LED芯片封装体点测分选方法与流程

led芯片封装体点测分选方法
技术领域
1.本发明涉及led芯片封装技术领域，尤其涉及一种led芯片封装体点测分选方法。


背景技术：

2.micro led凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求，如ar/vr、智能手表、大屏电视等。micro led凭借多项优势特点，正逐步展现其巨大应用潜力，成为最佳新型高清显示方案。
3.其中，mip(micro led in package)是一种基于micro led的新型封装架构，mip封装技术的工艺流程为：将micro led芯片通过巨量转移技术转移到载板上，进行封装，然后切割成单颗或多合一的芯片封装体，再将芯片封装体分光混光，接着再进行贴片工艺、屏体表面封装或覆膜，最终完成显示屏的制作。目前，采用的载板主要是bt基板，其次可以采用玻璃基板。不管是采用bt基板还是玻璃基板，均需要在载板上制作导电通孔h，如图7，以连接基板两表面的焊盘，满足电路导通的需求。
4.对于这种带有导电通孔的载板构成的led芯片封装体，制作完成后，进入点测分选工序，点测分选的工艺流程为：采用探针从芯片封装体底部外露的正极连接焊盘和负极连接焊盘进行接触，通过吸盘或其他支撑工具支撑led芯片封装体顶部。探针导电使led芯片点亮，芯片封装体的顶部出光，结合点测分选设备以采集光信号和电信号，获得led芯片的电压、亮度、波长等信息，从而对led芯片封装体进行分类。在上述点测分选工艺流程中，由于需要用吸盘等工具支撑led芯片的顶部，会一定程度影响点测分选设备的光传感器采集光信号，从而影响测量结果的真实性。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种在led芯片封装体点测分选工艺流程中，有效提升对光信号采集的准确性，以确保测量结果真实性的led芯片封装体点测分选方法。
6.为了实现上述目的，本发明公开了一种led芯片封装体点测分选方法，所述led芯片封装体包括单元基板和led芯片，所述单元基板包括相对的第一表面和第二表面，以及位于所述第一表面和所述第二表面的侧方并与所述第一表面和所述第二表面连接的第三表面；所述第一表面上设置有第一焊盘，所述led芯片通过所述第一焊盘焊接在所述单元基板上；所述第二表面上设置有与所述第一焊盘相对应的第二焊盘，所述第二焊盘用于安装固定所述单元基板，所述第三表面上设置有连接线路，所述连接线路电性连接所述第一焊盘和所述第二焊盘；所述点测分选方法包括：
7.提供一支撑面，并将待测led芯片封装体的第二表面贴附并固定在所述支撑面上；
8.将检测电极电性连接在所述单元基板上位于所述第三表面的连接线路上，以为待测led芯片封装体提供检测电源，使得该led芯片封装体处于点亮状态；
9.采集所述led芯片封装体的光信号数据和电信号数据，以评测当前所述led芯片封装体的性能。
10.较佳地，所述支撑面上设置有负压吸孔。
11.较佳地，所述检测电极包括导电探针。
12.较佳地，所述单元基板上设置有单一所述led芯片，所述单元基板上的一对相对的第三表面上分别设置有所述连接线路，采用两所述检测电极抵接在对应的两所述连接线路上。
13.较佳地，所述单元基板上设置有包括构成单像素集并具有不同光色的第一光色芯片、第二光色芯片和第三光色芯片；所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片具有公共电极，所述公共电极为共阴极或共阳极；所述单元基板上的两相对的第三表面上分别设置有两所述连接线路。
14.较佳地，提供两个所述检测电极，将其中一个所述检测电极抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的公共电极上，将另一所述检测电极依次抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的私有电极上。
15.较佳地，提供四个所述检测电极，将其中一个所述检测电极抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的公共电极上，将另外三个所述检测电极分别抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的私有电极上。
16.较佳地，依次点亮所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片依次。
17.较佳地，同时点亮所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片。
18.较佳地，所述单元基板为陶瓷基板。
19.与现有技术相比，本发明led芯片封装体点测分选方法，所针对的对象为单元基板的侧面设置有连接线路的led芯片封装体，测试时，将两检测电极分别连接在位于单元基板侧面的连接线路上，从而腾出单元基板的底部空间，这样，通过单元基板的底部空间支撑并固定待测led芯片封装体，从而避免led芯片封装体发出的光线被支撑固定件遮挡，使得点测分选设备中的光传感器可以准确采集到led芯片封装体发出的光线，进而提升测试结果的真实性。
附图说明
20.图1为本发明实施例中led芯片封装体的点测分选方法流程图。
21.图2为本发明实施例中led芯片封装体的正面结构示意图。
22.图3为本发明实施例中led芯片封装体的背面结构示意图。
23.图4为本发明实施例中led芯片封装体的侧面结构示意图。
24.图5为本发明实施例中单芯片封装体的截面图。
25.图6为本发明实施例中led芯片封装体处于测试状态示意图。
26.图7为现有技术中led芯片基板的平面结构图。
具体实施方式
27.为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
28.本实施例公开一种led芯片封装体及基于该led芯片封装体的led芯片封装体点测
分选方法，该分选方法用于对制作完成的led芯片封装体进行电性能和光性能的测试筛选。
29.如图2至图4，该led芯片封装体m包括单元基板100和led芯片d。单元基板100包括相对的第一表面s1和第二表面s2，以及位于第一表面s1和第二表面s2的侧方并与第一表面s1和第二表面s2连接的第三表面。本实施例中，第一表面s1为单元基板100的正面，第二表面s2为单元基板100的背面，第三表面为单元基板100的侧面。
30.第一表面s1上设置有包括正极焊盘和负极焊盘的第一焊盘p1，led芯片d通过第一焊盘p1焊接在单元基板100上，也即，正极焊盘与led芯片d的正极连接，负极焊盘与led芯片d的负极连接。第二表面s2上设置有与第一焊盘p1相对应的第二焊盘p2，该第二焊盘p2用于安装固定单元基板100。第二焊盘p2包括与正极焊盘相对应的正极连接焊盘和与负极焊盘相对应的负极连接焊盘，也即，通过正极连接焊盘和负极连接焊盘将单元基板100焊接在待装配的pcb母板上。
31.其中，第三表面上设置有连接线路c0，该连接线路c0电性连接第一焊盘p1和第二焊盘p2，也即通过其中一第三表面上的连接线路c0连接正极焊盘和正极连接焊盘以及通过另一第三表面上的连接线路c0连接负极焊盘和负极连接焊盘，从而实现单元基板100正反两面的导通。
32.请结合参阅图1至图4以及图6，基于上述结构的led芯片封装体m，本实施例中的点测分选方法包括：
33.s1：提供一支撑面，并将待测led芯片封装体m的位于底部的第二表面s2贴附并固定在支撑面上；
34.s2：将检测电极电性连接在单元基板100上位于第三表面的连接线路c0上，以为待测led芯片封装体m提供检测电源，使得该led芯片封装体m处于点亮状态；
35.s3：采集led芯片封装体m的光信号数据和电信号数据，以评测当前led芯片封装体m的性能。具体地，通过光传感器采集光信号数据，通过检测电极采集同时采集电信号数据。
36.在本实施例的led芯片封装体m点测分选方法中，所针对的对象为单元基板100的侧面设置有连接线路c0的led芯片封装体m，测试时，将检测电极连接在位于单元基板100连接线路c0上，从而腾出单元基板100的底部空间，这样，通过单元基板100的底部空间支撑并固定待测led芯片封装体m，从而避免led芯片封装体m发出的光线被支撑固定件遮挡，使得点测分选设备中的光传感器可以准确采集到led芯片封装体m发出的光线，进而提升测试结果的真实性。
37.为确保测试过程中led芯片封装体m的稳定性，支撑面上设置有负压吸孔，通过该负压吸孔将待测led芯片封装体m吸附在支撑面上，同时不影响检测电极与待测led芯片封装体m上正、负两极的连线线路连接。
38.为方便操作，所述检测电极包括导电探针。
39.进一步地，采集led芯片封装体m的光信号数据包括波长、亮度等参数，采集led芯片封装体m的电信号参数包括电压、电流以及电阻等参数。
40.进一步地，led芯片封装体m可为单芯片封装体，也可为单像素封装体。
41.对于单芯片封装体，如图5，也即在单元基板100上仅配置一颗led芯片d。那么，第一焊盘p1包括位于单元基板100正面的一正极焊盘和一负极焊盘，第二焊盘p2包括位于单元基板100背面的一正极连接焊盘和一负极连接焊盘。因此，需在单元基板100上两个相对
的第三表面上分别设置连接线路c0，该两条侧面线路c0分别连接正极焊盘和正极连接焊盘以及负极焊盘和负极连接焊盘。在本实施例中，测试筛选时，采用两导电探针抵接在对应的两连接线路c0上。
42.对于单像素封装体，如图2至图4，也即设置在单元基板100上的led芯片d包括构成单像素集并具有不同光色的第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b。本实施例中，第一光色芯片r发红光，第二光色芯片g发绿光，第三光色芯片b发蓝光，以此构成光的三原色，使得该led芯片封装体m可输出不同光色。
43.为方便装配，第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b共阴极或共阳极。当第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b共阴极时，第一表面s1上具有三个正极焊盘p1a、p1b、p1c，以及一个负极焊盘p1d。相应地，第二表面s2上具有三个正极连接焊盘p2a、p2b、p2c，以及一个负极连接焊盘p2d。另外，当第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b共阳极时，第一表面s1上的正极焊盘为一个、负极焊盘为三个，相应地，第二表面s2上的正极连接焊盘也为一个，负极连接焊盘也为三个。
44.对于单像素封装体，单元基板100上的两相对的第三表面上分别设置有两连接线路c0，也即在每一单元基板100的两侧的两端形成四条侧面线路c0，该四条侧面线路c0分别连接三个正极焊盘p1a、p1b、p1c和三个正极连接焊盘p2a、p2b、p2c以及负极焊盘p1d和负极连接焊盘p2d。在本实施例中，测试筛选时，采用两个或四个导电探针加持在分别用作正极和负极的连接线路c0上。
45.具体地，当采用两个导电探针进行测试时：将其中一个相应电极的导电探针抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的公共电极上，将另一导电探针分别逐个抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的私有电极上。当第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b共阴极时，将负极导电探针抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的公共电极上，将正极导电探针分别逐个抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的正极，从而逐个点亮第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b。
46.当采用四个导电探针进行测试时：将其中一个相应电极的导电探针抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的公共电极上，将另外三个导电探针分别抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的私有电极上。在本实施例中，第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b共阴极，测试时，将负极导电探针抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的公共电极上，将另外三个正极探针分别抵接在第一光色芯片r、第二光色芯片g和第三光色芯片b的正极端，然后，分别点亮每一led芯片d，以单独测试单个led芯片d的光信号数据和电信号数据，还可同时点亮上述三个led芯片d，从而测试该单像素封装体在白光下的性能。
47.另外需要说明书的是，本实施例中的第一光色芯片r为垂直安装结构芯片，第二光色芯片g和第三光色芯片b为倒装芯片，那么，第一光色芯片r靠近单元基板100的一侧的电极与用作共极焊盘的负极焊盘焊接，第一光色芯片r背离单元基板100一侧的电极通过引线与其中一个正极焊盘连接。
48.具体地，连接线路c0为覆设在第三表面上的金属导电层。本实施例中，该金属导电层为通过真空电镀工艺，在第三表面上镀上金属导电材料形成。
49.进一步地，在第三表面上覆设金属导电层时，使得金属导电层的两端分别覆盖所述第一焊盘p1和第二焊盘p2相应的外侧面，从而实现连接线路c0与第一焊盘p1和第二焊盘p2的稳定导通，避免出现虚连。
50.更进一步地，所述第一焊盘p1和所述第二焊盘p2包括靠近设置有所述连接线路c0的第三表面的连接壁，所述连接壁与相应的所述第三表面共面。在本实施例中，由于位于第一焊盘p2和第二焊盘p2侧边的连接壁与相应的第三表面共面，因此，在批量制作过程中，由于各个led芯片封装体m是从原始基板(也叫母板)上切割得到，当切割而露出第三表面时，第一焊盘p1和第二焊盘p2也同时露出，从而方便连接线路c0的制作，并能有效提升连接线路c0与第一焊盘p1和第二焊盘p2的连接稳定度。
51.进一步地，本实施例中的单元基板100优选为陶瓷基板。相比传统使用的树脂基板、金属基板以及玻璃基板，陶瓷基板的价格较低，其导热性能好，绝缘性强，且尺寸稳定性强，不易受热后热膨胀。该陶瓷基板的陶瓷材料可以是氧化铝(al203)、氮化铝(aln)或氧化铍(beo)等材料。
52.更进一步地，单元基板100的第一表面s1上还覆设有封装层2，封装层2用于将led芯片d与单元基板100封装在一起。
53.以上所揭露的仅为本发明的优选实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

技术特征：
1.一种led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述led芯片封装体包括单元基板和led芯片，所述单元基板包括相对的第一表面和第二表面，以及位于所述第一表面和所述第二表面的侧方并与所述第一表面和所述第二表面连接的第三表面；所述第一表面上设置有第一焊盘，所述led芯片通过所述第一焊盘焊接在所述单元基板上；所述第二表面上设置有与所述第一焊盘相对应的第二焊盘，所述第二焊盘用于安装固定所述单元基板，所述第三表面上设置有连接线路，所述连接线路电性连接所述第一焊盘和所述第二焊盘；所述点测分选方法包括：提供一支撑面，并将待测led芯片封装体的第二表面贴附并固定在所述支撑面上；将检测电极电性连接在所述单元基板上位于所述第三表面的连接线路上，以为待测led芯片封装体提供检测电源，使得该led芯片封装体处于点亮状态；采集所述led芯片封装体的光信号数据和电信号数据，以评测当前所述led芯片封装体的性能。2.根据权利要求1所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述支撑面上设置有负压吸孔。3.根据权利要求1所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述检测电极包括导电探针。4.根据权利要求1所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述单元基板上设置有单一所述led芯片，所述单元基板上的一对相对的第三表面上分别设置有所述连接线路，采用两所述检测电极抵接在对应的两所述连接线路上。5.根据权利要求1所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述单元基板上设置有包括构成单像素集并具有不同光色的第一光色芯片、第二光色芯片和第三光色芯片；所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片具有公共电极，所述公共电极为共阴极或共阳极；所述单元基板上的两相对的第三表面上分别设置有两所述连接线路。6.根据权利要求5所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，提供两个所述检测电极，将其中一个所述检测电极抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的公共电极上，将另一所述检测电极依次抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的私有电极上。7.根据权利要求5所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，提供四个所述检测电极，将其中一个所述检测电极抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的公共电极上，将另外三个所述检测电极分别抵接在所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片的私有电极上。8.根据权利要求7所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，依次点亮所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片依次。9.根据权利要求7所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，同时点亮所述第一光色芯片、所述第二光色芯片和所述第三光色芯片。10.根据权利要求1所述的led芯片封装体点测分选方法，其特征在于，所述单元基板为陶瓷基板。

技术总结
本发明公开一种LED芯片封装体点测分选方法，LED芯片封装体包括单元基板和LED芯片，单元基板包括相对的第一表面和第二表面，以及位于侧方的第三表面；第一表面上设置有第一焊盘；第二表面上设置有与第一焊盘相对应的第二焊盘，第三表面上设置有连接线路，连接线路电性连接第一焊盘和第二焊盘；点测分选方法包括：提供一支撑面，并将待测LED芯片封装体的第二表面贴附并固定在支撑面上；将检测电极电性连接在单元基板上位于第三表面的连接线路上，以为待测LED芯片封装体提供检测电源，使得该LED芯片封装体处于点亮状态。通过上述方法，点测分选设备中的光传感器可以准确采集到LED芯片封装体发出的光线，进而提升测试结果的真实性。性。性。


技术研发人员：章冰霜
受保护的技术使用者：东莞市中麒光电技术有限公司
技术研发日：2023.04.07
技术公布日：2023/8/14