空气桥的制造方法以及量子芯片与流程

1.本发明涉及量子芯片制造技术领域，特别是涉及一种空气桥的制造方法以及量子芯片。


背景技术：

2.量子芯片中存在大量的共面波导，由于工艺因素的限制，共面波导的形貌并不完美，总是存在瑕疵，例如对称性不好、边沿不平整、出现间断等，此外，随着量子芯片上的量子比特数量增加，共面波导的数量也增加，导致共面波导的布线变得越来越复杂。为了修正共面波导的瑕疵以及方便共面波导的布线，现有的工艺中引入了空气桥，使用空气桥连接共面波导两侧的接地带。
3.目前的空气桥制造工艺如图1所示，图1中a至e表示工艺流程。首先在基底s上形成用于支撑的光刻胶p1，通过加热回流得到拱面的光刻胶p2，在光刻胶p2上沉积金属层m，然后刻蚀掉多余的金属，最后通过超声清洗等方式去除光刻胶p2，留下的金属结构就成为空气桥。然而，由于这种空气桥的边缘折角处厚度很小，所以结构稳定性很差，在进行超声清洗等工艺去除光刻胶时很容易造成空气桥断裂，以及在去除光刻胶后因缺少支撑容易造成空气桥坍塌。


技术实现要素：

4.本发明的目的是提供一种空气桥的制造方法以及量子芯片，以解决现有技术中空气桥结构稳定性差的问题，能够提高空气桥的结构稳定性。
5.为解决上述技术问题，本发明提供一种空气桥的制造方法，包括：
6.提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底；
7.在所述第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在所述第二光刻胶层上形成暴露出全部所述通孔的开口；
8.以相同厚度形成填充每个所述通孔的第一金属结构以及覆盖所述开口内的第一光刻胶层且与全部所述第一金属结构相连的第二金属结构；
9.去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，以获得空气桥。
10.优选的，所述在所述第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在所述第二光刻胶层上形成暴露出全部所述通孔的开口的步骤包括：
11.在所述第二光刻胶层上曝光出开口图案；
12.对所述开口图案进行显影形成贯通所述第二光刻胶层的开口；
13.在所述开口内的第一光刻胶层上曝光出中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔图案；
14.对每个所述通孔图案进行显影形成通孔。
15.优选的，所述第二金属结构的厚度不超过所述第二光刻胶层的厚度。
16.优选的，所述开口为环形，且所述开口在所述基底上的投影形状的中心线与所述
封闭图形在所述基底上的投影重合。
17.优选的，所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之前或之后，所述制造方法还包括：
18.去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分。
19.优选的，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤包括：
20.形成覆盖所述第一金属结构和所述第二金属结构的第三光刻胶层；
21.在所述第三光刻胶层上曝光出刻蚀图案，所述刻蚀图案为所述第二金属结构高于所述第一金属结构的部分对应的形状；
22.对所述刻蚀图案进行显影形成刻蚀窗口；
23.对所述刻蚀窗口内的第二金属结构进行刻蚀，使得所述刻蚀窗口内的第二金属结构的高度与所述第一金属结构相同。
24.优选的，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤在所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之前时，所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤还包括：去除所述第三光刻胶层。
25.优选的，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤在所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之后时，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤还包括：去除所述第三光刻胶层。
26.优选的，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层采用超声清洗去除。
27.优选的，所述通孔的数量为四个，所述封闭图形和所述通孔的形状均为矩形。
28.为解决上述技术问题，本发明还提供一种量子芯片，包括根据前述任一项所述的空气桥的制造方法得到的空气桥，所述基底包括基片和形成在基片上的共面波导，所述空气桥的至少一个第一金属结构位于所述共面波导的一个接地带上，其余第一金属结构位于所述共面波导的另一个接地带上，所述共面波导的中心导体穿过两个接地带上的第一金属结构之间的空隙，并且两个接地带上的第一金属结构之间的第二金属结构跨设在所述中心导体上方。
29.区别于现有技术的情况，本发明提供的空气桥的制造方法首先提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底，在第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口，然后在每个通孔内填充第一金属结构以及在开口内的第一光刻胶层上覆盖第二金属结构，最后去除第一光刻胶层和第二光刻胶层得到空气桥，第一金属结构作为桥墩，第二金属结构作为连接桥墩的桥面，由于桥墩有至少三根，且全部桥墩两两之间都连接有桥面，结构强度得到加强，从而能够提高空气桥的结构稳定性，在去除光刻胶时，不容易造成结构破坏，且去除光刻胶后，也不容易坍塌。
30.本发明提供的量子芯片包括根据前述空气桥的制造方法得到的空气桥，具有相同的技术效果，此处不再赘述。
附图说明
31.图1为现有技术中空气桥的制造工艺示意图。
32.图2为本发明实施例提供的空气桥的制造方法的流程示意图。
33.图3为制造空气桥的第一套工艺流程图。
34.图4为图3c中a-a方向的剖视示意图。
35.图5为图2所示的制造方法中步骤s2的具体流程示意图。
36.图6为图2所示的制造方法中步骤s5的具体流程示意图。
37.图7为制造空气桥的第二套工艺流程图。
38.图8是制造空气桥的第三套工艺流程图。
39.图9是开口与通孔在基底上的投影位置关系示意图。
40.图10是制造空气桥的第四套工艺流程图。
41.图11是本发明实施例提供的量子芯片的部分结构示意图。
具体实施方式
42.下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
43.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
44.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
45.请结合参考图2和图3，图3中a至g表示工艺流程。本发明实施例提供了一种空气桥的制造方法。该制造方法包括以下步骤：
46.s1：提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底。
47.其中，第一光刻胶层和第二光刻胶层可以通过涂覆光刻胶形成，例如先在基底上通过旋涂方式涂覆光刻胶，光刻胶固化后，形成第一光刻胶层，然后采用同样的方式在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层。如图3a所示，是具有第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底的示意图。基底11上具有依次层叠的第一光刻胶层21和第二光刻胶层22。
48.s2：在第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口。
49.其中，通孔的中心点是通孔形状的几何中心点，如果通孔为圆形，那么中心点为圆心，如果通孔为矩形，那么中心点为对角线的交点。至少三个通孔的中心点分别构成封闭图形的顶点，而至少三个通孔的中心点两两相连就构成封闭图形的边线。通孔的数量可以任意设置，例如可以为三个，此时封闭图形为三角形，也可以为四个，此时封闭图形为四边形，还可以为六个，此时封闭图形为六边形，本实施例优选为四个。进一步的，封闭图形可以是矩形、菱形或其他形状，本实施例优选为矩形，特别是正方形。通孔可以是任意形状，比如矩形、圆形、圆角矩形、三角形等，同样的，本实施例优选为矩形，特别是正方形。如图3b所示，
是在第一光刻胶层和第二光刻胶层上分别形成通孔和开口后的示意图。第一光刻胶层21上形成四个通孔211，通孔211为正方形，四个通孔211的中心点依次连线也构成正方形，第二光刻胶层22上形成开口221，开口221露出四个通孔211，开口221也为正方形，且与四个通孔211的外接正方形重合。
50.s3：以相同厚度形成填充每个通孔的第一金属结构以及覆盖开口内的第一光刻胶层且与全部第一金属结构相连的第二金属结构。
51.其中，由于第一金属结构填充在通孔内，因此第一金属结构的截面形状与通孔形状相同。第二金属结构与全部第一金属结构相连，那么第一金属结构的厚度应当大于通孔的深度，这样才能与第二金属结构相连。第二金属结构的覆盖开口内的第一光刻胶层，但是避开全部通孔。第一金属结构作为空气桥的桥墩，第二金属结构作为空气桥的桥面，由于桥墩有至少三根，且所有桥墩两两之间都连接有桥面，因此空气桥的结构强度得到加强。
52.如图3c所示，是形成第一金属结构和第二金属结构后的示意图。第一金属结构31形成在通孔211内，第二金属结构32形成在开口221内的第一光刻胶层21上，并且与第一金属结构31相连，由于第一金属结构31与第二金属结构32的厚度相等，第二金属结构32必然高于第一金属结构31。
53.第一金属结构和金属层可以采用磁控溅射、蒸发等沉积工艺形成。在沉积金属材料时，每个位置沉积的金属厚度均相同，所以第二金属结构的厚度与第一金属结构相同，由于第二金属结构形成在第一光刻胶层上，第一金属结构形成在通孔内，所以第二金属结构高于第一金属结构。又由于第一金属结构与第二金属结构相连，所以第一金属结构会高出通孔。如图4所示，通孔211内的第一金属结构31的厚度与第一光刻胶层21上的第二金属结构32的厚度相同，均为h。
54.s4：去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，以获得空气桥。
55.其中，第一光刻胶层和第二光刻胶层可以用多种方式去除，例如超声清洗、反应离子刻蚀等，本实施例中，第一光刻胶层和第二光刻胶层优先采用超声清洗去除。由于空气桥具有至少三根桥墩，结构稳定性很高，在进行超声清洗等工艺去除第一光刻胶层和第二光刻胶层时，不容易造成结构破坏，且去除第一光刻胶层和第二光刻胶层后，也不容易坍塌。如图3d所示，是第一光刻胶层和第二光刻胶层去除后的示意图。第一光刻胶层21和第二光刻胶层22被去除后，基底11上仅保留第一金属结构31和第二金属结构32。
56.通过上述方式，本发明提供的空气桥的制造方法首先提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底，在第一光刻胶层上形成至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口，然后在每个通孔内填充第一金属结构以及在开口内的第一光刻胶层上覆盖第二金属结构，最后去除第一光刻胶层和第二光刻胶层得到空气桥，第一金属结构作为桥墩，第二金属结构作为连接桥墩的桥面，由于桥墩有至少三根，且所有桥墩两两之间都连接有桥面，结构强度得到加强，从而能够提高空气桥的结构稳定性，在去除光刻胶时，不容易造成结构破坏，且去除光刻胶后，也不容易坍塌。
57.在本技术的一些实施例中，第二金属结构的厚度不超过第二光刻胶层的厚度。由于在采用金属沉积等工艺形成第一金属结构和第二金属结构时，第二光刻胶层上也会同时形成金属层，该金属层如果与第二金属结构相连，那么在去除第二光刻胶层时，会影响第二金属结构的完整度，而第二金属结构的厚度不超过第二光刻胶层的厚度，那么第二金属结
构就不会与第二光刻胶层上的金属层相连。如图3c所示，第二金属结构32的厚度小于第二光刻胶层22的厚度。
58.在本技术一些实施例中，请参考图5，在第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口的步骤，即步骤s2包括：
59.s21：在第二光刻胶层上曝光出开口图案。
60.其中，可以通过掩膜板在第二光刻胶层上曝光出开口图案。开口图案与开口的形状一致。
61.s22：对开口图案进行显影形成贯通第二光刻胶层的开口。
62.其中，通过显影可以刻蚀掉第二光刻胶层上开口图案所在的部分，从而形成开口。通过控制显影时间、显影速度等可以只去除开口图案范围内的第二光刻胶层，而不会影响到下层的第一光刻胶层。
63.s23：在开口内的第一光刻胶层上曝光出中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔图案。
64.其中，可以通过掩膜板在第一光刻胶层上曝光出中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔图案。通孔图案与通孔的形状一致。
65.s24：对每个通孔图案进行显影形成通孔。
66.其中，通过显影可以刻蚀掉第一光刻胶层上四个通孔图案所在的部分，从而形成中心点依次相连构成封闭图形的通孔。
67.在本技术的一些实施例中，请结合参考图2与图3，去除第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤，即步骤s4之后，制造方法还包括：s5：去除第二金属结构上高于第一金属结构的部分。
68.其中，如图3f所示，两个相邻第一金属结构31之间的第二金属结构32高于第一金属结构31。通过去除第二金属结构高出的部分，可以得到平整的桥面，最终得到桥面平整的空气桥。
69.进一步的，请参考图6，去除第二金属结构上高于第一金属结构的部分的步骤，即步骤s5包括：
70.s51：形成覆盖第一金属结构和第二金属结构的第三光刻胶层。
71.s52：在第三光刻胶层上曝光出刻蚀图案，刻蚀图案为第二金属结构高于所述第一金属结构的部分对应的形状。
72.其中，可以通过掩膜板曝光出刻蚀图案。
73.s53：对刻蚀图案进行显影形成刻蚀窗口。
74.其中，通过显影刻蚀掉第三光刻胶层上刻蚀图案所在的部分，从而形成刻蚀窗口。如图3e所示，是形成刻蚀窗口后的示意图。第三光刻胶层23上形成刻蚀窗口231，刻蚀窗口231暴露出的第二金属结构32高出第一金属结构31。
75.s54：对刻蚀窗口内的第二金属结构进行刻蚀，使得刻蚀窗口内的第二金属结构的高度与第一金属结构相同。
76.其中，通过控制刻蚀条件，例如刻蚀时间、刻蚀速度等，可以刚好刻蚀掉第二金属结构高于第一金属结构的部分，使得两者的高度相同。
77.第二金属结构刻蚀后，需要去除第三光刻胶层，以便露出空气桥。去除第二金属结构上高于第一金属结构的部分的步骤还包括：去除第三光刻胶层。其中，如图3f所示，是去除第三光刻胶层后的示意图。第三光刻胶层23去除后，基底11上只剩下第一金属结构31和第二金属结构32，且两者的高度相同，得到表面平整的空气桥。
78.作为一种代替的方式，步骤s5也可以在步骤s4之前进行，请结合参考图7，图7中a至e表示另一套工艺流程，与图7中的a至c与图3中的a至c相同。如图7d所示，是形成刻蚀窗口后的示意图。第一光刻胶层21、第二光刻胶层22和第三光刻胶层23依次层叠，第三光刻胶层23上的刻蚀窗口231露出第二金属结构32高于第一金属结构31的部分。第二金属结构刻蚀后，需要去除第三光刻胶层，以便露出空气桥。如图7e所示，是去除第三光刻胶层后的示意图。第三光刻胶层23与第一光刻胶层21、第二光刻胶层22一并去除，基底11上只剩下第一金属结构31和第二金属结构32，且两者的高度相同，得到表面平整的空气桥。
79.在本技术的一些实施例中，开口为环形，且开口在基底上的投影形状的中心线与封闭图形在基底上的投影重合。例如，封闭图形为圆形时，开口为圆环，封闭图形为矩形时，开口为两个同心矩形构成的环形。由于前述实施例中的第二金属结构的面积比较大，其下方的第一光刻胶层被遮挡，不容易被刻蚀。通过将开口设为环形，可以在形成第二金属结构后，露出更多的第一光刻胶层。如图8所示，图8中a至f表示的工艺流程可以替代图3中a至f表示的工艺流程。图8b中，第二光刻胶层22上形成的开口221为环形。如图9所示，是开口与通孔在基底上的投影位置关系示意图。四个通孔211的投影为正方形，开口221的投影的内廓和外廓也为正方形，开口221的投影的中心线(图中正方形虚线框)同样为正方形，且开口221的投影的中心线与预设四边形是重合的。图8c中，由于开口221为环形，那么形成的第二金属结构32为中空结构，中空区域为开口221所包围的区域。图8d和图8f中得到的空气桥的桥面为中空结构。
80.如图10所示，图10中a至e表示的工艺流程可以替代图7中a至e表示的工艺流程。图10b中，第二光刻胶层22上形成的开口221为环形。图10c中，由于开口221为环形，那么形成的第二金属结构32为中空结构，中空区域为开口221所包围的区域。图10e中得到的空气桥的桥面为中空结构。
81.请参考图11，本发明还提供一种量子芯片，量子芯片包括根据前述实施例的空气桥的制造方法得到的空气桥。以图10得到的空气桥为例，基底11包括基片110和形成在基片110上的共面波导120，空气桥的至少一个第一金属结构31位于共面波导120的一个接地带121上，其余第一金属结构31位于共面波导120的另一个接地带121上，共面波导120的中心导体122穿过两个接地带121上的第一金属结构31之间的空隙，并且两个接地带121上的第一金属结构31之间的第二金属结构32跨设在中心导体122上方。
82.作为一种优选的方式，空气桥相邻的两个第一金属结构31位于一个接地带121上，另外两个第一金属结构31位于另一个接地带121上。由于空气桥具有四个桥墩，任意相邻两个桥墩之间都具有空隙，无需特意设置空气桥的方向，只需要使共面波导的中心导体穿过任意相邻两个桥墩之间的空隙即可，对于存在两个相互垂直的布线方向的共面波导而言，本实施例的空气桥的制造方法相比传统的空气桥的制造方法适用性更广，特别是预设四边形为正方形时，因为此时两种布线方向上的共面波导都可以适配本实施例的空气桥，只需要保证封闭图形的中轴线与共面波导的中心线平行(最好是重叠)即可。
83.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
84.上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种空气桥的制造方法，其特征在于，包括：提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底；在所述第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在所述第二光刻胶层上形成暴露出全部所述通孔的开口；以相同厚度形成填充每个所述通孔的第一金属结构以及覆盖所述开口内的第一光刻胶层且与全部所述第一金属结构相连的第二金属结构；去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，以获得空气桥。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在所述第二光刻胶层上形成暴露出全部所述通孔的开口的步骤包括：在所述第二光刻胶层上曝光出开口图案；对所述开口图案进行显影形成贯通所述第二光刻胶层的开口；在所述开口内的第一光刻胶层上曝光出中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔图案；对每个所述通孔图案进行显影形成通孔。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二金属结构的厚度不超过所述第二光刻胶层的厚度。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述开口为环形，且所述开口在所述基底上的投影形状的中心线与所述封闭图形在所述基底上的投影重合。5.根据权利要求1至4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之前或之后，所述制造方法还包括：去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤包括：形成覆盖所述第一金属结构和所述第二金属结构的第三光刻胶层；在所述第三光刻胶层上曝光出刻蚀图案，所述刻蚀图案为所述第二金属结构高于所述第一金属结构的部分对应的形状；对所述刻蚀图案进行显影形成刻蚀窗口；对所述刻蚀窗口内的第二金属结构进行刻蚀，使得所述刻蚀窗口内的第二金属结构的高度与所述第一金属结构相同。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤在所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之前时，所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤还包括：去除所述第三光刻胶层。8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤在所述去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤之后时，所述去除所述第二金属结构上高于所述第一金属结构的部分的步骤还包括：去除所述第三光刻胶层。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层采用超声清洗去除。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通孔的数量为四个，所述封闭图形和所述通孔的形状均为矩形。11.一种量子芯片，其特征在于，包括根据权利要求1至10任一项所述的空气桥的制造方法得到的空气桥，所述基底包括基片和形成在基片上的共面波导，所述空气桥的至少一个第一金属结构位于所述共面波导的一个接地带上，其余第一金属结构位于所述共面波导的另一个接地带上，所述共面波导的中心导体穿过两个接地带上的第一金属结构之间的空隙，并且两个接地带上的第一金属结构之间的第二金属结构跨设在所述中心导体上方。

技术总结
本发明公开了一种空气桥的制造方法以及量子芯片。制造方法包括：提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底；在第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口；以相同厚度形成填充每个通孔的第一金属结构以及覆盖开口内的第一光刻胶层且与全部第一金属结构相连的第二金属结构；去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，以获得空气桥。第一金属结构作为桥墩，第二金属结构作为连接桥墩的桥面，由于桥墩有四根，且四根桥墩两两之间都连接有桥面，空气桥的结构强度得到加强，从而能够提高空气桥的结构稳定性，在去除光刻胶时，不容易造成结构破坏，且去除光刻胶后，也不容易坍塌。也不容易坍塌。也不容易坍塌。


技术研发人员：请求不公布姓名 请求不公布姓名 请求不公布姓名 张辉
受保护的技术使用者：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
技术研发日：2023.05.25
技术公布日：2023/8/13