涂布设备及钙钛矿型太阳能电池生产系统的制作方法

1.本发明涉及钙钛矿型太阳能电池制备设备技术领域，具体涉及一种涂布设备及钙钛矿型太阳能电池生产系统。


背景技术：

2.钙钛矿型太阳能电池(perovskite solar cells，简称psc)，是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池。
3.在钙钛矿薄膜制备时，一个较为关键的步骤是制备钙钛矿薄膜。钙钛矿薄膜的制备有很多种方法，其中最常用的制备方法是溶液法。具体为，将制备好的钙钛矿溶液均匀的涂敷在基板表面，涂敷完成后，将基板放入至真空腔中，通过降低环境气压从而降低溶剂沸点，使钙钛矿溶液中的有机溶剂挥发，将溶质——钙和钛的化合物留在基板的表面，进而形成坚硬的钙钛矿薄膜。
4.但是，在真空腔中，钙钛矿溶液中的溶剂总会在薄膜的最上表面开始挥发，因此结晶过程也是从钙钛矿溶液的上表面开始，这样会存在形成的晶格较小的问题，对于后续的钙钛矿型太阳能电池的光电转换效率存在一定的影响。


技术实现要素：

5.(一)本发明所要解决的问题是：现有钙钛矿薄膜制备多采用真空干燥，导致结晶过程是从钙钛矿溶液的上表面开始，使后续所形成的晶格较小，对于后续的钙钛矿型太阳能电池的光电转换效率存在一定的影响。
6.(二)技术方案
7.为了解决上述技术问题，本发明一方面实施例提供了一种涂布设备，用于在基板上涂布溶液，所述涂布设备包括：基台、涂布模头和冷却机构；
8.所述基台用于放置所述基板，所述涂布模头与溶液源连通，所述涂布模头具有涂布口，所述涂布口朝向所述基台设置；
9.所述冷却机构设置于所述基台上，所述冷却机构用于降低所述基板的温度，且所述冷却机构的温度可调节设置。
10.进一步的，所述基台具有相对的第一端和第二端；
11.所述涂布模头沿所述第一端至所述第二端的方向涂布所述溶液；
12.所述冷却机构沿所述第一端至所述第二端分布，且所述冷却机构靠近所述第二端的一侧的温度低于靠近所述第一端的一侧的温度。
13.进一步的，所述冷却机构包括设置于所述基台内的冷却介质流道，所述冷却介质流道与冷却介质源连通。
14.进一步的，所述冷却介质流道设置有多条，且每条所述冷却介质流道均对应设置有独立的所述冷却介质源。
15.进一步的，全部所述冷却介质流道分为第一流道组和第二流道组，所述第一流道
组的所述冷却介质流道和所述第二流道组的所述冷却介质流道交叉设置于所述基台内。
16.进一步的，还包括冷却介质管，所述冷却介质管内形成所述冷却介质流道；
17.所述基台上设置有与所述冷却介质管对应的安装孔，所述冷却介质管安装于对应的所述安装孔内，且所述冷却介质管与所述安装孔之间设置有导热层。
18.进一步的，所述冷却机构包括设置于所述基台内的制冷元件。
19.进一步的，所述制冷元件设置有多个，且每个所述制冷元件的温度独立控制。
20.进一步的，还包括监测机构，所述监测机构用于监测所述基台表面的温度。
21.进一步的，还包括真空罩和抽真空件；
22.所述真空罩用于罩设于所述基台上，并与所述基台形成密闭空间；
23.所述抽真空件设置于所述真空罩上，并用于对所述密闭空间抽真空。
24.进一步的，还包括吹扫机构；
25.所述吹扫机构设置于所述涂布模头上；
26.所述吹扫机构与惰性气体源连通，所述吹扫机构具有吹扫口，所述吹扫口朝向所述基台设置。
27.本发明另一方面实施例还提供了一种钙钛矿型太阳能电池生产系统，包括上述任一实施例所述的涂布设备。
28.本发明的有益效果：
29.本发明提供的一种涂布设备，用于在基板上涂布溶液，所述涂布设备包括：基台、涂布模头和冷却机构；所述基台用于放置所述基板，所述涂布模头与溶液源连通，所述涂布模头具有涂布口，所述涂布口朝向所述基台设置；所述冷却机构设置于所述基台上，所述冷却机构用于降低所述基板的温度，且所述冷却机构的温度可调节设置。
30.通过在基台上设置冷却机构对基板降温预处理，使在成膜过程中即实现了晶核的产生位置可控。在涂布过程中，常温的溶液涂布到基板上后，溶液膜层的下方区域优先与基板接触，此时溶液膜层下方区域温度降低，在膜层的下方溶质优先析出，形成后续晶体结晶生长所需要的晶核，从而实现结晶先在溶液膜层下方区域生长的效果。经过检测对比后，其内部晶格相较于现有的制备方式中产生的晶格更大，能够有效提高产品的光电转换效率。
附图说明
31.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
32.图1为本发明实施例提供的冷却机构为冷却介质流道时的涂布设备的结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的冷却机构为冷却介质流道时的涂布设备的结构示意图；
34.图3为本发明实施例提供的冷却机构为半导体制冷片时的基台的结构示意图；
35.图4为本发明实施例提供的真空罩与基台配合的结构示意图；
36.图5为本发明实施例提供的真空罩工作时的结构示意图；
37.图6为本发明实施例提供的冷却机构为冷却介质流道时的涂布设备的平面示意图。
38.图标：1-基台；
39.21-涂布模头；22-吹扫机构；
40.3-冷却机构；31-冷却介质管；311-冷却介质流道；32-制冷元件；321-半导体制冷片；
41.41-真空罩；
42.5-基板；51-玻璃基板。
具体实施方式
43.下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
44.本发明一方面实施例提供了一种涂布设备，用于在基板5上涂布溶液，并在基板5的表面形成薄膜。
45.可选的，在本实施例中，所述的涂布设备用于在基板5上涂布钙钛矿溶液，以在基板5的表面形成钙钛矿薄膜。
46.如图1至图6所示，本发明实施例提供的涂布设备包括：基台1、涂布模头21和冷却机构3。基台1用于放置基板5，涂布模头21与溶液源连通，涂布模头21具有涂布口，涂布口朝向基台1设置。冷却机构3设置于基台1上，冷却机构3用于降低基板5的温度，且冷却机构3的温度可调节设置。
47.在本实施例中，所述的涂布设备包括基台1、涂布模头21和冷却机构3。其中，基台1上形成有涂布区域，涂布区域也即涂布模头21的工作区域。使用时，将基板5放置于基台1的涂布区域中，涂布模头21向基板5的表面涂布溶液并在基板5的表面形成溶液膜层。以钙钛矿溶液为例，涂布模头21将钙钛矿溶液涂布在基板5表面形成钙钛矿溶液膜层，钙钛矿溶液中的溶剂挥发后，在基板5的表面形成钙钛矿薄膜。涂布模头21用于向基板5的表面涂布溶液，涂布模头21与溶液源连通，溶液源即用于存储溶液的容器，或者用于制备溶液的设备。可选的，可以是在涂布模头21与溶液源之间设置管线连通，也可以是将溶液源设置在涂布模头21的支架上，溶液源与涂布模头21直接连通；本实施例中优选采用后者。涂布模头21具有涂布口，并且，涂布口朝向基板5设置，溶液源中的溶液可通过涂布口涂布至基板5上。冷却机构3设置在基台1上，可选的，可以是设置在基台1设置有涂布区域的表面，也可以是设置在基台1的内部；本实施例中优选采用后者。冷却机构3用于降低基板5的温度，在使用时，在冷却机构3的作用下，基板5的温度低于室温，当溶液涂布至基板5的表面后形成溶液膜层，涂布模头21涂布的溶液为常温溶液，形成的溶液膜层与基板5接触后温度降低，溶液的溶解度随之降低，使溶液中的溶质析出；并且，由于溶液膜层的下方区域与基板5接触，因此溶液膜层下方区域的溶剂会优先析出，形成后续晶体结晶生长所需的晶核。通过在基台1设置冷却机构3对基板5降温，实现了晶体先在溶液膜层下层生长的效果。经过检测，晶体先在溶液膜层下层生长能够利于结成较大的晶格。
48.在本实施例中，冷却机构3温度可调节设置，能够使设备的适用性更强。
49.在本实施例中，冷却机构3的温度可调，可以是冷却机构3整体的温度可调节设置，也可以是冷却机构3局部的温度可调节设置；本实施例中优选采用后者，冷却机构3局部温度可调节设置，在提高设备适用性的同时，还能够使得溶液膜层产生的晶格体更加均匀，具体原理下文会详细阐述。
50.本发明实施例提供的涂布设备，通过在基台1上设置冷却机构3对基板5降温预处理，使在成膜过程中即实现了晶核的产生位置可控。在涂布过程中，常温的溶液涂布到基板5上后，溶液膜层的下方区域优先与基板5接触，此时溶液膜层下方区域温度降低，在膜层的下方溶质优先析出，形成后续晶体结晶生长所需要的晶核，从而实现结晶先在溶液膜层下方区域生长的效果。经过检测对比后，其内部晶格相较于现有的制备方式中产生的晶格更大，能够有效提高产品的光电转换效率。
51.需要说明的是，基台1的一侧为下方，涂布模头21的一侧为上方。
52.本发明实施例提供的涂布设备，如图1至图6所示，基台1具有相对的第一端和第二端；涂布模头21沿第一端至第二端的方向涂布溶液；冷却机构3沿第一端至第二端的方向分布，且冷却机构3靠近第二端的一侧的温度低于靠近第一端的一侧的温度。
53.本实施例提供的涂布设备，基台1呈长方体结构，其具有相对的第一端和第二端，将基板5放置在基台1上后，涂布模头21沿第一端至第二端的方向运行，并向基板5上涂布所述的溶液。为了使冷却机构3能够对整个基板5降温，冷却机构3也沿第一端至第二端分布，并且，为了使溶液膜层结晶时更加均匀，冷却机构3靠近第二端的一侧的温度要低于冷却机构3靠近第一端的一侧的温度。
54.具体的，上述内容已经说明，涂布模头21在工作时是由第一端向第二端的方向运行的，也就是说，基板5靠近第一端的一侧会先被涂布上溶液，而当涂布模头21运行至第二端时，第一端的溶液膜层已经被冷却了一定的时间，第一端的基板5的温度也会更低，同时溶液膜层结晶的时间也更长，因此，为了溶液膜层结晶的均匀性，靠近第二端的方向冷却机构3温度需要设置的更低。
55.优选的，在本实施例中，沿第一端至第二端的方向，冷却机构3的温度逐渐降低。
56.在本实施例中，冷却机构3具有多种设置方式。
57.在冷却机构3的一种设置方式中，如图1、图2、图4、图5和图6所示，冷却机构3包括设置于基台1内的冷却介质流道311，冷却介质流道311与冷却介质源连通。
58.在本实施例中，所述的冷却机构3包括设置在基台1内的冷却介质流道311，冷却介质流道311可以通过在基台1内设置管路的方式实现，也可以通过在基台1内开孔的方式实现，具体方式下文会详细阐述。冷却介质流道311与冷却介质源连通，冷却介质源即用于存储冷却介质的容器，或者用于制备冷却介质的设备。冷却介质源能够向冷却介质流道311内循环冷却介质，以降低放置在基台1上的基板5的温度。
59.在本实施例中，冷却介质可以为液体，如冷却水、液氮等，也可以为气体，如二氧化碳、冷空气等。本实施例中冷却介质采用冷却水，其具有较强的冷却效果，并且成本低廉。
60.使用时，冷却介质源向冷却介质流道311内源源不断的输送冷却介质，使冷却介质在冷却介质流道311内循环，以降低放置在基台1上的基板5的温度。
61.在本实施例中，冷却介质流道311可以设置一条，也可以设置多条，为了提高冷却
效果，本实施例中基台1内设置有多条冷却介质流道311。
62.如图1、图2、图4、图5和图6所示，冷却介质流道311设置有多条，且每条冷却介质流道311均对应设置有独立的冷却介质源。
63.在本实施例中，基台1内设置有多条冷却介质流道311，并且为了实现上述内容提到的冷却机构3局部温度可调，每条冷却介质流道311均单独设置有用于供给冷却介质的冷却介质源。
64.在本实施例中，因为每条冷却介质流道311均对应有独立的冷却介质源，因此可通过调节冷却介质源内冷却介质的温度，或者调节每条冷却介质流道311内冷却介质的流量，实现每条冷却介质流道311内的温度均不相同，以使溶液膜层结晶更加均匀。
65.如，在使用时，可将向靠近第二端的冷却介质流道311输送冷却介质的冷却介质源的温度设置的更低。
66.而当仅设置一条冷却介质流道311时，为了实现上述内容中提到的冷却机构3局部温度可调，可通过在冷却介质流道311的外壁设置温度更低的介质，或者设置制冷设备等。
67.如，当冷却介质为冷却水时，为了实现冷却介质流道311中冷却水的温度可调，可在冷却介质流道311的外壁放置冰块，或者设置半导体制冷片321等，均能够降低冷却介质流道311内的冷却水的温度。
68.本发明实施例提供的涂布设备，如图1、图2、图4、图5和图6所示，全部冷却介质流道311分为第一流道组和第二流道组，第一流道组的冷却介质流道311和第二流道组的冷却介质流道311交叉设置于基台1内。
69.在本实施例中，第一流道组内的冷却介质流道311和第二流道组中的冷却介质流道311交叉设置，能够实现矩阵式调控冷却温度，提高涂布设备的结晶效果。
70.在本实施例中，优选的，第一流道组的冷却介质流道311和第二流道组的冷却介质流道311纵横交叉设置。
71.在本实施例中，可选的，冷却介质流道311的形状可根据实际情况选择，可以为柱状、回字形或者蛇形管等。
72.在本实施例中，可选的，为了增强导热效果，基台1的材质可以采用大理石，也可以为采用铝合金等。
73.本发明实施例提供的涂布设备，如图1、图2、图4、图5和图6所示，还包括冷却介质管31，冷却介质管31内形成冷却介质流道311；基台1上设置有与冷却介质管31对应的安装孔，冷却介质管31安装于对应的安装孔内，且冷却介质管31与安装孔之间设置有导热层。
74.在本实施例中，所述的涂布设备还包括冷却介质管31，冷却介质管31内形成所述的冷却介质流道311。冷却介质管31的两端分别与冷却介质源连通。基台1上开设有与冷却水管对应的安装孔，即安装孔的数量与冷却介质管31的数量相同，装配时，将冷却介质管31装配至对应的安装孔内。
75.在本实施例中，优选的，为了提高导热能力，提高结晶效率，在冷却介质管31与安装孔之间填充有导热层。导热层为导热材料制作，如可以为导热硅脂一类材料。
76.在冷却机构3的一种设置方式中，如图3所示，冷却机构3包括设置于基台1内的制冷元件32。
77.在本实施例中，冷却机构3采用制冷元件32进行制冷，其相较于设置冷却介质流道
311制冷的方式不存在空间限制，可靠性强。并且制冷元件32可通过计算机控制温度，调控精度更高。
78.可选的，在本实施例中，所述的制冷元件32可以为半导体制冷片321，其技术成熟，具有优良的可靠性和经济性。
79.其中，半导体制冷片321具有制冷面和散热面，半导体制冷片321设置在基台1内，并且制冷面朝向基板5设置。
80.可选的，在本实施例中，制冷元件32还可以通过磁热效应实现。
81.具体为，所述的制冷元件32包括金属钆片的转轮和高磁场强度的稀土永磁体。钆是一种特殊金属，被置于磁性环境后温度会升高，当磁场被去除后温度会下降，这一现象被称为磁热效应。
82.本发明实施例提供的涂布设备，如图3所示，制冷元件32设置有多个，且每个制冷元件32的温度独立控制。
83.在本实施例中，优选的，所述的制冷元件32设置有多个，全部制冷元件32呈矩阵的方式阵列在基台1内，并且，每个制冷元件32的温度单独控制，以实现上述内容提及的，冷却机构3的温度局部可调的效果。
84.在本实施例中，涂布设备包括有控制器，全部的制冷元件32均与控制器电连接，控制器能够单独控制任一个制冷元件32的工作温度。使用时，可沿第一端至第二端的方向，制冷元件32的温度逐渐降低。
85.可以理解的是，在本实施例中，冷却机构3还可以采用冷却介质通道与制冷元件32配合的方式，其同样能够实现本实施中对基板5冷却的目的。
86.本发明实施例提供的涂布设备，如图3所示，所述基台1分为两部分，分别为上基台1和下基台1，上基台1和下基台1相连后形成所述的基台1。所述的冷却机构3设置于上基台1和下基台1之间。
87.优选的，上基台1和下基台1可拆卸设置，以便于后期对于冷却机构3检维修。
88.本发明实施例提供的涂布设备，还包括监测机构，监测机构用于监测基台1表面的温度。
89.在本实施例中，所述的涂布设备还包括有用于监测基台1表面温度的监测机构，通过设置监测机构能够快速获得基台1表面每个区域的温度信息，以便于操作人员调节冷却机构3的温度，使溶液膜层结晶更加均匀。
90.可选的，在本实施例中，监测机构可以为红外温度测试等非接触的温度测量机构，也可以设置在冷却介质流道311或者制冷元件32中的温度传感器。
91.本发明实施例提供的涂布设备，通过在基台1上设置冷却机构3后，溶液膜层下方的区域因溶解度降低使溶质析出，溶质析出后需要尽快的去除掉溶剂，否则一旦温度回升，析出的溶质会再次溶解在溶剂中。
92.为了解决上述问题，如图5和图6所示，本发明实施例提供的涂布设备还包括真空罩41和抽真空件；真空罩41用于罩设于基台1上，并与基台1形成密闭空间；抽真空件设置于真空罩41上，并用于对密闭空间抽真空。
93.在本实施例中，涂布模头21涂布完成后，将真空罩41罩于基台1上，真空罩41与基台1共同合围成一密闭空间，之后抽真空件开始工作，将密闭空间内的气压抽至低真空。
94.在本实施例中，密闭空间内的气压降低后，溶剂的沸点降低，常温下的挥发速率加快，并且，挥发的溶剂气体被抽走后，密闭空间内的溶剂气体温度降低，同样会加速溶剂挥发。
95.真空罩41，即一端敞口设置罩状结构，在本实施例中，可以是真空罩41的敞口端与基台1的形状相同，也可以是真空罩41的敞口端与基台1上的涂布区域形状相同，为了节约成本，本实施例优选采用后者。
96.在本实施例中，为了保证密封性，真空罩41的敞口端与基台1之间需设置密封结构，如密封胶条等。
97.在本实施例中，可选的，为了提高涂布效率，真空罩41与基台1独立设置。
98.在本实施例中，以真空罩41的敞口端与基台1上的涂布区域形状相同为例，当涂布模头21涂布完成后，涂布模头21离开涂布区域的位置，涂布设备自动，或者操作人员手动将真空罩41罩在涂布区域，之后抽真空件开始抽真空。
99.在本实施例中，可选的，抽真空件可以为真空泵。
100.如图1、图2、图4、图5和图6所示，本发明实施例提供的涂布设备还包括吹扫机构22；吹扫机构22设置于涂布模头21上；吹扫机构22与惰性气体源连通，吹扫机构22具有吹扫口，吹扫口朝向基台1设置。
101.在本实施例中，所述的吹扫机构22与惰性气体源连通，惰性气体源即用于储存惰性气体的容器，或者用于制备惰性气体的设备。所述的吹扫机构22利用惰性气体吹扫涂布的溶液膜层，加速溶液膜层上表面的气体流动，从而加快溶剂的挥发，使溶液过饱和，固定结晶状态。
102.在本实施例中，优选的，吹扫机构22设置在涂布模头21后方，即涂布模头21涂布溶液后，吹扫机构22开始对形成的溶液膜层吹扫。
103.本发明实施例提供的涂布设备，可选的，涂布模头21为狭缝式涂布模头21，其涂布相对均匀。
104.在本实施例中，所述的涂布模头21通过支架等结构滑动连接在基台1上方，并且，吹扫机构22也连接在用于支撑涂布模头21的支架上。
105.本发明实施例提供的涂布设备，以钙钛矿型太阳能电池涂布为例，所述的溶液为钙钛矿溶液，所述的基板5为玻璃基板51，以冷却机构3为半导体制冷片321为例。
106.使用时，开启半导体制冷片321对基台1的表面冷却，将玻璃基板51放置在基台1的涂布区域上，在半导体制冷片321的作用下，玻璃基板51温度降低。但是，需要注意，玻璃基板51的温度不能低于露点温度。之后，狭缝式涂布模头21启动，沿基台1的第一端至第二端的方向开始向玻璃基板51上涂布钙钛矿溶液。在涂布过程中，控制器控制半导体制冷片321沿第一端至第二端的方向，温度呈梯度降低。钙钛矿溶液在玻璃基板51表面形成钙钛矿溶液膜层，钙钛矿溶液膜层下方的区域受玻璃基板51影响温度较低，钙钛矿溶液的溶解度降低，溶质(钙钛矿晶体)开始析出；并且，在狭缝式涂布模头21涂布的过程中，吹扫机构22向形成的钙钛矿溶液膜层吹扫氮气，以加快溶剂的挥发。狭缝式涂布模头21涂布完成后迅速离开基台1上的涂布区域，真空罩41下放罩在涂布区域上，抽真空泵开始工作，将密闭空间内的气压降低至低真空，加快溶剂的挥发，最终在玻璃基板51的表面形成钙钛矿薄膜。
107.本发明另一方面实施例还提供了一种钙钛矿性太阳能电池生产系统，包括上述任
一实施例所述的涂布设备。
108.在本实施例中，所述的钙钛矿型太阳能电池生产系统为钙钛矿型太阳能电池的生产线，所述的涂布设备为其中一个生产节拍。
109.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
110.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连通”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连通，也可以通过中间媒介间接连通，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
111.以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种涂布设备，用于在基板(5)上涂布溶液，其特征在于，所述涂布设备包括：基台(1)、涂布模头(21)和冷却机构(3)；所述基台(1)用于放置所述基板(5)，所述涂布模头(21)与溶液源连通，所述涂布模头(21)具有涂布口，所述涂布口朝向所述基台(1)设置；所述冷却机构(3)设置于所述基台(1)上，所述冷却机构(3)用于降低所述基板(5)的温度，且所述冷却机构(3)的温度可调节设置。2.根据权利要求1所述的涂布设备，其特征在于，所述基台(1)具有相对的第一端和第二端；所述涂布模头(21)沿所述第一端至所述第二端的方向涂布所述溶液；所述冷却机构(3)沿所述第一端至所述第二端分布，且所述冷却机构(3)靠近所述第二端的一侧的温度低于靠近所述第一端的一侧的温度。3.根据权利要求1或2所述的涂布设备，其特征在于，所述冷却机构(3)包括设置于所述基台(1)内的冷却介质流道(311)，所述冷却介质流道(311)与冷却介质源连通。4.根据权利要求3所述的涂布设备，其特征在于，所述冷却介质流道(311)设置有多条，且每条所述冷却介质流道(311)均对应设置有独立的所述冷却介质源。5.根据权利要求4所述的涂布设备，其特征在于，全部所述冷却介质流道(311)分为第一流道组和第二流道组，所述第一流道组的所述冷却介质流道(311)和所述第二流道组的所述冷却介质流道(311)交叉设置于所述基台(1)内。6.根据权利要求3所述的涂布设备，其特征在于，还包括冷却介质管(31)，所述冷却介质管(31)内形成所述冷却介质流道(311)；所述基台(1)上设置有与所述冷却介质管(31)对应的安装孔，所述冷却介质管(31)安装于对应的所述安装孔内，且所述冷却介质管(31)与所述安装孔之间设置有导热层。7.根据权利要求1或2所述的涂布设备，其特征在于，所述冷却机构(3)包括设置于所述基台(1)内的制冷元件(32)。8.根据权利要求7所述的涂布设备，其特征在于，所述制冷元件(32)设置有多个，且每个所述制冷元件(32)的温度独立控制。9.根据权利要求1所述的涂布设备，其特征在于，还包括监测机构，所述监测机构用于监测所述基台(1)表面的温度。10.根据权利要求1所述的涂布设备，其特征在于，还包括真空罩(41)和抽真空件；所述真空罩(41)用于罩设于所述基台(1)上，并与所述基台(1)形成密闭空间；所述抽真空件设置于所述真空罩(41)上，并用于对所述密闭空间抽真空。11.根据权利要求1所述的涂布设备，其特征在于，还包括吹扫机构(22)；所述吹扫机构(22)设置于所述涂布模头(21)上；所述吹扫机构(22)与惰性气体源连通，所述吹扫机构(22)具有吹扫口，所述吹扫口朝向所述基台(1)设置。12.一种钙钛矿型太阳能电池生产系统，其特征在于，包括如权利要求1至11任一项所述的涂布设备。

技术总结
本发明涉及钙钛矿型太阳能电池制备设备技术领域，具体涉及一种涂布设备及钙钛矿型太阳能电池生产系统。本发明提供的一种涂布设备，包括：基台、涂布模头和冷却机构；基台用于放置基板，涂布模头与溶液源连通；冷却机构设置于基台上，冷却机构用于降低基板的温度，且冷却机构的温度可调节设置。在基台上设置冷却机构对基板降温预处理，使在成膜过程中即实现了晶核的产生位置可控。在涂布时，常温的溶液涂布到基板上后，溶液膜层的下方区域优先与基板接触，受基板低温影响，在膜层的下方溶质优先析出，形成后续晶体结晶生长所需要的晶核，从而实现结晶先在溶液膜层下方区域生长的效果。相较于现有技术，内部晶格更大，能够提高光电转换效率。电转换效率。电转换效率。


技术研发人员：兰沈凯 隆清德 柴进 黄鸿杰 彭建林
受保护的技术使用者：深圳市曼恩斯特科技股份有限公司
技术研发日：2023.05.12
技术公布日：2023/8/14