测试用温箱及其测试方法与流程

1.本发明实施例涉及但不限于半导体老化测试技术领域，特别是涉及一种测试用温箱及其测试方法。


背景技术：

2.半导体存储芯片测试板用于对半导体存储芯片进行老化测试，它通常由一个pcb(printed circuit board)板和与之连接的一组半导体存储芯片组成。这些半导体存储芯片可以根据需要定制和配置，以适应不同的老化测试需求。在半导体存储芯片测试板老化测试中，通过模拟实际使用环境中可能出现的各种因素(如高温)，来测试待测试半导体存储芯片的可靠性和稳定性。
3.目前，老化测试时需要将半导体存储芯片测试板放到温箱中，而半导体存储芯片测试板的供电需要外部连接电源，这会额外增加连接线，且连接线不利于布置在温箱中。


技术实现要素：

4.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本发明实施例提供了一种测试用温箱及其测试方法，能够实现温箱内部供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
6.本发明实施例的第一方面提供了一种测试用温箱，包括用于对半导体存储芯片测试板进行老化测试的箱体和至少一个温控室，所述温控室用于放置供电电源，所述供电电源用于给所述半导体存储芯片测试板供电，所述温控室设置于所述箱体内部，所述箱体内设置有多个用于固定所述半导体存储芯片测试板的插槽，所述插槽连接到所述温控室，所述插槽底部设置有用于插接所述半导体存储芯片测试板的插座，所述插座通过所述温控室与所述供电电源电性连接，所述温控室的侧壁穿设有半导体模组，所述半导体模组包括制热端和制冷端，所述制热端朝向所述温控室的外侧，所述制冷端朝向所述温控室的内侧，所述箱体还设置有控制器、用于对所述箱体内部进行加热的加热组件和用于监测所述箱体内部温度的第一温度传感器，所述温控室内还设置有用于给所述半导体模组供电的可调电源和用于监测所述温控室内部温度的第二温度传感器，所述加热组件、所述第一温度传感器、所述第二温度传感器和所述可调电源分别与所述控制器电性连接。
7.在一些实施例中，所述温控室设置有可拆卸连接的夹具，所述夹具用于固定所述供电电源在所述温控室的位置，以使所述供电电源对接到所述插座。
8.在一些实施例中，所述箱体还设置有用于计算所述半导体存储芯片测试板老化时间的计时装置，所述计时装置与所述控制器电性连接。
9.本发明实施例的第二方面提供了一种测试用温箱测试方法，应用于如第一方面所述的测试用温箱，所述方法包括：
10.获取所述第一温度传感器输出的第一温度值和所述第二温度传感器输出的第二
温度值；
11.根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。
12.在一些实施例中，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：
13.根据所述第一温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内；
14.根据所述第二温度值控制所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。
15.在一些实施例中，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：
16.开始老化测试，监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值低于所述第一预设阈值范围内的最小值的情况下，升高所述加热组件的运行功率；
17.监测所述温控室内部的温度，在所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值。
18.在一些实施例中，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：
19.在老化测试过程中，监测所述温控室内部的温度，当所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值；
20.监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值高于所述第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，降低所述加热组件的运行功率。
21.在一些实施例中，所述测试用温箱包括计时装置，所述根据所述第一温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内，还包括：
22.开始老化测试，监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值低于所述第一预设阈值范围内的最小值的情况下，以第一时长升高所述加热组件的运行功率；
23.监测所述温控室内部的温度，在所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，以第二时长增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值。
24.在一些实施例中，所述测试用温箱包括计时装置，所述根据所述第二温度值控制所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，还包括：
25.在老化测试过程中，监测所述温控室内部的温度，当所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，以第三时长增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值；
26.监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值高于所述第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以第四时长降低所述加热组件的运行功率。
27.本发明实施例的第三方面提供了一种测试用温箱，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第二方面所述的测试方法。
28.本发明实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如第二方面所述的测试方法。
29.本发明实施例包括：用于对半导体存储芯片测试板进行老化测试的箱体和至少一个温控室，温控室用于放置供电电源，供电电源用于给半导体存储芯片测试板供电，温控室设置于箱体内部，箱体内设置有多个用于固定半导体存储芯片测试板的插槽，插槽连接到温控室，插槽底部设置有用于插接半导体存储芯片测试板的插座，插座通过温控室与供电电源电性连接，温控室的侧壁穿设有半导体模组，半导体模组包括制热端和制冷端，制热端朝向温控室的外侧，制冷端朝向温控室的内侧，箱体还设置有控制器、用于对箱体内部进行加热的加热组件和用于监测箱体内部温度的第一温度传感器，温控室内还设置有用于给半导体模组供电的可调电源和用于监测温控室内部温度的第二温度传感器，加热组件、第一温度传感器、第二温度传感器和可调电源分别与控制器电性连接。基于此，将供电电源内置于温控室，以避免供电电源直接暴露在箱体进行老化测试时的高温环境下，并通过半导体模组调节温控室内部的温度，这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
30.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
31.附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
32.图1为本发明一个实施例提供的测试用温箱的结构示意图；
33.图2为本发明一个实施例提供的测试用温箱测试方法的主流程图；
34.图3为本发明一个实施例提供的测试用温箱测试方法的子流程图；
35.图4为本发明另一个实施例提供的测试用温箱测试方法的子流程图；
36.图5为本发明另一个实施例提供的测试用温箱测试方法的子流程图；
37.图6为本发明另一个实施例提供的测试用温箱测试方法的子流程图；
38.图7为本发明另一个实施例提供的测试用温箱测试方法的子流程图；
39.图8为本发明一个实施例提供的测试用温箱的结构示意图。
具体实施方式
40.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
41.应了解，在本发明实施例的描述中，多个(或多项)的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到“第一”、“第二”等只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
42.为了解决现有技术中老化测试时需要将半导体存储芯片测试板放到温箱中，而半导体存储芯片测试板的供电需要外部连接电源，这会额外增加连接线，且连接线不利于布置在温箱中的技术问题，本发明实施例提供了一种测试用温箱，如图1所示，测试用温箱包括用于对半导体存储芯片测试板300进行老化测试的箱体100和至少一个温控室200，温控室200用于放置供电电源240，供电电源240用于给半导体存储芯片测试板300供电，温控室200设置于箱体100内部，箱体100内设置有多个用于固定半导体存储芯片测试板300的插槽140，插槽140连接到温控室200，插槽140底部设置有用于插接半导体存储芯片测试板300的插座150，插座150通过温控室200与供电电源240电性连接，温控室200的侧壁穿设有半导体模组210，半导体模组210包括制热端和制冷端，制热端朝向温控室200的外侧，制冷端朝向温控室200的内侧，箱体100还设置有控制器110、用于对箱体100内部进行加热的加热组件120和用于监测箱体100内部温度的第一温度传感器130，温控室200内还设置有用于给半导体模组210供电的可调电源220和用于监测温控室200内部温度的第二温度传感器230，加热组件120、第一温度传感器130、第二温度传感器230和可调电源220分别与控制器110电性连接。基于此，将供电电源240内置于温控室200，以避免供电电源240直接暴露在箱体100进行老化测试时的高温环境下，并通过半导体模组210调节温控室200内部的温度，这样既可以使得供电电源240在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板300进行供电，使得半导体存储芯片测试板300无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
43.如图1所示，在老化测试前，先将半导体存储芯片测试板300插接到插槽140内，半导体存储芯片测试板300通过插槽140底部的插座150连接到内置于温控室200的供电电源240。当温箱开始老化测试时，控制器110控制加热组件120开始工作，由于第一温度传感器130此时监测到箱体100内的温度还没有达到老化测试所需的高温，因此，控制器110会升高加热组件120的运行功率，提高发热量，以使箱体100内的温度达到第一预设阈值范围内，半导体存储芯片测试板300进入老化测试状态。在温箱不断升温的同时，第二温度传感器230会实时监测温控室200内的温度，当温控室200内的温度过高，例如，温控室200内的温度超过第二预设阈值范围的最大值时，控制器110控制半导体模组210开始工作。需要说明的是，半导体模组210基于不同的工作电压值可以在制冷端输出不同的冷量，当电压较大时，半导体模组210的制冷端输出较多的冷量，当电压较小时，半导体模组210的制冷端输出较小的冷量。基于此，为了降低温控室200内过高的温度，控制器110通过增大可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，温控室200内的热量会通过制热端传输到箱体100内。这样既可以使得供电电源240在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板300进行供电，使得半导体存储芯片测试板300无需额外布
线连接外部电源，从而减少线材。
44.在一些实施例中，控制器110会实时获取第一温度传感器130输出的第一温度值和第二温度传感器230输出的第二温度值，并根据第一温度值和第二温度值控制加热组件120的运行功率和可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以使箱体100内的温度保持在第一预设阈值范围内以及温控室200内的温度保持在第二预设阈值范围内。基于此，因应箱体100内的实时温度和温控室200内的实时温度，控制器110通过对加热组件120和半导体模组210的联调，使得箱体100内部和温控室200内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板300进行老化测试。
45.在一些实施例中，控制器110会根据第一温度值控制加热组件120的运行功率和可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以使箱体100内的温度保持在第一预设阈值范围内；并根据第二温度值控制可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以使温控室200内的温度保持在第二预设阈值范围内。可知，对于箱体100内部温度的调节，可以通过控制器110对加热组件120和半导体模组210进行联调而实现。而对于温控室200内部温度的调节，可以通过控制器110控制可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值来实现。基于此，通过控制器110能够控制箱体100内部和温控室200内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板300进行老化测试。
46.在一些实施例中，开始老化测试，箱体100内处于常温状态，控制器110通过第一温度传感器130监测箱体100内部的温度，在监测到箱体100内部的温度低于第一预设阈值范围内的最小值的情况下，即箱体100内部的温度未能达到老化测试所需的高温，此时控制器110会升高加热组件120的运行功率，以使得箱体100内部的温度能够达到老化测试所需的高温。同时，控制器110还会通过第二温度传感器230监测温控室200内部的温度，在温控室200内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值的情况下，即温控室200内部的温度过高，可能会对供电电源240造成不良影响。此时，控制器110会增大可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，以降低温控室200内的温度来保护供电电源240。这样既可以使得供电电源240在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板300进行供电，使得半导体存储芯片测试板300无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
47.在一些实施例中，在老化测试过程中，箱体100内已经处于高温老化状态，控制器110通过第二温度传感器230实时监测温控室200内部的温度，在监测到温控室200内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值，控制器110会增大可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量。这样既可以使得供电电源240在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板300进行供电，使得半导体存储芯片测试板300无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。与此同时，温控室200内的热量会通过制热端传输到箱体100内。控制器110会通过第一温度传感器130监测箱体100内部的温度，在监测到箱体100内部的温度高于第一预设阈值范围内的最大值的情况下，控制器110会保持可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，并降低加热组件120的运行功率。基于此，通过控制器110能够控制箱体100内部和温控室200内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板300进行老化测试。
48.在一些实施例中，当加热组件120持续发热，箱体100内温度不断升高，当第一度传
感器监测到箱体100内的温度超过第一预设阈值范围的最大值时，说明此时箱体100内温度过高，可能会对半导体存储芯片测试板300造成损坏。此时，控制器110会降低加热组件120的运行功率，减小发热量，以使箱体100内的温度重新回到第一预设阈值范围内。当第一度传感器监测到箱体100内的温度回到第一预设阈值范围内，控制器110会保持加热组件120的运行功率，控制发热量，以保证半导体存储芯片测试板300在老化测试所需的温度范围内进行老化。
49.在一些实施例中，当制冷端持续输出冷量，温控室200内的温度不断降低，当第二度传感器监测到温控室200内的温度低于第二预设阈值范围的最小值时，说明此时温控室200内温度过低，可能会对供电电源240造成不良影响。此时，控制器110会减小可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，减少冷量的输出，以使温控室200内的温度重新回到第二预设阈值范围内。当第二度传感器监测到温控室200内的温度回到第二预设阈值范围内，控制器110会保持可调电源220输出给半导体模组210的工作电压值，控制冷量的输出，以保证供电电源240在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板300进行供电，使得半导体存储芯片测试板300无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
50.需要说明的是，第一预设阈值范围和第二预设阈值范围可以根据测试要求进行设定，本发明实施例并不对第一预设阈值范围和第二预设阈值范围的具体数值进行限定。
51.在一些实施例中，对于温控室200的具体位置，可以设置在箱体100的底部，而插槽140可以设置在温控室200的顶部。
52.在一些实施例中，对于半导体模组210的具体位置，可以设置在温控室200的左侧壁，也可以设置在温控室200的右侧壁，还可以分别设置在温控室200的左侧壁和右侧壁。
53.在一些实施例中，为了便于将供电电源240准确安装到温控室200内指定的位置，温控室200设置有可拆卸连接的夹具250，夹具250用于固定供电电源240在温控室200的位置，以使供电电源240对接到插座150。
54.在一些实施例中，为了精准控制半导体存储芯片测试板300的老化时间，箱体100还设置有用于计算半导体存储芯片测试板300老化时间的计时装置160，计时装置160与控制器110电性连接。
55.如图2所示，本发明实施例还提供了一种测试用温箱测试方法，应用于测试用温箱，测试用温箱包括用于对半导体存储芯片测试板进行老化测试的箱体和至少一个温控室，温控室用于放置供电电源，供电电源用于给半导体存储芯片测试板供电，温控室设置于箱体内部，箱体内设置有多个用于固定半导体存储芯片测试板的插槽，插槽连接到温控室，插槽底部设置有用于插接半导体存储芯片测试板的插座，插座通过温控室与供电电源电性连接，温控室的侧壁穿设有半导体模组，半导体模组包括制热端和制冷端，制热端朝向温控室的外侧，制冷端朝向温控室的内侧，箱体还设置有控制器、用于对箱体内部进行加热的加热组件和用于监测箱体内部温度的第一温度传感器，温控室内还设置有用于给半导体模组供电的可调电源和用于监测温控室内部温度的第二温度传感器，加热组件、第一温度传感器、第二温度传感器和可调电源分别与控制器电性连接，测试方法包括如下步骤：
56.s201：获取第一温度传感器输出的第一温度值和第二温度传感器输出的第二温度值；
57.s202：根据第一温度值和第二温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。
58.在一些实施例中，控制器会实时获取第一温度传感器输出的第一温度值和第二温度传感器输出的第二温度值，并根据第一温度值和第二温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。因应箱体内的实时温度和温控室内的实时温度，控制器通过对加热组件和半导体模组的联调，使得箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。基于此，本发明实施例能够保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
59.如图3所示，步骤s202可以包括但不限于包括步骤s301至s302：
60.步骤s301：根据第一温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内；
61.步骤s302：根据第二温度值控制可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。
62.在一些实施例中，控制器会根据第一温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内；并根据第二温度值控制可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。可知，对于箱体内部温度的调节，可以通过控制器对加热组件和半导体模组进行联调而实现。而对于温控室内部温度的调节，可以通过控制器控制可调电源输出给半导体模组的工作电压值来实现。基于此，通过控制器能够控制箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。
63.如图4所示，步骤s202可以包括但不限于包括步骤s401至s402：
64.步骤s401：开始老化测试，监测箱体内部的温度，在第一温度值低于第一预设阈值范围内的最小值的情况下，升高加热组件的运行功率；
65.步骤s402：监测温控室内部的温度，在第二温度值高于第二预设阈值范围内的最大值的情况下，增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值。
66.在一些实施例中，开始老化测试，箱体内处于常温状态，控制器通过第一温度传感器监测箱体内部的温度，在监测到箱体内部的温度低于第一预设阈值范围内的最小值的情况下，即箱体内部的温度未能达到老化测试所需的高温，此时控制器会升高加热组件的运行功率，以使得箱体内部的温度能够达到老化测试所需的高温。同时，控制器还会通过第二温度传感器监测温控室内部的温度，在温控室内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值的情况下，即温控室内部的温度过高，可能会对供电电源造成不良影响。此时，控制器会增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，以降低温控室内的温度来保护供电电源。这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连
接外部电源，从而减少线材。
67.如图5所示，步骤s202可以包括但不限于包括步骤s501至s502：
68.步骤s501：在老化测试过程中，监测温控室内部的温度，当第二温度值高于第二预设阈值范围内的最大值，增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值；
69.步骤s502：监测箱体内部的温度，在第一温度值高于第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，降低加热组件的运行功率。
70.在一些实施例中，在老化测试过程中，箱体内已经处于高温老化状态，控制器通过第二温度传感器实时监测温控室内部的温度，在监测到温控室内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值，控制器会增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量。这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。与此同时，温控室内的热量会通过制热端传输到箱体内。控制器会通过第一温度传感器监测箱体内部的温度，在监测到箱体内部的温度高于第一预设阈值范围内的最大值的情况下，控制器会保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，并降低加热组件的运行功率。基于此，通过控制器能够控制箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。
71.如图6所示，当测试用温箱包括计时装置，计时装置可以在控制器的控制下输出用于控制加热组件在不同工作状态下的工作时长以及可调电源在不同工作状态下的工作时长，步骤s202可以包括但不限于包括步骤s601至s602：
72.步骤s601：开始老化测试，监测箱体内部的温度，在第一温度值低于第一预设阈值范围内的最小值的情况下，以第一时长升高加热组件的运行功率；
73.步骤s602：监测温控室内部的温度，在第二温度值高于第二预设阈值范围内的最大值的情况下，以第二时长增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值。
74.在一些实施例中，开始老化测试，箱体内处于常温状态，控制器通过第一温度传感器监测箱体内部的温度，在监测到箱体内部的温度低于第一预设阈值范围内的最小值的情况下，即箱体内部的温度未能达到老化测试所需的高温，此时控制器会以第一时长升高加热组件的运行功率，以使得箱体内部的温度能够达到老化测试所需的高温。同时，控制器还会通过第二温度传感器监测温控室内部的温度，在温控室内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值的情况下，即温控室内部的温度过高，可能会对供电电源造成不良影响。此时，控制器会以第二时长增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，以降低温控室内的温度来保护供电电源。这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。需要指出的是，第一时长和第二时长可以根据半导体存储芯片测试板的实际测试要求进行设定，本发明实施例对其具体数值不作限定。通过引入第一时长和第二时长，使得控制器可以更加精确地控制升高加热组件的运行功率的工作时长，以及控制增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值的工作时长，从而精准控制地整个温箱能耗，起到节能效果。
75.如图7所示，当测试用温箱包括计时装置，计时装置可以在控制器的控制下输出用于控制加热组件在不同工作状态下的工作时长以及可调电源在不同工作状态下的工作时
长，步骤s202可以包括但不限于包括步骤s701至s702：
76.步骤s701：在老化测试过程中，监测温控室内部的温度，当第二温度值高于第二预设阈值范围内的最大值，以第三时长增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值；
77.步骤s702：监测箱体内部的温度，在第一温度值高于第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以第四时长降低加热组件的运行功率。
78.在一些实施例中，在老化测试过程中，箱体内已经处于高温老化状态，控制器通过第二温度传感器实时监测温控室内部的温度，在监测到温控室内部的温度高于第二预设阈值范围内的最大值，控制器会以第三时长增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量。这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。与此同时，温控室内的热量会通过制热端传输到箱体内。控制器会通过第一温度传感器监测箱体内部的温度，在监测到箱体内部的温度高于第一预设阈值范围内的最大值的情况下，控制器会保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，并以第四时长降低加热组件的运行功率。基于此，通过控制器能够控制箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。需要指出的是，第三时长和第四时长可以根据半导体存储芯片测试板的实际测试要求进行设定，本发明实施例对其具体数值不作限定。通过引入第三时长和第四时长，使得控制器可以更加精确地控制增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值的工作时长，以及控制降低加热组件的运行功率的工作时长，从而精准控制地整个温箱能耗，起到节能效果。
79.需要说明的是，第一预设阈值范围和第二预设阈值范围可以根据测试要求进行设定，本发明实施例并不对第一预设阈值范围和第二预设阈值范围的具体数值进行限定。
80.在一些实施例中，当第一温度传感器实时监测箱体内的温度，控制器获取第一温度传感器输出的第一温度值，并根据第一温度值控制加热组件的运行功率，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内。例如，在箱体内的温度未达到预设的老化温度范围值(即第一预设阈值范围)时，控制器会升高加热组件的运行功率，以提高发热量。在箱体内的温度已经升高到超过老化温度范围值时，控制器会降低加热组件的运行功率，以降低发热量。在箱体内的温度已经重新回到老化温度范围值时，控制器会保持加热组件的运行功率，以保持发热量，使得半导体存储芯片测试板能够一直处在老化温度范围值进行老化测试。
81.在一些实施例中，在箱体内温度不断上升的同时，第二温度传感器会实时监测温控室内的温度，控制器获取第二温度传感器输出的第二温度值，并根据第二温度值控制可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使温控室内的温度保持在第二预设阈值范围值内。需要说明的是，半导体模组基于不同的工作电压值可以在制冷端输出不同的冷量，当电压较大时，半导体模组的制冷端输出较多的冷量，当电压较小时，半导体模组的制冷端输出较小的冷量。例如，当监测到温控室内的温度过高时，控制器会通过增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，使得温控室内部的温度能够回落至第二预设阈值范围值内。在温控室内的温度已经下降至第二预设阈值范围值内时，控制器会保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，控制冷量的输出。在某些特殊情况下，假若
温控室内部的温度过低，控制器会通过减小可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以减少制冷端输出的冷量，使得温控室内部的温度能够回升至第二预设阈值范围值内。基于此，能够保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
82.在一些实施例中，在老化测试前，先将半导体存储芯片测试板插接到插槽内，半导体存储芯片测试板通过插槽底部的插座连接到内置于温控室的供电电源。当温箱开始老化测试时，控制器控制加热组件开始工作，由于第一温度传感器此时监测到箱体内的温度还没有达到老化测试所需的高温，因此，控制器会升高加热组件的运行功率，提高发热量，以使箱体内的温度达到第一预设阈值范围内，半导体存储芯片测试板进入老化测试状态。
83.在一些实施例中，在老化过程中，加热组件持续发热，箱体内温度不断升高，当第一度传感器监测到箱体内的温度超过第一预设阈值范围的最大值时，说明此时箱体内温度过高，可能会对半导体存储芯片测试板造成损坏。此时，控制器会降低加热组件的运行功率，减小发热量，以使箱体内的温度重新回到第一预设阈值范围内。
84.在一些实施例中，当第一度传感器监测到箱体内的温度回到第一预设阈值范围内，控制器会保持加热组件的运行功率，控制发热量，以保证半导体存储芯片测试板在老化测试所需的温度范围内进行老化。
85.在一些实施例中，在温箱不断升温的同时，第二温度传感器会实时监测温控室内的温度，当温控室内的温度过高，例如，温控室内的温度超过第二预设阈值范围的最大值时，控制器控制半导体模组开始工作。需要说明的是，半导体模组基于不同的工作电压值可以在制冷端输出不同的冷量，当电压较大时，半导体模组的制冷端输出较多的冷量，当电压较小时，半导体模组的制冷端输出较小的冷量。基于此，为了降低温控室内过高的温度，控制器通过增大可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以加大制冷端输出的冷量，温控室内的热量会通过制热端传输到箱体内。这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
86.在一些实施例中，假若温控室内部的温度过低，控制器会通过减小可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以减少制冷端输出的冷量，使得温控室内部的温度能够回升至第二预设阈值范围值内。基于此，能够保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
87.在一些实施例中，当第二度传感器监测到温控室内的温度回到第二预设阈值范围内，控制器会保持可调电源输出给半导体模组的工作电压值，控制冷量的输出，以保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
88.基于此，本发明实施例将供电电源内置于温控室，以避免供电电源直接暴露在箱体进行老化测试时的高温环境下，并通过半导体模组调节温控室内部的温度，这样既可以使得供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。同时，可以实现对半导体存储芯片测试板进行自动化的老化测试。
89.如图8所示，本发明实施例还提供了一种测试用温箱。
90.具体地，该测试用温箱包括：一个或多个处理器810和存储器820，图8中以一个处理器810及存储器820为例。处理器810和存储器820可以通过总线或者其他方式连接，图8中以通过总线连接为例。
91.存储器820作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序，如上述本发明实施例中的测试方法。处理器810通过运行存储在存储器820中的非暂态软件程序以及程序，从而实现上述本发明实施例中的测试方法。
92.存储器820可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储执行上述本发明实施例中的测试方法所需的数据等。此外，存储器820可以包括高速随机存取存储器820，还可以包括非暂态存储器820，例如至少一个磁盘存储器820件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器820件。在一些实施方式中，存储器820可选包括相对于处理器810远程设置的存储器820，这些远程存储器820可以通过网络连接至该终端。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
93.实现上述本发明实施例中的测试方法所需的非暂态软件程序以及程序存储在存储器820中，当被一个或者多个处理器810执行时，执行上述本发明实施例中的测试方法，控制器会实时获取第一温度传感器输出的第一温度值和第二温度传感器输出的第二温度值，并根据第一温度值和第二温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。因应箱体内的实时温度和温控室内的实时温度，控制器通过对加热组件和半导体模组的联调，使得箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。基于此，本发明实施例能够保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
94.此外，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行程序，该计算机可执行程序被一个或多个控制处理器执行，可使得上述一个或多个处理器执行上述本发明实施例中的测试方法，控制器会实时获取第一温度传感器输出的第一温度值和第二温度传感器输出的第二温度值，并根据第一温度值和第二温度值控制加热组件的运行功率和可调电源输出给半导体模组的工作电压值，以使箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。因应箱体内的实时温度和温控室内的实时温度，控制器通过对加热组件和半导体模组的联调，使得箱体内部和温控室内部能够处于各自适合的温度，从而实现在温箱内部供电的前提下，自动对半导体存储芯片测试板进行老化测试。基于此，本发明实施例能够保证供电电源在合适的温度下工作，又能够实现在温箱内部对半导体存储芯片测试板进行供电，使得半导体存储芯片测试板无需额外布线连接外部电源，从而减少线材。
95.本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机
可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读程序、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读程序、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
96.以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本发明权利要求所限定的范围内。

技术特征：
1.一种测试用温箱，其特征在于，包括用于对半导体存储芯片测试板进行老化测试的箱体和至少一个温控室，所述温控室用于放置供电电源，所述供电电源用于给所述半导体存储芯片测试板供电，所述温控室设置于所述箱体内部，所述箱体内设置有多个用于固定所述半导体存储芯片测试板的插槽，所述插槽连接到所述温控室，所述插槽底部设置有用于插接所述半导体存储芯片测试板的插座，所述插座通过所述温控室与所述供电电源电性连接，所述温控室的侧壁穿设有半导体模组，所述半导体模组包括制热端和制冷端，所述制热端朝向所述温控室的外侧，所述制冷端朝向所述温控室的内侧，所述箱体还设置有控制器、用于对所述箱体内部进行加热的加热组件和用于监测所述箱体内部温度的第一温度传感器，所述温控室内还设置有用于给所述半导体模组供电的可调电源和用于监测所述温控室内部温度的第二温度传感器，所述加热组件、所述第一温度传感器、所述第二温度传感器和所述可调电源分别与所述控制器电性连接。2.根据权利要求1所述的测试用温箱，其特征在于，所述温控室设置有可拆卸连接的夹具，所述夹具用于固定所述供电电源在所述温控室的位置，以使所述供电电源对接到所述插座。3.根据权利要求1所述的测试用温箱，其特征在于，所述箱体还设置有用于计算所述半导体存储芯片测试板老化时间的计时装置，所述计时装置与所述控制器电性连接。4.一种测试用温箱测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1至3任意一项所述的测试用温箱，所述方法包括：获取所述第一温度传感器输出的第一温度值和所述第二温度传感器输出的第二温度值；根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：根据所述第一温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内；根据所述第二温度值控制所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内。6.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：开始老化测试，监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值低于所述第一预设阈值范围内的最小值的情况下，升高所述加热组件的运行功率；监测所述温控室内部的温度，在所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值的情况下，增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值。
7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一温度值和所述第二温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内以及所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，包括：在老化测试过程中，监测所述温控室内部的温度，当所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值；监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值高于所述第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，降低所述加热组件的运行功率。8.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述测试用温箱包括计时装置，所述根据所述第一温度值控制所述加热组件的运行功率和所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述箱体内的温度保持在第一预设阈值范围内，还包括：开始老化测试，监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值低于所述第一预设阈值范围内的最小值的情况下，以第一时长升高所述加热组件的运行功率；监测所述温控室内部的温度，在所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值的情况下，以第二时长增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值。9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述测试用温箱包括计时装置，所述根据所述第二温度值控制所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以使所述温控室内的温度保持在第二预设阈值范围内，还包括：在老化测试过程中，监测所述温控室内部的温度，当所述第二温度值高于所述第二预设阈值范围内的最大值，以第三时长增大所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值；监测所述箱体内部的温度，在所述第一温度值高于所述第一预设阈值范围内的最大值的情况下，保持所述可调电源输出给所述半导体模组的工作电压值，以第四时长降低所述加热组件的运行功率。10.一种测试用温箱，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求4至9中任意一项所述的测试方法。

技术总结
本发明公开一种测试用温箱及其测试方法，测试用温箱包括用于对半导体存储芯片测试板进行老化测试的箱体和至少一个温控室，温控室用于放置供电电源，供电电源用于给半导体存储芯片测试板供电，温控室设置于箱体内部，温控室的侧壁穿设有半导体模组，半导体模组包括制热端和制冷端，制热端朝向温控室的外侧，制冷端朝向温控室的内侧，箱体还设置有控制器、用于对箱体内部进行加热的加热组件和用于监测箱体内部温度的第一温度传感器，温控室内还设置有用于给半导体模组供电的可调电源和用于监测温控室内部温度的第二温度传感器，加热组件、第一温度传感器、第二温度传感器和可调电源分别与控制器电性连接。基于此，测试用温箱能够实现温箱内部供电。能够实现温箱内部供电。能够实现温箱内部供电。


技术研发人员：谢登煌
受保护的技术使用者：深圳市晶存科技有限公司
技术研发日：2023.04.26
技术公布日：2023/8/14