一种基于B类方片作业多晶串联LED产品的方法与流程

一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法
技术领域
1.本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法。


背景技术：

2.众所周知，晶片是led灯珠的主原物料之一，是影响led灯珠光电参数的主要物料。常规方片晶片是将晶片按照wd/po/vf/ir/vf2等参数细分，进行点测及分选，其芯片成本相对较高。
3.b类方片是指晶片裂片完成后，只测试vf2/ir值，芯片不进行分选的方片，通过vf2/ir值点测数据生成b类方片晶片map图，在led封装固晶作业时挑选vf2/ir值在良品范围的晶片进行作业。整张外延芯片即为一张芯片，b类方片晶片比常规方片少了几道点测工序及分选工序，所以芯片成本较低。
4.但使用b类方片的缺点也比较明显，因wd/po/vf/等参数未进行点测细分，采用常规固晶作业方式得到的成品灯珠各光电参数较离散，满足产品的规格参数比例有所降低，从而导致成品灯珠良率略低。


技术实现要素：

5.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法。
6.本发明采用以下技术方案：一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，所述方法包括：
7.在晶片裂片完成之后，检测晶片上的每颗芯片晶粒的vf2/ir值，并将该晶片作为备选b类方片；其中，将vf2/ir值在标准范围内的所述芯片晶粒定义为合格芯片；
8.对所述备选b类方片四周和中心固定点位的所述合格芯片进行wd/po/vf参数抽测，选取wd/po/vf均值在标准范围的所述备选b类方片作为b类方片；
9.将所述b类方片制作成多张蓝膜，并根据待固晶的多晶串联led产品的固晶数量将所述蓝膜划分为内圈和外圈；
10.选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业。
11.本发明一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，通过对备选b类方片的芯片晶粒进行wd/po/vf参数抽测，在未明显提高芯片制作成本的前提下有效优化了b类方片的片源；由于b类方片具有中部芯片的参数优于外围芯片的参数的特点，因此通过将蓝膜划分为内圈和外圈，并根据多晶串联led产品的固晶数量选取不同蓝膜的内圈及外圈上的芯片进行固晶作业，使得同一多晶串联led产品的芯片晶粒wd/po/vf参数搭配的更均匀，各参数均值也更均匀，光电参数一致性好，得到的多晶串联led成品的各参数值也更集
中，有效提高了产品良率。
12.进一步的，对所述备选b类方片四周和中心固定点位的所述合格芯片进行wd/po/vf参数抽测的步骤具体包括：
13.使所述备选b类方片的圆心为原点作抽测圆，并将所述抽测圆内的所述合格芯片定义为中间芯片，将所述抽测圆外的所述合格芯片定义为周围芯片；
14.随机选取所述备选b类方片上固定点位的所述中间芯片及所述周围芯片进行wd/po/vf参数测试。
15.进一步的，所述抽测圆的半径为所述备选b类方片半径的3/8～5/8。
16.进一步的，随机选取所述中间芯片的数量为所述备选b类方片上全部所述中间芯片的1％～3％，随机选取所述周围芯片的数量为所述备选b类方片上全部所述周围芯片的2％～4％。
17.进一步的，所述多晶串联led产品的固晶数量为n，其中，n为大于1的整数。
18.进一步的，若n为双数，则将所述蓝膜划分为内圈和外圈的步骤具体包括：
19.控制led固晶机台对所述蓝膜扫描，确定所述蓝膜上所述合格芯片的总数；
20.在所述蓝膜上以位于所述蓝膜中心的一块所述合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含所述合格芯片数量等于该闭合曲线外包含所述合格芯片数量相等为基准将所述蓝膜划分内圈和外圈。
21.进一步的，若n为单数，则将所述蓝膜划分为内圈和外圈的步骤具体包括：
22.控制led固晶机台对所述蓝膜扫描，确定所述蓝膜上所述合格芯片的总数；
23.在所述蓝膜上以位于所述蓝膜中心的一块所述合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含所述合格芯片数量与该闭合曲线外包含所述合格芯片数量相比为作为基准，将所述蓝膜划分内圈和外圈。
24.进一步的，若n为双数，则选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业的步骤具体包括：
25.选定任意两张内圈包含所述合格芯片数量与外圈包含所述合格芯片数量一致的所述蓝膜，并将其定义为a蓝膜和b蓝膜；
26.随机选取所述a蓝膜内圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述b蓝膜外圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述a蓝膜内圈的所述合格芯片数量或所述b蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于为止；
27.然后随机选取所述a蓝膜外圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述b蓝膜内圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述a蓝膜外圈的所述合格芯片数量或所述b蓝膜内圈的所述
合格芯片数量小于为止，至此完成对所述a蓝膜及所述b蓝膜的取晶作业。
28.进一步的，若n为单数，则选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业的步骤具体包括：
29.选定任意两张内圈包含所述合格芯片数量与外圈包含所述合格芯片数量比值为的所述蓝膜，并将其定义为c蓝膜和d蓝膜；
30.随机选取所述c蓝膜内圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述d蓝膜外圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述c蓝膜内圈的所述合格芯片数量小于或所述d蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于为止；
31.然后随机选取所述c蓝膜外圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述d蓝膜内圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述c蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于或所述d蓝膜内圈的所述合格芯片数量小于为止，至此完成对所述c蓝膜及所述d蓝膜的取晶作业。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为本发明第一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法的流程图；
34.图2为本发明第一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法与常规固晶方法得到的灯珠vf参数分布对比图；
35.图3为本发明第一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法与常规固晶方法得到的灯珠iv参数分布对比图；
36.图4为本发明第一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法与常规固晶方法得到的灯珠ra参数分布对比图；
37.图5为本发明第一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法与常规固晶方法得到的灯珠r9参数分布对比图。
具体实施方式
38.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明的实施例，而不能理解为对本发明的限制。
39.在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
40.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
41.在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
42.实施例一
43.参照图1，本发明的第一实施例，一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，方法包括：
44.s1：在晶片裂片完成之后，检测晶片上的每颗芯片晶粒的vf2/ir值，并将该晶片作为备选b类方片；其中，将vf2/ir值在标准范围内的芯片晶粒定义为合格芯片；本实施例中，vf2的标准范围值为2.0v＜vf2＜3.0v，ir的标准范围值为0＜ir＜0.5μa。
45.s2：对备选b类方片四周和中心固定点位的合格芯片进行wd/po/vf参数抽测，选取wd/po/vf均值在标准范围的备选b类方片作为b类方片；步骤具体包括：
46.使备选b类方片的圆心为原点作抽测圆，并将抽测圆内的合格芯片定义为中间芯片，将抽测圆外的合格芯片定义为周围芯片；抽测圆的半径为备选b类方片半径的3/8～5/8；
47.随机选取备选b类方片上的部分中间芯片及周围芯片进行wd/po/vf参数测试；随机选取中间芯片的数量为备选b类方片上全部中间芯片的1％～3％，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的2％～4％；
48.抽测完成之后，得到多个wd/po/vf值，取其均值，并选取wd/po/vf均值在标准范围的备选b类方片作为b类方片；本实施例中，wd均值的标准范围为0＜wd＜2.2，po均值根据合格芯片尺寸不同而不同，当合格芯片尺寸为8mil*22mil时，po均值的标准范围为po＞170mv，当合格芯片尺寸为10mil*24mil时，po均值的标准范围为po＞185mv，vf均值的标准范围为vf＜3.3v。
49.s3：将b类方片制作成多张蓝膜，并根据待固晶的多晶串联led产品的固晶数量将
蓝膜划分为内圈和外圈；步骤具体包括：
50.将b类方片制作成多张蓝膜，设多晶串联led产品的固晶数量为n，其中，n为大于1的整数；
51.若n为双数，则控制led固晶机台对蓝膜扫描，确定蓝膜上合格芯片的总数；
52.在蓝膜上以位于蓝膜中心的一块合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含合格芯片数量等于该闭合曲线外包含合格芯片数量相等为基准将蓝膜划分内圈和外圈；具体实施时，单张蓝膜上的芯片总数可能为单数，因此不可能使得内圈芯片数量与外圈芯片数量相等，此时只需使得内圈芯片数量多一块或外圈芯片数量多一块即可；
53.若n为单数，则控制led固晶机台对蓝膜扫描，确定蓝膜上合格芯片的总数；
54.在蓝膜上以位于蓝膜中心的一块合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含合格芯片数量与该闭合曲线外包含合格芯片数量相比为作为基准，将蓝膜划分内圈和外圈；同理，具体实施时，根据蓝膜上的芯片总数存在无法将其严格划分为(n-1)：(n+1)两个芯片组的情况，因此led固晶机台实际执行时只要满足闭合曲线内所含芯片数量与闭合曲线外所含芯片数量相比近似于即可。
55.s4：选定两张蓝膜，将其中一张蓝膜内圈或外圈上的合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张蓝膜外圈或内圈上的合格芯片进行第二次固晶作业以完成多晶串联led产品的固晶作业的步骤具体包括：
56.若n为双数，则选定任意两张内圈包含合格芯片数量与外圈包含合格芯片数量一致的蓝膜，并将其定义为a蓝膜和b蓝膜；
57.随机选取a蓝膜内圈的块合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取b蓝膜外圈的块合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至a蓝膜内圈的合格芯片数量或b蓝膜外圈的合格芯片数量小于为止；
58.然后随机选取a蓝膜外圈的块合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取b蓝膜内圈的块合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至a蓝膜外圈的合格芯片数量或b蓝膜内圈的合格芯片数量小于为止，至此完成对a蓝膜及b蓝膜的取晶作业。
59.若n为单数，则选定任意两张内圈包含合格芯片数量与外圈包含合格芯片数量比值为的蓝膜，并将其定义为c蓝膜和d蓝膜；
60.随机选取c蓝膜内圈的块合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取d蓝膜外圈的块合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重
复，直至c蓝膜内圈的合格芯片数量小于或d蓝膜外圈的合格芯片数量小于为止；
61.然后随机选取c蓝膜外圈的块合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取d蓝膜内圈的块合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至c蓝膜外圈的合格芯片数量小于或d蓝膜内圈的合格芯片数量小于为止，至此完成对c蓝膜及d蓝膜的取晶作业。
62.参照图2至图5，本发明的固晶方式与常规固晶方式得到的灯珠各参数分布对比，采用本发明固晶作业方式的灯珠的vf/iv/ra/r9等各光电参数集中度均有明显提升，产品良率提升，灯珠光电参数一致性较好。
63.本发明一实施例的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，通过对备选b类方片的芯片晶粒进行wd/po/vf参数抽测，在未明显提高芯片制作成本的前提下有效优化了b类方片的片源；由于b类方片具有中部芯片的参数优于外围芯片的参数的特点，因此通过将蓝膜划分为内圈和外圈，并根据多晶串联led产品的固晶数量选取不同蓝膜的内圈及外圈上的芯片进行固晶作业，使得同一多晶串联led产品的芯片晶粒wd/po/vf参数搭配的更均匀，各参数均值也更均匀，光电参数一致性好，得到的多晶串联led成品的各参数值也更集中，有效提高了产品良率。
64.实施例二
65.本实施例中，抽测圆的半径为备选b类方片半径的1/2，随机选取中间芯片的数量为备选b类方片上全部中间芯片的2％，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的3％，待固晶的多晶串联led产品为双晶串联，即待固晶数量n为2；
66.固晶作业的步骤具体为：选取两张内圈芯片数量与外圈芯片数量一致的蓝膜，随机选取第一张蓝膜内圈的一块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜外圈的一块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜内圈的芯片或第二张蓝膜外圈的芯片用完为止；然后随机选取第一张蓝膜外圈的一块芯片进行初次固晶作业，随机选取第二张蓝膜内圈的一块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜外圈的芯片或第二张蓝膜内圈的芯片用完为止，至此完成两张蓝膜的取晶作业。
67.本实施例方法得到的多晶串联led产品与对照例采用常规方法得到的多晶串联led产品相比，工单结单良率提升2.41％。
68.实施例三
69.本实施例与实施例一的不同之处在于，本实施例中，抽测圆的半径为备选b类方片半径的3/8，随机选取中间芯片的数量为备选b类方片上全部中间芯片的1％，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的2％，待固晶的多晶串联led产品为三晶串联，即待固晶数量n为3；
70.固晶作业的步骤具体为：选取两张内圈芯片数量与外圈芯片数量比值为1/2的蓝膜，随机选取第一张蓝膜内圈的一块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜外圈的两块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，
直至第一张蓝膜内圈的芯片用完或第二张蓝膜外圈的芯片少于两块为止；然后随机选取第一张蓝膜外圈的两块芯片进行初次固晶作业，随机选取第二张蓝膜内圈的一块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜外圈的芯片少于两块或第二张蓝膜内圈的芯片用完为止，至此完成两张蓝膜的取晶作业。
71.本实施例方法得到的多晶串联led产品与对照例采用常规方法得到的多晶串联led产品相比，工单结单良率提升1.87％。
72.实施例四
73.本实施例与实施例一的不同之处在于，本实施例中，随机选取中间芯片的数量为备选b类方片上全部中间芯片的2％，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的3％，待固晶的多晶串联led产品为四晶串联，即待固晶数量n为4；
74.固晶作业的步骤具体为：选取两张内圈芯片数量与外圈芯片数量比值一致的蓝膜，随机选取第一张蓝膜内圈的两块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜外圈的两块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜内圈的芯片少于两块或第二张蓝膜外圈的芯片少于两块为止；然后随机选取第一张蓝膜外圈的两块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜内圈的两块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜外圈的芯片少于两块或第二张蓝膜内圈的芯片少于两块为止，至此完成两张蓝膜的取晶作业。
75.本实施例方法得到的多晶串联led产品与对照例采用常规方法得到的多晶串联led产品相比，工单结单良率提升2.32％。
76.实施例五
77.本实施例与实施例一的不同之处在于，本实施例中，抽测圆的半径为备选b类方片半径的3/8，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的2％，待固晶的多晶串联led产品为五晶串联，即待固晶数量n为5；
78.固晶作业的步骤具体为：选取两张内圈芯片数量与外圈芯片数量比值为2/3的蓝膜，随机选取第一张蓝膜内圈的两块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜外圈的三块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜内圈的芯片少于两块或第二张蓝膜外圈的芯片少于三块为止；然后随机选取第一张蓝膜外圈的三块芯片进行初次固晶作业，随机选取第二张蓝膜内圈的两块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜外圈的芯片少于三块或第二张蓝膜内圈的芯片少于两块为止，至此完成两张蓝膜的取晶作业。
79.本实施例方法得到的多晶串联led产品与对照例采用常规方法得到的多晶串联led产品相比，工单结单良率提升2.24％。
80.实施例六
81.本实施例与实施例一的不同之处在于，本实施例中，抽测圆的半径为备选b类方片半径的5/8，随机选取中间芯片的数量为备选b类方片上全部中间芯片的3％，随机选取周围芯片的数量为备选b类方片上全部周围芯片的4％，待固晶的多晶串联led产品为六晶串联，即待固晶数量n为6；
82.固晶作业的步骤具体为：选取两张内圈芯片数量与外圈芯片数量比值一致的蓝膜，随机选取第一张蓝膜内圈的三块芯片进行初次固晶作业，再随机选取第二张蓝膜外圈的三块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜内圈的芯片少于三块或第二张蓝膜外圈的芯片少于三块为止；然后随机选取第一张蓝膜外圈的三块芯片进行初次固晶作业，随机选取第二张蓝膜内圈的三块芯片进行第二次固晶作业，从而完成单个多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至第一张蓝膜外圈的芯片少于三块或第二张蓝膜内圈的芯片少于三块为止，至此完成两张蓝膜的取晶作业。
83.本实施例方法得到的多晶串联led产品与对照例采用常规方法得到的多晶串联led产品相比，工单结单良率提升2.08％。
84.具体实施时，待固晶数量n的取值随多晶串联led产品的需求而定，当固晶数量n为其他取值时，其固晶作业的步骤可依据上述实施例类推，在此不做赘述。
85.对照例
86.本对照例选用未进行wd/po/vf参数抽测的b类方片制成蓝膜，采用单张蓝膜选取芯片进行固晶作业得到多晶串联led产品，工单结单良率为95％。
87.表1：各实施例及对照例的部分参数比对以及对应良率提升的对比表
[0088][0089]
从表1可知，本发明通过对备选b类方片作抽测圆，并调整抽测圆的大小，调控随机选取中间芯片的数量及周围芯片的数量，从而完成对备选b类方片上的芯片晶粒的wd/po/vf参数抽测，优化了b类方片的片源，再将蓝膜划分为内圈和外圈，并根据多晶串联led产品的固晶数量选取不同蓝膜的内圈及外圈上的芯片进行固晶作业，使得采用本发明方法得到的多晶串联led产品的良率有效提升。
[0090]
综上，本发明通过对备选b类方片的芯片晶粒进行wd/po/vf参数抽测，在未明显提高芯片制作成本的前提下有效优化了b类方片的片源；由于b类方片具有中部芯片的参数优
于外围芯片的参数的特点，因此通过将蓝膜划分为内圈和外圈，并根据多晶串联led产品的固晶数量选取不同蓝膜的内圈及外圈上的芯片进行固晶作业，使得同一多晶串联led产品的芯片晶粒wd/po/vf参数搭配的更均匀，各参数均值也更均匀，光电参数一致性好，得到的多晶串联led成品的各参数值也更集中，有效提高了产品良率。
[0091]
在不出现冲突的前提下，本领域技术人员可以将上述附加技术特征自由组合以及叠加使用。
[0092]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，所述方法包括：在晶片裂片完成之后，检测晶片上的每颗芯片晶粒的vf2/ir值，并将该晶片作为备选b类方片；其中，将vf2/ir值在标准范围内的所述芯片晶粒定义为合格芯片；对所述备选b类方片四周和中心固定点位的所述合格芯片进行wd/po/vf参数抽测，选取wd/po/vf均值在标准范围的所述备选b类方片作为b类方片；将所述b类方片制作成多张蓝膜，并根据待固晶的多晶串联led产品的固晶数量将所述蓝膜划分为内圈和外圈；选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业。2.根据权利要求1所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，对所述备选b类方片四周和中心固定点位的所述合格芯片进行wd/po/vf参数抽测的步骤具体包括：使所述备选b类方片的圆心为原点作抽测圆，并将所述抽测圆内的所述合格芯片定义为中间芯片，将所述抽测圆外的所述合格芯片定义为周围芯片；随机选取所述备选b类方片上固定点位的所述中间芯片及所述周围芯片进行wd/po/vf参数测试。3.根据权利要求2所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，所述抽测圆的半径为所述备选b类方片半径的3/8～5/8。4.根据权利要求2所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，随机选取所述中间芯片的数量为所述备选b类方片上全部所述中间芯片的1％～3％，随机选取所述周围芯片的数量为所述备选b类方片上全部所述周围芯片的2％～4％。5.根据权利要求1所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，所述多晶串联led产品的固晶数量为n，其中，n为大于1的整数。6.根据权利要求5所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，若n为双数，则将所述蓝膜划分为内圈和外圈的步骤具体包括：控制led固晶机台对所述蓝膜扫描，确定所述蓝膜上所述合格芯片的总数；在所述蓝膜上以位于所述蓝膜中心的一块所述合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含所述合格芯片数量等于该闭合曲线外包含所述合格芯片数量相等为基准将所述蓝膜划分内圈和外圈。7.根据权利要求5所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，若n为单数，则将所述蓝膜划分为内圈和外圈的步骤具体包括：控制led固晶机台对所述蓝膜扫描，确定所述蓝膜上所述合格芯片的总数；在所述蓝膜上以位于所述蓝膜中心的一块所述合格芯片作为中心画不规则的闭合曲线，同时以该闭合曲线内包含所述合格芯片数量与该闭合曲线外包含所述合格芯片数量相比为作为基准，将所述蓝膜划分内圈和外圈。8.根据权利要求5所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，若n为双数，则选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初
次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业的步骤具体包括：选定任意两张内圈包含所述合格芯片数量与外圈包含所述合格芯片数量一致的所述蓝膜，并将其定义为a蓝膜和b蓝膜；随机选取所述a蓝膜内圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述b蓝膜外圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述a蓝膜内圈的所述合格芯片数量或所述b蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于为止；然后随机选取所述a蓝膜外圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述b蓝膜内圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述a蓝膜外圈的所述合格芯片数量或所述b蓝膜内圈的所述合格芯片数量小于为止，至此完成对所述a蓝膜及所述b蓝膜的取晶作业。9.根据权利要求5所述的基于b类方片作业多晶串联led产品的方法，其特征在于，若n为单数，则选定两张所述蓝膜，将其中一张所述蓝膜内圈或外圈上的所述合格芯片进行初次固晶作业，并将另一张所述蓝膜外圈或内圈上的所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成所述多晶串联led产品的固晶作业的步骤具体包括：选定任意两张内圈包含所述合格芯片数量与外圈包含所述合格芯片数量比值为的所述蓝膜，并将其定义为c蓝膜和d蓝膜；随机选取所述c蓝膜内圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述d蓝膜外圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述c蓝膜内圈的所述合格芯片数量小于或所述d蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于为止；然后随机选取所述c蓝膜外圈的块所述合格芯片进行初次固晶作业，再随机选取所述d蓝膜内圈的块所述合格芯片进行第二次固晶作业以完成单个所述多晶串联led产品的固晶作业，如此重复，直至所述c蓝膜外圈的所述合格芯片数量小于或所述d蓝膜内圈的所述合格芯片数量小于为止，至此完成对所述c蓝膜及所述d蓝膜的取晶作业。

技术总结
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于B类方片作业多晶串联LED产品的方法，方法包括：在晶片裂片完成之后，检测晶片上的每颗芯片晶粒的VF2/IR值以确定合格芯片，并将该晶片作为备选B类方片；对备选B类方片固定点位的合格芯片进行WD/PO/VF参数抽测，选取均值在标准范围的备选B类方片作为B类方片；将B类方片制作成多张蓝膜，并根据待固晶的多晶串联LED产品的固晶数量将蓝膜划为内圈和外圈；选定两张蓝膜，将其中一张内圈或外圈上的合格芯片进行初次固晶，并将另一张外圈或内圈上的合格芯片进行第二次固晶以完成产品的固晶。采用本发明方法得到的灯珠各光电参数集中度均有明显提升，使得产品良率有效提升。使得产品良率有效提升。使得产品良率有效提升。


技术研发人员：陈玉华 刘韶辉 卢鹏 袁杰 周恒
受保护的技术使用者：江西省兆驰光电有限公司
技术研发日：2023.05.29
技术公布日：2023/7/12