稠合环状化合物、包含其的发光装置及电子设备的制作方法

稠合环状化合物、包含其的发光装置及电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年2月10日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0017773号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.实施方案涉及稠合环状化合物、包含所述稠合环状化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。


背景技术：

4.与本领域的装置相比，发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性，并且可以产生全色图像。
5.在发光装置中，第一电极布置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。激子可以从激发态跃迁至基态，从而产生光。
6.应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。


技术实现要素：

7.实施方案包括稠合环状化合物、包含所述稠合环状化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
8.其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
9.根据实施方案，稠合环状化合物可以由式1表示：
10.[式1]
[0011][0012]
[式2]
[0013][0014]
在式1和式2中，
[0015]
t1可以是b、p(＝o)或p(＝s)，
[0016]
x1可以是o、s或n(r
1a
)，
[0017]
x2可以是o、s或n(r
2a
)，
[0018]
环a1至环a3和环a5至环a8可以各自独立地是c
5-c
30
碳环基团或c
2-c
30
杂环基团，
[0019]
r1至r3可以各自独立地是：
[0020]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；或者
[0021]
由式2表示的基团，
[0022]
a1至a3可以各自独立地是1至10的整数，
[0023]
a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的至少一个可以各自独立地是由式2表示的基团，
[0024]r1a
、r
2a
和r4至r8可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0025]
a4可以是0、1、2或3，
[0026]
a5至a8可以各自独立地是1至10的整数。
[0027]
*表示与相邻原子的结合位点，
[0028]r10a
可以是：
[0029]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0030]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0031]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0032]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及
[0033]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0034]
在实施方案中，t1可以是b。
[0035]
在实施方案中，环a1至环a3和环a5至环a8可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9h-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9h-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。
[0036]
在实施方案中，环a5至环a8可以各自独立地是苯基团、吡啶基团或嘧啶基团。
[0037]
在实施方案中，r1至r3可以各自独立地是：氢、氘、-f或氰基基团；各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
20
环烷基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、氘代c
1-c
20
烷基基团、氟代c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(c
1-c
20
烷基)苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团；-n(q1)(q2)；或者由式2表示的基团，以及
[0038]
q1和q2可以各自独立地是：各自未取代的或被氘、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
[0039]
在实施方案中，可以满足条件i至条件iv中的一个，其中条件i至条件iv在下面解释。
[0040]
在实施方案中，r
1a
和r
2a
可以各自独立地是未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团。
[0041]
在实施方案中，r4至r8可以各自独立地是：氢、氘、-f或氰基基团；各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
10
环烷基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团。
[0042]
在实施方案中，式2可以由式2-1至式2-8中的一个表示，其在下面解释。
[0043]
在实施方案中，可以满足条件a至条件c中的至少一个，其中条件a至条件c在下面解释。
[0044]
在实施方案中，所述稠合环状化合物可以由式1(1)至式1(13)中的一个表示，其在下面解释。
[0045]
在实施方案中，可以满足等式1，其中等式1在下面解释。
[0046]
根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极和在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层和至少一种由式1表示的稠合环状化合物。
[0047]
在实施方案中，所述第一电极可以是阳极；所述第二电极可以是阴极；所述中间层可以进一步包括在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区；所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合；以及所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0048]
在实施方案中，所述发射层可以包含所述至少一种稠合环状化合物。
[0049]
在实施方案中，所述发射层可以进一步包含为空穴传输化合物的第一化合物和为电子传输化合物的第二化合物。
[0050]
在实施方案中，所述发射层可以进一步包含第三化合物，并且所述第三化合物可
以是磷光敏化剂。
[0051]
在实施方案中，所述发射层可以发射具有约400nm至约500nm的最大发射波长的光。
[0052]
根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置和薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述源电极或所述漏电极。
[0053]
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、量子点、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
[0054]
应理解，以上实施方案仅以一般且解释性的意义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开内容不限于以上描述的实施方案。
附图说明
[0055]
通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的方面和特征将更加明显，在附图中：
[0056]
图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
[0057]
图2是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图；以及
[0058]
图3是根据另一实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
具体实施方式
[0059]
现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。
[0060]
在附图中，为了便于描述且为了清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。
[0061]
在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者其间可以存在一个或多于一个的介于中间的元件。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者其间可以存在一个或多于一个的介于中间的元件。
[0062]
在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。
[0063]
如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0064]
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
[0065]
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个
(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
[0066]
应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
[0067]
为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。
[0068]
如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0069]
应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
[0070]
除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
[0071]
一方面提供了可以由式1表示的稠合环状化合物：
[0072]
[式1]
[0073][0074]
[式2]
[0075][0076]
在式1中，t1可以是b、p(＝o)或p(＝s)。
[0077]
在实施方案中，t1可以是b。
[0078]
在式1中，x1可以是o、s或n(r
1a
)，以及x2可以是o、s或n(r
2a
)。x1和x2可以彼此相同或不同。
[0079]
在式1和式2中，环a1至环a3和环a5至环a8可以各自独立地是c
5-c
30
碳环基团或c
2-c
30
杂环基团。
[0080]
在实施方案中，环a1至环a3和环a5至环a8可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9h-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9h-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。
[0081]
在实施方案中，环a1至环a3可以各自独立地是苯基团、吡啶基团或嘧啶基团。
[0082]
例如，环a1至环a3可以各自是苯基团。
[0083]
在实施方案中，环a5至环a8可以各自独立地是苯基团、吡啶基团或嘧啶基团。
[0084]
例如，环a5至环a8可以各自是苯基团。
[0085]
在式1中，r1至r3可以各自独立地是：
[0086]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；或者
[0087]
由式2表示的基团。
[0088]
在式1中，a1至a3可以分别表示r1的数量至r3的数量，并且可以各自是1至10的整数。当a1为2或大于2时，两个或多于两个的r1可以彼此相同或不同，当a2为2或大于2时，两个或多于两个的r2可以彼此相同或不同，并且当a3为2或大于2时，两个或多于两个的r3可以彼此相同或不同。
[0089]
在式1中，a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的至少一个可以各自独立地是由式2表示的基团。在a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的两个或多于两个各自独立地是由式2表示的基团的情况下，两个或多于两个的由式2表示的基团可以彼此相同或不同。
[0090]
在式1和式2中，r
1a
、r
2a
和r4至r8可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；或者
[0091]
在式2中，a4可以是0、1、2或3。
[0092]
在式2中，a5至a8可以各自独立地是1至10的整数。
[0093]
在式2中，*表示与相邻原子的结合位点。
[0094]
在说明书中，r
10a
可以是：
[0095]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0096]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0097]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)
(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0098]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及
[0099]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0100]
在实施方案中，在式1中，r1至r3可以各自独立地是：
[0101]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0102]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团或c
3-c
60
环烷基基团；
[0103]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、氘代c
1-c
20
烷基基团、氟代c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(c
1-c
20
烷基)苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；
[0104]-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)或-b(q1)(q2)；或者
[0105]
由式2表示的基团。
[0106]
在实施方案中，在式1中，r1至r3可以彼此相同或不同。
[0107]
在实施方案中，在式1中，r1至r3可以各自独立地是：
[0108]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0109]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
20
环烷基基团；
[0110]
未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、氘代c
1-c
20
烷基基团、氟代c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(c
1-c
20
烷基)苯基基团、或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、二苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团或二苯并咔唑基基团；或者
[0111]-n(q1)(q2)；或者
[0112]
由式2表示的基团，以及
[0113]
q1和q2可以各自独立地是：
[0114]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0115]
各自未取代的或被氘、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基
团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
[0116]
在实施方案中，在式1中，r1至r3可以各自独立地是：
[0117]
氢、氘、-f或氰基基团；
[0118]
各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
20
环烷基基团；
[0119]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、氘代c
1-c
20
烷基基团、氟代c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(c
1-c
20
烷基)苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团；
[0120]-n(q1)(q2)；或者
[0121]
由式2表示的基团，以及
[0122]
q1和q2可以各自独立地是：
[0123]
各自未取代的或被氘、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
[0124]
在实施方案中，a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的一个可以是由式2表示的基团，并且其余基团可以不由式2表示；或者a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的两个可以各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团可以不由式2表示。
[0125]
在a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的两个各自独立地是由式2表示的基团的情况下，由式2表示的基团可以彼此相同或不同。
[0126]
在实施方案中，由式1表示的稠合环状化合物可以满足条件i至条件iv中的一个：
[0127]
[条件i]
[0128]
a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的一个是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示；
[0129]
[条件ii]
[0130]
a1数量的r1中的一个和a2数量的r2中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示；
[0131]
[条件iii]
[0132]
a1数量的r1中的一个和a3数量的r3中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示；以及
[0133]
[条件iv]
[0134]
a2数量的r2中的一个和a3数量的r3中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示。
[0135]
关于a1的数量的r1、a2的数量的r2和a3的数量的r3，条件i可以包括：
[0136]
[条件i-1]
[0137]
a1数量的r1中的一个可以是由式2表示的基团，并且其余基团可以不由式2表示；
[0138]
[条件i-2]
[0139]
a2数量的r2中的一个可以是由式2表示的基团，并且其余基团可以不由式2表示；或者
[0140]
[条件i-3]
[0141]
a3数量的r3中的一个可以是由式2表示的基团，并且其余基团可以不由式2表示。
[0142]
在条件ii至条件iv中，由式2表示的两个基团可以彼此相同或不同。
[0143]
在实施方案中，a1至a3可以各自独立地是1至5的整数。
[0144]
在实施方案中，r
1a
、r
2a
和r4至r8可以各自独立地是：
[0145]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0146]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0147]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-p(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基
团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂芴基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团或氮杂二苯并噻咯基基团；或者
[0148]-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，以及
[0149]
q1至q3和q
31
至q
33
可以各自独立地是：
[0150]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0151]
各自未取代的或被氘、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
[0152]
在实施方案中，在式1中，r
1a
和r
2a
可以各自独立地是未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团。
[0153]
在实施方案中，在式2中，r4至r8可以各自独立地是：
[0154]
氢、氘、-f或氰基基团；
[0155]
各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
10
环烷基基团；
[0156]
各自未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团。
[0157]
例如，在式2中，r4可以是：
[0158]
氢、氘、-f或氰基基团；
[0159]
未取代的或被氘、-f、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者
[0160]
未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团。
[0161]
例如，在式2中，r5至r8中的每一个可以是氢。
[0162]
在实施方案中，a5至a8可以各自独立地是1至5的整数。
[0163]
在实施方案中，由式2表示的任何基团可以是由式2-1至式2-8中的一个表示的基团：
[0164][0165]
在式2-1至式2-8中，
[0166]
环a5至环a8、r5至r8和a5至a8可以各自与本文定义的相同，r
41
至r
43
可以各自独立地与关于式2中的r4定义的相同，但r
41
至r
43
中的每一个可以不是氢，以及
[0167]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0168]
在实施方案中，由式2表示的任何基团可以是由式2(1)表示的基团：
[0169][0170]
在式2(1)中，
[0171]
r4至r8和a4可以各自与本文定义的相同，以及
[0172]
d5至d8可以各自独立地是0至4的整数。
[0173]
在实施方案中，稠合环状化合物可以满足条件a至条件c中的至少一个：
[0174]
[条件a]
[0175]
由式1中的表示的基团是由式a1表示的基团：
[0176][0177]
其中在式a1中，
[0178]
r1与本文定义的相同，
[0179]r11
与关于式1中的r1定义的相同，但r
11
不是由式2表示的基团，
[0180]
d11是0、1或2，
[0181]
*表示与式1中的x1的结合位点，
[0182]
*'表示与式1中的t1的结合位点，以及
[0183]
*"表示与式1中的x2的结合位点；
[0184]
[条件b]
[0185]
由式1中的表示的基团是由式a2-1或式a2-2表示的基团：
[0186][0187]
其中在式a2-1和式a2-2中，
[0188]
r2与本文定义的相同，
[0189]r21
与关于式1中的r2定义的相同，但r
21
不是由式2表示的基团，
[0190]
d21是0、1、2或3，
[0191]
*表示与式1中的x1的结合位点，以及
[0192]
*'表示与式1中的t1的结合位点；以及
[0193]
[条件c]
[0194]
由式1中的表示的基团是由式a3-1或式a3-2表示的基团：
[0195][0196]
其中在式a3-1和式a3-2中，
[0197]
r3与本文定义的相同，
[0198]r31
与关于式1中的r3定义的相同，但r
31
不是由式2表示的基团，
[0199]
d31是0、1、2或3，
[0200]
*表示与式1中的x2的结合位点，以及
[0201]
*'表示与式1中的t1的结合位点。
[0202]
例如，由式1表示的稠合环状化合物可以满足条件a至条件c中的全部：
[0203]
在实施方案中，稠合环状化合物可以由式1-1表示：
[0204][0205]
在式1-1中，
[0206]
t1、x1、x2、r1、r2和r3可以各自与本文定义的相同，
[0207]
d1可以是0至3的整数，以及
[0208]
d2和d3可以各自独立地是0至4的整数。
[0209]
在实施方案中，稠合环状化合物可以由式1(1)至式1(13)中的一个表示：
[0210][0211]
在式1(1)至式1(13)中，
[0212]
t1、x1、x2、r1、r2和r3可以各自与本文定义的相同，
[0213]
cz可以是由式2表示的基团，
[0214]
d1可以为0至3的整数，以及
[0215]
d2和d3可以各自独立地是0至4的整数。
[0216]
例如，在式1(1)至式1(13)中，r1至r3可以不是由式2表示的基团。
[0217]
例如，式1(1)至式1(13)中的cz可以各自独立地是由选自式2-1至式2-8中的一个表示的基团。
[0218]
例如，在式1(1)至式1(13)中，cz可以各自是由式2(1)表示的基团。
[0219]
例如，稠合环状化合物可以由式1(1)、式1(2)、式1(4)、式1(6)、式1(8)和式1(10)中的一个表示。
[0220]
在实施方案中，稠合环状化合物可以具有等于或小于约0.44ev的δe
st
。稠合环状化合物可以满足等式1：
[0221]
[等式1]
[0222]
δe
st
＝s1-t1≤0.44ev
[0223]
在等式1中，s1是稠合环状化合物的最低激发单重态能级(ev)，并且t1是稠合环状化合物的最低激发三重态能级(ev)。
[0224]
在实施方案中，稠合环状化合物可以具有等于或小于0.437ev的δe
st
。例如，稠合环状化合物可以具有等于或小于0.435ev的δe
st
。
[0225]
在实施方案中，稠合环状化合物可以具有等于或大于约0.20的f值(表示振子强度)。
[0226]
在实施方案中，由式1表示的稠合环状化合物可以是化合物1至化合物80中的一种，但实施方案不限于此：
[0227][0228]
[0229]
[0230]
[0231]
[0232]
[0233]
[0234][0235]
在化合物1至化合物80中，ph表示苯基基团、并且d表示氘。
[0236]
由式1表示的稠合环状化合物具有包括两个或多于两个的稠合同时共享t1(例如，硼等)的杂环基团的核。在这点上，可能发生多重共振和最高占据分子轨道(homo)/最低未占据分子轨道(lumo)分离，并且由于短程电荷转移(ct)，可能表现出优异的延迟荧光特性。
[0237]
在稠合环状化合物中，由于由式2表示的庞大取代基的引入而发生额外的homo/lumo分离，并且因此可以通过长程ct获得非常低的δe
st
值。由于取代基的高位阻，稠合环状化合物可以具有改善的稳定性，并且在包含稠合环状化合物的发光装置中，可以基本上抑制受激准分子的形成和/或与主体材料的激基复合物的形成，从而抑制发光效率的降低。
[0238]
例如，由式2表示的取代基包括两个含氮的杂环基团，其基于邻位关系与苯基团键合。在这点上，与具有不同位置关系(例如，间位等)的情况相比，可以获得高吸光度和高f值。
[0239]
因此，在引入了由式2表示的取代基的稠合环状化合物中，可能同时发生短程ct和长程ct，导致高吸光度、高f值和低δe
st
值。因此，包含稠合环状化合物的发光装置(例如，有机发光装置)可以具有低驱动电压、优异的发光效率、最大量子效率和长使用寿命。
[0240]
通过参考以下提供的实施例，本领域普通技术人员可以认识到由式1表示的稠合环状化合物的合成方法。
[0241]
在发光装置(例如，有机发光装置)中可以使用至少一种由式1表示的稠合环状化合物。
[0242]
另一方面提供了发光装置，所述发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极
的第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层以及至少一种稠合环状化合物。
[0243]
在实施方案中，中间层可以包含至少一种稠合环状化合物。
[0244]
在实施方案中，第一电极可以是阳极；第二电极可以是阴极；中间层可以进一步包括在发射层与第一电极之间的空穴传输区以及在发射层与第二电极之间的电子传输区；空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合；以及电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0245]
在实施方案中，发射层可以包含至少一种稠合环状化合物。
[0246]
在实施方案中，发射层可以进一步包括为空穴传输化合物的第一化合物和为电子传输化合物的第二化合物。
[0247]
在实施方案中，第一化合物可以包括由式3表示的基团：
[0248]
[式3]
[0249][0250]
在式3中，
[0251]
环cy
71
和环cy
72
可以各自独立地是富π电子的c
3-c
60
环状基团或吡啶基团，
[0252]
x
71
可以是：单键；或者包括o、s、n、b、c、si或其任意组合的连接基团，以及
[0253]
*表示与第一化合物中的相邻原子的结合位点。
[0254]
在实施方案中，第一化合物可以包括由式3-1表示的化合物、由式3-2表示的化合物、由式3-3表示的化合物、由式3-4表示的化合物、由式3-5表示的化合物或其任意组合：
[0255]
[式3-1]
[0256][0257]
[式3-2]
[0258][0259]
[式3-3]
[0260][0261]
[式3-4]
[0262][0263]
[式3-5]
[0264][0265]
在式3-1至式3-5中，
[0266]
环cy
71
至环cy
74
可以各自独立地是富π电子的c
3-c
60
环状基团或吡啶基团，
[0267]
x
82
可以是单键、o、s、n[(l
82
)
b82-r
82
]、c(r
82a
)(r
82b
)或si(r
82a
)(r
82b
)，
[0268]
x
83
可以是单键、o、s、n[(l
83
)
b83-r
83
]、c(r
83a
)(r
83b
)或si(r
83a
)(r
83b
)，
[0269]
x
84
可以是o、s、n[(l
84
)
b84-r
84
]、c(r
84a
)(r
84b
)或si(r
84a
)(r
84b
)，x
85
可以是c或si，
[0270]
l
81
至l
85
可以各自独立地是单键、*-c(q4)(q5)-*'、*-si(q4)(q5)-*'、未取代的或被
至少一个r
10a
取代的富π电子的二价c
3-c
60
环状基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的吡啶基团，其中q4和q5可以各自独立地与关于q1定义的相同，*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点，
[0271]
b81至b85可以各自独立地是1至5的整数，
[0272]r71
至r
74
、r
81
至r
85
、r
82a
、r
82b
、r
83a
、r
83b
、r
84a
和r
84b
可以各自与本文中描述的相同，
[0273]
a71至a74可以各自独立地是0至20的整数，以及
[0274]r10a
与本文定义的相同。
[0275]
在实施方案中，第二化合物可以包括至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0276]
在实施方案中，第二化合物可以包括由式4表示的化合物：
[0277]
[式4]
[0278][0279]
在式4中，
[0280]
l
51
至l
53
可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0281]
b51至b53可以各自独立地为1至5的整数，
[0282]
x
54
可以是n或c(r
54
)，x
55
可以是n或c(r
55
)，x
56
可以是n或c(r
56
)，并且x
54
至x
56
中的至少一个可以是n，以及
[0283]r51
至r
56
和r
10a
可以各自与本文描述的相同。
[0284]
在式3、式3-1至式3-5和式4中，r
51
至r
56
、r
71
至r
74
、r
81
至r
85
、r
82a
、r
82b
、r
83a
、r
83b
、r
84a
和r
84b
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)。
[0285]
q1至q3和r
10a
可以各自独立地与本文描述的相同。
[0286]
在实施方案中，发射层可以进一步包含第三化合物，并且第三化合物可以是磷光敏化剂。
[0287]
在实施方案中，第三化合物可以是含过渡金属的有机金属化合物。例如，含过渡金属的有机金属化合物可以包括铂和与铂结合的四齿配体。
[0288]
在实施方案中，第三化合物可以包括由式401表示的有机金属化合物。在实施方案
中，发射层可以发射蓝色光或青色光。
[0289]
在实施方案中，发射层可以发射具有约400nm至约500nm的最大发射波长的光。例如，发射层可以发射具有约430nm至约490nm的最大发射波长的光。例如，发射层可以发射具有约440nm至约480nm的最大发射波长的光。
[0290]
如本文使用的表述“(中间层)包含稠合环状化合物”可以解释为意指“(中间层)可以包含属于式1的类别的一种稠合环状化合物”或意指“(中间层)可以包含属于式1的类别的至少两种不同的稠合环状化合物”。
[0291]
在实施方案中，中间层可以仅包含化合物1作为稠合环状化合物。在这点上，化合物1可以包含在发光装置的中间层中。在实施方案中，中间层可以包含化合物1和化合物2作为稠合环状化合物。在这点上，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2两者可以均存在于电子传输层中)，或者存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于电子传输层中并且化合物2可以存在于缓冲层中)。
[0292]
如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。
[0293]
另一方面提供了包括发光装置的电子设备。
[0294]
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中发光装置的第一电极可以电联接至源电极或漏电极。
[0295]
在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。例如，电子设备可以进一步包括滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。在此，量子点颜色转换层可以是含量子点的颜色转换层。例如，电子设备可以是平板显示设备，但实施方案不限于此。
[0296]
电子设备可以与本文定义的相同。
[0297]
[图1的描述]
[0298]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0299]
在下文，将参考图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0300]
[第一电极110]
[0301]
在图1中，衬底可以进一步被包括在第一电极110下方或第二电极150上方。在实施方案中，衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且例如可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0302]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。
[0303]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在实施方案中，当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方案中，当第一电极110是半透反
射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合。
[0304]
第一电极110可以具有由单个层组成的结构或者包括多个层的结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0305]
[中间层130]
[0306]
中间层130布置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
[0307]
中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
[0308]
在实施方案中，除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0309]
在实施方案中，中间层130可以包括堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，以及在两个或多于两个的发射单元之间的至少一个电荷产生层。当中间层130包括两个或多于两个的发光单元和至少一个电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[0310]
[中间层130中的空穴传输区]
[0311]
空穴传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
[0312]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0313]
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的层可以从第一电极110按其各自规定的顺序堆叠，但空穴传输区的结构不限于此。
[0314]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0315]
[式201]
[0316][0317]
[式202]
[0318][0319]
在式201和式202中，
[0320]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基
团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0321]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，并且*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，
[0322]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0323]
xa5可以是1至10的整数，
[0324]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0325]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物ht16等)，
[0326]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0327]
na1可以是1至4的整数，并且r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0328]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0329][0330]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自独立地与关于r
10a
定义的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被如本文描述的r
10a
取代。
[0331]
在实施方案中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0332]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0333]
在实施方案中，由式201表示的化合物可以包含由式cy201至式cy203表示的基团
中的至少一种和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0334]
在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203表示的基团中的一种，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207表示的基团中的一种。
[0335]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0336]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0337]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217表示的基团。
[0338]
例如，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht52、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、czsi中的一种或其任意组合：
[0339]
[0340]
[0341]
[0342]
[0343][0344][0345]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，空穴传输区的厚度可以是约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如，空穴注入层的厚度可以是约至约例如，空穴传输层的厚度可以是约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以
获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0346]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0347]
[p-掺杂剂]
[0348]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0349]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0350]
例如，p-掺杂剂可以具有小于或等于约-3.5ev的最低未占据分子轨道(lumo)能级。
[0351]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0352]
醌衍生物的实例可以包括tcnq、f4-tcnq等。
[0353]
含氰基基团的化合物的实例可以包括hat-cn、由式221表示的化合物等：
[0354][0355]
[式221]
[0356][0357]
在式221中，
[0358]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，以及
[0359]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0360]
在包含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其任意组合。
[0361]
金属的实例可以包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆
(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)等。
[0362]
准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)等。
[0363]
非金属的实例可以包括氧(o)、卤素(例如f、cl、br、i等)等。
[0364]
包含元素el1和元素el2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
[0365]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0366]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
[0367]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi等。
[0368]
碱土金属卤化物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2等。
[0369]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)等。
[0370]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0371]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3等。
[0372]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0373]
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，
tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)等。
[0374]
[中间层130中的发射层]
[0375]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层可以彼此接触或可以彼此隔开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中可以彼此混合以发射白色光。
[0376]
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0377]
在发射层中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0378]
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
[0379]
在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。
[0380]
发射层的厚度可以是约至约例如，发射层的厚度可以是约至约当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0381]
[主体]
[0382]
在实施方案中，主体可以包括第一化合物和第二化合物。
[0383]
在实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：
[0384]
[式301]
[0385]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0386]
在式301中，
[0387]
ar
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及l
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0388]
xb11可以是1、2或3，
[0389]
xb1可以是0至5的整数，
[0390]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0391]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0392]q301
至q
303
可以各自独立地与关于q1描述的相同，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0393]
在实施方案中，在式301中，当xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此键合。
[0394]
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0395]
[式301-1]
[0396][0397]
[式301-2]
[0398][0399]
在式301-1和式301-2中，
[0400]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0401]
x
301
可以是o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0402]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0403]
l
301
、xb1和r
301
可以各自与本文描述的相同，
[0404]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
定义的相同，
[0405]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1定义的相同，以及
[0406]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可以各自独立地与关于r
301
定义的相同，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0407]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意合。例如，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0408]
在实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h131、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或其任意组合：
[0409]
[0410]
[0411]
[0412]
[0413]
[0414]
[0415]
[0416][0417]
[磷光掺杂剂]
[0418]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0419]
磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0420]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0421]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0422]
[式401]
[0423]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0424]
[式402]
[0425][0426]
在式401和式402中，
[0427]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0428]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0429]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0430]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0431]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0432]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，以及*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，
[0433]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0434]q411
至q
414
可以各自独立地与关于q1定义的相同，
[0435]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0436]q401
至q
403
可以各自独立地与关于q1定义的相同，
[0437]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0438]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0439]
例如，在式402中，x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或者x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0440]
在实施方案中，在式401中，当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，或者两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可以各自独立地与关于t
401
定义的相同。
[0441]
在式401中，l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0442]
磷光掺杂剂可以是，例如，化合物pd1至化合物pd41中的一种或其任意组合：
[0443]
[0444]
[0445][0446]
[荧光掺杂剂]
[0447]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0448]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0449]
[式501]
[0450][0451]
在式501中，
[0452]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0453]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0454]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0455]
在实施方案中，在式501中，ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。
[0456]
在实施方案中，在式501中，xd4可以是2。
[0457]
例如，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi、dpavbi中的一种或其任意组合：
[0458]
[0459]
[0460][0461][0462]
[延迟荧光材料]
[0463]
发射层可以包含延迟荧光材料。
[0464]
在说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
[0465]
取决于包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。
[0466]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以为约0ev以上且约0.5ev以下。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足以上范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此发光装置10可以具有改善的发光效率。
[0467]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括由式1表示的稠合环状化合物。
[0468]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团等，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团等)的材料；包含c
8-c
60
多环基团的材料，其不同于由式1表示的稠合环状化合物并且包含两个或多于两个的彼此稠合同时共享硼(b)的环状基团；等。
[0469]
延迟荧光材料的实例可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0470][0471]
[量子点]
[0472]
发射层可以包含量子点。
[0473]
在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0474]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0475]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
[0476]
湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))成本更低且可以更容易地进行的工艺来控制。
[0477]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者其任意组合。
[0478]
ii-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs等；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns等；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste等；或其任意组合。
[0479]
iii-v族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等；或其任意组合。在实施方案中，iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0480]
iii-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte等；三元化合物，例如ingas3、ingase3等；或其任意组合。
[0481]
i-iii-vi族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2等；或其任意组合。
[0482]
iv-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物、例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或其任意组合。
[0483]
iv族元素或化合物的实例可以包括：单一元素材料，例如si、ge等；二元化合物、例如sic、sige等；或其任意组合。
[0484]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0485]
在实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的，或者量子点可以具有核-壳结构。例如，当量子点具有核-壳结构时，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0486]
量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的材料的浓度朝向核降低。
[0487]
量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括：二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等；三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等；或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0488]
量子点可以具有等于或小于约45nm的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)。例如，量子点可以具有等于或小于约40nm的发射波长光谱的fwhm。例如，量子点可以具有等于或小于约30nm的发射波长光谱的fwhm。当量子点的fwhm在这些范围内时，量子点可以具有改善的颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善广视角。
[0489]
量子点可以呈球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。
[0490]
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。例如，可以将量子点的尺寸配置成通过各种颜色的光的组合来发射白色光。
[0491]
[中间层130中的电子传输区]
[0492]
电子传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
[0493]
所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0494]
例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的层可以从发射层按其各自规定的顺序堆叠，但电子传输区的结构不限于此。
[0495]
在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0496]
例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：
[0497]
[式601]
[0498]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0499]
在式601中，
[0500]
ar
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及l
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0501]
xe11可以是1、2或3，
[0502]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0503]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0504]q601
至q
603
可以各自独立地与关于q1定义的相同，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0505]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0506]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮(二价)c
1-c
60
环状基团。
[0507]
在实施方案中，在式601中，当xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键彼此连接。
[0508]
在实施方案中，在式601中，ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0509]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
[0510]
[式601-1]
[0511][0512]
在式601-1中，
[0513]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0514]
l
611
至l
613
可以各自独立地与关于l
601
定义的相同，
[0515]
xe611至xe613可以各自独立地与关于xe1定义的相同，
[0516]r611
至r
613
可以各自独立地与关于r
601
定义的相同，以及
[0517]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0518]
在实施方案中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0519]
电子传输区可以包含化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、tspo1、tpbi中的一种或其任意组合：
[0520][0521]
[0522]
[0523][0524]
电子传输区的厚度可以是约至约例如，电子传输区的厚度可以是约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约至约例如，电子传输层的厚度可以是约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0525]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0526]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物的金属离子或与碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以各自独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0527]
在实施方案中，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0528][0529]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0530]
电子注入层可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
[0531]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0532]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0533]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或者其任意组合。
[0534]
含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如li2o、cs2o、k2o等；碱金属卤化物，例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki等；或者其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)、ba
x
ca
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3等。
[0535]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含：碱金属的离子、碱土金属的离子和稀土金属的离子中的一种；以及键合至金属离子的配体(例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合)。
[0536]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0537]
在实施方案中，电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)以及碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合组成。例如，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层和lif:yb共沉积层等。
[0538]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0539]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，电子注入层的厚度可以是约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0540]
[第二电极150]
[0541]
第二电极150可以布置在具有如本文描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。第二电极150可以包含具有低功函数的材料，例如金属、合金、导电化合物或其任意组合。
[0542]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0543]
第二电极150可以具有单层结构或者多层结构。
[0544]
[覆盖层]
[0545]
发光装置10可以包括在第一电极110外部的第一覆盖层和/或在第二电极150外部的第二覆盖层。例如，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构。
[0546]
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层朝向外部引出。
[0547]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
[0548]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包含具有大于或等于约1.6(相对于约589nm的波长)的折射率的材料。
[0549]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0550]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。
[0551]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0552]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0553]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合：
[0554][0555]
[膜]
[0556]
由式1表示的稠合环状化合物可以包含在各种膜中。因此，另一方面提供了包含由式1表示的稠合环状化合物的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制装置)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率增强层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)或保护构件(例如，绝缘层、介电层等)。
[0557]
[电子设备]
[0558]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0559]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与本文定义的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
[0560]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。
[0561]
像素限定层可以布置在子像素之间以限定每个子像素。
[0562]
滤色器可以进一步包括滤色器区域和布置在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括颜色转换区域和布置在颜色转换区域之间的遮光图案。
[0563]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光
可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。例如，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。
[0564]
例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。
[0565]
除了如本文描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0566]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0567]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0568]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部可以允许来自发光装置的光被引出至外部，并且可以同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0569]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以进一步包括在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0570]
除了如本文描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0571]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0572]
[图2和图3的描述]
[0573]
图2是示出根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0574]
图2的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0575]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以布置在衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0576]
tft可以布置在缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0577]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，
并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0578]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以布置在有源层220上，并且栅电极240可以布置在栅绝缘膜230上。
[0579]
层间绝缘膜250可以布置在栅电极240上。中间绝缘膜250可以布置在栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且布置在栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0580]
源电极260和漏电极270可以布置在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以分别接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0581]
tft可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上可以提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0582]
第一电极110可以布置在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且可以暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以电连接至漏电极270的暴露部分。
[0583]
包含绝缘材料的像素限定层290可以布置在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以提供成公共层的形式。
[0584]
第二电极150可以布置在中间层130上，并且覆盖层170可以额外地包括在第二电极150上。覆盖层170可以覆盖第二电极150。
[0585]
封装部300可以布置在覆盖层170上。封装部300可以布置在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。
[0586]
图3是示出根据另一个实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0587]
图3的电子设备可以与图2的电子设备不同，至少在于遮光图案500和功能区400进一步包括在封装部300上。功能区400可以是滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0588]
[制造方法]
[0589]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
[0590]
当通过真空沉积形成包含在空穴传输区中的各层、发射层和包含在电子传输区中的各层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度
进行沉积。
[0591]
[术语的定义]
[0592]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”可以是由碳原子作为唯一成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是3个至61个(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个)。
[0593]
如本文使用的术语“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0594]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”可以是具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且可以不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且可以包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0595]
在实施方案中，
[0596]c3-c
60
碳环基团可以是t1基团或者其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0597]c1-c
60
杂环基团可以是t2基团，其中至少两个t2基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0598]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是t1基团，其中至少两个t1基团彼此稠合的环状基团，t3基团，其中至少两个t3基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个t3基团和至少一
个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0599]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可以是t4基团，其中至少两个t4基团彼此稠合的环状基团，其中至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的环状基团，其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0600]
其中t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0601]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
[0602]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0603]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0604]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”可以各自是根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通
技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0605]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0606]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”可以是具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0607]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团、丁烯基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”可以是具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0608]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团、丙炔基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”可以是具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0609]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”可以是由-o(a
101
)(其中a
101
可以是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团、异丙氧基基团等。
[0610]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”可以是具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团、双环[2.2.2]辛基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”可以是具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0611]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”可以是进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团、四氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0612]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”可以是在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”可以是具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0613]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”可以是在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团、2,3-二氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0614]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”可以具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”可以是具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例可以包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团等。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，各自的环可以彼此稠合。
[0615]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”可以是具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”可以是具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，各自的环可以彼此稠合。
[0616]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、茚并蒽基基团等。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0617]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯
并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基基团等。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0618]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”可以是由-o(a
102
)(其中a
102
可以是c
6-c
60
芳基基团)表示的基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”可以是由-s(a
103
)(其中a
103
可以是c
6-c
60
芳基基团)表示的基团。
[0619]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基基团”可以是由-(a
104
)(a
105
)(其中a
104
可以是c
1-c
54
亚烷基基团，并且a
105
可以是c
6-c
59
芳基基团)表示的基团，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基基团”可以是由-(a
106
)(a
107
)(其中a
106
可以是c
1-c
59
亚烷基基团，并且a
107
可以是c
1-c
59
杂芳基基团)表示的基团。
[0620]
如本文使用的基团“r
10a”可以是：
[0621]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0622]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0623]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0624]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0625]
在说明书中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
、q
31
至q
33
、q4和q5，q
301
至q
303
、q
401
至q
403
，q
411
至q
414
和q
601
至q
603
可以各自独立地是氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；c
7-c
60
芳基烷基基团；或者c
2-c
60
杂芳基烷基基团。
[0626]
如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子或氢原子之外的任何原子。杂原子
的实例可以包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0627]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0628]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-bu”、“t-bu”、“tbu”或“bu
t”各自是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0629]
如本文使用的术语“联苯基基团”可以是“被苯基基团取代的苯基基团”。例如，“联苯基基团”可以是具有c
6-c
60
芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0630]
如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”可以是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0631]
除非另外定义，如本文使用的符号*、*'和*”各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0632]
在下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用b代替a”意指使用等摩尔当量的b代替a。
[0633]
[实施例]
[0634]
[合成例]
[0635]
合成例1：化合物11的合成
[0636][0637]
中间体11-1的合成
[0638]
将3,5-二溴-5'-苯基-1,1':3',1
”‑
三联苯(1当量)、n-(2',3'-二(9h-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-[1,1'-联苯]-2-胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在110℃下搅拌24小时。将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体11-1。(产率：69％)
[0639]
中间体11-2的合成
[0640]
将中间体11-1(1当量)、5-(叔丁基)-n-(3-氯苯基)-[1,1'-联苯]-2-胺(1当量)、
三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体11-2。(产率：58％)
[0641]
中间体11-3的合成
[0642]
在烧瓶中，将中间体11-2(1当量)溶解在邻二氯苯(odcb)中。将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并且向其中缓慢注入溶解在邻二氯苯中的bbr3(2.5当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至180℃，然后搅拌20小时。在冷却至0℃之后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶以终止反应，直至放热停止。向其中添加己烷以引起沉淀，并且将滤液过滤以获得固体。将由此获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且再次通过使用二氯甲烷(mc)/己烷(hex)重结晶纯化以获得中间体11-3。通过使用柱(二氯甲烷:正己烷)对其进行最终纯化。(产率：14％)
[0643]
化合物11的合成
[0644]
将中间体11-3(1当量)、9h-咔唑-3-甲腈(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化，并且重结晶以获得化合物11。最后通过升华纯化来纯化化合物。(升华纯化后的产率：34％)
[0645]
合成例2：化合物31的合成
[0646][0647]
中间体31-1的合成
[0648]
将n-(2',3'-二(9h-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-[1,1'-联苯]-2-胺(1当量)、1-氯-3,5-二溴苯(0.9当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)、叔丁醇钠(1当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在80℃下搅拌6小时。将混合
溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化，并且重结晶以获得中间体31-1。
[0649]
(产率：64％)
[0650]
中间体31-2的合成
[0651]
在烧瓶中，将中间体31-1(1当量)溶解在odcb中。将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并且向其中缓慢注入溶解在邻二氯苯中的bbr3(2.5当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至180℃，然后搅拌204小时。在冷却至0℃之后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶以终止反应，直至放热停止。向其中添加己烷以引起沉淀，并且将滤液过滤以获得固体。将由此获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且再次通过使用mc/hex的重结晶纯化以获得中间体31-2。通过使用柱(二氯甲烷:正己烷)对其进行最终纯化。(产率：11％)
[0652]
化合物31的合成
[0653]
将中间体31-2(1当量)、9h-咔唑-d8(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化，并且重结晶以获得化合物31。最后通过升华纯化来纯化化合物。(升华纯化后的产率：61％)
[0654]
合成例3：化合物48的合成
[0655][0656]
中间体48-1的合成
[0657]
将2',4'-二叔丁基-5-氯-[1,1'-联苯]-3-醇(1当量)、9,9'-(3'-溴-[1,1'-联苯]-2,3-二基)双(9h-咔唑)(1当量)、碘化亚铜(i)(0.5当量)、碳酸钾(3当量)和2-吡啶甲酸(1当量)溶解在无水n,n-二甲基甲酰胺中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。在反
应完成后，将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除无水n,n-二甲基甲酰胺。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体48-1。(产率：53％)
[0658]
中间体48-2的合成
[0659]
将中间体48-1(1当量)、n-(2',3'-二(9h-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-[1,1'-联苯]-2-胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在110℃下搅拌24小时。在反应完成后，将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体48-2。(产率：67％)
[0660]
化合物48的合成
[0661]
在烧瓶中，将中间体48-2(1当量)溶解在odcb中。将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并且向其中缓慢注入溶解在邻二氯苯中的bbr3(2.5当量)。在滴加完成后，将温度升高至180℃，然后搅拌20小时。在冷却至0℃之后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶以终止反应，直至放热停止。向其中添加己烷以引起沉淀，并且将滤液过滤以获得固体。将由此获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且再次通过使用mc/hex的重结晶纯化以获得化合物48。最后通过升华纯化来纯化化合物。(升华纯化后的产率：15％)
[0662]
合成例4：化合物78的合成
[0663][0664]
中间体78-1的合成
[0665]
将2',4'-二叔丁基-[1,1'-联苯]-3,5-二醇(1当量)、1-氯-3-氟苯(1当量)和磷酸钾(5当量)溶解在无水n,n-二甲基甲酰胺中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。在反应完成后，将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除无水n,n-二甲基甲酰胺。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体78-1。(产率：69％)
[0666]
中间体78-2的合成
[0667]
将中间体78-1(1当量)、(2,3-二(9h-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-4-基)硼酸(1当量)、碳酸钾(3当量)和四(三苯基膦)钯(0)溶解在含有四氢呋喃和蒸馏水(以3:1的体积比)的混合溶液中，并且在100℃下搅拌24小时。在反应完成后，将混合溶液冷却，并且通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程。通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化并且重结晶以获得中间体78-2。(产率：50％)
[0668]
中间体78-3的合成
[0669]
在烧瓶中，将中间体78-2(1当量)溶解在odcb中。将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并且向其中缓慢注入溶解在邻二氯苯中的bbr3(2.5当量)。在滴加完成后，将温度升高至180℃，然后搅拌20小时。在冷却至0℃之后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶以终止反应，直至放热停止。向其中添加己烷以引起沉淀，并且将滤液过滤以获得固体。将由此获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且再次通过使用mc/hex的重结晶纯化以获得中间体78-3。通过使用柱(二氯甲烷:正己烷)对其进行最终纯化。(最终纯化后的产率：12％)
[0670]
化合物78的合成
[0671]
将中间体78-3(1当量)、3,6-二叔丁基-9h-咔唑(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在邻二甲苯中，并且在氮气氛中在150℃下搅拌24小时。在反应完成后，将混合溶液冷却并且在减压下干燥以去除邻二甲苯。通过使用乙酸乙酯和水对其进行三次洗涤过程，并且通过使用mgso4在减压下干燥由此获得的有机层。将所得产物通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)纯化，并且重结晶以获得化合物78。最后通过升华纯化来纯化化合物。(升华纯化后的产率：54％)
[0672]
表1示出了合成的化合物的1h nmr和ms/fab。通过参考以上描述的合成路径和源材料，本技术领域的普通人员可以容易地认识到用于除了表1中示出的化合物之外的化合物的合成方法。
[0673]
[表1]
[0674]
[0675][0676]
评估例1
[0677]
关于合成例1至合成例4的化合物以及比较化合物1和比较化合物2，评估最高占据分子轨道(homo)能级和最低未占据分子轨道(lumo)能级以及δe
st
和f值(表示振子强度)，并且结果显示在表3中。
[0678]
homo能级和lumo能级各自根据表2中描述的方法评估，并且δe
st
值根据等式1计算：
[0679]
[等式1]
[0680]
δe
st
＝s1-t1
[0681]
在等式1中，s1是化合物的最低激发单重态能级(ev)，并且t1是化合物的最低激发三重态能级(ev)。
[0682]
使用基于b3lyp的密度泛函理论(dft)方法通过模拟计算s1、t1和f值。
[0683]
[表2]
[0684][0685][0686]
[表3]
[0687]
化合物homo(ev)lumo(ev)
△
estf值化合物11-5.38-1.950.420.30化合物31-5.30-1.850.400.26
化合物48-5.43-1.940.410.22化合物78-5.48-2.130.430.21比较化合物1-5.45-1.690.450.15比较化合物2-5.19-1.740.490.18
[0688]
实施例1
[0689]
作为阳极，将具有15ω/cm2ito电极形成在其上的玻璃衬底(康宁有限公司(corning inc.)的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且通过照射紫外线和对其暴露臭氧30分钟来清洁。将得到的玻璃衬底安装在真空沉积设备上。
[0690]
将npd(npb)沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，将化合物ht48沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层，并且将czsi沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射辅助层。
[0691]
在发射辅助层上，以85:14:1的重量比共沉积作为主体的化合物h126和化合物h129(以5:5的重量比)、作为敏化剂的化合物pd40和作为掺杂剂的化合物11的混合物，以形成具有的厚度的发射层。
[0692]
将tspo1沉积在发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，将tpbi沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，将lif沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，将al沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，并且将ht28沉积在阴极上以形成具有的厚度的覆盖层，从而完成发光装置的制造。
[0693]
以上描述的发光装置中使用的材料可以由下式表示：
[0694][0695]
实施例2至实施例4和比较例1和比较例2
[0696]
以与实施例1中相同的方式制造发光装置，但使用表4中显示的化合物形成空穴传输层和发射层。
[0697]
表4还显示了第一化合物与第二化合物的重量比。
[0698]
评估例2
[0699]
为了评估实施例1至实施例4以及比较例1和比较例2的发光装置的特性，通过使用吉时利(keithley)mu236和亮度计pr650分别测量在1,000cd/m2亮度下的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)和发射颜色。将亮度与初始亮度相比变成95％所花费的时间测量为使用寿命(t
95
)。基于比较例1的装置(参考)，计算使用寿命，并且结果示于表5中。
[0700]
通过使用外部量子效率测量计(滨松光子有限公司(hamamatsu photonics co.)的c9920-2-12)测量最大外部量子效率。在评估最大外部量子效率时，使用针对波长灵敏度校准的亮度计来测量亮度/电流密度，并且通过假设引入了完全漫反射体的角亮度分布(朗伯体(lambertian))将测量的亮度/电流密度转换成最大外部量子效率。结果示于表5中。
[0701]
[表4]
[0702][0703]
[0704][0705][0706]
[比较化合物1]
[0707][0708]
[比较化合物2]
[0709][0710]
[表5]
[0711][0712][0713]
参考表5，证实了与比较例1和比较例2的发光装置相比，实施例1至实施例4的发光装置具有低驱动电压、优异的发光效率和最大外部量子效率和长使用寿命。
[0714]
实施例5
[0715]
作为阳极，将具有15ω/cm2ito电极形成在其上的玻璃衬底(康宁有限公司的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且通过照射紫外线和对其暴露臭氧30分钟来清洁。将得到的玻璃衬底安装在真空沉积设备上。
[0716]
将npd(npb)沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，将化合物ht48沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层，并且将czsi沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射辅助层。
[0717]
在发射辅助层上，以99:1的重量比共沉积作为主体的化合物h126和化合物h129(以5:5的重量比)和作为掺杂剂的化合物11的混合物，以形成具有的厚度的发射层。
[0718]
将tspo1沉积在发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，将tpbi沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，将lif沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，将al沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，并且将ht28沉积在电极上以形成具有的厚度的覆盖层，从而完成发光装置的制造。
[0719]
实施例6至实施例8和比较例3和比较例4
[0720]
以与实施例5中相同的方式制造发光装置，但使用表6中显示的化合物形成空穴传输层和发射层。
[0721]
表6还显示了第一化合物与第二化合物的重量比。
[0722]
评估例3
[0723]
为了评估实施例5至实施例8以及比较例3和比较例4的发光装置的特性，通过使用吉时利mu 236和亮度计pr650分别测量在1,000cd/m2亮度下的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)和发射颜色。将亮度与初始亮度相比变成95％所花费的时间测量为使用寿命(t
95
)。基于比较例3的装置(参考)，计算使用寿命，并且结果示于表6中。
[0724]
通过使用外部量子效率测量计(滨松光子有限公司的c9920-2-12)测量最大外部量子效率。在评估最大外部量子效率时，使用针对波长灵敏度校准的亮度计来测量亮度/电流密度，并且通过假设引入了完全漫反射体的角亮度分布(朗伯体)将测量的亮度/电流密度转换成最大外部量子效率。结果示于表6中。
[0725]
[表6]
[0726]
[0727][0728][0729]
[比较化合物1]
[0730][0731]
[比较化合物2]
[0732][0733]
参考表6，证实了与比较例3和比较例4的发光装置相比，实施例5至实施例8的发光装置具有低驱动电压、优异的发光效率和最大外部量子效率和长使用寿命。
[0734]
根据实施方案，稠合环状化合物可以具有优异的电特性等，并且因此，包含稠合环状化合物的发光装置可以具有高发光效率和长使用寿命。
[0735]
本文已经公开了实施方案，并且尽管使用了术语，但它们仅以一般性和描述性的意义使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将显而易见的，关于实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与关于其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如在权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。

技术特征：
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括：发射层；以及至少一种由式1表示的稠合环状化合物：[式1][式2]其中在式1和式2中，t1是b、p(＝o)或p(＝s)，x1是o、s或n(r
1a
)，x2是o、s或n(r
2a
)，环a1至环a3和环a5至环a8各自独立地是c
5-c
30
碳环基团或c
2-c
30
杂环基团，r1至r3各自独立地是：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代
的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；或者由式2表示的基团，a1至a3各自独立地是1至10的整数，a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的至少一个各自独立地是由式2表示的基团，r
1a
、r
2a
和r4至r8各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，a4是0、1、2或3，a5至a8各自独立地是1至10的整数，*表示与相邻原子的结合位点，r
10a
是：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
各自独立地是氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，
所述中间层进一步包括：在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区；以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，以及所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其组合。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述发射层包含所述至少一种稠合环状化合物。4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述发射层进一步包含：第一化合物，其是空穴传输化合物；以及第二化合物，其是电子传输化合物。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层进一步包含第三化合物，以及所述第三化合物是磷光敏化剂。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有400nm至500nm的最大发射波长的光。7.电子设备，包括：如权利要求1至6中任一项所述的发光装置；以及薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。9.由式1表示的稠合环状化合物：[式1][式2]
其中在式1和式2中，t1是b、p(＝o)或p(＝s)，x1是o、s或n(r
1a
)，x2是o、s或n(r
2a
)，环a1至环a3和环a5至环a8各自独立地是c
5-c
30
碳环基团或c
2-c
30
杂环基团，r1至r3各自独立地是：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；或者由式2表示的基团，a1至a3各自独立地是1至10的整数，a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的至少一个各自独立地是由式2表示的基团，r
1a
、r
2a
和r4至r8各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，a4是0、1、2或3，a5至a8各自独立地是1至10的整数，*表示与相邻原子的结合位点，r
10a
是：
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，以及q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
各自独立地是氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。10.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中t1是b。11.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中环a1至环a3和环a5至环a8各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9h-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9h-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。12.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中环a5至环a8各自独立地是苯基团、吡啶基团或嘧啶基团。13.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中
r1至r3各自独立地是：氢、氘、-f或氰基基团；各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
20
环烷基基团；各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、氘代c
1-c
20
烷基基团、氟代c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(c
1-c
20
烷基)苯基基团或其组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团；-n(q1)(q2)；或者由式2表示的基团，以及q1和q2各自独立地是：各自未取代的或被氘、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。14.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中满足条件i至条件iv中的一个：[条件i]a1数量的r1、a2数量的r2和a3数量的r3中的一个是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示[条件ii]a1数量的r1中的一个和a2数量的r2中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示[条件iii]a1数量的r1中的一个和a3数量的r3中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示[条件iv]a2数量的r2中的一个和a3数量的r3中的一个各自独立地是由式2表示的基团，并且其余基团不由式2表示。15.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中r
1a
和r
2a
各自独立地是未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其组合取代的苯基基团。16.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中r4至r8各自独立地是：氢、氘、-f或氰基基团；各自未取代的或被氘、-f、氰基基团或其组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
3-c
20
环烷基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团或其组合取代的苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团或咔唑基基团。
17.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中式2由式2-1至式2-8中的一个表示：其中在式2-1至式2-8中，环a5至环a8、r5至r8和a5至a8各自与式2中定义的相同，r
41
至r
43
各自独立地与关于式2中的r4定义的相同，但r
41
至r
43
中的每一个不是氢，以及*表示与相邻原子的结合位点。18.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中满足条件a至条件c中的至少一个：[条件a]
由式1中的表示的基团是由式a1表示的基团：其中在式a1中，r1与式1中定义的相同，r
11
与关于式1中的r1定义的相同，但r
11
不是由式2表示的基团，d11是0、1或2，*表示与式1中的x1的结合位点，*'表示与式1中的t1的结合位点，以及*"表示与式1中的x2的结合位点；[条件b]由式1中的表示的基团是由式a2-1或式a2-2表示的基团：其中在式a2-1和式a2-2中，r2与式1中定义的相同，r
21
与关于式1中的r2定义的相同，但r
21
不是由式2表示的基团，d21是0、1、2或3，*表示与式1中的x1的结合位点，以及*'表示与式1中的t1的结合位点；以及[条件c]
由式1中的表示的基团是由式a3-1或式a3-2表示的基团：其中在式a3-1和式a3-2中，r3与式1中定义的相同，r
31
与关于式1中的r3定义的相同，但r
31
不是由式2表示的基团，d31是0、1、2或3，*表示与式1中的x2的结合位点，以及*'表示与式1中的t1的结合位点。19.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中所述稠合环状化合物由式1(1)至式1(13)中的一个表示：
其中在式1(1)至式1(13)中，t1、x1、x2、r1、r2和r3各自与式1中定义的相同，cz是由式2表示的基团，d1为0至3的整数，以及d2和d3各自独立地是0至4的整数。20.如权利要求9所述的稠合环状化合物，其中满足等式1：[等式1]δe
st
＝s1-t1≤0.44ev其中在等式1中，s1是所述稠合环状化合物的最低激发单重态能级，以及t1是所述稠合环状化合物的最低激发三重态能级。

技术总结
本申请提供了稠合环状化合物、包含所述稠合环状化合物的发光装置以及包含所述发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层和至少一种所述稠合环状化合物。所述稠合环状化合物由式1表示，其在说明书中解释：[式1][式1][式1][式1]


技术研发人员：吴灿锡 金洗栾 朴宣映 鲜于卿 沈文基 河莫兰
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.02.08
技术公布日：2023/8/14