一种用于厚铜电路板的图形转移方法与流程

1.本发明涉及电路板技术领域，特别涉及一种用于厚铜电路板的图形转移方法。


背景技术：

2.现有的电路板蚀刻线普遍采用的是水平蚀刻方式，双面蚀刻时上表面是存在“水池效应”，pcb水平传送时，位于板子下面和板子上面靠近边缘部分，蚀刻液容易流走，新旧蚀刻液更容易进行交换；而板中心的位置，容易形成“水池”，蚀刻液流动受到限制；因此pcb板上面中间的线路会比其他位置的蚀刻效果差一些。即使使用现有的真空蚀刻，通过吸取使用过的蚀刻液来可改善板面上部分的蚀刻液的流动性，从而减少“水池效应”产生的负面影响，但是“水池效应”并没有被完全消除。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种用于厚铜电路板的图形转移方法，可避免水平蚀刻线存在的“水池效应”，从而提升蚀刻因子，减少导线的侧蚀量，导线顶部的宽度与导线底部的宽度差异减小，提高了导线宽度的精确度。
4.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，包括：
5.步骤b:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；
6.步骤c:曝光，利用曝光设备对电路板的a面进行曝光以使得a面图形被曝光，而b面则整面完全曝光；
7.步骤d:显影，在显影设备中使电路板a面中未曝光部分被显影而露出铜面；
8.步骤e：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路铜；
9.步骤f：去除干膜，去除电路板两面的干膜；
10.步骤h：a面丝印线路湿膜：根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区；
11.步骤j:重复步骤b至步骤f，对电路板的b面进行与a面相同的操作。
12.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤c后，在进行步骤d前还包括步骤c-1：去除a面干膜的保护膜，保留b面干膜的保护膜。
13.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤e后，进行步骤f之前，还包括步骤e-1：去除b面的干膜保护膜。
14.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，进行步骤b前包括步骤a:板面前处理，将电路板两面的铜面进行清洁和粗化。
15.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤f后，在进行步骤h前还包括步骤g，其中，步骤g为重复步骤a。
16.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤h后，在进行步骤j前还包括步骤i：烤板。
17.根据本发明实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，至少具有如下有益效果：在面对生产板面铜厚≥6oz的电路板时，在传统的双面蚀刻工艺中，由于单面蚀刻完成后，在对另一面蚀刻时，已完成蚀刻的板面由于有水渍残留而不可避免地导致产生“水池效应”，即，板面有残留的药液，在显影或蚀刻时，上喷的药水无法及时流走对已完成另一板面又产生蚀刻，导致两次蚀刻后蚀刻因子在3-3.5左右，存在较大的侧蚀量,导线顶部的宽度与导线底部的宽度相差较大，从而影响了导线宽度的精确度，因此，本技术改善传统双面蚀刻的工艺。
18.在对a面蚀刻时，先对电路板未加工的b面进行保护，避免上喷的药液飞溅与b面的板面上而对铜层造成蚀刻，具体地，在对a面进行贴干膜时，同时对b面也进行贴干膜，但在a面进行曝光前，需要先将a面的干膜保护膜撕掉而使得a面可被显影，但是b面的干膜保护膜则保留至a面完成蚀刻后再去除，主要目的是在a面进行显影和蚀刻时保护b面的的干膜和铜层。
19.在当a面完成曝光工序后，a面进行显影工序，具体地，面朝下，a面图形中没有被曝光的部分，被显影干净而露出铜面。显影结束后对a面进行蚀刻工艺。
20.在对电路板的a面完成蚀刻后，根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区，其中，由于湿膜的填充能力强，利用湿膜将对a面的导线侧面和基材区进行填充及后续的a面贴干膜，而使得已完成蚀刻的a面被湿膜和干膜覆盖，湿膜和干膜对a面的图形起到保护作用，在对电路板的b面进行蚀刻时，即使出现药液上喷也可使得a面不受水渍积聚于a面上而对a面的图形造成蚀刻。
21.同样地，在对a面完成图形转移后，对b面进行同样的操作。
22.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
23.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
24.图1为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的工艺流程图；
25.图2为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面覆铜板示意图；
26.图3为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面贴干膜示意图；
27.图4为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的a面图形曝光和b面整体曝光示意图；
28.图5为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的a面显影示意图；
29.图6为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的a面蚀刻示意图；
30.图7为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面退干膜示意图；
31.图8为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的线路湿膜示意图；
32.图9为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面贴干膜示意
图；
33.图10为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的b面图形曝光和a面整体曝光示意图；
34.图11为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的b面显影示意图；
35.图12为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的b面蚀刻示意图；
36.图13为本发明实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面退干膜示意图。
37.附图标记说明：
38.绝缘层100；
39.铜层200；
40.未曝光干膜300；干膜保护膜310；
41.曝光后干膜400；
42.湿膜500。
具体实施方式
43.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
44.在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
45.在发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
46.本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
47.参照图1至图13，本发明实施例提供了一种用于厚铜电路板的图形转移方法，主要步骤如下：
48.步骤b:板面贴干膜，在电路板两面的铜层200的表面均贴上干膜；
49.步骤c:曝光，利用曝光设备对电路板的a面进行曝光以使得a面图形被曝光，而b面则整面完全曝光；
50.步骤d:显影，在显影设备中使电路板a面中未曝光部分被显影而露出铜面；
51.步骤e：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路铜；
52.步骤f：去除干膜，去除电路板两面的干膜；
53.步骤h：a面丝印线路湿膜500：根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜500，填充导线侧面和基材区；
54.步骤j:重复步骤b至步骤f，对电路板的b面进行与a面相同的操作。
55.具体步骤如下：
56.1.线路前处理：外层线路前处理，可以采用火山灰、中粗化等方式，将铜面进行清洁、粗化，其目的主要在于清洁板面并使板面与膜的贴合力更佳，其中，线路前处理包含了酸洗及喷砂，其中，主要控制酸洗浓度4％-6％，磨痕9-15mm，水破测试≥15s。
57.2.双面贴干膜：在双面铜面上贴感光干膜。主要控制贴膜速度2.5-3m/min，进板温度40-60℃，贴膜温度100-120℃,贴膜压力4-5kg/cm2。
58.3.单a面图形曝光：对a面进行图形曝光，b面整板曝光，即b面所有的干膜都被曝光。主要控制曝光级数7-9级(21级曝光尺)
59.4.仅撕掉a面干膜保护膜310：撕掉a面干膜保护膜310，以用来被显影。b面干膜保护膜310不撕，用来显影/蚀刻过程中保护干膜/铜面。
60.5.a面朝下单面显影：a面朝下，a面图形中没有被曝光的部分，因被显影干净而露出铜面。主要控制显影温度28-32℃，显影液浓度0.8-1.2％，喷淋压力0.8-1.8kg/cm2，显影点40-60％。
61.6.a面朝下蚀刻：板面铜厚≥6oz的厚铜板，一般需要蚀刻2次。主要控制温度48-52℃，喷淋压力2-3kg/cm2，cu2+浓度100-150g/l,酸度0.8-1.3n，氧化剂320-650，需要说明的是，根据实际铜厚来调节蚀刻速度。
62.7.撕掉b面的干膜保护膜310：去除b面的干膜保护膜310，以便于后续的退膜。
63.8.双面退干膜：退掉a面和b面的干膜，a面的图形完成。主要控制退膜压力1.5-2.5kg/cm2，退膜液浓度2.5-3.5％，温度48-52℃。
64.9.第二次线路前处理：再次对板面进行清洁、粗化板面。此步骤与步骤1相同，此处不再做赘述。
65.10.a面丝印线路湿膜500：根据a面图形分布，用120t网制作网版，在板面丝印线路湿膜500，填充导线侧面和基材区。
66.11.烤板：将pcb板送入烘烤专注进行干燥。其中，主要控制烘烤温度100
°
c，烘烤时间5-10min。
67.12.双面贴干膜：pcb烘烤结束并冷却后，在pcb两面的铜面上贴感光干膜。
68.13.单b面图形曝光：对b面进行图形曝光，而a面则整板面曝光，即a面所有的干膜完全被曝光。
69.14.仅撕掉b面干膜保护膜310：撕掉b面干膜保护膜310，以用来被显影。但保留a面干膜保护膜310，在显影或蚀刻过程中用于保护a面的干膜和铜面。具体地，如图9至图12所示，在b面的加工过程中，a面的干膜覆盖于a面的湿膜上，其中，湿膜主要用于保护已完成加工的a面的导线的侧面和基材区，而a面的干膜上仍保留有干膜保护膜310，即，a面的湿膜、a面的干膜上干膜保护膜310及a面的干膜依次层叠以对a面已完成加工的板面进行有效的保护，以防止在b面的加工过程中a面的图形及导线受到破坏。
70.即，在对电路板的a面完成蚀刻后，根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区，其中，由于湿膜的填充能力强，利用湿膜将对a面的导线侧面和基材区进行填充及后续的a面贴干膜，而使得已完成蚀刻的a面被湿膜和干膜覆盖，湿膜和干膜对a面的图形起到保护作用，在对电路板的b面进行蚀刻时，即使出现药液上喷也
可使得a面不受水渍积聚于a面上而对a面的图形造成蚀刻。
71.15.b面朝下单面显影：b面朝下，b面图形中没有被曝光的部分，因被显影干净而露出铜面。
72.16.b面朝下蚀刻：板面铜厚≥6oz的厚铜板，一般需要蚀刻2次。
73.17.撕掉a面的干膜保护膜310：去除a面的干膜保护膜310，以便于后续的退膜。
74.18.双面退膜：退掉a面的干膜/湿膜500和b面的干膜，此时a面/b面的图形都已经完成。
75.在面对生产板面铜厚≥6oz的电路板时，在传统的双面蚀刻工艺中，由于单面蚀刻完成后，在对另一面蚀刻时，已完成蚀刻的板面由于有水渍残留而不可避免地导致产生“水池效应”，即，板面有残留的药液，在显影或蚀刻时，上喷的药水无法及时流走对已完成另一板面又产生蚀刻，导致两次蚀刻后蚀刻因子在3-3.5左右，存在较大的侧蚀量,导线顶部的宽度与导线底部的宽度相差较大，从而影响了导线宽度的精确度，因此，本技术改善传统双面蚀刻的工艺。
76.在对a面蚀刻时，先对电路板未加工的b面进行保护，避免上喷的药液飞溅与b面的板面上而对铜层200造成蚀刻，具体地，在对a面进行贴干膜时，同时对b面也进行贴干膜，但在a面进行曝光前，需要先将a面的干膜保护膜310撕掉而使得a面可被显影，但是b面的干膜保护膜310则保留至a面完成蚀刻后再去除，主要目的是在a面进行显影和蚀刻时保护b面的的干膜和铜层200。
77.在当a面完成曝光工序后，a面进行显影工序，具体地，面朝下，a面图形中没有被曝光的部分，被显影干净而露出铜面。显影结束后对a面进行蚀刻工艺。
78.在对电路板的a面完成蚀刻后，根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜500，填充导线侧面和基材区，其中，由于湿膜500的填充能力强，利用湿膜500将对a面的板面进行填充而使得已完成蚀刻的a面被湿膜500覆盖，湿膜500对a面的图形起到保护作用，在对电路板的b面进行蚀刻时，即使出现药液上喷也可使得a面不受水渍积聚于a面上而对a面的图形造成蚀刻。
79.同样地，在对a面完成图形转移后，对b面进行同样的操作。
80.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
81.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，包括：步骤b:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；步骤c:曝光，利用曝光设备对电路板的a面进行曝光以使得a面图形被曝光，而b面则整面完全曝光；步骤d:显影，在显影设备中使电路板a面中未曝光部分被显影而露出铜面；步骤e：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路铜；步骤f：去除干膜，去除电路板两面的干膜；步骤h：a面丝印线路湿膜：根据a面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区；步骤j:重复步骤b至步骤f，对电路板的b面进行与a面相同的操作。2.根据权利要求1所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，完成步骤c后，在进行步骤d前还包括步骤c-1：去除a面干膜的保护膜，保留b面干膜的保护膜。3.根据权利要求2所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，完成步骤e后，进行步骤f之前，还包括步骤e-1：去除b面的干膜保护膜。4.根据权利要求1所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，进行步骤b前包括步骤a:板面前处理，将电路板两面的铜面进行清洁和粗化。5.根据权利要求4所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，完成步骤f后，在进行步骤h前还包括步骤g，其中，步骤g为重复步骤a。6.根据权利要求1所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，完成步骤h后，在进行步骤j前还包括步骤i：烤板。

技术总结
本发明公开了一种用于厚铜电路板的图形转移方法，包括步骤B:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；步骤C:曝光，利用曝光设备对电路板的A面进行曝光以使得A面图形被曝光，而B面则整面完全曝光；步骤D:显影，在显影设备中使电路板A面中未曝光部分被显影而露出铜面；步骤E：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路底铜；步骤F：去除干膜，去除电路板两面的干膜；步骤H：A面丝印线路湿膜500：根据A面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜500，填充导线侧面和基材区；步骤J:重复步骤B至步骤F，对电路板的B面进行与A面相同的操作。同的操作。同的操作。


技术研发人员：汪志清 何君
受保护的技术使用者：江门市君业达电子有限公司
技术研发日：2023.05.04
技术公布日：2023/8/13