一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法及装置

1.本发明属于光学测量领域，更具体地，涉及一种投影成像对比的镜面形貌测量方法及装置。


背景技术：

2.作为制造芯片的重要材料，单晶硅片、晶圆等半导体抛光片对表面形状和尺寸精度要求非常严格，精度甚至须达到纳米级别。若这类材料形貌发生过度翘曲偏折，会影响后续的生产工序流程，甚至导致最终芯片成品无法使用。为及时发现实际生产流程中的半导体抛光片是否合格，针对其尺寸形貌的检测工序必不可少。然而硅片、晶圆等经过抛光后表面的粗糙度很低，接近于光学镜面，常规的光学测量技术无法完成检测。
3.针对这类镜面的尺寸形貌测量，在工业检测中常使用干涉测量法和相位偏折术。干涉测量法利用波的干涉现象，将物体的形貌信息用干涉条纹表征出来，通过相位计算实现形貌测量。此方法测量精度高，但是对待测镜面的尺寸大小有限制，测量环境要求苛刻，且干涉仪器结构复杂、成本高昂，因此不适用于实际的工业场合。相位偏折测量系统由条纹显示屏、待测镜面和相机等设备组成。该系统中显示屏上的条纹图案经待测镜面反射后，受表面几何形貌的调制而发生变形，根据变形条纹得到物体表面的相位信息，再由相位信息计算出物体表面梯度，最后构造出镜面物体形貌。也有研究者利用随机散斑图案替代显示屏上的条纹图案，对相机所采集图片中的散斑图案进行匹配，计算出镜面各点的法向量，再得到镜面物体表面梯度，最后构造出镜面物体形貌。
4.但是，相位偏折测量系统中，相机直接对着镜面，由于成像镜头的景深范围是有限的，所以不能对显示屏和待测镜面同时清晰成像。另外，在测量镜面物体的形貌深度较大或者曲率较大时，相机通过镜面接收反射的图案，无法保证采集到的反射图案均在相机景深内，从而导致图像部分区域发生离焦，图像对比度下降，极大地影响部分镜面范围的梯度计算，给形貌测量带来误差。另外，显示屏的图案经镜面反射到相机，使得相机采集的图片受环境光干扰严重。同时，现有方法在测量镜面形貌时须采集多张图像，检测效率较低。


技术实现要素：

5.针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法及装置，由此解决相位偏折术中由于待测镜面形貌深度较大导致相机采集图像出现离焦的问题。
6.为实现上述目的，按照本发明的第一方面，提供了一种基于投影成像对比的镜面形貌测量装置，包括：成像板、相机、投影装置及处理器；其中，所述成像板与放置于待测点的镜面平行，且所述相机的光轴垂直于所述成像板；
7.所述投影装置用于将散斑图片投射至待测镜面，所述相机用于采集经所述待测镜面反射至所述成像板上的散斑图像作为变化图像；
8.所述处理器中存储参考图像，所述参考图像为将参考平整镜面放置于所述待测点
时，所述相机采集得到的图像；所述处理器还用于确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌。
9.按照本发明的第二方面，提供了一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法，应用于如第一方面所述的测量装置，包括：
10.s1，通过所述投影装置将散斑图片投射至待测镜面，通过所述相机采集经所述待测镜面反射至所述成像板上的散斑图像作为变化图像；
11.s2，确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌；其中，所述参考图像为将参考平整镜面放置于所述待测点时，通过所述相机采集得到的图像。
12.按照本发明的第三方面，提供了一种基于投影成像对比的镜面形貌测量系统，包括：计算机可读存储介质和处理器；
13.所述计算机可读存储介质用于存储可执行指令；
14.所述处理器用于读取所述计算机可读存储介质中存储的可执行指令，执行如第一方面所述的测量方法。
15.按照本发明的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行如第一方面所述的测量方法。
16.总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
17.1、本发明提供的基于投影成像对比的镜面形貌测量方法及装置，投影散斑经待测镜面反射后在成像面上清晰成像，相机光轴垂直于成像面进行图像采集；即使镜面具有较大深度或者产生较大变形，成像板上的散斑始终在相机景深范围内，保证相机依然能够采集到清晰的图像，不会因物像在相机景深范围之外导致图像模糊，从而影响形貌测量。此外，相比与常规方法使用的显示屏显示图案，本发明采用高对比度、高亮度的投影图案，受环境光影响较小，能显著减少外界环境的干扰。
18.2、常规的相位偏折术需精确调节相机、待测镜面与显示屏之间的角度，而本发明提供的镜面形貌测量方法及装置，可以任意调整投影装置的位置与角度，只需满足待测镜面物体及参考平整镜面均与成像板平行设置，且投影仪能够在成像板上完整成像即可，能够有效提高系统搭建的灵活性，应用于多种测量场景。保证了测量结果的可靠性，提高了镜面形貌测量精度。
19.3、常规方法在测量时须改变屏幕上的相位图像或者移动显示屏，相机采集多张图像，操作复杂；而本发明提供的镜面形貌测量方法及装置在标定之后，将待测镜面放置在测量区域，只需采集一张图片进行处理，即可得到整个形貌，提高了检测效率，适用于实际生产线的快速检测。
附图说明
20.图1为本发明实施例提供的镜面形貌的测量装置的结构示意图；
21.图2为本发明实施例提供的镜面形貌的测量方法的流程示意图；
22.图3为本发明实施例提供的待测镜面序号为(m,n)子域在相机坐标系的xoz面上投影光反射角变化的计算示意图；
23.图4中的(a)、(b)、(c)、(d)分别为硅片表面沿横向、纵向的斜率分布图、由斜率构造出的三维形貌图、对测得的硅片三维形貌沿x方向截取得到的轮廓图；
24.图5中的(a)和(b)分别为现有的相位偏折术和本发明实施例提供的镜面形貌的测量原理示意图。
25.在所有附图中，使用附图标记用来表示系统中的元件或结构，其中：
26.1-成像板；2-参考平整镜面；3-相机；4-待测镜面；5-投影装置；6-基座；7-导轨。
具体实施方式
27.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
28.本发明实施例提供一种基于投影成像对比的镜面形貌测量装置，如图1所示，包括：成像板1、相机3、投影装置5及处理器；其中，所述成像板与放置于待测点的镜面平行，且所述相机的光轴垂直于所述成像板；
29.所述投影装置5用于将散斑图片投射至待测镜面4，所述相机3用于采集经所述待测镜面4反射至所述成像板1上的散斑图像作为变化图像；
30.所述处理器中存储参考图像，所述参考图像为将参考平整镜面2放置于所述待测点时，所述相机3采集得到的图像；所述处理器还用于确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌。
31.进一步地，所述位移变化量与反射角变化量满足以下关系式：
[0032][0033][0034]
其中，分别为与b
m，n
对应的待测镜面子域c
m，n
相对于与a
m，n
对应的参考平整镜面子域d
m，n
对投影光在相机坐标系的xoz面、yoz面上的反射角变化量，ld、l
p
分别为成像板、投影装置与参考平整镜面之间的距离，分别为在相机坐标系的xoz面上，投影装置将投影光投射至参考平整镜面、参考平整镜面将投影光反射至成像板的光路长度，分别为在相机坐标系的yoz面上，投影装置将投影光投射至参考平整镜面、参考平
整镜面将投影光反射至成像板的光路长度；δx
m，n
、δy
m，n
分别为b
m，n
的散斑相对于a
m，n
的散斑在相机坐标系的x、y轴方向上的位移变化量，a
m，n
为对参考图像a进行划分得到的第m行n列子域，b
m，n
为变化图像b中与a
m，n
对应的子域，通过二维数字图像相关算法在变化图像中搜索得到；
[0035]
所述反射角变化量与斜率满足以下关系式：
[0036][0037]
其中，为c
m，n
在相机坐标系的xoz面、yoz面上的切向斜率。
[0038]
可以理解的是，实际为c
m，n
的切向斜率相对于d
m，n
的切向斜率在相机坐标系的xoz面、yoz面上的变化量，由于d
m，n
在相机坐标系的xoz面、yoz面上的切向斜率均为0，因此，该变化量即为c
m，n
在xoz面、yoz面上的切向斜率。
[0039]
所述待测镜面的三维形貌通过各待测镜面子域中心点的高度来表征，所述斜率与待测镜面子域的高度满足以下关系式：
[0040][0041]
其中，x
m，n
、y
m，n
、z
m，n
分别为待测镜面第m行n列子域c
m，n
的中心点在相机坐标系的坐标。
[0042]
进一步地，所述测量装置还包括基座6，所述成像板、相机及投影装置均放置于所述基座上，所述待测点设置于所述基座上。
[0043]
进一步地，所述测量装置还包括设置于基座上的导轨7，所述待测点设置于所述导轨上。
[0044]
具体地，投影装置5固定在基座6上朝镜面方向投射散斑，成像板1垂直于基座6进行固定，投影仪投射的散斑经镜面(参考平整镜面或待测镜面)反射后在其表面成像，相机3在正对于所述成像板1的位置，即在所述成像板的正前方采集图像，即相机3光轴垂直于所述成像板1；所述参考平整镜面放置于所述成像板前方，并与所述成像板相互平行；在完成投影仪与相机的参数标定并获得参考图像后，将其存储在处理器中，然后移走所述参考平整镜面，将所述待测镜面放于同一位置(即参考平整镜面的在基座上的放置位置)处，相机再次进行图像采集，得到变化图像。
[0045]
由于待测镜面物体4的形貌与参考平整镜面2不同，投影反射角度改变，成像板1上的散斑图案也相应发生变化，相机3采集此时散斑图像作为变化图像；处理器确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌。
[0046]
所述待测镜面物体是指经后表面反光度很高的一类物体，例如半导体硅片、晶圆、
镜头镜片等；所述参考平整镜面作为所述待测镜面的测量基准，一般平面度小于1μm，表面粗糙度ra值小于0.01μm，具有较高的平面度要求。
[0047]
本发明实施例提供一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法，应用于上述任一实施例所述的测量装置，如图2所示，包括：
[0048]
s1，通过所述投影装置将散斑图片投射至待测镜面，通过所述相机采集经所述待测镜面反射至所述成像板上的散斑图像作为变化图像。
[0049]
进一步地，步骤s1之前，还包括：
[0050]
分别对所述投影装置和相机的内部参数、畸变参数，以及所述投影装置和相机之间的空间位姿关系进行标定。
[0051]
s2，确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌；其中，所述参考图像为将参考平整镜面放置于所述待测点时，通过所述相机采集得到的图像。。
[0052]
进一步地，步骤s2包括：
[0053]
s21，对参考图像a进行划分得到多个子域a
m，n
，采用二维数字图像相关算法在变化图像b中搜索与各参考图像子域一一对应的变化图像子域b
m，n
；
[0054]
s22，分别计算b
m，n
的散斑相对于a
m，n
的散斑在相机坐标系的x、y轴方向上的位移变化量δx
m，n
、δy
m，n
，以确定与b
m，n
对应的待测镜面子域c
m，n
相对于与a
m，n
对应的参考平整镜面子域d
m，n
对投影光分别在相机坐标系的xoz面、yoz面上的反射角变化量从而得到c
m，n
的中心点在相机坐标系的xoz面、yoz面上的切向斜率
[0055]
其中，
[0056][0057][0058]
s23，根据公式对所述待测镜面的三维形貌进行重构；
[0059]
其中，x
m，n
、y
m，n
、z
m，n
分别为待测镜面第m行n列子域c
m，n
的中心点在相机坐标系的坐标，ld、l
p
分别为成像板、投影装置与参考平整镜面之间的距离，分别为在相机坐标系的xoz面上，投影装置将散斑图片投射至参考平整镜面、参考平整镜面将散斑图片反射至成像板的光路长度，分别为在相机坐标系的yoz面上，投影装置将散斑图片投射至参考平整镜面、参考平整镜面将散斑图片反射至成像板的光路长度。
[0060]
具体地，提前设计好随机分布的散斑图案，在投影装置5中嵌入散斑图片，或者将投影装置5与计算机连接，通过计算机进行投影；然后向参考平整镜面2的表面投射散斑，散斑经镜面反射后在成像板1上成像。同时，参考平整镜面2在成像板1前方一定位置，且保证与成像板1相互平行。将相机3位置固定，保证其光轴垂直于所述成像板1，并对投影装置5和相机3进行标定。
[0061]
通过以上所述的标定过程来获得投影装置5、相机3的内部参数矩阵m
p
、mc，畸变参数矩阵k
p
、kc和两者之间的空间位姿关系：坐标系旋转矩阵、平移矩阵r、t，通过这些参数计算成像板1的成像面上各散斑子域的中心点在平面中的坐标位置；同时也获得成像板1与参考平整镜面2之间的距离ld，投影装置5与参考平整镜面2的距离l
p
，以及所述成像面在相机坐标系中所处的位置，即成像面在相机坐标系的z轴方向上的坐标。
[0062]
投射的散斑图案可以为满足数字图像相关计算要求的任意图案，调节投影装置5使得散斑在成像板1上清晰成像，并保证适当的投射画面尺寸。
[0063]
另外，在确定相机3的位置时，应保证相机3的视场能够覆盖经待测镜面或参考镜面反射到成像板1上的整个散斑区域。
[0064]
标定完成后，相机3采集通过参考平整镜面2反射到成像板1上的散斑图像作为参考图像。移走参考平整镜面2，将待测镜面物体4利用导轨7移动到同一位置，由于待测镜面物体4的形貌与参考平整镜面2不同，投影反射角度改变，成像板1上的散斑图案也相应发生变化，相机3采集此时散斑图像作为变化图像；对比参考图像和变化图像，将参考图像的散斑区域划分为多个子域，根据二维数字图像相关算法计算出b
m，n
的散斑相对于a
m，n
的散斑的位移。
[0065]
由散斑位移推算出与b
m，n
对应的待测镜面的子域c
m，n
相对于与ai对应的参考平整镜面的子域d
m，n
对所述散斑图片沿横向和纵向的反射角变化值再计算出待测镜面各子域的斜率并由斜率构造出待测镜面物体4的三维形貌。
[0066]
如图3所示，以单个子域在xoz面上的光线反射计算为例，经参考平整镜面2反射后的散斑落在初始点p，换成待测镜面4后，反射角度变化，散斑的位置变化到当前点p
′
。通过标定过程得到的参数，散斑经过平整镜面子域在xoz面的初始反射角θ
x
计算公式为：其中表示投射散斑经过平整镜面反射后投影到所述成像板1上在xoz面上的光路长度，通过上述标定得到的的投影仪和相机的相关参数，进行三维重建得到。
[0067]
当反射角度发生变化，在xoz面上反射光线与中轴线的夹角α
x
计算公式为：
[0068]
则该子域沿横向的反射角变化值同理，该子域沿纵向的反射角变化值
[0069]
因此，所述横向投影光反射角变化推算如公式(1)所示，
[0070][0071]
其中，m、n表示待测镜面子域的横纵编号，δx
m，n
表示参考图像和变化图像经过数字图像相关法计算得到的在所述成像板1上散斑的横向位移；所述纵向反射角变化推算公式与上式类似，只需将δx
m，n
替换成δy
m，n
，将替换成即可，表示投射散斑经过平整镜面反射后投影到所述成像板1上在yoz面上的光路长度。
[0072]
再根据各子域投影光反射角变化计算出斜率，计算方式如公式(2)所示。
[0073][0074]
然后，采用基于有限差分的最小二乘积分法，通过公式(3)计算镜面各子域高度z和斜率的关系，从而构造出所述待测镜面三维形貌w。
[0075][0076]
半导体硅片变形后形貌的测量结果如图4中的(a)、(b)、(c)、(d)所示，硅片表面沿横向、纵向的斜率分布分别如图4中的(a)、(b)所示，由斜率构造出的三维形貌如图4中的(c)所示，图4中的(d)为对测得的硅片三维形貌沿x方向截取得到的轮廓图。
[0077]
如图5中的(a)所示，对于现有的相位偏折术来说，相机直接透过待测镜面拍摄显示屏上的条纹或者散斑图案。由于待测镜面可能具有较大深度或者发生变形，无法保证相机采集到的反射图案均在相机景深内，物像一旦在相机景深范围外，离焦区域内图像对比度下降，从而影响形貌测量结果。如图5中的(b)所示，而本发明实施例提供的测量装置借助投影散斑经待测镜面反射后在成像面1上清晰成像，相机3正对与成像面1采集图像，即使镜面具有较大深度或者产生较大变形，相机3依然能够采集到清晰的图像，不会影响测量结果，具有高可靠性和高精度。
[0078]
本发明实施例提供一种基于投影成像对比的镜面形貌测量系统，包括：计算机可
读存储介质和处理器；
[0079]
所述计算机可读存储介质用于存储可执行指令；
[0080]
所述处理器用于读取所述计算机可读存储介质中存储的可执行指令，执行如上述任一实施例所述的测量方法。
[0081]
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行如上述任一实施例所述的测量方法。
[0082]
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种基于投影成像对比的镜面形貌测量装置，其特征在于，包括：成像板、相机、投影装置及处理器；其中，所述成像板与放置于待测点的镜面平行，且所述相机的光轴垂直于所述成像板；所述投影装置用于将散斑图片投射至待测镜面，所述相机用于采集经所述待测镜面反射至所述成像板上的散斑图像作为变化图像；所述处理器中存储参考图像，所述参考图像为将参考平整镜面放置于所述待测点时，所述相机采集得到的图像；所述处理器还用于确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌。2.如权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述位移变化量与反射角变化量满足以下关系式：下关系式：其中，分别为与b
m，n
对应的待测镜面子域c
m，n
相对于与a
m，n
对应的参考平整镜面子域d
m，n
对投影光在相机坐标系的xoz面、yoz面上的反射角变化量，l
d
、l
p
分别为成像板、投影装置与参考平整镜面之间的距离，分别为在相机坐标系的xoz面上，投影装置将投影光投射至参考平整镜面、参考平整镜面将投影光反射至成像板的光路长度，分别为在相机坐标系的yoz面上，投影装置将投影光投射至参考平整镜面、参考平整镜面将投影光反射至成像板的光路长度；δx
m，n
、δy
m，n
分别为b
m，n
的散斑相对于a
m，n
的散斑在相机坐标系的x、y轴方向上的位移变化量，a
m，n
为对参考图像a进行划分得到的第m行n列子域，b
m，n
为变化图像b中与a
m，n
对应的子域；所述反射角变化量与斜率满足以下关系式：其中，为c
m，n
在相机坐标系的xoz面、yoz面上的切向斜率；所述斜率与待测镜面子域的高度满足以下关系式：
其中，x
m，n
、y
m，n
、z
m，n
分别为待测镜面第m行n列子域c
m，n
的中心点在相机坐标系的坐标。3.如权利要求1或2所述的测量装置，其特征在于，还包括基座，所述成像板、相机及投影装置均放置于所述基座上，所述待测点设置于所述基座上。4.如权利要求3所述的测量装置，其特征在于，还包括设置于基座上的导轨，所述待测点设置于所述导轨上。5.一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法，应用于如权利要求1-4任一项所述的测量装置，其特征在于，包括：s1，通过所述投影装置将散斑图片投射至待测镜面，通过所述相机采集经所述待测镜面反射至所述成像板上的散斑图像作为变化图像；s2，确定变化图像各子域相对于参考图像各子域的散斑的位移变化量，以获取待测镜面各子域相对于参考平整镜面各子域对投影光的反射角变化量，从而得到待测镜面各子域的切向斜率，以重构所述待测镜面的三维形貌；其中，所述参考图像为将参考平整镜面放置于所述待测点时，通过所述相机采集得到的图像。6.如权利要求5所述的测量方法，其特征在于，步骤s2包括：s21，对参考图像a进行划分得到多个子域a
m，n
，采用二维数字图像相关算法在变化图像b中搜索与各参考图像子域一一对应的变化图像子域b
m，n
；s22，分别计算b
m，n
的散斑相对于a
m，n
的散斑在相机坐标系的x、y轴方向上的位移变化量δx
m，n
、δy
m，n
，以确定与b
m，n
对应的待测镜面子域c
m，n
相对于与a
m，n
对应的参考平整镜面子域d
m，n
对投影光分别在相机坐标系的xoz面、yoz面上的反射角变化量从而得到c
m，n
的中心点在相机坐标系的xoz面、yoz面上的切向斜率其中，其中，其中，
s23，根据公式对所述待测镜面的三维形貌进行重构；其中，x
m，n
、y
m，n
、z
m，n
分别为待测镜面第m行n列子域c
m，n
的中心点在相机坐标系的坐标，l
d
、l
p
分别为成像板、投影装置与参考平整镜面之间的距离，分别为在相机坐标系的xoz面上，投影装置将散斑图片投射至参考平整镜面、参考平整镜面将散斑图片反射至成像板的光路长度，分别为在相机坐标系的yoz面上，投影装置将散斑图片投射至参考平整镜面、参考平整镜面将散斑图片反射至成像板的光路长度。7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤s1之前，还包括：分别对所述投影装置和相机的内部参数、畸变参数，以及所述投影装置和相机之间的空间位姿关系进行标定。8.一种基于投影成像对比的镜面形貌测量系统，其特征在于，包括：计算机可读存储介质和处理器；所述计算机可读存储介质用于存储可执行指令；所述处理器用于读取所述计算机可读存储介质中存储的可执行指令，执行如权利要求5-7任一项所述的测量方法。9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行如权利要求5-7任一项所述的测量方法。

技术总结
本发明公开了一种基于投影成像对比的镜面形貌测量方法及装置，该装置中的成像板与放置于待测点的镜面平行，且相机的光轴垂直于成像板；投影装置用于将散斑图片投射至待测镜面，相机用于采集经待测镜面反射至成像板上的散斑图像作为变化图像；处理器中存储参考图像，参考图像为将参考平整镜面放置于待测点时，相机采集得到的图像；处理器还用于根据参考图像及变化图像确定散斑的位移变化量对待测镜面的三维形貌进行重构。本发明通过投影光反射角变化原理测得待测镜面的形貌，避免了相机直接对着镜面引起的离焦问题，测量翘曲变形的精度能够达到微米级，检测效率高，适用于实际生产线的大批量快速检测。际生产线的大批量快速检测。际生产线的大批量快速检测。


技术研发人员：朱福龙 熊传国 高宇涵 吕葳杉 雷鑫 黄煜华 李金洺
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/8/13