一种测试结构、晶粒、硅晶元、芯片及系统的制作方法

1.本技术涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种测试结构、晶粒、硅晶元、芯片及系统。


背景技术：

2.硅中介层(interposer)晶圆，可以用于承载die(晶粒)。
3.硅中介层晶圆包括各种层级结构，如硅中介层晶圆的ild(inter/intra layer dielectric，后段绝缘层结构)，其具有多层结构，不同结构通过金属线与硅中介层晶圆表面的bump(金属凸点)连接，由此，die可以通过自身的金属凸点与硅中介层晶圆的金属凸点连接，从而使得die可以与硅中介层晶圆内部各层连接。
4.在硅中介层晶圆的各层结构进行测试时，通常使用die与被测结构连接，die表面设置有pad(触点)，触点可以连接测试设备，die中会使用金属线将金属凸点和触点连接，从而使得被测结构能够与测试设备连接，以进行测试。
5.目前，在进行测试时，对于硅中介层晶圆中的同一被测结构，通常需要将该结构的两端分别与测试设备连接，这使得对同一被测结构进行测试需在die中设计两个触点。而硅中介层晶圆中具有较多层被测结构，若每一层被测结构均设置对应的触点与金属凸点，并将每一触点分别与一个金属凸点连接，则会导致die中的电路复杂。且die本身作为一种测试用的芯片，需进行流片，若die的结构过于复杂，则会增加die的流片成本，die的流片成本增加的同时会增加晶圆的测试成本。


技术实现要素：

6.有鉴于此，本技术旨在一种测试结构、晶粒、硅晶元、芯片及系统，以降低die中的电路复杂度，从而降低被测晶圆的测试成本。
7.第一方面，本技术提供一种测试结构，包括：触点、多路选择器和多个金属凸点；所述触点用于与测试设备电连接；不同所述金属凸点用于分别与被测晶圆的不同被测结构电连接；所述触点通过所述多路选择器与所述金属凸点连接；所述多路选择器用于控制所述触点与任意所述被测结构对应所述金属凸点之间的连通；其中，所述测试设备用于向所述被测结构发出测试信号，以对所述被测结构进行测试。
8.本技术实施例中，测试结构包括触点与金属凸点，触点可以使得测试结构能够与测试设备连接，金属凸点可以使得测试结构能够与被测晶圆的不同被测结构连接，由此，可以使得测试设备能够通过测试结构连接被测晶圆，实现对晶圆的测试。其中，在触点与金属凸点之间设置多路选择器，通过多路选择器可以使得单个触点能够可选择地与多个金属凸点选通，从而实现通过单个触点能够与不同被测结构选通，减少触点的使用数量，以及简化触点与金属凸点之间的连接方式，相较于现有技术，本技术实施例可以使用较少的触点对不同的被测结构进行测试，测试结构简单，将该测试结构应用于晶粒时，可以有效降低触点的设置需求，从而降低晶粒中的电路复杂度，降低晶粒的流片成本，进而降低被测晶圆的测
试成本。
9.一实施例中，所述触点包括第一触点和第二触点；所述第一触点用于与所述测试设备电连接；所述第二触点用于与控制设备电连接；所述多路选择器包括输入端、输出端和控制端，所述输入端与所述第一触点电连接，所述输出端与所述金属凸点电连接，所述控制端与所述第二触点电连接，所述控制设备用于通过所述第二触点向所述多路选择器发送控制信号，所述控制信号用于控制所述多路选择器的选通。
10.本技术实施例中，触点包括第一触点和第二触点，第一触点与测试设备电连接，多路选择器的输入端与第一触点电连接，多路选择器的输出端与金属凸点连接，由此，测试设备可以通过多路选择器实现与不同被测结构之间的连接，进而便于测试。其中，将多路选择器的选择端与第二触点连接，第二触点用于与控制设备连接，控制设备可以通过输出控制信号控制多路选择器的选通，实现不同被测结构的选择。相较于使用不同触点分别连接不同被测结构，通过上述测试结构，可以在测试时利用控制设备选择被测结构，无需将测试设备的探针从当前触点取出并接入其他触点，提高测试效率。
11.一实施例中，所述被测结构包括第一端和第二端，所述第一端和所述第二端分别与不同的金属凸点电连接；所述触点还包括第三触点，所述第三触点用于与所述测试设备电连接；所述第一触点通过所述多路选择器与不同所述被测结构各自的第一端对应的所述金属凸点电连接，所述第三触点分别与不同所述被测结构各自第二端对应的所述金属凸点电连接。
12.测试设备通常包括两个探针，每一探针均需接入被测结构以形成回路进行测试。本实施例中，将所有被测结构的第一端通过多路选择器与第一触点连接之后，可以通过多路选择器实现被测结构的选择，且在当所有被测结构与相同的触点连接时，不影响通过多路选择器对被测结构的选择。因此，将所有被测结构各自第二端对应的金属凸点与第三触点电连接，则可以使用一个第三触点与多个被测结构的连接，从而减少与第二端连接所需的触点数量。
13.一实施例中，所述控制设备为输出电平的设备，所述多路选择器包括传输门组，所述传输门组包括多个传输门；各所述传输门的输入端与所述第一触点电连接，各所述传输门的输出端分别与不同所述被测结构对应的金属凸点电连接；各所述传输门的控制端分别与所述第二触点电连接。
14.传输门为一种选择开关器件，其通过控制端输入的电平实现导通与关断。本技术实施例中，可以使用传输门组成的传输门组作为多路选择器，从而通过输入电平信号控制传输门的导通，进而控制测试设备与被测结构的导通，由此，使得多路选择器可以被简单的电平信号控制，简化对多路选择器进行控制的复杂程度。
15.一实施例中，所述多路选择器还包括反相器；所述传输门组包括具有相同导通电压的第一传输门和第二传输门；每个所述传输门包括两个控制端；所述第一传输门和所述第二传输门均通过所述反相器与所述第二触点电连接，所述第一传输门与所述第二传输门各自以不同的控制端与所述反相器电连接，以及所述第一传输门与所述第二传输门各自的另一控制端与所述第二触点电连接。
16.传输门的两个控制端中，当特定一端处于高电平，另一端处于低电平时传输门导通，反之，传输门为开路。本技术实施例中，通过反相器，可以使得可以使用一个触点输入电
平信号即可控制传输门的导通。而第一传输门和第二传输门以不同的控制端连接反相器和第二触点，由此，第二触点输入的电平信号可以使得其中一个传输门开启，另一传输门关闭。通过上述设置，可以使用一个触点实现对两个传输门的控制，减少触点的使用数量。
17.一实施例中，所述测试结构还包括电源触点，所述电源触点与所述多路选择器电连接，所述电源触点用于连接电源。
18.本技术实施例中，电源触点可以外接电源，当测试结构包括有源器件时，如多路选择器，将电源触点与多路选择器连接，由此，可以使用外接的电源为测试结构供电，以使多路选择器能够正常工作。
19.第二方面，本技术实施例提供一种晶粒，晶粒包括如第一方面任一项所述的测试结构。
20.第三方面，本技术实施例提供一种硅晶元，硅晶元包括如第二方面所述的晶粒。
21.第四方面，本技术实施例提供一种芯片，芯片包括如第二方面所述的晶粒。
22.第五方面，本技术实施例提供一种测试系统，包括：如第一方面所述的测试结构；测试设备，与所述测试结构连接。
23.一实施例中，测试结构为第一方面第一种实施例至第四种实施例中所述的测试结构；所述测试系统还包括控制设备，所述控制设备与所述测试结构的第二触点电连接。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
25.图1为本技术实施例提供一种测试结构的示意图；
26.图2为本技术实施例提供一种测试结构的电路示意图；
27.图3为本技术实施例提供的测试结构与被测晶圆的连接示意图；
28.图4为本技术实施例提供的一种可选的传输门组的示意图；
29.图5为本技术实施例提供的一种可选的场效应管多路选择器的示意图；
30.图6为本技术实施例提供的芯片的结构示意图；
31.图7为本技术实施例提供的测试系统的结构示意图。
32.图标：测试结构100；触点110；多路选择器120；金属凸点130；芯片200；晶粒210；硅中介层220；测试系统300；测试设备310；控制设备320。
具体实施方式
33.为了使本技术实施例的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
34.为便于理解，在对本技术进行说明前，先对本技术所针对的场景进行说明。
35.晶圆在制备完成之后，通常需进行可靠性测试，例如，interposer(硅中介层晶圆，简称为硅中介层)，所需进行的可靠性测试包括电迁移测试、温度循环测试、应力迁移测试、
有偏温湿度测试等。不同的测试均需要测试设备与被测晶圆的内部结构连接，被测晶圆内部的不同层级结构通过表面的bump(金属凸点)引出，而测试设备的探针无法直接与金属凸点连接，通常需要将金属凸点与pad(触点)连接，pad可以用于测试设备的探针的插入，从而使得测试设备能够与被测晶圆与金属凸点连接，以对被测晶圆进行测试。
36.目前，针对被测晶圆中每一层级结构，通常使用不同的触点连接不同的层级结构，一个层级结构可能需要2个以上的触点，在该情况下，若每一层级结构分别使用不同的触点，不同触点无法复用，则会导致触点较多，且触点与金属凸点之间的金属线连接复杂。例如，被测晶圆中被测的结构有三个，则可能需要6个及以上的触点。
37.其中，由于触点和金属凸点是制备在die(晶粒)上的，通过将die和被测晶圆焊接，使得测试设备能够通过die对被测晶圆进行测试。若触点过多且结构复杂，则会使得die的面积浪费，甚至可能需使用多个不同的die对同一被测晶圆进行测试，使得die的流片成本较高，从而使得对被测晶圆的测试成本较高。
38.为解决上述问题，本技术提供一种测试结构、晶粒、晶圆、芯片及系统。其中，测试结构包括多路选择器120，通过多路选择器120实现触点与多个金属凸点之间的选通，从而可以实现使用一个金属触点与被测晶圆的多个层级结构之间的选通，简化触点与被测晶圆之间的连接结构，降低测试成本。此外，该测试结构可以设置在晶粒上，以降低晶粒上需设置的触点数量，降低晶粒内的电路复杂度。
39.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的一种测试结构的示意图。测试结构包括：触点110、多路选择器120和多个金属凸点130。
40.触点110，用于与测试设备电连接。
41.本实施例中，触点110的晶圆后段工艺生成的一种结构，通常为矩形，但不作为限制。在对被测晶圆进行电性测试时，测试设备的探针需要扎在触点110上，从而通过触点110与所测电路进行电性连接。其中，本技术实施例中的被测晶圆可以是硅中介层晶圆，硅中介层为硅中介层晶圆的简称，后续将不再重复说明。
42.本实施例中，测试设备用于对被测晶圆的被测结构发出测试信号，以对被测结构进行测试。其中，测试设备包括但不限于电迁移测试、温度循环测试、应力迁移测试、有偏温湿度测试等测试的设备。
43.其中，上述触点110和测试设备的具体实现可以参考现有技术，在此不进行赘述。
44.多个金属凸点130，不同的金属凸点130用于分别与被测晶圆的不同被测结构电连接。
45.被测晶圆内部各层被测结构通过金属凸点130引出至被测晶圆表面，不同的被测结构分别与被测晶圆上不同的金属凸点连接。本实施例中，在测试结构上设置金属凸点130，以使测试结构能够通过金属凸点130与被测晶圆连接。其中，在测试结构上设置多个金属凸点130，测试结构上每一金属凸点130可以分别与被测晶圆上不同被测结构对应的金属凸点连接，由此，使得测试结构能够与不同的被测结构电性连接。
46.在测试结构中，触点110和多路选择器120之间，以及多路选择器120和金属凸点130之间可以通过金属线等具有导电性能的导线连接，由此，测试设备可以通过触点110实现与被测晶圆中不同被测结构之间的连接。
47.多路选择器120，连接于触点110与金属凸点130之间，多路选择器120用于控制触
点110与任意被测结构对应金属凸点130之间的连通。
48.本实施例中，多路选择器120的输入端可以与触点110连接，多路选择器120包括多个输出端，不同的输出端可以分别与不同的金属凸点130连接。在多路选择器120中，可以受控将输入端与任一输出端导通，从而使得触点110与多个金属凸点130中的任意一个金属凸点130导通。
49.通过多路选择器120，可以使用一个触点110连接多个金属凸点130，相较于现有技术中一个触点110与一个金属凸点130连接的方式，可以有效减少触点110的使用数量，以及将该测试结构应用于晶粒时，可以降低晶粒内部的电路复杂度。
50.一实施例中，触点110可以包括第一触点110和第二触点110，第一触点110用于与测试设备电连接，第二触点110用于与控制设备电连接。多路选择器120包括输入端、输出端和控制端，输入端与第一触点110电连接，输出端与金属凸点130电连接，控制端可以与第二触点110电连接，控制设备用于通过第二触点110向多路选择器120发送控制信号，控制信号用于控制多路选择器120的选通。
51.例如图2所示，本实施例中，第一触点pad1可以通过选择电路分别与多个金属凸点bump连接，从而减少触点在晶粒中所需设置的数量。可以理解，图2仅为本技术实施例提供的一种可选的具体的测试结构的电路图，但不代表本技术实施例仅可采用图2所示的结构实施。
52.可以理解，在本技术实施例中还可以包括更多的金属凸点130。
53.本实施例中，多路选择器120可以接收外部输入的控制信号，以通过控制信号控制多路选择器120各支路的选通。该多路选择器120可以包括输入端、多个输出端和控制端，输入端与第一触点pad1连接，多个输出端分别与不同的金属凸点bump连接。其中，还可以设置第二触点pad2与多路选择器120的控制端连接，以通过第二触点pad2输入控制信号控制多路选择器120的选通。具体实现形式可参考图2所示。
54.在本技术实施例中，可以将第二触点pad2与控制设备连接，控制设备可以向多路选择器120发送控制信号，从而控制多路选择器120中的任意支路连通，使得第一触点与该支路对应的金属凸点130连通，以使得测试设备能够对该金属凸点130对应的被测结构进行测试。此外，需要说明的是，测试设备和控制设备可以是同一设备，也可以是不同设备，当测试设备和控制设备为相同设备时，测试设备输出控制信号的端口与第二触点连接，以使测试设备可以向多路选择器120发送控制信号。
55.请参阅图3，图3为本技术实施例提供的测试结构与被测晶圆的连接示意图。其中，interposer表示硅中介层晶圆，本技术中的被测晶圆可以为硅中介层晶圆，mx+1和mx分别表示硅中介层晶圆中的不同被测结构。如图3所示，被测晶圆中，被测结构与晶圆表面的金属凸点130连接，晶圆的金属凸点和测试结构的金属凸点130对应连接，从而使得测试结构与被测晶圆中各被测结构电性连接，以使得测试设备能够对各被测结构进行测试。
56.一实施例中，被测结构可以包括第一端和第二端，第一端和所述第二端分别与不同的金属凸点电连接；触点110还可以包括第三触点，第三触点用于与测试设备电连接；第一触点通过多路选择器120与不同被测结构各自的第一端对应的金属凸点电连接，第三触点分别与不同所述被测结构各自第二端对应的金属凸点电连接。
57.测试设备通常需要使用两个探针分别与被测结构连接，使得被测结构与测试设备
之间形成回路以进行测试。本实施例中，将被测结构的第一端通过选择电路与相同电路连接，使得第一触点与各被测结构之间能够任意选择导通的支路，由此，对被测结构的各第二端可以连接相同的第三触点且不影响被测结构的选择，相较于现有技术中各被测结构的第二端分别连接不同的触点，可以减少各被测结构第二端对应触点在晶粒中的使用数量。
58.一实施例中，多路选择器120可以包括传输门组，传输门组包括多个传输门；各传输门的输入端与第一触点电连接，各传输门的输出端分别与不同被测结构对应的金属凸点电连接；各传输门的控制端分别与第二触点电连接。
59.传输门为一种开关器件，可以根据输入的电平不同从而实现导通与关断。本实施例中，可以使用由多个传输门组成的传输门组作为多路选择器120，控制设备可以是输出电平信号的设备，通过将不同的传输门分别与第二触点连接，以及将控制设备与第二触点连接，使得控制设备可以向各传输门输出控制信号，以控制任意被测结构与第一触点之间的导通。
60.如图2所示的tg1和tg2中，传输门包括输入端、输出端和两个控制端，tg1和tg2中与pad1连接的一端为输入端，与bump连接的一端为输出端，分别与pad2连接的两端为控制端。图示的传输门的不同控制端以圆圈进行区分，传输门的具体电路结构及符号可以参考现有技术，在此不进行赘述。
61.通过两个控制端分别输入不同的电平以控制该传输门中输入端、输出端的导通和关断。例如，在输入端和输入端的电平固定的情况下，传输门的两个控制端分别为第一控制端和第二控制端，向传输门的第一控制端输入高电平，第二控制端输入低电平，则该传输门导通；向第一控制端输入低电平，第二控制端输入高电平，则该传输门关断。
62.在本实施例中，可以在传输门任意一个控制端与触点之间通过反向器连接，反相器可以改变触点输入的电平信号，例如，高电平信号改变为低电平信号，低电平信号变为高电平信号，由此，可以使用一个触点对传输门的导通与关断进行控制，实现开关功能。
63.其中，在多路选择器120为传输门组时，第二触点可以具有多个，每一触点分别与不同传输门的控制端连接。例如，请参阅图4，图4为本技术实施例提供的传输门组的示意图，tg1、tg2、tgn分别表示不同的传输门，当传输门组包括两个及以上的传输门时，不同的传输门的一个控制端分别与不同反相器连接，各反相器与不同的第二触点连接，不同的传输门的另一控制端与反相器对应的第二触点连接。可以理解，图4所示的传输门组仅为示例，不应成为对本技术的限制。
64.在一些实施例中，还可以使用一个触点控制两个传输门，在该电路中，传输门组包括具有相同导通电压的第一传输门和第二传输门；第一传输门和第二传输门均通过反相器与第二触点电连接，第一传输门与第二传输门各自以不同的控制端与反相器电连接，以及第一传输门与第二传输门各自的另一控制端与第二触点电连接。
65.例如，如图2所示，图2中，tg1和tg2分别为第一传输门和第二传输门，图中与tg1和tg2连接的圆圈用于区分传输门的不同控制端，invertor为反相器，pad1、pad2和pad3分别为第一触点110、第二触点110和第三触点110，vdd和vss为电源触点110，bump为金属凸点130。第一传输门和第二传输门的不同控制端与反相器连接，各自的另一控制端与第二触点电连接，由此，通过第二触点输入电平时，第一传输门和第二传输门呈不同的开关状态，从而实现电路的选择。例如，第二触点输入低电平时，与反相器连接的控制端处于高电平，与
第二触点直接连接的控制端处于低电平，此时，第一传输门tg1导通，第二传输门tg2关断，反之，第二触点输入高电平时，第二传输门tg2导通，第一传输门tg1关断。请结合图3，当tg1导通tg2关断时，pad1与mx层导通，当tg2导通tg1关断时，pad1与mx+1层导通，由此，通过第一传输门和第二传输门构建的多路选择器120，实现对不同被测结构的选通。
66.上述第一传输门和第二传输门的组合是本技术实施例提供的多路选择器120的最小电路，在一些实施例中，可以设置多路选择器120中可以设置多组第一传输门、第二传输门和反相器的电路组合，每一电路组合分别与两个被测结构对应的金属凸点连接，每一组电路组合分别与一个第二触点连接。相较于现有技术中将被测结构分别与触点110连接的方式，可以减少触点110的使用。
67.示例性地，当被测结构有两层时，每一被测结构分别接连需四个触点，而本技术所提供测试结构包括与测试设备连接的两个触点和多路选择器120连接的一个触点，共计三个触点，减少一个触点的使用。当被测结构有四层时，每一被测结构分别接连需八个触点，所使用的触点包括与测试设备连接的两个触点和多路选择器120连接的两个触点，共计四个触点，减少四个触点的使用。
68.在一些其他的实施方式中，多路选择器120还可以包括多个其他类型具有开关性质的器件组成的电路。例如，由三极管、场效应管等，多路选择器120的实现电路可以根据所使用的开关器件进行设置，例如，图5为本技术实施例提供的场效应管多路选择器的示意图，如图5所示，多路选择器可以是多个并列设置的场效应管，各场效应管的栅极均与第二触点连接，不同场效应管的漏极分别与不同的金属凸点连接等，在此不再赘述。
69.一实施例中，测试结构还可以包括电源触点，电源触点与多路选择器120电连接，所述电源触点用于连接电源。
70.本实施例中，测试结构中的多路选择器120包括有源器件，如传输门、反相器等，以及测试结构所在晶粒中还可能设置其他需要电源的功能电路或器件，多路选择器120或其他器件需连接电源，在测试结构中设置电源触点，将电源与电源触点连接之后，电源可以为测试结构中包括多路选择器120在内的各器件供电，以使测试可以正常进行。
71.可选的，在一些实施例中，电源也可以集成于测试结构中。在另一些实施例中，也可以不单独设置电源触点，而是由测试设备为测试结构中的各有源器件供电。
72.本技术实施例中，测试结构包括触点110与金属凸点130，触点110可以使得测试结构能够与测试设备连接，金属凸点130可以使得测试结构能够与被测晶圆的不同被测结构连接，由此，可以使得测试设备能够通过测试结构连接被测晶圆，实现对被测晶圆的测试。其中，在触点110与金属凸点130之间设置多路选择器120，通过多路选择器120可以使得单个触点110能够可选择地与多个金属凸点130选通，从而实现通过单个触点110能够与不同被测结构选通，减少触点110的使用数量，以及简化触点110与金属凸点130之间的连接方式，相较于现有技术，本技术实施例可以使用较少的触点110对不同的被测结构进行测试，测试结构简单，将该测试结构应用于晶粒时，可以有效降低触点的设置需求，从而降低晶粒中的电路复杂度，降低晶粒的流片成本，进而降低对被测晶圆的测试成本。
73.基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种晶粒，晶粒中设置有上述测试结构。
74.本实施中，上述测试结构可以在晶粒上实现，该晶粒可以通过金属凸点和被测晶圆或其他类型的被测晶粒电连接，从而可以使用该晶粒对被测晶圆或其他类型的被测晶粒
进行测试。
75.可以理解，晶粒为对硅晶元进行切割得到，基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种硅晶元，硅晶元包括多个上述实施例提供的晶粒。该硅晶元在被切割之后，可以得到包括上述测试结构的晶粒。
76.基于同一发明构思，本技术实施例中还提供一种芯片200，请参阅图6，图6为本技术实施例提供的一种芯片200的结构示意图，本技术所提供的芯片200包括：晶粒210和硅中介层220。
77.晶粒210包括上述实施例提供的测试结构。其中，晶粒210还可以为上述实施例所提供的晶粒210。
78.晶粒210的表面包括触点，晶粒210背离触点所在表面的另一表面上包括金属凸点。硅中介层220，表面包括金属凸点，每一金属凸点分别与硅中介层220中不同的层级结构连接。晶粒210和硅中介层220之间通过金属凸点电性连接，例如晶粒210和硅中介层220之间可以通过金属凸点连接，其中，连接方式可以是通过金属焊接。本实施例中，硅中介层可以通过晶粒进行测试，而硅中介层具有较大面积，可以连接其他类型的晶粒，由此，可以将其他类型的晶粒与硅中介层连接，以封装芯片。因此，在硅中介层的测试通过之后，可以将晶粒和硅中介层封装为芯片进行使用，或在硅中介层上连接其他类型的晶粒，共同封装为所需求的芯片等。
79.基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种测试系统300，请参阅图7，图7为本技术实施例提供的一种测试系统300的结构示意图。测试系统300包括：上述任意实施例提供的测试结构和测试设备310。
80.一实施例中，测试设备310可以具有探针和测试设备310主体，探针的一端与测试设备310主体连接，另一端通过测试结构的触点与测试结构连接。
81.一实施例中，测试系统300还包括控制设备320，控制设备320与测试结构中多路选择器对应的第二触点连接。
82.本实施例中，控制设备320为输出控制信号的设备，控制设备320的类型可以根据多路选择器所需控制信号合理选择。例如，当多路选择器包括传输门时，控制设备320可以为输出高低电平的设备。当多路选择器包括其他开关器件时，控制设备320还可以输入其他控制信号的设备，例如，电压信号、电流信号等。
83.此外，控制设备320和测试设备310可以是不同设备或相同设备。当控制设备320和测试设备310为相同设备时，控制设备320和测试设备310的功能可以由所在设备的不同模块实现。
84.以上对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
85.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
86.在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域
的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
87.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种测试结构，其特征在于，包括：触点、多路选择器和多个金属凸点；所述触点用于与测试设备电连接；不同所述金属凸点用于分别与被测晶圆的不同被测结构电连接；所述触点通过所述多路选择器与所述金属凸点连接；所述多路选择器用于控制所述触点与任意所述被测结构对应所述金属凸点之间的连通；其中，所述测试设备用于向所述被测结构发出测试信号，以对所述被测结构进行测试。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述触点包括第一触点和第二触点；所述第一触点用于与所述测试设备电连接；所述第二触点用于与控制设备电连接；所述多路选择器包括输入端、输出端和控制端，所述输入端与所述第一触点电连接，所述输出端与所述金属凸点电连接，所述控制端与所述第二触点电连接，所述控制设备用于通过所述第二触点向所述多路选择器发送控制信号，所述控制信号用于控制所述多路选择器的选通。3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述被测结构包括第一端和第二端，所述第一端和所述第二端分别与不同的金属凸点电连接；所述触点还包括第三触点，所述第三触点用于与所述测试设备电连接；所述第一触点通过所述多路选择器与不同所述被测结构各自的第一端对应的所述金属凸点电连接，所述第三触点分别与不同所述被测结构各自第二端对应的所述金属凸点电连接。4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述控制设备为输出电平的设备，所述多路选择器包括传输门组，所述传输门组包括多个传输门；各所述传输门的输入端与所述第一触点电连接，各所述传输门的输出端分别与不同所述被测结构对应的金属凸点电连接；各所述传输门的控制端分别与所述第二触点电连接。5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述多路选择器还包括反相器；所述传输门组包括具有相同导通电压的第一传输门和第二传输门；每个所述传输门包括两个控制端；所述第一传输门和所述第二传输门均通过所述反相器与所述第二触点电连接，所述第一传输门与所述第二传输门各自以不同的控制端与所述反相器电连接，以及所述第一传输门与所述第二传输门各自的另一控制端与所述第二触点电连接。6.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括电源触点，所述电源触点与所述多路选择器电连接，所述电源触点用于连接电源。7.一种晶粒，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的测试结构。8.一种硅晶元，其特征在于，包括：如权利要求7所述的晶粒。9.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求7所述的晶粒；硅中介层；所述晶粒与所述硅中介层通过金属凸点电连接。10.一种测试系统，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的测试结构；测试设备，与所述测试结构连接。
11.根据权利要求10所述的测试系统，其特征在于，所述测试结构为权利要求2-5任一项所述的测试结构；所述测试系统还包括控制设备，所述控制设备与所述测试结构的第二触点电连接。

技术总结
本申请提供一种测试结构、晶粒、硅晶元、芯片及系统，涉及半导体器件领域。测试结构包括：触点、多路选择器和多个金属凸点；所述触点用于与测试设备电连接；不同所述金属凸点用于分别与被测晶圆的不同被测结构电连接；所述触点通过所述多路选择器与所述金属凸点连接；所述多路选择器用于控制所述触点与任意所述被测结构对应所述金属凸点之间的连通；其中，所述测试设备用于向所述被测结构发出测试信号，以对所述被测结构进行测试。上述测试结构在应用于晶粒时，可以降低触点的设置需求，从而降低晶粒中的电路复杂度，从而降低晶粒的流片成本，进而降低对被测晶圆的测试成本。进而降低对被测晶圆的测试成本。进而降低对被测晶圆的测试成本。


技术研发人员：龚加玮 詹扬扬
受保护的技术使用者：海光信息技术（成都）有限公司
技术研发日：2023.04.24
技术公布日：2023/8/13