用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法和覆层载体与流程

1.本发明涉及一种用于将覆层施加到至少一个、优选多个电子器件上的方法。尤其，将覆层施加到多个传感器装置上。本发明还涉及一种传感器装置，优选温度传感器装置，所述传感器装置具有覆层。本发明还涉及一种用于将覆层施加到至少一个电子器件上的覆层载体。


背景技术：

2.对电子器件、诸如例如ntc(负温度系数)温度传感器的提升的需求要求通过降低材料和能耗的成本有益的生产。然而，高的可靠性要求使用新型的材料和生产技术的彼此协调的组合。
3.对于高的可靠性的主要前提是限定的几何尺寸(层厚度、头部直径和被覆层的长度)的、典型地具有基于粉末和基于树脂的覆层材料的覆层保护层(相对于机械的、气候的、化学的、热学的、光技术等的影响进行保护)。
4.对金属线接触的电子器件覆层的现有技术当前是静电、涡流层、喷枪和浸涂法。
5.这些技术造成覆层材料的大量浪费(在器件中所需的覆层材料和损耗的覆层材料之间的关系)。此外，需要将未使用的覆层材料回收，这造成杂质的堆积。在对设计的微型化的要求的同时对较高精度的提升的要求造成在上述技术中的收益损失。


技术实现要素：

6.本公开的一个目的是，解决上述问题。所述目的通过根据独立权利要求的方法和传感器装置来实现。
7.根据第一方面，提供一种用于施加覆层的方法。尤其，将覆层至少施加到至少一个电子器件、优选多个电子器件的部分上。相应的电子器件可以是任意的电子器件，例如温度传感器。然而要理解的是，本公开不局限于温度传感器。
8.所述方法包括以下步骤：
9.在第一步骤a)中提供覆层载体。覆层载体包括主底座。主底座包括扁平的、例如矩形的基座并且适合于和设置用于容纳覆层载体的其他组件。
10.覆层载体还包括覆层底座。覆层底座设置在主底座上并且具有凹部。凹部适合于和设置用于容纳和保持覆层材料。凹部形成覆层底座的覆层材料床。
11.覆层载体还包括储备容器。储备容器至少部分地安装在覆层底座上。储备容器垂直于覆层底座的主延伸方向延伸。储备容器是可移动的。尤其，所述储备容器沿着覆层载体/主底座的纵轴线是可移动的。储备容器具有另一凹部。储备容器的凹部同样适合于和设置用于容纳和保持覆层材料。凹部是储备容器的覆层材料床。
12.在下一步骤b)中，将覆层材料填入到储备容器的凹部中。这无倾洒地进行。不浪费覆层材料。覆层材料具有粉末或树脂。
13.在下一步骤c)中，将储备容器沿着覆层载体的纵轴线移置，使得覆层底座的凹部
用覆层材料填充。这无倾洒地进行。储备容器的移置手动地或自动地进行。
14.在下一步骤d)中，提供至少一个电子器件，优选多个电子器件。相应的电子器件设置在覆层底座的被填充的凹部之上。相应的电子器件至少部分地沉入到在覆层底座的凹部中提供的覆层材料中，以便构成电子器件(的至少一些部分)的覆层。通过沉入到覆层材料中构成覆层无溢出地且无飞溅地进行。
15.无飞溅的覆层方法可实现覆层保护层以限定的几何尺寸的制造，而不必将附加的机械功能结合到过程中。产品成本可以通过：
16.a)粉末材料的直至80％的降低和树脂材料的直至20％的降低；
17.b)杂质的堆积的减少；
18.c)较少的机械功能(在机械之内不需要回收、配量、喷射、平整、搅拌)；
19.d)覆层飞溅的减少/消除
20.来最少化。
21.总而言之，提供非常高效且成本有效的用于施加覆层的方法。
22.根据一个实施方式，储备容器的凹部具有留空部。留空部设置在所述凹部的底部中。留空部形成在储备容器的凹部的底部中的开口。留空部垂直于纵轴线延伸。留空部适合于和设置用于将覆层材料传递到覆层底座的凹部中。
23.在步骤c)中，将储备容器移动到覆层底座之上、尤其移动到覆层底座的上侧之上，直至留空部直接设置在覆层底座的凹部之上。
24.在步骤c)中，将储备容器从初始位置移置到最终位置中。在初始位置中，储备容器的凹部中的留空部是封闭的。尤其，留空部通过覆层底座的上侧封闭，储备容器至少部分地安装在所述覆层底座上。在最终位置中，留空部不再封闭。尤其，留空部在最终位置中直接设置在覆层底座的凹部之上。与之相应地，覆层材料从储备容器的凹部中经由留空部传递到覆层底座的凹部中或落到所述凹部中。
25.以这种方式可以将覆层材料容易地且无滴洒地从储备容器传递到覆层底座的凹部中。
26.根据一个实施方式，将储备容器在用覆层材料填充覆层底座的凹部之后移回到初始位置中。这手动地或自动地进行。在储备容器移动期间，其余覆层材料可靠地留在储备容器的凹部中。防止了覆层材料的浪费。
27.根据一个实施方式，覆层载体包括至少两个引导元件。引导元件具有轨道(例如金属轨道)，所述轨道固定在主底座的上侧上。引导元件至少部分地沿着主底座设置。引导元件彼此平行地沿着主底座的纵轴线延伸。在步骤d)中，将储备容器沿着引导元件移置。以这种方式，将具有覆层材料的储备容器可靠地沿着主底座移动。覆层材料的浪费/倾洒可以有效地防止。
28.根据一个实施方式，覆层的总长度的变化与常规的覆层技术相比是更小的。将覆层的总长度理解为覆层沿着相应的电子器件的主纵轴线的整个扩展，即电子器件的被覆层的长度。
29.由此能推断出，覆层材料的使用，即覆层材料的量，通过之前所描述的方法降低。此外，通过无飞溅的覆层方法可以实现覆层的非常好地限定的几何尺寸。
30.根据本公开的另一方面，提供传感器装置。传感器装置可以构成用于测量温度。传
感器装置可以是金属线接触的。传感器装置例如可以是ntc温度传感器装置。
31.传感器装置具有传感器元件，所述传感器元件具有陶瓷基体和至少两个电极。电极设置在陶瓷基体的外侧上。传感器装置还具有至少两个用于电接触传感器元件的接触元件。接触元件在连结区域中与电极连接。
32.传感器装置还具有覆层。覆层的材料具有粉末或树脂。覆层借助于之前所描述的方法施加到传感器装置上，尤其施加到传感器装置的部分上。所有结合方法所描述的特征也应用于传感器装置并且反之亦然。
33.至少陶瓷基体和连结区域完全地由覆层覆盖。覆层是传感器装置的保护层。借助于覆层有效地保护传感器装置的至少一些部分免受环境影响。
34.根据一个实施方式，传感器装置包括传感器头。传感器头形成传感器装置的上部区域。传感器头包括具有电极的传感器元件和连结区域以及接触元件的至少一个子区域。覆层形成传感器头的外罩。
35.传感器头的长度的变化与常规的覆层技术相比是更小的。覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比也是更小的。与之相应地，提供具有明确限定的尺寸的非常紧凑的传感器装置。
36.本发明尤其具有以下方面：
37.1.一种用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法，所述方法具有以下步骤：
38.a)提供覆层载体，所述覆层载体具有
[0039]-主底座，
[0040]-具有凹部的覆层底座，
[0041]-具有另一凹部的可移动的储备容器；
[0042]
b)将覆层材料填入到储备容器的凹部中；
[0043]
c)将储备容器沿着覆层载体的纵轴线移置，使得覆层底座的凹部用覆层材料填充；
[0044]
d)提供至少一个电子器件，并且至少将电子器件的部分沉入到在覆层底座的凹部中提供的覆层材料中，以构成电子器件的覆层。
[0045]
2.根据方面1所述的方法，
[0046]
其中储备容器的凹部具有留空部，所述留空部设置在凹部的底部中，并且其中在步骤c)中，将储备容器移动到覆层底座之上，直至留空部设置在覆层底座的凹部上方。
[0047]
3.根据方面1或2所述的方法，
[0048]
其中储备容器的凹部具有留空部，所述留空部设置在凹部的底部中，其中在步骤c)中，将储备容器从初始位置移置到最终位置中，在所述初始位置中，凹部中的留空部是封闭的，在所述最终位置中，凹部中的留空部不再是封闭的，使得覆层材料从储备容器的凹部经由留空部传递到覆层底座的凹部中。
[0049]
4.根据方面3所述的方法，
[0050]
其中在用覆层材料填充覆层底座的凹部之后，将储备容器移回到初始位置中。
[0051]
5.根据上述方面中任一方面所述的方法，
[0052]
其中覆层载体具有至少两个引导元件，所述引导元件至少部分地沿着主底座设置，其中在步骤d)中，将储备容器沿着引导元件移置。
[0053]
6.根据上述方面中任一方面所述的方法，
[0054]
其中当储备容器沿着纵轴线移动时和/或当凹部用覆层材料填充时，不发生覆层材料的倾洒。
[0055]
7.根据上述方面中任一方面所述的方法，
[0056]
其中覆层材料包括覆层粉末或树脂。
[0057]
8.根据上述方面中任一方面所述的方法，
[0058]
其中至少一个电子器件包括用于测量温度的传感器装置。
[0059]
9.根据上述方面中任一方面所述的方法，
[0060]
其中覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比是更小的。
[0061]
10.一种用于测量温度的传感器装置，所述传感器装置具有：
[0062]-传感器元件，所述传感器元件具有陶瓷基体和至少两个电极，其中电极设置在陶瓷基体的外侧上，
[0063]-至少两个用于电接触传感器元件的接触元件，其中接触元件在连结区域中与电极连接，
[0064]-覆层，其中至少陶瓷基体和连结区域完全地由覆层覆盖，
[0065]
其中覆层借助根据上述权利要求中任一项所述的方法施加。
[0066]
11.根据方面10所述的传感器装置，
[0067]
所述传感器装置具有传感器头，其中传感器头包括传感器元件和接触元件的至少一个子区域，其中覆层形成传感器头的外罩。
[0068]
12.根据方面11所述的传感器装置，
[0069]
其中传感器头的长度的和覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比是更小的。
[0070]
13.根据方面10至12中任一方面所述的传感器装置，
[0071]
其中覆层的材料具有粉末或树脂。
[0072]
14.根据方面10至13中任一方面所述的传感器装置，
[0073]
其中传感器装置是ntc温度传感器装置。
附图说明
[0074]
其他特征、细节和适宜方案从下面结合附图对示例性的实施方式的描述中得出。
[0075]
图1示出用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法的流程图；
[0076]
图2示出覆层载体的立体视图；
[0077]
图3a至3g示出用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法的不同步骤；
[0078]
图4示意地示出被覆层的电子器件的侧剖图；
[0079]
图5示意地示出在图4中示出的电子器件的立体视图；
[0080]
图6a和6b示出图解说明依照根据本发明的方法施加的覆层和依照传统技术施加的覆层的总长度的图表；
[0081]
图7a和7b示出用于图解说明具有依照根据本发明的方法施加的覆层和依照传统技术施加的覆层的传感器装置的头部长度的图表。
[0082]
在附图中，具有相同构造和/或相同功能的元件可以用相同的附图标记表示。要理解的是，在附图中示出的实施方式是说明性展示并且不一定符合比例地示出。
具体实施方式
[0083]
图1示出用于将覆层6施加到至少一个、优选多个电子器件30上的方法的流程图。相应的电子器件30可以是金属线接触的电子器件30。相应的电子器件30可以是用于测量温度的传感器装置1，例如ntc温度装置(也参见结合图4和5的描述)。
[0084]
在方法的第一步骤a)中提供覆层载体20(也参见图2和3a)。覆层载体20包括主底座21。主底座21具有矩形的基本形状。
[0085]
覆层载体20还包括覆层底座22。覆层底座22具有矩形形状并且在主底座21的上表面的中部区域中提供。换言之，覆层底座22不伸展至主底座21的侧棱。覆层底座22沿着主底座21的纵轴线x的扩展大于覆层底座22沿着垂直于纵轴线x的轴线的扩展。换言之，覆层底座22的主扩展方向沿着主底座21/覆层载体20的(主)纵轴线x伸展。
[0086]
覆层底座22例如可以与主底座21粘接或拧紧。覆层底座22具有凹部23。凹部23适合于并且设置用于在所描述的方法的进一步进程中容纳覆层材料29。凹部23设置在覆层底座22的上侧的侧部区域中(图2：上侧的左部区域)并且垂直于纵轴线x延伸。凹部23例如可以铣入到覆层底座22的上侧中。
[0087]
覆层载体20还包括储备容器24。储备容器24具有矩形形状并且——在初始位置中——设置在主底座21的上侧的侧部区域(在此右边的侧部区域)中。储备容器24至少部分地支撑在覆层底座22的上侧上(初始位置：覆层底座22的上侧的右边的侧部区域)。储备容器24沿着主底座21的纵轴线x的扩展小于储备容器21沿着垂直于纵轴线x的轴线的扩展。换言之，储备容器24的主扩展方向垂直于(主)纵轴线x/覆层底座22。
[0088]
储备容器24具有凹部25。凹部25适合于和设置用于容纳覆层材料29。凹部25设置在储备容器24的上侧的中部区域中并且垂直于纵轴线x延伸。凹部24例如可以铣入到储备容器的上侧中。储备容器24构成和设置为，使得凹部25直接在覆层底座22的上侧之上设置。
[0089]
凹部25包括留空部28，所述留空部设置在凹部25的底面中。通过留空部28，覆层材料29可以从储备容器24的凹部25传递到覆层底座22的凹部23中，如随后所描述的那样。在初始位置中，覆层底座22的上侧形成留空部28的下部的限界部，即所述上侧将留空部28封闭。
[0090]
储备容器24沿着纵轴线x是可移动的。为此，储备容器24设置在两个滑块26上。这两个滑块26彼此相对置地设置。在覆层载体20的俯视图中，一个滑块26设置在覆层底座22之上并且另一个滑块26设置在覆层底座22之下。
[0091]
覆层载体20还包括两个引导元件31。相应的滑块26包围引导元件31并且可以沿着相应的引导元件31移置。引导元件31沿着纵轴线x延伸并且与主底座21拧紧。
[0092]
储备容器24是可手动或自动移动的。储备容器24可从上文提到的初始位置(储备容器24设置在主底座21的右边的侧部区域中；覆层底座22的上侧形成留空部28的下部的限界部)移动到最终位置(储备容器24设置在主底座21的左边的侧部区域中；覆层底座22的储备容器28(尤其储备容器23的底部)形成留空部28的下部的限界部)中。
[0093]
覆层载体20还包括两个止动器27。止动器27与主底座21拧紧。止动器27垂直于纵轴线x延伸。止动器27具有薄的轨道或板条。轨道或板条例如可以具有金属。止动器27在两个相对置的侧(图2：主底座21的左侧和右侧)对主底座21的上侧限界。尤其，止动器27适合于和设置用于对储备容器24沿着纵轴线x的移动限界。止动器27确保，储备容器24仅能在上
文所描述的初始位置和最终位置之间移动。
[0094]
在提供覆层载体20之后，将所述覆层载体首先全面地清洁(参见图3a)，以便去除所有可能与之前提到的覆层材料29混合的污物。
[0095]
在方法的步骤b)中，将覆层材料29填入到储备容器24的凹部25中(也参见图3b)。覆层材料29可以具有粉末或树脂。覆层材料29可以填入直至凹部25的上边缘。通过覆层底座22的上侧防止覆层材料29从留空部28中离开，所述上侧位于留空部28下方。
[0096]
在方法的步骤c)中，将储备容器24沿着纵轴线x(即沿着引导元件31)移置。储备容器24从初始位置移置到最终位置中，在所述最终位置中，储备容器24的凹部25设置在覆层底座22的凹部23上方。在从初始位置移动到最终位置中期间，通过覆层底座22的上侧防止覆层材料29从留空部28中溢出。此外，在储备容器24的移动中不发生外溢，例如溢出凹部25的边缘。
[0097]
在最终位置中，覆层材料29通过留空部28落到覆层底座22的凹部23中，即覆层底座22的凹部23用覆层材料29填充(参见图3c)。在此，防止覆层材料29的溢出。接着，储备容器24(自动地或手动地)移回到其初始位置中。
[0098]
在方法的步骤d)中，提供至少一个电子器件30，优选多个电子件30(参见图3d)。电子器件30直接设置在覆层底座22的凹部23之上，即直接设置在覆层材料29之上。电子器件30朝覆层底座23的凹部23的方向移动并且至少部分地沉入到在覆层底座22的凹部23中提供的覆层材料29中(参见图3e)，以便无飞溅地并且无滴洒地构成相应的电子器件30(的至少一些部分)的覆层6。接着，将电子器件30再次移回到其在凹部23上方的初始位置中(图3f)。
[0099]
在将电子器件30覆层之后，将储备容器24的凹部25(并且接着将覆层底座22的凹部23)如上文所描述的那样用覆层材料29再次填充(参见图3g)。
[0100]
这——由于覆层载体20的特定的构造——无倾洒地进行。尤其，上面所描述的方法是无倾洒的覆层技术。这可实现覆层保护层(覆层6)以限定的几何尺寸的制造，而在过程中没有附加的机械功能。产品成本可以通过：
[0101]
a)粉末材料的直至80％的降低和树脂材料的直至20％的降低；
[0102]
b)杂质的堆积的减少；
[0103]
c)较少的机械功能(在机械中不需要回收、配量、喷射、平整、搅拌)；
[0104]
d)覆层飞溅的减少
[0105]
来最少化。
[0106]
图4和5示出被覆层的电子器件30的实例。
[0107]
相应的电子器件30可以具有金属线接触的电子器件。相应的电子器件30可以包括传感器装置1，所述传感器装置构成用于测量温度，例如是ntc温度传感器装置。传感器装置1可以设计为用于在高温下使用。
[0108]
传感器装置1具有传感器元件或传感器芯片。传感器元件优选是ntc热敏电阻芯片。传感器元件包括陶瓷基体2。陶瓷基体2具有侧面2a，所述侧面彼此相对置地设置。传感器元件还具有两个电极3。电极3在传感器元件的外面上构成。尤其，电极3在陶瓷基体2的相对置的侧面2a上构成。
[0109]
传感器装置1还包括两个用于电接触传感器元件的接触元件4。接触元件4优选地
具有金属线。接触元件4在连结区域7中与电极3电连接和机械连接。电极3和接触元件4可以例如经由接触膏5彼此连接。
[0110]
传感器装置1还包括覆层6，即通过上文所描述的方法实现的覆层6。覆层6完全地包围传感器元件的陶瓷基体2和连结区域7。尤其，覆层6完全地包围传感器装置1的头部8(传感器头8)。传感器头8包括传感器元件以及接触元件4的至少一个子区域，如在图4和5中可见。覆层6形成传感器头8的外罩并且保护传感器头8免受环境影响。
[0111]
在覆层6的下侧存在覆层6的凹处6a。所述凹处通过电子器件30或传感器装置1如已经提到那样沉入到覆层材料29中而产生。传感器头8从传感器装置1的上端部延伸至凹处6a的顶点(即传感器头8的总长度l1)。
[0112]
传感器头8的总长度l1，即传感器头8沿着电子器件30/传感器装置1的主纵轴线的整个扩展(参见图7a)与常规的覆层技术(参见图7b)相比是更小的。
[0113]
更准确来说，与传统的覆层技术(参见图7a)相比，总长度l1的波动是更小的。换言之：借助传统的覆层法实现的总头部长度的变化与根据本发明的方法(参见图7b)相比是在统计学上明显更高的。
[0114]
此外，覆层6的总长度l2，即覆层6沿着电子器件30/传感器装置1的主纵轴线的整个扩展(参见图6a)与传统的覆层技术(参见图6b)相比是更小的。
[0115]
覆层6的总长度l2的变化与传统的覆层技术|(参见图6a)相比是更小的。换言之，借助传统的覆层法实现的覆层的总长度的变化与借助根据本发明的方法(图6b)相比是统计学上明显更高的。
[0116]
总的来说，通过之前所描述的无飞溅的覆层方法，传感器头部长度的变化和总长度变化与传统的覆层技术相比是统计学上明显更小的。此外，可以避免覆层飞溅。因此，借助无飞溅的覆层方法提供具有良好限定的几何尺寸的紧凑的且成本有益的电子器件。
[0117]
附图标记
[0118]
1传感器装置
[0119]
2基体
[0120]
2a基体的侧面
[0121]
3电极
[0122]
4接触元件
[0123]
5接触膏
[0124]
6覆层
[0125]
6a凹处
[0126]
7连结区域
[0127]
8传感器头
[0128]
20覆层载体
[0129]
21主底座
[0130]
22覆层底座
[0131]
23覆层底座的凹部
[0132]
24储备容器
[0133]
25储备容器的凹部
[0134]
26滑块
[0135]
27止动器
[0136]
28留空部
[0137]
29覆层材料
[0138]
30电子器件
[0139]
31引导元件
[0140]
l1传感器头的总长度
[0141]
l2覆层的总长度
[0142]
x纵轴线

技术特征：
1.一种用于将覆层(6)施加到至少一个电子器件(1、30)上的方法，所述方法具有以下步骤：a)提供覆层载体(20)，所述覆层载体具有-主底座(21)，-具有凹部(23)的覆层底座(22)，-具有另一凹部(25)的可移动的储备容器(24)；b)将覆层材料(29)填入到所述储备容器(24)的凹部(25)中；c)将所述储备容器(24)沿着所述覆层载体(20)的纵轴线(x)移置，使得所述覆层底座(22)的凹部(23)用覆层材料(29)填充；d)提供至少一个电子器件(1、30)，并且将所述电子器件(1、30)的至少部分沉入到在所述覆层底座(22)的凹部(23)中提供的覆层材料(29)中，以构成所述电子器件(1、30)的覆层(6)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述储备容器(24)的凹部(25)具有留空部(28)，所述留空部设置在所述凹部(25)的底部中，并且其中在步骤c)中，将所述储备容器(24)移动到所述覆层底座(22)之上，直至所述留空部(28)设置在所述覆层底座(22)的凹部(23)上方。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述储备容器(24)的凹部(25)具有留空部(28)，所述留空部设置在所述凹部(25)的底部中，并且其中在步骤c)中，将所述储备容器(24)从初始位置移动到最终位置中，在所述初始位置中所述凹部(25)中的所述留空部(28)是封闭的，在所述最终位置中所述凹部(25)中的所述留空部(28)不再是封闭的，使得覆层材料(29)从所述储备容器(24)的凹部(25)经由所述留空部(28)传递到所述覆层底座(22)的凹部(23)中。4.根据权利要求3所述的方法，其中在用覆层材料(29)填充所述覆层底座(22)的凹部(23)之后将所述储备容器(24)移回到所述初始位置中。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述覆层载体(20)具有至少两个引导元件(31)，所述引导元件至少部分地沿着所述主底座(21)设置，其中在步骤d)中将所述储备容器(24)沿着所述引导元件(31)移置。6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中当所述储备容器(24)沿着所述纵轴线(x)移动时和/或当所述凹部(23、25)用覆层材料(29)填充时，不发生所述覆层材料(29)的倾洒。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述覆层材料(28)包括覆层粉末或树脂。8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个电子器件(1、30)包括用于测量温度的传感器装置(1)。9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述覆层(6)的总长度(l2)的变化与传统的覆层技术相比是更小的。10.一种用于将覆层(6)施加到至少一个电子器件(1、30)上的覆层载体(20)，所述覆层载体具有：
‑
主底座(21)，-覆层底座(22)，所述覆层底座设置在所述主底座(21)上并且具有凹部(23)，其中所述凹部(23)适合于和设置用于容纳和保持覆层材料(29)，-可移动的储备容器(24)，所述储备容器至少部分地安装在所述覆层底座(22)上，并且具有另一凹部(25)，所述另一凹部适合于和设置用于容纳和保持覆层材料(29)。11.根据权利要求10所述的覆层载体(20)，其中所述储备容器(24)垂直于所述覆层底座(22)的主延伸方向延伸。12.根据权利要求10或11所述的覆层载体(20)，其中所述储备容器(24)沿着所述覆层载体(20)的纵轴线(x)是可移动的。13.根据权利要求10至12中任一项所述的覆层载体(20)，其中所述储备容器(24)的凹部(25)具有留空部(28)，所述留空部设置在所述凹部(25)的底部中。14.根据权利要求13所述的覆层载体(20)，其中所述储备容器(24)能够在初始位置和最终位置之间移置，其中在所述初始位置中所述覆层底座(22)的上侧形成所述留空部(28)的下部的限界部，并且其中在所述最终位置中所述储备容器(24)的凹部(25)设置在所述覆层底座(22)的凹部(23)上方。15.根据权利要求10至14中任一项所述的覆层载体(20)，其中所述覆层载体(20)具有至少两个引导元件(31)，所述引导元件至少部分地沿着所述主底座(21)设置，其中所述储备容器(24)能够沿着所述引导元件(31)移置。16.根据权利要求10至15中任一项所述的覆层载体(20)，其中所述至少一个电子器件(1、30)包括用于测量温度的传感器装置(1)。

技术总结
描述一种用于将覆层施加到至少一个电子器件(1、30)上的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供覆层载体(20)，其具有：-主底座(21)，-具有凹部(23)的覆层底座(22)，-具有另一凹部(25)的可移动的储备容器(24)；B)将覆层材料(29)填入到储备容器(24)的凹部(25)中；C)将储备容器(24)沿着覆层载体(20)的纵轴线(X)移置，使得覆层底座(22)的凹部(23)用覆层材料(29)填充；D)提供至少一个电子器件(1、30)并且至少将电子器件(1、30)的部分沉入到在覆层底座(22)的凹部(23)中提供的覆层材料(29)中，以构成电子器件(1、30)的覆层(6)。此外，描述一种用于测量温度的传感器装置(1)，其具有覆层(6)，所述覆层借助之前所描述的方法施加。此外，描述一种用于将覆层(6)施加到至少一个电子器件(1、30)上的覆层载体(20)。30)上的覆层载体(20)。30)上的覆层载体(20)。


技术研发人员：苏布拉马尼安
受保护的技术使用者：TDK电子股份有限公司
技术研发日：2022.08.02
技术公布日：2023/8/14