一种基于H桥和LC电路的智能电子除垢电路的制作方法

一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路
技术领域
1.本实用新型涉及电子除垢领域，特别是涉及一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路。


背景技术：

2.在工业和日常生活中，冷热水的转换会产生水垢问题，常利用电子除垢仪产生高频电磁场进行除垢。电子除垢仪的优点是除垢、防垢、防锈及杀菌除藻等，其原理主要是电场对水中阴阳离子产生高速碰撞，生成晶体状颗粒，使其丧失聚合的条件，减少水垢的生成。电场的作用使得水中钙镁离子往晶体方向转化，使得水中钙镁离子浓度减少，水中溶液离子本身是处于动态平衡过程，由于电场作用使钙镁离子浓度降低，会促使结垢的块状物慢慢溶解形成钙镁离子，溶解后使得垢层疏松经水流动脱落，达到除垢的目的。
3.现有技术中的电子除垢仪起振较难，对电容电感参数要求高，无法随意扫频，且需要额外设计复杂的外围电路。因此设计一种能克服现有电子除垢仪所存在缺点的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路是非常有必要的。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是提供一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，以解决现有技术中电子除垢仪振荡电路起振困难、对电容电感参数要求高的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
6.一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，包括：
7.h桥电路，用于将直流电压逆变为交变电压；
8.mos管控制电路，与所述h桥电路连接，用于驱动和控制所述h桥电路；
9.lc振荡电路，与所述h桥电路连接，用于将所述交变电压进行振荡，产生高频电磁波。
10.可选地，所述h桥电路包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；
11.所述第一mos管的漏极与所述直流电压连接，所述第一mos管的栅极分别与所述第一电容的一端、所述第一电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第一mos管的源极分别与所述第一电容的另一端、所述第一电阻的另一端、所述第二mos管的漏极和所述lc振荡电路连接；
12.所述第二mos管的栅极分别与所述第二电容的一端、所述第二电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第二mos管的源极分别与所述第二电容的另一端、所述第二电阻的另一端及地连接；
13.所述第三mos管的漏极与所述直流电压连接，所述第三mos管的栅极分别与所述第三电容的一端、所述第三电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第三mos管的源极分别与所述第三电容的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第四mos管的漏极和所述lc振荡
电路连接；
14.所述第四mos管的栅极分别与所述第四电容的一端、所述第四电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第四mos管的源极分别与所述第四电容的另一端、所述第四电阻的另一端及地连接。
15.可选地，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管和所述第四mos管构成h桥电路；所述第一mos管和所述第四mos管组成第一mos管组，所述第二mos管和所述第三mos管组成第二mos管组。
16.可选地，所述lc振荡电路包括：第五电容、第六电容和电感；所述第五电容的一端与所述第一mos管的源极连接，所述第五电容的另一端与所述电感的一端连接；所述电感的另一端与所述第六电容的一端连接；所述第六电容的另一端与所述第三mos管的源极连接。
17.可选地，所述mos管控制电路包括：
18.交替导通模块，分别与所述第一mos管的栅极、所述第二mos管的栅极、所述第三mos管的栅极以及所述第四mos管的栅极连接，用于交替导通所述第一mos管组和所述第二mos管组；
19.控制模块，与所述交替导通模块连接，用于控制与监测所述交替导通模块。
20.可选地，所述交替导通模块包括：第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻；
21.所述第一二极管的负极与所述第五电阻的一端连接，所述第一二极管的正极分别与所述第一mos管的栅极和所述第九电阻的一端连接；所述第五电阻的另一端分别与所述第九电阻的另一端和所述控制模块连接；
22.所述第二二极管的负极与所述第六电阻的一端连接，所述第二二极管的正极分别与所述第二mos管的栅极和所述第十电阻的一端连接；所述第六电阻的另一端分别与所述第十电阻的另一端和所述控制模块连接；
23.所述第三二极管的负极与所述第七电阻的一端连接，所述第三二极管的正极分别与所述第三mos管的栅极和所述第十一电阻的一端连接；所述第七电阻的另一端分别与所述第十一电阻的另一端和所述控制模块连接；
24.所述第四二极管的负极与所述第八电阻的一端连接，所述第四二极管的正极分别与所述第四mos管的栅极和所述第十二电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第十二电阻的另一端和所述控制模块连接。
25.可选地，所述控制模块包括：第一驱动芯片、第二驱动芯片、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第五二极管、第六二极管、第十三电阻和第十四电阻；
26.所述第一驱动芯片的vcc引脚分别与所述第九电容的一端、所述第十电容的一端、所述第十三电阻的一端以及供电电源连接；所述第一驱动芯片的gnd引脚接地；所述第一驱动芯片的vb引脚分别与所述第五二极管的负极和所述第七电容的一端连接；所述第一驱动芯片的ho引脚与所述第五电阻的另一端连接；所述第一驱动芯片的vs引脚分别与所述第七电容的另一端和所述第一mos管的栅极连接；所述第一驱动芯片的lo引脚与所述第六电阻的另一端连接；
27.所述第九电容的另一端分别与所述第十电容的另一端及地连接；所述第十三电阻的另一端与所述第五二极管的正极连接；
28.所述第二驱动芯片的vcc引脚分别与所述第十一电容的一端、所述第十二电容的一端、所述第十四电阻的一端以及供电电源连接；所述第二驱动芯片的gnd引脚接地；所述第二驱动芯片的vb引脚分别与所述第六二极管的负极和所述第八电容的一端连接；所述第二驱动芯片的ho引脚与所述第七电阻的另一端连接；所述第二驱动芯片的vs引脚分别与所述第八电容的另一端和所述第三mos管的栅极连接；所述第二驱动芯片的lo引脚与所述第八电阻的另一端连接；
29.所述第十一电容的另一端分别与所述第十二电容的另一端及地连接；所述第十四电阻的另一端与所述第六二极管的正极连接。
30.根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：
31.本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，不需额外设计复杂的外围电路，只需将mos管设置成h桥电路，在mos管控制电路的控制下实现直流电压逆变为交变电压，lc振荡电路再对交变电压进行振荡从而产生高频电磁波，lc振荡电路比现有技术中的振荡电路对电容电感参数要求低，且起振简单。
附图说明
32.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为现有电子除垢电路的结构框图；
34.图2为现有电子除垢电路的电路示意图；
35.图3为本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路的结构框图；
36.图4为本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路的电路示意图；
37.图5为本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路的pcb图。
具体实施方式
38.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
39.如图1和图2所示，现有的电子除垢电路通过控制一个mos管，对lc串联电路进行充放电，lc相互作用产生振荡，输出正弦波形成交变电磁场。其中lc串联电路的总容抗较大，起振困难，对电容电感参数要求高。
40.本实用新型的目的是提供一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，通过h桥逆变和lc振荡电路产生高频电磁场进行水质除垢，以解决现有技术中电子除垢仪振荡电路起振困难、对电容电感参数要求高的问题。
41.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具
体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
42.如图3所示，本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路包括：mos管控制电路1、h桥电路2和lc振荡电路3；mos管控制电路1包括交替导通模块4和控制模块5。
43.h桥电路2用于将直流电压逆变为交变电压；mos管控制电路1与h桥电路2连接，用于驱动和控制h桥电路2；lc振荡电路3与h桥电路2连接，用于将交变电压进行振荡并产生高频电磁波。
44.进一步地，如图4和图5所示，h桥电路2包括：第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3、第四mos管q4、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、第四电容c4、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3和第四电阻r4。第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3和第四mos管q4构成h桥电路。第一mos管q1和第四mos管q4组成第一mos管组，第二mos管q2和第三mos管q3组成第二mos管组。每个mos管组内各有一只mos管接+24v、另一只mos管接gnd。两组mos管交替开启，产生24v交变电压。
45.第一mos管q1的漏极与直流电压连接，第一mos管q1的栅极分别与第一电容c1的一端、第一电阻r1的一端和mos管控制电路1连接，第一mos管q1的源极分别与第一电容c1的另一端、第一电阻r1的另一端、第二mos管q2的漏极和lc振荡电路3连接。
46.第二mos管q2的栅极分别与第二电容c2的一端、第二电阻r2的一端和mos管控制电路1连接，第二mos管q2的源极分别与第二电容c2的另一端、第二电阻r2的另一端及地连接。
47.第三mos管q3的漏极与直流电压连接，第三mos管q3的栅极分别与第三电容c3的一端、第三电阻r3的一端和mos管控制电路1连接，第三mos管q3的源极分别与第三电容c3的另一端、第三电阻r3的另一端、第四mos管q4的漏极和lc振荡电路3连接。
48.第四mos管q4的栅极分别与第四电容c4的一端、第四电阻r4的一端和mos管控制电路1连接，第四mos管q4的源极分别与第四电容c4的另一端、第四电阻r4的另一端及地连接。
49.第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3和第四电容c4作为预留电容，分别消除了第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3和第四mos管q4的振铃现象。第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3和第四电阻r4保证了第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3和第四mos管的可靠关断。
50.进一步地，lc振荡电路3包括：第五电容c5、第六电容c6和电感l1；第五电容c5的一端与第一mos管q1的源极连接，第五电容c5的另一端与电感l1的一端连接；电感l1的另一端与第六电容c6的一端连接；第六电容c6的另一端与第三mos管q3的源极连接。第五电容c5和第六电容c6串联组成的对称结构能减小总电容容值，总容抗也随之减小。
51.lc振荡电路形成一阶高通滤波，在电感l1产生幅值为110v的正弦波。通过增大lc振荡电路中的电感l1线圈次级初级匝数比，进一步放大输出电压值增强高频电磁场的强度。电感l1线圈内穿铁氧体磁芯，通过铁氧体磁芯环绕在管道上构建电磁场闭环环路，将电感l1线圈产生的电磁场传导到管道周围，以实现高频电磁场振荡去除水垢的目的。
52.进一步地，mos管控制电路1包括：
53.交替导通模块4分别与第一mos管q1的栅极、第二mos管q2的栅极、第三mos管q3的栅极以及第四mos管q4的栅极连接，用于交替导通第一mos管组和第二mos管组。
54.第一mos管组和第二mos管组交替导通产生了24v的交变电压。若第一mos管组和第二mos管组同时导通，会导致出现死区电压，从而造成电源短路，mos管烧毁。
55.控制模块5，与交替导通模块4连接，用于控制与监测交替导通模块4。
56.进一步地，交替导通模块4包括：第一二极管d1、第二二极管d2、第三二极管d3、第四二极管d4、第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10、第十一电阻r11和第十二电阻r12。
57.第一二极管d1的负极与第五电阻r5的一端连接，第一二极管d1的正极分别与第一mos管q1的栅极和第九电阻r9的一端连接；第五电阻r5的另一端分别与第九电阻r9的另一端和控制模块5连接。
58.第二二极管d2的负极与第六电阻r6的一端连接，第二二极管d2的正极分别与第二mos管q2的栅极和第十电阻r10的一端连接；第六电阻r6的另一端分别与第十电阻r10的另一端和控制模块5连接。
59.第三二极管d3的负极与第七电阻r7的一端连接，第三二极管d3的正极分别与第三mos管q3的栅极和第十一电阻r11的一端连接；第七电阻r7的另一端分别与第十一电阻r11的另一端和控制模块5连接。
60.第四二极管d4的负极与第八电阻r8的一端连接，第四二极管d4的正极分别与第四mos管q4的栅极和第十二电阻r12的一端连接；第八电阻r8的另一端分别与第十二电阻r12的另一端和控制模块5连接。
61.进一步地，控制模块5包括：第一驱动芯片u1、第二驱动芯片u2、第七电容c7、第八电容c8、第九电容c9、第十电容c10、第十一电容c11、第十二电容c12、第五二极管d5、第六二极管d6、第十三电阻r13和第十四电阻r14。第一驱动芯片u1和第二驱动芯片u2的监测功能有效防止mos管运行过程中死区的出现(即第一mos管q1和第二mos管q2同时打开或第三mos管q3和第四mos管q4同时打开)，这样会造成+、-电压同时施加在mos管上，从而造成电源短路，mos管烧毁。
62.第一驱动芯片u1的vcc引脚a分别与第九电容c9的一端、第十电容c10的一端、第十三电阻r13的一端以及供电电源连接；第一驱动芯片u1的gnd引脚d接地；第一驱动芯片u1的vb引脚e分别与第五二极管d5的负极和第七电容c7的一端连接；第一驱动芯片u1的ho引脚f与第五电阻r5的另一端连接；第一驱动芯片u1的vs引脚g分别与第七电容c7的另一端和第一mos管q1的栅极连接；第一驱动芯片u1的lo引脚h与第六电阻r6的另一端连接。
63.第九电容c9的另一端分别与第十电容c10的另一端及地连接；第十三电阻r13的另一端与第五二极管d5的正极连接。
64.第二驱动芯片u2的vcc引脚j分别与第十一电容c11的一端、第十二电容c12的一端、第十四电阻r14的一端以及供电电源连接；第二驱动芯片u2的gnd引脚l接地；第二驱动芯片u2的vb引脚m分别与第六二极管d6的负极和第八电容c8的一端连接；第二驱动芯片u2的ho引脚n与第七电阻r7的另一端连接；第二驱动芯片u2的vs引脚o分别与第八电容c8的另一端和第三mos管q3的栅极连接；第二驱动芯片u2的lo引脚p与第八电阻r8的另一端连接。
65.第十一电容c11的另一端分别与第十二电容c12的另一端及地连接；第十四电阻r14的另一端与第六二极管d6的正极连接。
66.在交替导通的过程中，输入的信号经过交替导通模块4后分别送至第一mos管组和第二mos管组。通过高脉冲电流缓冲级控制完成信号缓冲以及电平信号的转换。电平信号为“0”时第二mos管组导通，电平信号为“1”时第一mos管组导通。电平信号初始写“0”时：第三
mos管q3导通，lo引脚由浮空抬压至芯片电源电位，因此lo引脚和com之间产生导通电压vcc，下半桥mos管导通；第二mos管q2导通，ho引脚和vs引脚短路，上半桥mos管关断。电平信号写“1”时：第一mos管q1导通，依靠电容自举，ho引脚和vs引脚间产生导通电压vcc，上半桥mos管导通；第四mos管q4导通，lo引脚和com短路，下半桥mos关断。
67.在本实施例中，电感l1为铁氧体磁芯电感；第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3和第四mos管q4的型号为irf540npbf；第一二极管d1、第二二极管d2、第三二极管d3和第四二极管d4的型号为1n4148ws；第五二极管d5和第六二极管d6的型号为ss54；第一驱动芯片u1和第二驱动芯片u2采用英飞凌的mos管驱动芯片，型号均为ir2104strpbf。
68.本实用新型提供的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，不需额外设计复杂的外围电路，只需将mos管设置成h桥电路，在mos管控制电路的控制下实现直流电压逆变为交变电压，lc振荡电路利用电容的隔直通交作用再对交变电压进行振荡从而产生高频电磁波，lc振荡电路比现有技术中的振荡电路对电容电感参数要求低，且起振简单。
69.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
70.本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的电路及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

技术特征：
1.一种基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，包括：h桥电路，用于将直流电压逆变为交变电压；mos管控制电路，与所述h桥电路连接，用于驱动和控制所述h桥电路；lc振荡电路，与所述h桥电路连接，用于将所述交变电压进行振荡，产生高频电磁波。2.根据权利要求1所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述h桥电路包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第一mos管的漏极与所述直流电压连接，所述第一mos管的栅极分别与所述第一电容的一端、所述第一电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第一mos管的源极分别与所述第一电容的另一端、所述第一电阻的另一端、所述第二mos管的漏极和所述lc振荡电路连接；所述第二mos管的栅极分别与所述第二电容的一端、所述第二电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第二mos管的源极分别与所述第二电容的另一端、所述第二电阻的另一端及地连接；所述第三mos管的漏极与所述直流电压连接，所述第三mos管的栅极分别与所述第三电容的一端、所述第三电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第三mos管的源极分别与所述第三电容的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第四mos管的漏极和所述lc振荡电路连接；所述第四mos管的栅极分别与所述第四电容的一端、所述第四电阻的一端和所述mos管控制电路连接，所述第四mos管的源极分别与所述第四电容的另一端、所述第四电阻的另一端及地连接。3.根据权利要求2所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管和所述第四mos管构成h桥电路；所述第一mos管和所述第四mos管组成第一mos管组，所述第二mos管和所述第三mos管组成第二mos管组。4.根据权利要求3所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述lc振荡电路包括：第五电容、第六电容和电感；所述第五电容的一端与所述第一mos管的源极连接，所述第五电容的另一端与所述电感的一端连接；所述电感的另一端与所述第六电容的一端连接；所述第六电容的另一端与所述第三mos管的源极连接。5.根据权利要求4所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述mos管控制电路包括：交替导通模块，分别与所述第一mos管的栅极、所述第二mos管的栅极、所述第三mos管的栅极以及所述第四mos管的栅极连接，用于交替导通所述第一mos管组和所述第二mos管组；控制模块，与所述交替导通模块连接，用于控制与监测所述交替导通模块。6.根据权利要求5所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述交替导通模块包括：第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻；所述第一二极管的负极与所述第五电阻的一端连接，所述第一二极管的正极分别与所述第一mos管的栅极和所述第九电阻的一端连接；所述第五电阻的另一端分别与所述第九
电阻的另一端和所述控制模块连接；所述第二二极管的负极与所述第六电阻的一端连接，所述第二二极管的正极分别与所述第二mos管的栅极和所述第十电阻的一端连接；所述第六电阻的另一端分别与所述第十电阻的另一端和所述控制模块连接；所述第三二极管的负极与所述第七电阻的一端连接，所述第三二极管的正极分别与所述第三mos管的栅极和所述第十一电阻的一端连接；所述第七电阻的另一端分别与所述第十一电阻的另一端和所述控制模块连接；所述第四二极管的负极与所述第八电阻的一端连接，所述第四二极管的正极分别与所述第四mos管的栅极和所述第十二电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第十二电阻的另一端和所述控制模块连接。7.根据权利要求6所述的基于h桥和lc电路的智能电子除垢电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一驱动芯片、第二驱动芯片、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第五二极管、第六二极管、第十三电阻和第十四电阻；所述第一驱动芯片的vcc引脚分别与所述第九电容的一端、所述第十电容的一端、所述第十三电阻的一端以及供电电源连接；所述第一驱动芯片的gnd引脚接地；所述第一驱动芯片的vb引脚分别与所述第五二极管的负极和所述第七电容的一端连接；所述第一驱动芯片的ho引脚与所述第五电阻的另一端连接；所述第一驱动芯片的vs引脚分别与所述第七电容的另一端和所述第一mos管的栅极连接；所述第一驱动芯片的lo引脚与所述第六电阻的另一端连接；所述第九电容的另一端分别与所述第十电容的另一端及地连接；所述第十三电阻的另一端与所述第五二极管的正极连接；所述第二驱动芯片的vcc引脚分别与所述第十一电容的一端、所述第十二电容的一端、所述第十四电阻的一端以及供电电源连接；所述第二驱动芯片的gnd引脚接地；所述第二驱动芯片的vb引脚分别与所述第六二极管的负极和所述第八电容的一端连接；所述第二驱动芯片的ho引脚与所述第七电阻的另一端连接；所述第二驱动芯片的vs引脚分别与所述第八电容的另一端和所述第三mos管的栅极连接；所述第二驱动芯片的lo引脚与所述第八电阻的另一端连接；所述第十一电容的另一端分别与所述第十二电容的另一端及地连接；所述第十四电阻的另一端与所述第六二极管的正极连接。

技术总结
本实用新型公开一种基于H桥和LC电路的智能电子除垢电路，涉及电子除垢领域，包括H桥电路、MOS管控制电路和LC振荡电路，其中MOS管控制电路驱动和控制H桥电路，H桥电路将直流电压逆变为交变电压，LC振荡电路将交变电压进行振荡产生高频电磁波。本实用新型提供的基于H桥和LC电路的智能电子除垢电路，不需额外设计复杂的外围电路，只需将MOS管设置成H桥电路，在MOS管控制电路的控制下实现直流电压逆变为交变电压，LC振荡电路再对交变电压进行振荡从而产生高频电磁波，LC振荡电路比现有技术中的振荡电路对电容电感参数要求低，且起振简单。且起振简单。且起振简单。


技术研发人员：吴鹏飞 曹源 朱康 周振洋
受保护的技术使用者：瑞纳智能设备股份有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/8/13