超辐射发光二极管的制作方法

1.本发明涉及半导体光电领域，尤其涉及一种超辐射发光二极管。


背景技术：

2.光纤陀螺是具有广泛军事和民用应用背景的角速度传感器。超辐射发光二极管具有短时间相干性和长空间相干性的特点，被普遍的用来作为光纤陀螺的光源。光纤陀螺的精度受超辐射发光二极管光源的稳定性影响很大。超辐射发光二极管光源的发光功率和波长稳定性与光纤陀螺的标度因数成比例关系，而标度因数直接决定了光纤陀螺的精度。
3.目前在激光陀螺的应用中，对超辐射发光二极管的纹波、光谱形态以及光功率稳定性都有特别要求。在光纤陀螺中，光谱形态越接近高斯型，光纤陀螺的精度超高，后期的标定也越简单。然而在实际生产中，由于超辐射发光二极管自身的发光材料特性，超辐射发光二极管的发射光谱不是真正的高斯形态，两边并不对称，进而影响了光纤陀螺的精度。
4.因此，亟需一种超辐射发光二极管以解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于，提供一种超辐射发光二极管，用于改善现有的超辐射发光二极管制备的光纤陀螺的精度较低的技术问题。
6.为解决上述技术问题，本发明提供了一种超辐射发光二极管，包括管壳，管壳的内部设置有凹槽，凹槽内依次层叠设置有半导体制冷器、热沉以及陶瓷载体，陶瓷载体上设置有超辐射发光二极管芯片，热沉的第一端设置有光纤，超辐射发光二极管芯片与光纤的端部耦合；
7.其中，超辐射发光二极管芯片与光纤之间还设置有光隔离器，超辐射发光二极管芯片的发射光经特别镀膜选择的光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型。
8.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，超辐射发光二极管芯片发射至光纤的光线为第一光线，光纤散射至超辐射发光二极管芯片的光线为第二光线；
9.其中，光隔离器用于透过第一光线，且阻挡第二光线。
10.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，光隔离器包括基底以及设置于基底上的增透膜，基底的材料包括光学玻璃，增透膜的材料为二氧化硅、氧化铝以及氟化镁中的至少一种或几种组合。
11.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，增透膜的厚度范围为1-10微米，增透膜包括多层光学子膜；
12.其中，超辐射发光二极管芯片的发射光波长为λ，每一层光学子膜的厚度为0.25λ。
13.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，光隔离器固定于陶瓷载体上，光隔离器与超辐射发光二极管芯片之间的角度范围为5
°
至45
°
。
14.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，光隔离器与光纤之间还设置有聚焦透镜，聚焦透镜固定于陶瓷载体上。
15.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，光隔离器与聚焦透镜之间的角度范围为5
°
至30
°
。
16.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，聚焦透镜靠近光隔离器一侧的端面为锥形球面、楔形柱面以及抛物面中的一种。
17.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，光隔离器、聚焦透镜以及光纤均和超辐射发光二极管芯片在管壳中的同一轴线上进行耦合。
18.在本发明实施例所提供的超辐射发光二极管中，超辐射发光二极管还包括固定于陶瓷载体上的温度检测器，温度检测器与超辐射发光二极管芯片间隔设置，温度检测器用于检测半导体制冷器表面的温度。
19.本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供一种超辐射发光二极管，包括管壳，管壳的内部设置有凹槽，凹槽内依次层叠设置有半导体制冷器、热沉以及陶瓷载体，陶瓷载体上设置有超辐射发光二极管芯片，热沉的第一端设置有光纤，超辐射发光二极管芯片与光纤的端部耦合，其中，超辐射发光二极管芯片与光纤之间还设置有光隔离器，超辐射发光二极管芯片的发射光经特别镀膜的光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型；本发明通过在超辐射发光二极管芯片与光纤之间设置光隔离器，使得超辐射发光二极管芯片的发射光经光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型，从而减小了制备的光学陀螺后期的电路处理和校准难度，进而提高了光学陀螺的精度。
附图说明
20.图1为本发明实施例提供的超辐射发光二极管的结构示意图；
21.图2为图1中a处的放大示意图；
22.图3为现有技术提供的超辐射发光二极管的发射光谱示意图；
23.图4为本发明实施例提供的超辐射发光二极管的发射光谱示意图。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
25.请参阅图1至图4，本发明提供一种超辐射发光二极管100，包括管壳101，管壳的内部设置有凹槽1011，凹槽1011内依次层叠设置有半导体制冷器108、热沉107以及陶瓷载体110，陶瓷载体110上设置有超辐射发光二极管芯片111，热沉107的第一端设置有光纤105，超辐射发光二极管芯片111与光纤105的端部耦合，其中，超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间还设置有光隔离器112，超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型。
26.本发明通过在超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间设置光隔离器112，使得超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型，从而减小了制备的光学陀螺后期的电路处理和校准难度，进而提高了光学陀螺的精度。
27.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
28.请参阅图1以及图2，图1为本发明实施例提供的超辐射发光二极管100的结构示意图，图2为图1中a处的放大示意图。
29.在本发明实施例中，超辐射发光二极管100包括管壳101，管壳101的内部设置有凹槽1011，凹槽1011内依次层叠设置有半导体制冷器108、热沉107以及陶瓷载体110；
30.其中，陶瓷载体110上设置有超辐射发光二极管芯片111，热沉107的第一端设置有光纤105，超辐射发光二极管芯片111与光纤105的端部耦合。
31.具体地，管壳101的内部具有一凹槽1011，管壳101远离凹槽1011的一端设有管嘴，管嘴用于容纳光纤105。
32.具体地，半导体制冷器108焊接或者粘接于管壳101内部的凹槽1011中，半导体制冷器108的引线用烙铁焊接在管壳101外部对应设置的管脚1012上；
33.其中，半导体制冷器108为是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，其与外电路相连，通过外电路控制半导体制冷器108的工作电流来到达控制热沉107以及超辐射发光二极管芯片111的温度，以维持超辐射发光二极管芯片111输出波长的稳定性。管壳101外部设置的管脚1012用于使超辐射发光二极管100与外电路相连。
34.具体地，热沉107焊接于半导体制冷器108的上表面；其中，热沉107为钨铜材料制作的矩形板，其通过金属焊料与半导体制冷器108的上端面焊接。
35.其中，热沉107主要承载两个功能，一是它在半导体制冷器108和陶瓷载体110间起着热传导的作用；二是它是光纤105和马鞍形的光纤套管支架104的载体，借助光纤套管支架104可以将光纤105固定在热沉107上。
36.具体地，陶瓷载体110焊接或者粘接于热沉107的第一端，陶瓷载体110用于将超辐射发光二极管芯片111以及温度检测器106与热沉107间隔开，防止发生短路。
37.具体地，超辐射发光二极管芯片111以及温度检测器106均焊接或者粘接于陶瓷载体110上，且超辐射发光二极管芯片111与温度检测器106间隔设置；
38.其中，超辐射发光二极管芯片111制备的半导体器件为一种自发辐射的单程放大的光电子器件；在正向电流注入时，超辐射发光二极管芯片111内有源区的电子跃迁到价带后与空穴复合产生释放光子，这种自发辐射的光子在单程腔长内传播后增益，从而达到单程增益放大的效果。
39.进一步地，温度检测器106位于超辐射发光二极管芯片111的附近，用于检测半导体制冷器108表面的温度，进而间接测量超辐射发光二极管芯片111表面的温度；为了使温度检测器106更加精确的反应超辐射发光二极管芯片111位置的温度变化，并能够通过温控实现对超辐射发光二极管芯片111更精确的温度控制，提高光源波长的温度稳定性以提高传感系统的测量精度，可设置两个对称分布在超辐射发光二极管芯片111两侧的温度检测器106。
40.进一步地，温度检测器106为热电偶、片状热敏电阻、电阻型温度检测器和芯片型温度传感器中的任意一种；为了更进一步提高温度控制的精度，本发明选用的温度检测器106为电阻值的偏差小的高精度的片状热敏电阻。
41.在本发明实施例中，超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间还设置有光隔离器112，超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或
者高斯型。
42.具体地，超辐射发光二极管芯片111发射至光纤105的光线为第一光线，光纤105散射至超辐射发光二极管芯片111的光线为第二光线；
43.其中，光隔离器112用于透过第一光线，且阻挡第二光线。
44.进一步地，光隔离器112属于一种单向滤波片，单向滤波片具有宽的带宽，对光正向导光，反向隔离。
45.具体地，该光隔离器112为镀膜设计，可以改变宽带光源的发射图谱。
46.进一步地，该光隔离器112拥有与超辐射发光二极管芯片111中发射图谱弱相反的谱形(单向滤波片是带通滤波器，它的长波部分和超辐射发光二极管芯片111的长波部分相匹配)，当超辐射发光二极管芯片111发射的第一光线通过光隔离器112后，第一光线的发射光谱可以变成准高斯形态或者高斯形态，使第一光线的发射光谱关于强度坐标轴对称。从而减小陀螺后期电路处理和校准难度。
47.具体地，光隔离器112包括基底以及设置于基底上的增透膜，增透膜朝向光纤设置；其中，基底的材料包括光学玻璃，增透膜的材料为二氧化硅、氧化铝以及氟化镁中的至少一种。
48.进一步地，光隔离器112可以通过合理设计增透膜的厚度，可以对光谱进行修正，由原来非高斯的形状变成高斯形或者准高斯形，从而减小陀螺后期高校难度。
49.进一步地，增透膜的厚度范围为1-10微米，增透膜包括多层光学子膜；
50.其中，超辐射发光二极管芯片的发射光波长为λ，每一层光学子膜的厚度为0.25λ。
51.具体地，光隔离器112固定于陶瓷载体110上，光隔离器112与超辐射发光二极管芯片111之间的角度范围为5
°
至45
°
。
52.进一步地，当光隔离器112与超辐射发光二极管芯片111之间的角度范围为5
°
至45
°
时，能够减小第二光线进入超辐射发光二极管芯片111中，进而光谱质量，减小光谱纹波。
53.在本发明实施例中，光隔离器112与光纤105之间还设置有聚焦透镜113，聚焦透镜113固定于陶瓷载体110上，聚焦透镜113靠近光隔离器112一侧的端面为锥形球面、楔形柱面以及抛物面中的一种。
54.具体地，光隔离器与聚焦透镜之间的角度范围为5
°
至30
°
；其中，光隔离器与聚焦透镜之间的角度可以用来调整超辐射发光二极管100的发射光谱图形。
55.具体地，光纤105靠近超辐射发光二极管芯片111的端部伸入管壳101的凹槽1011中，光纤105远离射发光二极管芯片111的端部远离透镜光纤1051的另一侧经管壳101的管嘴穿出；
56.其中，透镜光纤1051远离管嘴的端部通过光纤套管支架104固定于热沉107的第二端；光隔离器112、聚焦透镜113以及光纤105均和超辐射发光二极管芯片111在管壳101中的同一轴线上进行耦合。
57.进一步地，光纤套管支架104为马鞍形，其为普通的记忆金属材料，可采用可伐材料，但本领域技术人员应当可以理解本发明并不局限于可伐材料，采用不锈钢或者其他合成金属材料都能达到同样的效果。
58.具体地，光纤105的直径大于3倍的超辐射发光二极管芯片111的宽度，光纤105的
直径优选为9μm，超辐射发光二极管芯片111的发光宽度为1至3μm。
59.进一步地，光纤105与超辐射发光二极管芯片111间的耦合为亚微米量级的对准。超辐射发光二极管芯片111发出的光经过光隔离器112、聚焦透镜113以及光纤105耦合后，进入光纤105远离射发光二极管芯片111的端部，以实现光输出。
60.在本发明实施例中，管壳101还包括上盖，上盖完全覆盖管壳101的凹槽1011，上盖用于封装超辐射发光二极管芯片111、光隔离器112、聚焦透镜113以及光纤105，防止灰尘进入，以实现密闭性需求。
61.进一步地，光隔离器112与聚焦透镜113的间距，以及聚焦透镜113与光纤的间距均大于0.5mm。相比现有技术中超辐射发光二极管芯片111与光纤105的超短间距(20微米以上)大得多，这样设计对组装人员的操作要求不高，会极大提高超辐射发光二极管100的产品良品率。
62.请继续参阅图1以及图2；其中，超辐射发光二极管100还包括光纤固定套管103，光纤固定套管103设置有通孔，光纤105穿过通孔。光纤固定套管103用于防止光纤105被光纤套管支架104磨损。
63.进一步地，超辐射发光二极管100还包括护套102，护套102安装于管壳101的管嘴上，光纤105穿过护套102；护套102用于防止光纤105因弯曲而断裂。
64.进一步地，超辐射发光二极管100还包括固定支架109，管壳101焊接于固定支架109上；超辐射发光二极管100的主体部分通过固定支架109边缘的螺孔与外部设备螺纹连接。
65.将本发明提供的超辐射发光二极管100与常规方法制备的超辐射发光二极管100进行发光测试，如下：
66.本发明实施例：
67.本发明提供的超辐射发光二极管100的具体结构如下：
68.管壳101，管壳的内部设置有凹槽1011；
69.凹槽1011的内部依次层叠设置有半导体制冷器108、热沉107以及陶瓷载体110；
70.超辐射发光二极管芯片111，设置于陶瓷载体110上；
71.热敏电阻106，设置于陶瓷载体110上且与超辐射发光二极管芯片111间隔设置；
72.光隔离器112，设置于陶瓷载体110上且与超辐射发光二极管芯片111间隔设置；
73.光纤105，设置于热沉107的第一端，光隔离器112设置于超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间；
74.聚焦透镜113，设置于热沉107的第一端，且聚焦透镜113位于光隔离器112与光纤105之间；
75.其中，光隔离器112、聚焦透镜113以及光纤105均和超辐射发光二极管芯片111在管壳101中的同一轴线上进行耦合。
76.对比实施例：
77.与本发明实施例的结构不同的是，超辐射发光二极管100的具体结构不包括光隔离器112以及聚焦透镜113；光纤105的结构也不同，光纤105靠近超辐射发光二极管芯片111的部分选用透镜光纤。
78.进一步地，本发明提供的超辐射发光二极管100与常规方法制备的超辐射发光二
极管100(对比实施例)进行发光测试(在室温25摄氏度内下进行测试)，得到的发射光谱如图3以及图4所示：
79.其中，图3为现有技术提供的超辐射发光二极管100的发射光谱示意图；图4为本发明实施例提供的超辐射发光二极管100的发射光谱示意图(横坐标为波长wavelength，单位为nm；纵坐标为发光强度的线性标尺linear scale)。
80.具体地，由图3可知，现有技术提供的超辐射发光二极管100的发射光谱不是真正的高斯形态(两边并不对称)，且在1488nm至1580nm的波长范围内均存在一定发光强度的光谱横波，光谱横波的发光强度通过实验测得为0.2db左右。
81.具体地，由图4可知，本发明提供的超辐射发光二极管100的发射光谱为准高斯形态，且在1480nm至1580nm的波长范围内均存在发光强度非常小的光谱横波(肉眼观察光谱几乎不可见)，其光谱横波的发光强度通过实验测得为0.05db左右。
82.因此，经过对比可知，本发明通过在超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间设置光隔离器112，使得超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型，同时减小了光谱横波，从而减小了制备的光学陀螺后期的电路处理和校准难度，进而提高了光学陀螺的精度。
83.现有技术中，采用透镜光纤与超辐射发光二极管芯片111直接进行耦合，透镜光纤的端面会有反射，从而造成纹波及激光啁啾产生。目前业内改善超辐射发光二极管100的发射光谱质量和减少纹波的办法一般采用超辐射发光二极管芯片111与透镜光纤呈夹角的方式，该种方式虽然有利于减少光纤端面的光返回到超辐射发光二极管芯片111内导致的激光啁啾，从而造成纹波，但透镜光纤中的散射仍会有少量光返回超辐射发光二极管芯片111中，从而形成振荡，变成激光，造成整体纹波的产生。此外，透镜光纤不容易控制镀膜，很难把透镜的反射率做低，也限制了其耦合效率，耦合不进光纤的光也会成为噪声干扰，限制最终光纤陀螺的灵敏度。
84.具体地，现有技术一般具有以下几个缺点：
85.第一，由于透镜光纤与超辐射发光二极管芯片111中间的光线传播是非单向的，没有隔离功能，透镜光纤中的散射光会进入超辐射发光二极管芯片111中，形成谐振，造成纹波；
86.第二，透镜光纤的结构不适合大批量镀膜生产，因而透镜光纤和超辐射发光二极管芯片111的耦合效率不高，而耦合不进透镜光纤的光都会成为噪声，影响光纤陀螺的精度。
87.本发明提出一种新的结构和封装方式，主要特点是，不改变超辐射发光二极管100的外部尺寸和结构，易于替换，在光纤105与超辐射发光二极管芯片111间引入单向的滤波片(光隔离器112)，该滤光片拥有与超辐射发光二极管芯片111弱相反的谱形，当超辐射发光二极管100发的光通过该滤波片后，光可以变成准高斯形态或者高斯形态。从而减小陀螺后期电路处理和校准难度；同时，该单向滤波片与超辐射发光二极管芯片111有一个角度，从而减小反射光进入超辐射发光二极管芯片111中，使得光谱质量得到显著提升，进而减小了光谱纹波。
88.具体地，第一方面，本发明在超辐射发光二极管芯片111和用于传导的光纤105中间引入光隔离器112，进入光纤105的光将不能再返回到超辐射发光二极管芯片111中，从而
减小纹波；
89.第二方面，平面的光隔离器112容易控制镀膜，可以增加透射率，降低反射；
90.第三方面，通过合理设计光隔离器112中增透膜的厚度，可以对超辐射发光二极管100的发射光谱进行修正，将其原来非高斯的形状变成高斯形或者准高斯形，从而减小陀螺后期高校难度；
91.第四方面，现有技术中由于超辐射发光二极管100与透镜光纤直接耦合，位置异常接近(20um)，对人员的操作要求很高，稍不注意就会刮伤超辐射发光二极管芯片111，良率影响很大；本发明方案中，光隔离器112、聚焦透镜113以及普通的光纤105中三者的距离较远(0.5mm以上)，对人员操作要求不高，会极大提高良品率；
92.第五方面，现有技术中由于采用透镜光纤成本约200元，而采用聚焦透镜113和普通传导的光纤105的组合，其价格约为20元，成本也将极大降低。
93.本发明相比现有技术，具有以下优点：
94.第一，本发明能够改善发射光谱的谱型，使之更接近高斯光谱；
95.第二，本发明能够减少发射光谱的纹波，提升超辐射发光二极管100的发光稳定性；
96.第三，本发明能够通过镀膜提高光隔离器112的增透率，增加光耦合效率，提高光学陀螺的精度；
97.第四，本发明能够提高超辐射发光二极管100的生产良率，降低成本。
98.第五，本发明工艺简单，仅需要在超辐射发光二极管芯片111和普通用于传导的光纤105之间，增加光隔离器112和聚焦透镜113，工艺重复性好，可靠性强，可批量生产。
99.综上，区别于现有技术的情况，本发明提供一种超辐射发光二极管100，包括管壳101，管壳的内部设置有凹槽1011，凹槽1011内依次层叠设置有半导体制冷器108、热沉107以及陶瓷载体110，陶瓷载体110上设置有超辐射发光二极管芯片111，热沉107的第一端设置有光纤105，超辐射发光二极管芯片111与光纤105的端部耦合，其中，超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间还设置有光隔离器112，超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型；本发明通过在超辐射发光二极管芯片111与光纤105之间设置经过特别镀膜选择的光隔离器112，使得超辐射发光二极管芯片111的发射光经光隔离器112透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型，从而减小了制备的光学陀螺后期的电路处理和校准难度，进而提高了光学陀螺的精度。
100.需要说明的是，以上各实施例均属于同一发明构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。
101.以上实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种超辐射发光二极管，其特征在于，包括管壳，所述管壳的内部设置有凹槽，所述凹槽内依次层叠设置有所述半导体制冷器、热沉以及陶瓷载体，所述陶瓷载体上设置有超辐射发光二极管芯片，所述热沉的第一端设置有光纤，所述超辐射发光二极管芯片与所述光纤的端部耦合；其中，所述超辐射发光二极管芯片与所述光纤之间还设置有光隔离器，所述超辐射发光二极管芯片的发射光经所述光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型。2.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管芯片发射至所述光纤的光线为第一光线，所述光纤散射至所述超辐射发光二极管芯片的光线为第二光线；其中，所述光隔离器用于透过所述第一光线，且阻挡所述第二光线。3.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述光隔离器包括基底以及设置于所述基底上的增透膜，所述基底的材料包括光学玻璃，所述增透膜的材料为二氧化硅、氧化铝以及氟化镁中的至少一种。4.根据权利要求3所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述增透膜的厚度范围为1-10微米，所述增透膜包括多层光学子膜；其中，所述超辐射发光二极管芯片的发射光波长为λ，每一层所述光学子膜的厚度为0.25λ。5.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述光隔离器固定于所述陶瓷载体上，所述光隔离器与所述超辐射发光二极管芯片之间的角度范围为5
°
至45
°
。6.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述光隔离器与所述光纤之间还设置有聚焦透镜，所述聚焦透镜固定于所述陶瓷载体上。7.根据权利要求6所述的超辐射发光二极管，其特征在于，光隔离器与所述聚焦透镜之间的角度范围为5
°
至30
°
。8.根据权利要求6所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述聚焦透镜靠近所述光隔离器一侧的端面为锥形球面、楔形柱面以及抛物面中的一种。9.根据权利要求6所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述光隔离器、所述聚焦透镜以及所述光纤均和所述超辐射发光二极管芯片在所述管壳中进行耦合。10.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管还包括固定于所述陶瓷载体上的温度检测器，所述温度检测器与所述超辐射发光二极管芯片间隔设置，所述温度检测器用于检测所述半导体制冷器表面的温度。

技术总结
本发明提供一种超辐射发光二极管，包括管壳，管壳的内部设置有凹槽，凹槽内依次层叠设置有半导体制冷器、热沉以及陶瓷载体，陶瓷载体上设置有超辐射发光二极管芯片，热沉的第一端设置有光纤，超辐射发光二极管芯片与光纤的端部耦合，其中，超辐射发光二极管芯片与光纤之间还设置有光隔离器，超辐射发光二极管芯片的发射光经光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型；本发明通过在超辐射发光二极管芯片与光纤之间设置经过特别镀膜选择的光隔离器，使得超辐射发光二极管芯片的发射光经光隔离器透射后的发光光谱为准高斯型或者高斯型，从而减小了制备的光学陀螺后期的电路处理和校准难度，进而提高了光学陀螺的精度。进而提高了光学陀螺的精度。进而提高了光学陀螺的精度。


技术研发人员：李林森 张建宝
受保护的技术使用者：苏州同感光电科技有限公司
技术研发日：2023.06.12
技术公布日：2023/8/13