激光开孔方法及半导体器件的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及后段封装，特别是涉及一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法。


背景技术：

2.激光开孔是半导体器件制作过程中常用的制备通孔的方法。尤其是在后段封装过程中，广泛使用激光开孔法。比如目前在绝缘基板的双面层叠有金属箔的印刷配线基板上，使用激光打孔形成贯穿印刷配线基板的孔。
3.激光开孔的过程通常包括，使用激光开设贯穿印刷配线基板的校准孔，对定位孔进行拍摄，并根据拍摄到的校准孔的位置决定激光的照射位置，对该照射位置照射激光而形成至印刷配线基板的孔。激光照射主要有三种模式：(a) single pulse：单一脉冲镭射钻孔；(b) percussion：使用多发脉冲镭射增加钻孔深
度
，但此方法会使钻孔孔径大于聚焦光斑直径；(c) trepanning：当钻孔孔径大于聚焦光束直径，藉由移动光束轨迹加大钻孔孔径。
4.现有的激光开孔方法都是对同一开孔位置进行连续激光照射直至完成所需尺寸的通孔制作后再对下一个孔进行连续照射加工，以此类推，直至完成所有通孔的制作。
5.发明人经大量研究发现，这种激光对一个位置进行连续照射直至完成单个通孔加工的方法会导致照射过程中能量累积来不及散出，造成热累积效应。且随着开孔尺寸的增大，单颗孔的激光打点次数越多，激光能量越大，最终造成在开孔边缘的热累积现象越严重，不仅会造成后续工艺中布线层（rdl）和聚酰亚胺层（pi）分层，导致器件电性失效。此外，热累积还可能导致通孔发生变形，导致生产良率下降。
6.应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。


技术实现要素：

7.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法，用于解决现有技术中对一个位置进行连续激光照射直至完成单个孔加工的激光开孔方法会导致照射过程中能量累积来不及散出，由此在开孔边缘发生热累积，造成后续工艺中的分层以及通孔发生变形，导致器件性能下降等问题。
8.为实现上述目的，本发明提供一种激光开孔方法，所述激光开孔方法包括：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位
置不相邻。
9.可选地，n大于等于10，a和b均小于等于对应预设次数的三分之一。
10.可选地，各开孔的尺寸相同，a和b的大小一致，每次激光照射的能量和照射时间相同。
11.更可选地，每次激光照射的能量为0.2w-3w。
12.可选地，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的方法包括对基板进行移动或对激光进行移动。
13.可选地，移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的同时，对之前照射的开孔位置进行冷却。
14.更可选地，对之前照射的开孔位置进行冷却的方法包括自然冷却和/或采用冷却气体进行吹扫的方法。
15.本发明还提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括采用如上述任一方案中所述的激光开孔方法于基板上制备出开孔，然后于开孔内制作导电结构的步骤。
16.进一步的，所述半导体器件的制备方法为器件封装方法，包括步骤：提供支撑基板；于支撑基板上形成牺牲层；于牺牲层上形成导电互连层；将芯片设置于导电互连层上；形成包覆芯片的塑封层；于芯片表面形成与芯片、导电互连层电连接的重新布线层；于重新布线层上形成电引出结构；将支撑基板去除以显露出牺牲层；采用如上述任一方案中所述的激光开孔方法于牺牲层中制备出若干显露出导电互连层的开孔；于开孔中形成与导电互连层电接触的导电结构。
17.如上所述，本发明提供的激光开孔方法及半导体器件的制备方法，具有以下有益效果：本发明经改善的流程设计，可在确保开出的孔的大小和优化之前的孔的大小一致的前提下，有效避免单个开孔在短时间内连续进行激光照射而产生的热累积效应，可避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。
附图说明
18.图1显示为本发明提供的激光开孔方法于一示例中的过程示意图。
19.图2显示为本发明提供的激光开孔方法于另一方案中的过程示意图。
20.图3显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中提供基底的示意图。
21.图4显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中于基底上形成牺牲层的示意图。
22.图5显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中形成导电互连层的示意图。
23.图6显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中芯片键合的示意图。
24.图7显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中形成塑封层的示意图。
25.图8显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中对塑封层进行表面平坦化处理后的示意图。
26.图9显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中形成重新布线层的示意图。
27.图10显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中形成电引出结构的示意图。
28.图11显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中去除基底的示意图。
29.图12显示为本发明提供的半导体器件的制备方法中于牺牲层中形成开孔的示意图。
具体实施方式
30.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
31.为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
32.在本技术的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
33.需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。为使图示尽量简洁，各附图中并未对所有的结构全部标示。
34.现有的激光开孔方法都是对同一开孔位置进行连续激光照射直至完成所需尺寸的通孔制作后再对下一个孔位置进行连续照射加工，以此类推，直至完成所有通孔的制作。发明人经大量研究发现，这种方法会导致照射过程中能量累积来不及散出，造成热累积效应，影响器件性能。对此，本技术的发明人经大量研究，提出了一种改善方案。
35.具体地，本实施例提供一种激光开孔方法，所述激光开孔方法包括：将基板上待加工制备的n个开孔位置11作为一组，完成对开孔位置11的定位并设定各开孔位置11的激光照射位置后即可开始激光照射开孔。开孔作业过程中，对前一个开孔位置11进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置11进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置11进行预设次数的激光照射，直至对各开孔位置11的激光照射能量达到预设值，由此在各开孔位置11加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置11的开孔所需的激光照射总次数，能量预设值为完成对应开孔位置11的开孔所需的总的激光能量值，n为
大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数。且较佳地，a和b与对应预设次数的差值均大于等于3。即本实施例中，对每个开孔位置11的激光照射分间隔一定时间的多次进行，每次对单个开孔位置11进行激光照射的能量小于形成所需尺寸的开孔所需的总能量，经间隔的多次照射后，各开孔的制备才完成。在完成对前一开孔位置11的激光照射后对下一位置进行激光照射的过程中，前一开孔位置11中因激光照射产生的热可以进行释放，避免热累积。此外，本实施例中，n个开孔呈多行多列（行数和列数均优选大于等于3）阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻，以最大程度避免相邻开孔的热干扰，改善热累积效应。
36.本发明提供的激光打孔方法经改善的流程设计，可在确保开出的孔的大小和优化之前的孔的大小一致的前提下，有效避免单个开孔在短时间内连续进行激光照射而产生的热累积效应，可避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。
37.从原理上讲，每个开孔位置11在完成a次激光照射后就转移至下一开孔位置11的加工，那之前的开孔位置11都有时间进行热量散发，因此都可以避免热量累积。且理论上间隔的时间越长，热量散发的越充分，则效果会越好。但是发明人在实际操作中发现，同一开孔位置11的几次激光照射之间的间隔不宜太长或太短。太短则散热不充分，太长则导致移动路径过长，对设备的对准要求非常高。发明人经大量实验发现，较佳地，n大于等于10，a和b为小于等于预设次数的三分之一。本实施例中，同组的所有开孔的尺寸可以相同或不同，相应地，完成各开孔制备所需的激光照射总能量可以相同或不同。不同开孔的激光照射预设次数可以相同或不同。但为简化工艺，优选各开孔的尺寸相同，各通孔的激光照射预设次数相同。例如在一较佳示例中，n为25，a和b为1，各开孔的激光照射预设次数为6，即每个开孔位置11需要激光照射6次，例如6次单脉冲照射。具体地，每个开孔位置11的每一次的激光照射的光斑相同，且都大致等于每个开孔的尺寸的一半。每个开孔位置11的每一次的激光照射的位置沿着每个开孔位置11的中心呈中心对称分布。
38.打孔过程中，虽然可以如图1所示（图1中的数字表示激光照射序数）所示的方式对相邻的开孔位置11依次进行单次激光照射。例如，先对第一开孔位置11进行第一次激光照射，然后对相邻的第二开孔位置11进行第二次激光照射，接下来对第三开孔位置11进行第三次激光照射，然后回到第一开孔位置11对第一开孔位置11进行第四次激光照射，再对第三个开孔位置11进行第五次激光照射
……
如此类推，直至对所有开孔位置11的激光照射次数达到对应预设次数而完成所有开孔的制备。这种方式虽然可以在很大程度上改善热效应累积，但随着器件集成度日益提高，开孔分布也日益密集，相邻开孔之间的间距越来越小。因而在发明提供的较佳示例中，在较佳的示例中，在对前一开孔位置11进行激光照射后，优选移动到与之不相邻的下一开孔位置11进行激光照射，以尽量减少热串扰。
39.单组开孔的阵列排布方式可以根据需要而定，比如根据器件布局而定。例如在一示例中，如图2所示（图2中的箭头所示为移动打孔过程中的大致移动方向），n个开孔呈5x5的阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置11和后一开孔位置11不相邻，例如间隔一个以上开孔位置11。这种跳跃式移动打孔方式可以有效避免不同区域的热串扰，且这种步进式的方式有助于确保移动和对准精度。同时，半导体器件中的通孔，例如电容孔的布局大多采用阵列式排布，例如采用六方阵列排布，因而本实施例的激光开孔方式与器件布局高度匹配，有助于确保开孔良率。
40.在满足各开孔位置11的总照射能量达到预设值的情况下，每次激光照射的能量和照射时间可以相同或不同。但在一较佳示例中，每次激光照射的能量和照射时间相同。这可以减少调节设备工艺参数的工作，提高生产效率。
41.各开孔位置11的激光照射总能量和单次激光照射的能量可以根据需要而定，例如根据开孔尺寸、基板材质和激光设备型号等条件而定。但在一较佳示例中，每次激光照射的能量为0.2w-3w，可以在确保较好的开孔效果的同时尽量减少热累积。
42.在一示例中，对前一个开孔位置11进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置11进行b次激光照射的方法为对基板进行移动。即激光照射的位置保持不变，在对前一个开孔位置11进行第一次照射后，对基板进行移动，以使第二个开孔位置11处于激光照射位置，如此类推。
43.而在另一方案中，对前一个开孔位置11进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置11进行b次激光照射的方法为对激光进行移动。即基板保持不动，完成前一开孔位置11的激光照射后，移动设备，使激光位于对应下一开孔位置11的上方。
44.在另外的示例中，也可以选用可以发出多个激光线束的设备，激光线束的位置与各开孔位置11对应，打孔过程中渐次开启对应开孔位置11上方的激光进行照射。这种方式无需移动基板或设备，可以确保较好的对准效果，只是对设备的要求比较高。
45.本实施例中，使用的激光脉冲是ns级，每一发激光到第二发激光的间隔时间只有ns(10-9
秒)。如果采用传统的连续在同一孔进行激光照射的加工模式，热效应累积非常严重，造成实际产品受损。因而发明人经大量研究而制定出本方案，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，在对下一开孔位置进行激光照射的过程中，之前的开孔位置进行自然冷却，如此依次移动，达到避免连续加工造成热效应积累的目的。采用自然冷却方法无需额外的冷却设备，操作简单。
46.在另一方案中，为加快之前照射位置的散热，移动至对下一个开孔位置11进行激光照射的同时，可以引入冷却介质对经照射的开孔位置11进行加速冷却。或者在常规的自然冷却外，引入冷却介质对经照射的开孔位置11进行加速冷却。进行加速冷却的方法可以采用冷却气体进行吹扫的方法，或者可以利用具有与开孔尺寸类似结构的冷却板进行冷却。例如冷却板上设置有若干与开孔尺寸类似的柱状结构，在对下一开孔位置进行激光照射时，将该冷却板的柱状结构与前一照射位置接触而实现精准散热冷却。在使用冷却气体进行冷却的情况下，为避免冷却气体干扰其他位置的激光照射（例如避免因气流造成激光扰动），可利用类似准直筒之类的设备将冷却气体精准导入至需要冷却的开孔位置11。利用气体吹扫进行冷却，还可以起到清扫效果，有助于提高打孔良率。此外，在一些示例中，在对之前的开孔位置11进行冷却的同时，可以同时检测之前的照射是否符合标准，例如检测照射位置是否准确等，而不额外增加检测时间。
47.本发明还提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括采用如上述任一方案中所述的激光开孔方法于基板上制备出通孔，然后于通孔内制作导电结构的步骤。故前述对所述激光开孔方法的介绍可以全文引用至此，出于简洁的目的不赘述。
48.作为示例，于通孔内制作导电结构的方法可以采用诸如电镀法、物理气相沉积法等金属填充方法。在其他一些示例中，也可以将已经制造好的导电结构设置于通孔内，例如将铜线等导电线穿过通孔，以将位于通孔两端的器件结构电连接。
49.所述半导体器件的制备方法可以用于前段的芯片制作工艺中制作各种类型的接触孔。但本发明提供的半导体器件的制备方法尤其适用于后段封装工艺中于封装基板上制作互连通孔，接下来将结合附图对使用了本发明的激光开孔方法的一种后段封装方法进行详细说明。
50.具体地，本实施例中提供的半导体器件的制备方法包括步骤：首先提供如图3所示的支撑基板12，支撑基板12可以为硅晶圆等半导体材料，也可以是玻璃基板、金属基板或其他材料的基板，还可以是复合基板。在一较佳示例中，支撑基板12为透明基板，例如为玻璃基板，这将有助于后续的剥离。提供支撑基板12后，可以进行清洁，以去除支撑基板12表面的污染。
51.然后于支撑基板12表面形成牺牲层13，得到如图4所示的结构。牺牲层13可以为单层或多层结构。例如于一示例中，牺牲层13包括位于支撑基板12表面的光热转换材料层以及位于光热转换材料层表面的环氧树脂层等聚合物材料层，或者还可以是氧化硅层等无机材料层。形成牺牲层13的方法包括但不限于涂布法和化学气相沉积法。
52.之后于牺牲层13上形成导电互连层14，得到如图5所示的结构。导电互连层14可以为单一的金属线层。但在一较佳示例中，导电互连层14包括介质层和位于介质层内以及介质层表面的金属线层，此外还可以进一步包括位于金属线层上方，且与金属线层电连接的导电柱。导电柱例如为铜柱。但导电互连层14的结构不仅限于此，对此不做严格限制。
53.下一步设置芯片15，例如将芯片15以非功能面通过粘接材料粘设至导电互连层14上，得到如图6所示的结构，芯片15的功能面（即焊垫一面）远离导电互连层14。作为示例，芯片15的非功能面通过背胶工艺预先形成一层粘接材料层，芯片15通过粘接材料层粘设至导电互连层14上。芯片15可以为单个或多个，当为多个时，多个芯片15可以在同一平面上间隔排布，也可以是上下堆叠。芯片15可以是各类有源和/或无源器件。在其他实施例中，芯片15焊接至导电互连层14上，导电互连层14 对应焊接芯片15位置露出导电互连层14，导电互连层14通过焊接实现与芯片15电连接。在将芯片15键合至导电互连层14上后，还可以进行芯片15底部填充，使用环氧树脂等聚合物材料将芯片15与导电互连层14的电连接处包覆，避免水汽渗入和污染。在又一实施例中，芯片15预先形成tsv穿孔（未图示），芯片15的功能面的焊垫通过tsv穿孔（未图示）连接至其非功能面。如此，可以通过芯片15内tsv穿孔直接实现导电互连层14和后续工艺步骤形成的重新布线层17之间的电性连接。
54.接下来进行塑封。例如可以采用包括但不限于压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中等方法中的一种或多种的结合形成包覆芯片15和导电互连层14的塑封层16，得到如图7所示的结构，之后采用包括但不限于化学机械研磨法进行平坦化处理，以显露出芯片15上表面，得到如图8所示的结构。
55.之后于塑封层16上方形成与芯片15、导电互连层14电连接的重新布线层17，得到如图9所示的结构。重新布线层17可以为单层或多层结构，具体不限。
56.接下来形成与重新布线层17电连接的电引出结构18，例如进行植球工艺，得到如图10所示的结构。
57.下一步将完成电引出结构18制作而得到的结构倒置于载板19上。即，使电引出结构18朝下的方式将如图10所示的整个结构置于载板19上，之后去除封装基板而显露出牺牲层13，得到如图11所示的结构。载板19包括但不限于金属板，且可以借助固定环等固定件将
前一步骤所得到的结构固定于载板19上。去除封装支撑基板12的方法可以为刻蚀法或表面平坦化法等。在一较佳示例中，在牺牲层13包括光热转换材料层的情况下，则本步骤中可以采用激光照射法，使得封装基板自光热转换层处剥离，直至显露出牺牲层13中的环氧树脂层等聚合物层。
58.然后采用前述任一方案中所述的激光开孔方法于牺牲层13中形成若干显露出导电互连层14的开孔20，得到如图12所示的结构。
59.在形成开孔20后，于开孔20中形成与导电互连层14电接触的导电结构（未图示）。例如可以采用植球工艺于开孔中形成与导电互连层14电连接的焊球（未图示），或者采用物理气相沉积工艺于开孔20中形成与导电互连层14电连接的导电柱（未图示），或者还可以将已经制备有导电结构的基板与如图12所示的结构键合，之后去除载板19。
60.本实施例提供的半导体器件的制备方法尤其适用于晶圆级封装，即在同一晶圆上同时制备出数百上千个如图12所示的结构，之后再进行分切，并将分切得到的独立结构分别与封装框架连接的步骤，对此不做详细展开。
61.综上所述，本发明提供的激光开孔方法包括步骤：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻。本发明可在确保开出的孔的大小和优化之前的孔的大小一致的前提下，有效避免单个开孔在短时间内连续进行激光照射而产生的热累积效应，可避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
62.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

技术特征：
1.一种激光开孔方法，其特征在于，所述激光开孔方法包括：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻。2.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，n大于等于10，a和b均小于等于对应预设次数的三分之一。3.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，各开孔的尺寸相同，a和b的大小一致，每次激光照射的能量和照射时间相同。4.根据权利要求3所述的激光开孔方法，其特征在于，每次激光照射的能量为0.2w-3w。5.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的方法包括对基板进行移动或对激光进行移动。6.根据权利要求1至5任一项所述的激光开孔方法，其特征在于，移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的同时，对之前照射的开孔位置进行冷却。7.根据权利要求6所述的激光开孔方法，其特征在于，对之前照射的开孔位置进行冷却的方法包括自然冷却法和/或采用冷却气体进行吹扫的方法。8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括采用如权利要求1至7任一项所述的激光开孔方法于基板上制备出开孔，然后于开孔内制作导电结构的步骤。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法为器件封装方法，包括步骤：提供支撑基板；于支撑基板上形成牺牲层；于牺牲层上形成导电互连层；将芯片设置于导电互连层上；形成包覆芯片的塑封层；于芯片表面形成与芯片、导电互连层电连接的重新布线层；于重新布线层上形成电引出结构；将支撑基板去除以显露出牺牲层；采用如权利要求1至7任一项所述的激光开孔方法于牺牲层中制备出若干显露出导电互连层的开孔；于开孔中形成与导电互连层电接触的导电结构。

技术总结
本发明提供一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法。激光开孔方法包括步骤：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻。本发明可有效避免激光开孔过程中的热累积效应，避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。率。率。


技术研发人员：陈彦亨
受保护的技术使用者：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
技术研发日：2023.07.13
技术公布日：2023/8/16