一种翘曲晶圆的承载固定装置的制作方法

1.本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种翘曲晶圆的承载固定装置。


背景技术：

2.在现有的晶圆级芯片封装工艺制程中，通常在载板上完成芯片的封装过程，而芯片封装所涉的封装材料通常与芯片硅基材的cte不同，导致在后续的热处理工艺中极容易造成晶圆级封装结构的翘曲，即本领域技术人员熟知的“凸式”或“凹式”晶圆翘曲。
3.当通过输运承载台盘来承载翘曲晶圆时，位于承载台盘上的顶针上升到适当位置后，通过真空负压来吸附晶圆，再将晶圆下降输运到与承载台盘表面接触的位置，通过承载台盘表面来实现对晶圆的机械支撑，再通过位于承载台盘表面的密封橡胶圈及承载台盘内设的真空吸附装置，在晶圆面和承载台盘表面间构建出真空负压腔体，并通过所述的真空负压腔体及顶针吸嘴处的真空负压吸附力的综合真空吸附力来实现对晶圆的紧密吸附，达到固定晶圆的目的，防止晶圆在输运过程中的位置变动，避免晶圆在后续工艺作业中由于晶圆位置对准精度不够而出现机台报警。
4.然而，输运承载台盘在承载翘曲晶圆时，由于晶圆边缘的翘曲过大，会导致晶圆边缘位置不能在密封橡胶圈和承载台盘表面间构建真空负压腔体，因此，考虑到顶针吸嘴面积很小的情况下，仅通过位于晶圆中心位置处的顶针来提供晶圆在承载台盘表面的吸附力，提供的真空负压吸附力非常有限，不能保证晶圆在输运过程中不出现位置变动。


技术实现要素：

5.针对现有技术中所存在的不足，本发明提供了一种能加强翘曲晶圆在承载台盘上的固定效果的承载固定装置，解决了现有技术中仅靠顶针的真空负压吸附力无法保证晶圆在运输过程中不发生位置变动的问题。
6.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；
7.在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括用于固定所述晶圆的平板，所述平板上设有与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置。
8.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；
9.其特征在于，在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括用于固定所述晶圆且与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置。
10.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常
设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；
11.其特征在于，在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括设置在所述晶圆上朝向所述承载面的一侧且与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置，所述承载台盘的承载面上设有配合所述磁力线接受装置的凹槽。
12.作为优选实施方式，所述磁力线发射源设置在所述承载台盘的承载面之下的内嵌腔室中。
13.作为优选实施方式，多个所述磁力线发射源呈径向分布在所述承载台盘中。
14.作为优选实施方式，还包括设置在所述承载面上的弹性缓冲垫圈。
15.作为优选实施方式，所述弹性缓冲垫圈设置在所述容置空腔和所述磁力线发射源分别对应的所述承载面之间；
16.和/或，
17.所述弹性缓冲垫圈设置在相邻两个所述磁力线发射源分别对应的所述承载面之间；
18.和/或，
19.所述弹性缓冲垫圈设置在与所述翘曲晶圆边缘处对应的所述承载面上，且位于最外圈的所述磁力线发射源的径向外侧。
20.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置是印刷在所述平板上的磁性物质，或是固定在平板表面上的磁性块，或是内嵌在平板中的磁性块。
21.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置是与所述磁力线发射源相配合的受力模块。
22.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置还包括设置在所述磁力线接受装置下表面的隔离保护膜；
23.其中，所述磁力线接受装置的所述下表面与所述晶圆相接触。
24.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置的形状包括环状，或，块体状。
25.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置通过胶黏方式，或通过所述磁力线接受装置与所述晶圆接触界面间的原子互融扩散方式，固定在朝向所述承载面一侧的所述晶圆的表面上。
26.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置呈环形；或
27.所述磁力线接受装置呈块状；或
28.所述磁力线接受装置有多个并呈周向分布设置。
29.作为优选实施方式，所述磁力线接受装置设置在所述平板上背向所述承载面一侧；或
30.所述磁力线接受装置嵌设在所述平板中。
31.作为优选实施方式，所述真空吸附机构包括顶针、驱动所述顶针的升降机构以及与所述顶针连通的真空负压通道；所述承载台盘的承载面上中心区域设置有供所述顶针伸出及缩回所述承载面的顶针孔。
32.相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：
33.通过采用在承载台盘中设置磁力线发射源，并在翘曲晶圆的周缘处设置与所述磁力线发射源对应的磁力线接受装置，并通过调节磁力线发射源的磁场强度(如改变其中绕制线圈的通电电流大小来调节铁氧柱体中贯穿的磁通量)来调节磁力线发射源和磁力线接受装置之间的吸引力大小，进而实现翘曲晶圆在承载台盘的承载面上的固定。
附图说明
34.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
35.图1为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的关于凹式翘曲晶圆的结构示意图；
36.图2为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的承载台盘结构示意图；
37.图3为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的关于凸式翘曲晶圆的结构示意图；
38.图4为图1和图3中a-a剖面图；
39.图5为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的翘曲晶圆固定状态的结构示意图；
40.图6为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第一种结构俯视图；
41.图7为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第二种结构俯视图；
42.图8为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第三种结构的剖视图；
43.图9为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第四种结构的剖视图；
44.图10为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第五种结构的剖视图；
45.图11为本发明一种翘曲晶圆的承载固定装置的磁力线接受装置第五种结构的结构示意图；
46.图12为本发明另一种翘曲晶圆的承载固定装置的关于凹式翘曲晶圆的结构示意图；
47.图13为本发明另一种翘曲晶圆的承载固定装置的翘曲晶圆固定状态的结构示意图；
48.图14为本发明另一种翘曲晶圆的承载固定装置的关于凸式翘曲晶圆的结构示意图；
49.图15为本发明另一种翘曲晶圆的承载固定装置的承载台盘结构示意图；
50.图16为本发明另一种翘曲晶圆的承载固定装置的承载台盘结构示意图。
具体实施方式
51.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
52.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
53.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
54.一种翘曲晶圆的承载固定装置，如图1-图4所示，包括承载台盘10，所述承载台盘10包括承载面f1以及常设于所述承载面f1中央下方的用于将所述晶圆吸附至所述承载面f1的真空吸附机构，所述真空吸附机构设置在容置空腔14中；其特征在于，在所述承载台盘10对应所述晶圆的边缘处周向均匀设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源40；还包括用于固定所述晶圆的平板41，所述平板41上设有与所述磁力线发射源40位置对应的磁力线接受装置42。
55.其中，所述真空吸附机构，可包括顶针21a、驱动所述顶针的升降机构24以及与所述顶针连通的真空负压通道。如图2所示，所述承载台盘10的承载面f1上中心区域可设置多个供所述顶针上下运动的顶针孔12，所述承载台盘10的侧面设有用于与所述承载台盘10外界联通的通孔11。如图1、3所示，在所述承载台盘10内部设有用于实现顶针21a升降运动的容置空腔14，使所述升降机构24沿着所述容置空腔14的内壁25作升降运动，所述容置空腔14中设有用于使所述顶针21a作升降运动的升降机构24、位于所述升降机构24上为所述顶针21a提供机械支撑的支撑台23以及为所述顶针21a的升降运动提供导向和力学保护的顶针套21b。所述承载台盘10中设有与所述顶针连通的用来形成真空负压腔体的孔道31，所述孔道31与所述通孔11形成所述真空负压通道，即通过外界动力来提供抽真空和建立真空负压环境的通路。所述真空吸附机构常设于所述承载面f1中央下方是指其通常的状态(包括非工作状态)，而在其工作时所述顶针21a会从所述顶针孔12伸出承载面。
56.如图1、3、4所示，所述磁力线发射源40可设置在所述承载台盘10的承载面f1之下的内嵌腔室13中，其可以由绕制在具有电磁效应的铁氧体柱体上的线圈构成；当线圈通电时，在铁氧体柱体中产生感应磁力线，可以通过调节线圈通电电流的大小来调节感应磁力线的密度，还可通过改变线圈中电流的方向来调节磁力线的方向。
57.以所述磁力线接受装置42设置在所述平板41的上侧(即背向所述承载面的一侧)为例，如图1、3所示，所述磁力线接受装置42的位置可与所述磁力线发射源中的所述磁力线发射源40对应，使磁力线发射源40产生的磁力线对应于所述磁力线接受装置42，并在所述磁力线发射源40和所述磁力线接受装置42之间产生吸引力。所述磁力线接受装置可以是印
刷在平板41上的磁性物质，也可以是通过胶黏方式固定在平板上的磁性块。此外，所述磁力线接受装置42也可嵌设在所述平板41之中。
58.所述承载固定装置在运行时，如图1、3所示，当翘曲晶圆传输到承载台盘10的承载面f1上时，顶针21a在升降机构24的作用下做上升运动，当顶针21a靠近翘曲晶圆时，支撑台23内设的孔道31与所述通孔11连通，同时在所述孔道31中构建出真空负压环境，同时连通顶针21a中的内部孔道及顶针顶部的吸嘴来吸附翘曲晶圆的中心区域。当升降机构24带动翘曲晶圆向下运动到承载台盘10的承载面f1上时，在翘曲晶圆上放置平板41，通过调节线圈中电流的大小来调节磁力线发射源40产生的磁力线密度，进而达到调节磁力线发射源40和磁力线接受装置42之间吸引力的大小，实现对翘曲晶圆的固定。
59.当承载台盘10将翘曲晶圆输运到指定位置时，通过调节线圈中的电流方向，产生相反的磁力线，使磁力线发射源40和磁力线接受装置42之间产生排斥力，从而有利于取下平板41，使翘曲晶圆进行后续的一系列封装工艺，比如：aoi缺陷检测、芯片切割等。
60.举例来说，如图1所示的凹式翘曲晶圆30a，顶针21a的吸嘴吸附凹式翘曲晶圆30a的中心区域作向下运动，当凹式翘曲晶圆30a的中心区域接触到承载台盘10的承载面f1时，对线圈通以电流，逐步增加电流的大小来逐渐增强磁力线发射源40和磁力线接受装置42之间的吸引力，使凹式翘曲晶圆30a的边缘处贴在承载面f1上，从而将凹式翘曲晶圆圆30a固定在承载面f1上，如图5所示。
61.如图3所示的凸式翘曲晶圆30b，顶针21a的吸嘴吸附凸式翘曲晶圆30b的中心区域作向下运动，当凸式翘曲晶圆30b的边缘区域接触到承载台盘10的承载面f1时，对线圈通以电流，逐步增加电流的大小来逐步增强磁力线发射源40和磁力线接受装置42之间的吸引力，使凸式翘曲晶圆30b的边缘处贴在承载面f1上，由于12寸翘曲晶圆的纵向翘曲高度差一般不超过5mm，因此可将凸式翘曲晶圆30b固定在承载面f1上，如图5所示。
62.本实施例中，通过在承载台盘上设置磁力线发射源40，并在翘曲晶圆的周缘处设置与磁力线发射源40一一对应的磁力线接受装置42，通过调节磁力线发射源40的磁场强度(如改变其中绕制线圈的通电电流大小来调节铁氧柱体中贯穿的磁通量)，来调节磁力线发射源和磁力线接受装置之间的吸引力大小，进而实现翘曲晶圆在承载台盘的承载面上的固定。
63.作为优选的实施例，所述磁力线接受装置42a有多个并呈周向分布设置。
64.本实施例中，如图6所示的所述磁力线接受装置的第一种结构，即在平板41的周向上设置若干分立的磁力线接受装置42a。其中，所述磁力线接受装置42a可与内嵌腔室13中的磁力线发射源相对应，使磁力线发射源40产生的磁力线密度最大的区域正好对应于磁力线接受装置42a，即，使磁力线接受装置42a接受到的磁通量最大。
65.作为优选的实施例，所述磁力线接受装置42b可呈环形。
66.本实施例中，如图7所示的所述磁力线接受装置的第二种结构，即在平板41的周向上设置呈环形状的磁力线接受装置42b。其中，所述磁力线接受装置42b可与内嵌腔室13中的磁力线发射源相对应，使磁力线发射源40产生的磁力线密度最大的区域正好对应于磁力线接受装置42b，即，使磁力线接受装置42b接受到的磁通量最大。
67.作为优选的实施例，所述磁力线接受装置42可内嵌在平板41中。
68.本实施例中，如图8所示的所述磁力线接受装置的第三种结构，即将磁力线接受装
置42内嵌在平板41中。其中，所述磁力线接受装置42可与内嵌腔室13中的磁力线发射源相对应，使磁力线发射源40产生的磁力线密度最大的区域正好对应于磁力线接受装置42b，即，使磁力线接受装置42接受到的磁通量最大。
69.作为优选的实施例，所述磁力线接受装置42还可单独作为与磁力线发射源40相配合的受力模块。
70.本实施例中，如图9所示的所述磁力线接受装置的第四种结构，所述磁力线接受装置42不包括起承载作用的平板，即将磁力线接受装置42单独作为与磁力线发射源40相配合的受力模块。其中，所述磁力线接受装置42可采用与晶圆尺寸相对应的磁性块，与承载面f1相对应的磁力线接受装置42的下表面设置隔离保护膜p1，所述隔离保护膜用于对晶圆上布设的封装结构进行隔离保护。
71.作为优选的实施例，所述磁力线接受装置42还可单独作为与磁力线发射源40相配合的环形受力模块。
72.本实施例中，如图10-11所示的所述磁力线接受装置的第五种结构，所述磁力线接受装置42不包括起承载作用的平板，即环状磁力线接受装置42单独作为与磁力线发射源40相配合的受力模块，布设在与晶圆周缘处相对应的位置处。其中，与承载面f1相对应的磁力线接受装置42的下表面设置隔离保护膜p1，所述隔离保护膜用于对晶圆上布设的封装结构进行隔离保护。
73.另一种实施例，一种翘曲晶圆的承载固定装置，如图12-图15所示，包括承载台盘10，所述承载台盘10包括承载面f1以及常设于所述承载面f1中央下方的用于将所述晶圆吸附至所述承载面f1的真空吸附机构；在所述承载台盘10对应所述晶圆的边缘处周向均匀设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源40；还包括设置在所述晶圆上朝向所述承载面f1的一侧且与所述磁力线发射源40位置对应的磁力线接受装置52，所述承载台盘10的承载面f1上设有配合所述磁力线接受装置52的凹槽15。
74.如图12、14所示，与前述图1、3所示的磁力线接受装置42设置在所述平板41上侧的方案不同的是，本实施例采用将所述磁力线接受装置52设置在所述翘曲晶圆30a、30b的下侧的方案。其中，所述磁力线接受装置52可印刷在翘曲晶圆与承载面f1接触的吸附面f2，与吸附面f2对应的是布设在承载台盘10上的凹槽15。所述磁力线接受装置52还可以通过胶黏的方式固定在翘曲晶圆的吸附面f2上。需要补充的是，磁力线接受装置在晶圆吸附面上的固定方式除了胶粘方式外，还可通过磁力线接受装置与晶圆接触界面间的原子互融扩散来达到固定的目的。
75.如图12所示，本实施例中的承载固定装置在实际运行时(以凹式翘曲晶圆30a为例)，首先由顶针21a的吸嘴吸附住翘曲晶圆的中心区域，并在升降机构24的带动下向承载面f1运动。当凹式翘曲晶圆30a的中心区域接触到承载面f1时，对线圈通电，并逐步增加电流以调节磁力线发射源40中贯穿铁氧体柱体中的磁通量，使磁力线发射源40和磁力线接受装置52之间产生的吸引力逐渐增强，从而将凹式翘曲晶圆30a上的磁力线接受装置52吸附到相对应的凹槽15中，通过磁力线发射源40和磁力线接受装置52之间的吸引力来达到非接触式地固定翘曲晶圆的目的，如图13所示。
76.如图14所示，本实施例中晶圆为凸式翘曲晶圆30b，其承载固定装置的工作原理与凹式翘曲晶圆30a的方案一致，在此不再赘述。
77.本实施例中，通过在翘曲晶圆吸附面的周缘处设置与磁力线发射源40对应的磁力线接受装置52，且在承载台盘10的承载面上对应设置用于磁力线接受装置52嵌合的凹槽15，使磁力线接受装置52能够嵌合在凹槽15中。又通过调节磁力线发射源的磁场强度(比如改变其中绕制线圈的通电电流大小来调节铁氧柱体中贯穿的磁通量)，来调节磁力线发射源和磁力线接受装置之间的吸引力大小，进而实现翘曲晶圆在承载台盘的承载面上的固定。
78.如图16所示，还可在承载台盘中设置沿承载面呈径向分布的环状内嵌腔室，所述内嵌腔室中布设呈环形分布的磁力线发射源，通过在承载台盘中布设多个环形分布的磁力线发射源，并与磁力线接受装置相配合，从而对翘曲晶圆施加更均匀、呈径向分布的吸附力，实现翘曲晶圆与承载面的更紧密贴合。
79.本实施例中，承载台面10中设置有2个呈径向分布的磁力线发射源40a、40b，其中，磁力线发射源40a设置在内嵌腔室13a中，磁力线发射源40b设置在内嵌腔室13b中。
80.此外，还可在在容置空腔14、第一磁力线发射源40a和第二磁力线发射源40b分别对应的承载面之间设置弹性缓冲垫圈，具体地，可在容置空腔14对应的承载面和第一磁力线发射源40a对应的承载面之间设置第一弹性缓冲垫圈t1，在第一磁力线发射源40a对应的承载面和第二磁力线发射源40b对应的承载面之间设置第二弹性缓冲垫圈t2，在第二磁力线发射源40b对应的承载面到承载面的边缘设置第三弹性缓冲垫圈t3，利用弹性缓冲垫圈来缓解翘曲晶圆与承载面紧密贴合时所致的应力。在此基础上作进一步推广，所述弹性缓冲垫圈可设置在前文中任意一种翘曲晶圆的承载固定装置的承载面上，在磁力线发射源的内侧或外侧均可。
81.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；其特征在于，在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括用于固定所述晶圆的平板，所述平板上设有与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置。2.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；其特征在于，在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括用于固定所述晶圆且与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置。3.一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方容置空腔中的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；其特征在于，在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括设置在所述晶圆上朝向所述承载面的一侧且与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置，所述承载台盘的承载面上设有配合所述磁力线接受装置的凹槽。4.根据权利要求1或2或3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线发射源设置在所述承载台盘的承载面之下的内嵌腔室中。5.根据权利要求1或2或3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：多个所述磁力线发射源呈径向分布在所述承载台盘中。6.根据权利要求1或2或3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：还包括设置在所述承载面上的弹性缓冲垫圈。7.根据权利要求6所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述弹性缓冲垫圈设置在所述容置空腔和所述磁力线发射源分别对应的所述承载面之间；和/或，所述弹性缓冲垫圈设置在相邻两个所述磁力线发射源分别对应的所述承载面之间；和/或，所述弹性缓冲垫圈设置在与所述翘曲晶圆边缘处对应的所述承载面上，且位于最外圈的所述磁力线发射源的径向外侧。8.根据权利要求1所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置是印刷在所述平板上的磁性物质，或是固定在平板表面上的磁性块，或是内嵌在平板中的磁性块。9.根据权利要求2所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置是与所述磁力线发射源相配合的受力模块。10.根据权利要求9所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置还包括设置在所述磁力线接受装置下表面的隔离保护膜；其中，所述磁力线接受装置的所述下表面与所述晶圆相接触。11.根据权利要求9-10所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：
所述磁力线接受装置的形状包括环状，或，块体状。12.根据权利要求3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置通过胶黏方式，或通过所述磁力线接受装置与所述晶圆接触界面间的原子互融扩散方式，固定在朝向所述承载面一侧的所述晶圆的表面上。13.根据权利要求1或2或3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置呈环形；或所述磁力线接受装置呈块状；或所述磁力线接受装置有多个并呈周向分布设置。14.根据权利要求1所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述磁力线接受装置设置在所述平板上背向所述承载面一侧；或所述磁力线接受装置嵌设在所述平板中。15.根据权利要求1或2或3所述的一种翘曲晶圆的承载固定装置，其特征在于：所述真空吸附机构包括顶针、驱动所述顶针的升降机构以及与所述顶针连通的真空负压通道；所述承载台盘的承载面上中心区域设置有供所述顶针伸出及缩回所述承载面的顶针孔。

技术总结
本发明公开了一种翘曲晶圆的承载固定装置，包括承载台盘，所述承载台盘包括承载面以及常设于所述承载面中央下方的用于将所述晶圆吸附至所述承载面的真空吸附机构；在所述承载台盘对应所述晶圆的边缘处周向均匀设置有多个不高于所述承载面的磁力线发射源；还包括用于固定所述晶圆的平板，所述平板上设有与所述磁力线发射源位置对应的磁力线接受装置。本发明采用在承载台盘上设置磁力线发射源，并在翘曲晶圆的周缘处设置与所述磁力线发射源对应的磁力线接受装置，通过调节磁力线发射源的磁场强度来调节磁力线发射源和磁力线接受装置之间的吸引力大小，进而使翘曲晶圆在承载台盘的承载面上能够更好地固定。盘的承载面上能够更好地固定。盘的承载面上能够更好地固定。


技术研发人员：倪洽凯 柳坤 吴红儒 何佳奕 石雯 张捷颖 李旭淋
受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司
技术研发日：2023.06.13
技术公布日：2023/8/13