用作副显示器。由此，例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用平板电脑的方式将图像显示在平板电脑上。
[0660]
《《数据处理装置的结构例子8》》
[0661]
数据处理装置例如包括多个显示部5230(参照图27d)。例如，可以在显示部5230上显示使用检测部5250进行拍摄的图像。此外，可以在检测部上显示所拍摄的图像。另外，可以使用输入部5240进行所拍摄的图像的修饰。此外，可以对所拍摄的图像添加文字。另外，可以将其发送到因特网。另外，具有根据使用环境的照度改变拍摄条件的功能。由此，例如可以以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地看到图像的方式将被摄体显示在数码相机上。
[0662]
《《数据处理装置的结构例子9》》
[0663]
例如,可以通过使用其他数据处理装置作为从(slave)且使用本实施方式的数据处理装置作为主(master)控制其他数据处理装置(参照图27e)。此外，例如，可以将图像数据的一部分显示在显示部5230上且将图像数据的其他一部分显示在其他数据处理装置的显示部上。另外，可以对其他数据处理装置供应图像信号。此外，可以使用通信部5290取得从其他数据处理装置的输入部写入的数据。由此，例如，可以使用可携带的个人计算机利用较大的显示区域。
[0664]
《《数据处理装置的结构例子10》》
[0665]
数据处理装置例如包括检测加速度或方位的检测部5250(参照图28a)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的数据。此外，数据处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成右眼用图像数据及左眼用图像数据。此外，显示部5230包括右眼用显示区域及左眼用显示区域。由此，例如，可以将能够得到逼真感的虚拟现实空间图像显示在护目镜型数据处理装置。
[0666]
《《数据处理装置的结构例子11》》
[0667]
数据处理装置例如包括摄像装置、检测加速度或方位的检测部5250(参照图28b)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的数据。此外，数据处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成图像数据。由此，例如，可以对现实风景添加数据而显示。另外，可以将增强现实空间的图像显示在眼镜型数据处理装置。
[0668]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0669]
[符号说明]
[0670]
ano：导电膜、cfb：着色层、cfg：着色层、cfr：着色层、cfs：间隙、c21：电容器、c22：电容器、g1：导电膜、g2：导电膜、m21：晶体管、n21：节点、n22：节点、s1g：导电膜、s2g：导电膜、sw21：开关、sw22：开关、sw23：开关、vcom2：导电膜、wl1：侧壁、wl2：侧壁、101：电极、102：电极、103：单元、103b：单元、103b2：单元、103g：单元、103g2：单元、103r：单元、103r2：单元、104：层、104b：层、104g：层、104r：层、104s：间隙、105：层、105b：层、105g：层、105r：层、106：层、106(1)：层、106(2)：层、106(13)：层、106b：中间层、106g：中间层、106r：中间层、106s：间隙、111：层、111b：层、111g：层、111r：层、112：层、113：层、150：发光器件、231：显示区域、501c：绝缘膜、501d：绝缘膜、504：导电膜、506：绝缘膜、508：半导体膜、508a：区域、508b：区域、508c：区域、510：基材、512a：导电膜、512b：导电膜、516：绝缘膜、516a：绝缘膜、516b：绝缘膜、518：绝缘膜、519b：端子、520：功能层、520t：区域、524：导电膜、528：分隔壁、528b：开口部、528g：开口部、528r：开口部、550b：发光器件、550g：发光器件、550r：发光器件、551b：电极、551g：电极、551r：电极、552：电极、552b：电极、552g：电极、552r：电极、573：绝缘膜、573a：绝缘膜、573b：绝缘膜、573c：绝缘膜、573d：绝缘膜、573e：绝缘膜、573f：绝缘膜、591b：开口部、591g：开口部、700：显示面板、705：绝缘层、770：基材、1032：单元、5200b：数据处理装置、5210：运算装置、5220：输入输出装置、5230：显示部、5240：输入部、5250：检测部、5290：通信部

技术特征：
1.一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；以及分隔壁，其中，所述第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，所述第一层具有夹在所述第二电极与所述第一电极间的区域，所述第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，所述第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率，所述第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，所述第二层具有夹在所述第四电极与所述第三电极间的区域，所述第二层包含所述第一具有空穴传输性的材料及所述第一具有受体性的物质，所述第二层与所述第一层间具有第一间隙，所述第一间隙具有与所述分隔壁重叠的区域，并且，所述第一间隙防止所述第一层与所述第二层间的电导通。2.一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；以及分隔壁，其中，所述第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元及第一层，所述第二电极与所述第一电极重叠，所述第一单元具有夹在所述第二电极与所述第一电极间的区域，所述第一层具有夹在所述第一单元与所述第一电极间的区域，所述第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，所述第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率，所述第二发光器件包括第三电极、第四电极、第二单元及第二层，所述第四电极与所述第三电极重叠，所述第二单元具有夹在所述第四电极与所述第三电极间的区域，所述第二层具有夹在所述第二单元与所述第一电极间的区域，所述第二层包含所述第一具有空穴传输性的材料及所述第一具有受体性的物质，所述第二层与所述第一层间具有第一间隙，所述分隔壁包括第一开口部及第二开口部，所述第一开口部与所述第一电极重叠，所述第二开口部与所述第三电极重叠，并且，所述分隔壁在所述第一开口部与所述第二开口部间重叠于所述第一间隙。3.根据权利要求2所述的显示面板，其中所述第一发光器件包括第三单元及第一中间层，所述第三单元具有夹在所述第二电极与所述第一单元间的区域，所述第一中间层具有夹在所述第三单元与所述第一单元间的区域，所述第一中间层包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有受体性的物质，
所述第一中间层具有1
×
102[ω
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cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率，所述第二发光器件包括第四单元及第二中间层，所述第四单元具有所述第四电极与所述第二单元间的区域，所述第二中间层具有夹在所述第四单元与所述第二单元间的区域，所述第二中间层包含所述第二具有空穴传输性的材料及所述第二具有受体性的物质，所述第二中间层与所述第一中间层间具有第二间隙，并且所述分隔壁在所述第一开口部与所述第二开口部间重叠于所述第二间隙。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示面板，其中所述第一具有空穴传输性的材料为具有芳香胺化合物或富π电子型杂芳环的有机化合物，并且所述第一具有受体性的物质为包含氟或氰基的有机化合物或者过渡金属氧化物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板，还包括：第一绝缘膜，其中所述第一绝缘膜与所述第一电极间夹持所述第二电极，并且所述第一绝缘膜与所述第三电极间夹持所述第四电极。6.根据权利要求5所述的显示面板，其中所述第一层包括第一侧壁，所述第二层包括第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对，所述第二侧壁与所述第一侧壁间夹持所述第一间隙，并且所述第一绝缘膜与所述第一侧壁及所述第二侧壁接触。7.根据权利要求5或6所述的显示面板，其中所述第一绝缘膜与所述分隔壁接触。8.根据权利要求5至7中任一项所述的显示面板，其中所述第一绝缘膜包括第二绝缘膜及第三绝缘膜，所述第二绝缘膜夹在所述第三绝缘膜与所述第二电极间，所述第二绝缘膜夹在所述第三绝缘膜与所述第四电极间，所述第二绝缘膜包含氧及铝，并且所述第三绝缘膜包含氮及硅。9.根据权利要求8所述的显示面板，其中所述分隔壁与所述第二绝缘膜接触，并且所述分隔壁包含氮及硅。10.根据权利要求2至9中任一项所述的显示面板，还包括：绝缘层，其中所述绝缘层填充所述第一间隙，并且所述绝缘层填充所述第一单元与所述第二单元间。11.根据权利要求3所述的显示面板，还包括：第一着色层；以及第二着色层，
其中所述第一着色层与所述第一发光器件重叠，所述第二着色层与所述第二发光器件重叠，所述第二着色层与所述第一着色层间具有第三间隙，所述第二着色层在所述第一着色层一侧包括第一侧壁，所述第四单元包括与第一侧壁连续的第二侧壁，并且所述第二单元包括与第二侧壁连续的第三侧壁。12.根据权利要求1至10中任一项所述的显示面板，还包括：功能层；第一像素；以及第二像素，其中所述第一像素包括所述第一发光器件及像素电路，所述功能层包括所述像素电路及具有透光性的区域，所述像素电路与所述第一发光器件电连接，具有透光性的所述区域透过所述第一发光器件所发射的光，并且所述第二像素包括所述第二发光器件。13.一种数据处理装置，包括：键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置和姿态检测装置中的一个以上；以及权利要求1至12中任一项所述的显示面板。14.一种显示面板的制造方法，包括如下步骤：在第一步骤中，形成第一电极及第二电极；在第二步骤中，在所述第一电极与所述第二电极间形成分隔壁；在第三步骤中，在所述第一电极及所述第二电极上形成第一层；在第四步骤中，在所述第一层上形成第一单元；在第五步骤中，在所述第一单元上形成第三电极；在第六步骤中，利用光蚀刻法去除所述第二电极上的所述第一层、所述第一单元及所述第三电极来形成第一发光器件；在第七步骤中，在所述第三电极及所述第二电极上形成第二层；在第八步骤中，在所述第二层上形成第二单元；在第九步骤中，在所述第二单元上形成第四电极；以及在第十步骤中，利用光蚀刻法去除所述第三电极上的所述第二层、所述第二单元及所述第四电极来以与所述第一发光器件分离的方式形成第二发光器件。15.一种显示面板的制造方法，包括如下步骤：在第一步骤中，形成第一电极及第二电极；在第二步骤中，在所述第一电极与所述第二电极间形成分隔壁；在第三步骤中，在所述第一电极及所述第二电极上形成层；在第四步骤中，在所述层上形成第一单元；在第五步骤中，在所述第一单元上形成中间层；在第六步骤中，在所述中间层上形成第二单元；
在第七步骤中，在所述第二单元上形成导电膜；以及在第八步骤中，利用光蚀刻法去除所述分隔壁上的所述层、所述第一单元、所述中间层、所述第二单元及所述导电膜来形成第一发光器件及第二发光器件。

技术总结
提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。该显示面板包括第一发光器件、第二发光器件及分隔壁，第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层具有夹在第二电极与第一电极间的区域。第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，并具有指定电阻率。第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层具有夹在第四电极与第三电极间的区域。第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有受体性的物质，并与第一层间具有第一间隙。第一间隙具有与分隔壁重叠的区域，而防止第一层与第二层间的电导通。而防止第一层与第二层间的电导通。而防止第一层与第二层间的电导通。


技术研发人员：山崎舜平 江口晋吾 濑尾哲史 冈崎健一
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2023/8/9