射频衰减电路以及射频模组的制作方法

1.本技术涉及射频技术领域，更具体地，涉及一种射频衰减电路以及射频模组。


背景技术：

2.在射频技术领域中，通常会在移动终端的射频前端模组中设置射频衰减电路，射频衰减电路用于对射频信号的射频功率进行精确调节。其中，射频衰减电路通常包括有两种工作模式：旁路模式和接入模式。具体地，旁路模式是指射频信号不经过射频衰减电路中的衰减模块，进而使得射频信号不会发生信号衰减的模式。反之，接入模式是指射频信号经过上述衰减模块，由衰减模块对射频信号进行信号衰减的模式。
3.在现有的射频衰减电路中，通常会采用多个衰减模块相串联后再并联一个旁路开关的结构，其中，多个衰减模块用于提供不同的衰减量，且设置有对应的控制开关。在射频衰减电路处于旁路模式时，旁路开关闭合且多个控制开关断开；在射频衰减电路处于接入模式时，旁路开关断开且至少一个控制开关闭合，使得处于闭合状态的控制开关对应的衰减模块对射频信号进行信号衰减。
4.然后，在射频衰减电路处于旁路模式时，在旁路开关处于闭合状态且多个控制开关处于断开状态的情况下，多个控制开关在断开时会存在对地寄生电容，进而导致射频衰减电路中存在多个信号泄露通路。因此，即使在旁路模式下，射频信号经过射频衰减电路时依旧会存在较大的衰减。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种射频衰减电路以及射频模组。
6.根据本技术的第一方面，本技术实施例提供一种射频衰减电路，该射频衰减电路包括衰减模块、旁路开关以及控制模块。其中，衰减模块包括第一信号端、第二信号端、第一衰减单元和第二衰减单元。第一衰减单元包括第一端、第二端和n条第一衰减支路。第一衰减单元的第一端连接于第一信号端，第一衰减单元的第二端连接于第二信号端；第一衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端连接于第一衰减单元的第二端，n大于1。第二衰减单元包括n条第二衰减支路，第二衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第二端，另一端接地。旁路开关连接于衰减模块的第一信号端和第二信号端。控制模块连接于旁路开关。
7.其中，在一些可选实施例中，第一衰减支路包括第一衰减电阻和第一衰减开关，第一衰减电阻和第一衰减开关相串联后形成的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端连接于第一衰减单元的第二端；其中，n条第一衰减支路包括的n个第一衰减电阻的电阻值各不相同；控制模块还连接于n条第一衰减支路包括的n个第一衰减开关。
8.其中，在一些可选实施例中，第二衰减支路包括第二衰减电阻和第二衰减开关，第二衰减电阻和第二衰减开关相串联后形成的一端连接于第一衰减单元的第二端，另一端接地；其中，n条第二衰减支路包括的n个第二衰减电阻的电阻值各不相同；控制模块还连接于
n条第二衰减支路包括的n个第二衰减开关。
9.其中，在一些可选实施例中，衰减模块还包括第三衰减单元；第三衰减单元包括n条第三衰减支路，第三衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端接地。
10.其中，在一些可选实施例中，第三衰减支路包括第三衰减电阻和第三衰减开关，第三衰减电阻和第三衰减开关相串联后形成的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端接地；其中，n条第三衰减支路包括的n个第三衰减电阻的电阻值各不相同；控制模块还连接于n条第三衰减支路包括的n个第三衰减开关。
11.其中，在一些可选实施例中，衰减模块还包括第一控制开关和第二控制开关；第一控制开关连接在第一信号端和第一衰减单元的第一端之间；第二控制开关连接在第二信号端和第一衰减单元的第二端之间；控制模块还连接于第一控制开关和第二控制开关。
12.其中，在一些可选实施例中，衰减模块还包括第四衰减单元；第四衰减单元包括第一端、第二端和n条第四衰减支路，第四衰减单元的第一端连接于第一衰减单元的第二端，第四衰减单元的第二端连接于第二信号端；第四衰减支路的一端连接于第四衰减单元的第一端，第四衰减支路的另一端连接于第四衰减单元的第二端。
13.其中，在一些可选实施例中，第四衰减支路包括第四衰减电阻和第四衰减开关，第四衰减电阻和第四衰减开关相串联后形成的一端连接于第四衰减单元的第一端，另一端连接于第四衰减单元的第二端；其中，n条第四衰减支路包括的n个第四衰减电阻的电阻值各不相同；控制模块还连接于n条第四衰减支路包括的n个第四衰减开关。
14.其中，在一些可选实施例中，衰减模块还包括第三控制开关和第四控制开关；第三控制开关连接在第一信号端和第一衰减单元的第一端之间；第四控制开关连接在第二信号端和第四衰减单元的第二端之间；控制模块还连接于第三控制开关和第四控制开关。
15.根据本技术的第二方面，本技术实施例提供一种射频模组，包括上述的射频衰减电路。
16.本技术实施方式提供的射频衰减电路以及配置有射频衰减电路的射频模组中，射频衰减电路包括衰减模块、旁路开关和控制模块。其中，衰减模块包括第一信号端、第二信号端、第一衰减单元和第二衰减单元。第一衰减单元包括n条第一衰减支路，第一衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端连接于第一衰减单元的第二端，n大于1。第二衰减单元包括n条第二衰减支路，第二衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第二端，另一端接地。旁路开关连接于衰减模块的第一信号端和第二信号端。控制模块连接于旁路开关。申请人通过大量实验发现，由于本技术中提供的射频衰减电路中的第一衰减单元和第二衰减单元均包含多条彼此并联的支路，因此，在上述射频衰减电路工作在旁路模式时，多条并联支路的寄生电容的等效电容值会小于现有技术中寄生电容的等效电容值，使得上述射频衰减电路对射频信号的衰减程度会小于现有技术中射频衰减电路对射频信号的衰减程度，也即，本技术中提出的射频衰减电路的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
18.图1是现有技术中的射频衰减电路的结构示意图。
19.图2中图1中的射频衰减电路工作在旁路模式下的等效电路示意图。
20.图3是本技术实施例提供的射频衰减电路的第一种结构示意图。
21.图4是本技术实施例提供的射频衰减电路的第二种结构示意图。
22.图5是图4中的射频衰减电路工作在旁路模式下的等效电路示意图。
23.图6是本技术实施例提供的射频衰减电路的第三种结构示意图。
24.图7是本技术实施例提供的一种信号衰减示意图。
25.图8是本技术实施例提供的射频衰减电路的第四种结构示意图。
26.图9是图8中的射频衰减电路工作在旁路模式下的等效电路示意图。
27.图10是本技术实施例提供的射频衰减电路的第五种结构示意图。
28.图11是本技术实施例提供的另一种信号衰减示意图。
29.图12是本技术实施例提供的射频模组的结构示意图。
具体实施方式
30.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.在现有的射频衰减电路中，通常会采用多个衰减模块相串联后再并联一个旁路开关的结构，其中，多个衰减模块用于提供不同的衰减量，且设置有对应的控制开关。请参阅图1，图1中的射频衰减电路有三个衰减模块，三个衰减模块相串联后再并联一个旁路开关，其中，每个衰减模块用于提供不同的衰减量，且均包括有三个电阻和三个控制开关。a端为射频衰减电路的信号输入端，b端为射频衰减电路的信号输出端。在射频衰减电路处于旁路模式时，旁路开关闭合且多个控制开关断开，此时，a端流入的射频信号经由旁路开关流向b端。在射频衰减电路处于接入模式时，旁路开关断开且至少一个衰减模块中的控制开关闭合，使得处于闭合状态的控制开关对应的衰减模块对射频信号进行信号衰减，也即，a端流入的射频信号经由至少一个衰减模块流向b端。
32.然后，在射频衰减电路处于旁路模式时，在旁路开关处于闭合状态且多个控制开关处于断开状态的情况下，多个控制开关在断开时会存在对地寄生电容，进而导致射频衰减电路中存在多个信号泄露通路。请参阅图2，图2为处于旁路模式下的射频衰减电路的等效电路示意图。由于旁路开关s10处于闭合状态，因此可以等效为电阻r10，控制开关s1至s9均处于断开状态，因此可以等效为电容c1至c9。为简化计算，令c1＝c2＝c3＝c4＝c5＝c6＝c7＝c8＝c9＝c，r1＝r4＝r7，r2＝r3＝r5＝r6＝r8＝r9，以及当忽略旁路开关s10的等效电阻r10对电路的影响时，b端电压和a端电压之比为：
[0033][0034]
由于z1《z0+z1，因此，a端电压会大于b端电压。也即，即使在旁路模式下，射频信号
经过射频衰减电路时依旧会存在较大的衰减，进而造成较为严重的信号泄露。
[0035]
为了解决上述问题，申请人经过大量的研究，提出了一种新的射频衰减电路的拓扑结构。请参阅图3，本技术实施方式提供一种射频衰减电路100。该射频衰减电路100包括衰减模块10、旁路开关30以及控制模块50。其中，衰减模块10包括第一信号端110、第二信号端120、第一衰减单元130和第二衰减单元140。第一衰减单元130包括第一端134、第二端136和n条第一衰减支路132。第一衰减单元130的第一端134连接于第一信号端110，第一衰减单元130的第二端136连接于第二信号端120；第一衰减支路132的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端连接于第一衰减单元130的第二端136，n大于1。第二衰减单元140包括n条第二衰减支路142，第二衰减支路142的一端连接于第一衰减单元130的第二端136，另一端接地。旁路开关30连接于衰减模块10的第一信号端110和第二信号端120。控制模块50连接于旁路开关30。
[0036]
由于本技术中提供的射频衰减电路100中的第一衰减单元130和第二衰减单元140均包含多条彼此并联的支路，因此，在射频衰减电路100工作在旁路模式时，多条并联支路的寄生电容的等效电容值会小于现有技术中寄生电容的等效电容值，使得射频衰减电路100对射频信号的衰减程度会小于现有技术中射频衰减电路对射频信号的衰减程度，也即，本技术中提出的射频衰减电路100的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露。
[0037]
下面对射频衰减电路100中的每个模块进行详细介绍。
[0038]
衰减模块10可以包括第一信号端110和第二信号端120。其中，第一信号端110可以为信号输入端，第二信号端120则为信号输出端。第一信号端110也可以为信号输出端，第二信号端120则为信号输入端。在下文实施例中，以第一信号端110为信号输入端为例进行阐述。
[0039]
旁路开关30连接于衰减模块10的第一信号端110和第二信号端120，用于控制射频衰减电路100的工作模式。具体地，当旁路开关30处于闭合状态时，射频衰减电路100处于旁路模式。反之，当旁路开关30处于断开状态时，射频衰减电路100处于接入模式。作为一种实施方式，旁路开关30可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)，以下简称mos管。其中，mos管的源极和漏极可以分别连接于衰减模块10的第一信号端110和第二信号端120，mos管的栅极可以连接于控制模块50，并在控制模块50的控制下使得mos管处于闭合或者关断状态。具体地，旁路开关30可以是n沟道型mos管，也可以是p沟道型mos管，本实施例对此不作具体限定。
[0040]
控制模块50连接于旁路开关30，用于控制旁路开关30的工作状态。其中，控制模块50可以是微控制单元(micro controller unit,mcu)，也可以采用其他的控制芯片实现，本实施例对此不作具体限定。示例性地，以旁路开关30为n沟道型mos管为例，控制模块50连接于该n沟道型mos管的栅极。当控制模块50向栅极输出高电平电压时，n沟道型mos管处于闭合状态；反之，当控制模块50向栅极输出低电平电压时，n沟道型mos管处于断开状态。具体地，高电平电压可以由外部供给确定，例如，高电平电压为1.8v、2.5v等等，低电平电压可以为0v，本实施例对此不作具体限定。
[0041]
在本实施例中，衰减模块10还可以包括第一衰减单元130和第二衰减单元140，用于在射频衰减电路100处于接入模式时，为射频信号提供信号衰减。
[0042]
第一衰减单元130可以包括第一端134、第二端136和n条第一衰减支路132。其中，
第一衰减单元130的第一端134连接于第一信号端110，第一衰减单元130的第二端136连接于第二信号端120。第一衰减支路132的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端连接于第一衰减单元130的第二端136，n大于1。
[0043]
在本实施例中，第一衰减支路132可以包括第一衰减电阻1321和第一衰减开关1323，第一衰减电阻1321和第一衰减开关1323相串联后形成的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端连接于第一衰减单元130的第二端136。也即，n条第一衰减支路132彼此相并联。其中，n条第一衰减支路132包括的n个第一衰减电阻1321的电阻值各不相同。因此，当射频信号经过不同的第一衰减支路132时，能够实现不同程度的信号衰减。
[0044]
在一些可能的实施例中，n个第一衰减开关1323可以是mos管，控制模块50还连接于n条第一衰减支路132包括的n个第一衰减开关1323，例如，控制模块50可以连接于n个mos管的栅极，用于控制该mos管所在的第一衰减支路132是否接入射频衰减电路100。
[0045]
在一些可能的实施例中，n取值为3，也即，第一衰减单元130包括三条第一衰减支路132。请参阅图4，三条第一衰减支路132可以分别为第一衰减开关s1和第一衰减电阻r1相串联所形成的支路、第一衰减开关s2和第一衰减电阻r2相串联所形成的支路以及第一衰减开关s3和第一衰减电阻r3相串联所形成的支路。
[0046]
第二衰减单元140包括n条第二衰减支路142，第二衰减支路142的一端连接于第一衰减单元130的第二端136，另一端接地。也即，n条第二衰减支路142彼此相并联。在本实施例中，第二衰减支路142可以包括第二衰减电阻1421和第二衰减开关1423，第二衰减电阻1421和第二衰减开关1423相串联后形成的一端连接于第一衰减单元130的第二端136，另一端接地。其中，n条第二衰减支路包括的n个第二衰减电阻的电阻值各不相同。因此，当射频信号经过不同的第二衰减支路142时，能够实现不同程度的信号衰减。
[0047]
在一些可能的实施例中，n个第二衰减开关1423可以是mos管，控制模块50还连接于n条第二衰减支路142包括的n个第二衰减开关1423，例如，控制模块50可以连接于n个mos管的栅极，用于控制该mos管所在的第二衰减支路142是否接入射频衰减电路100。
[0048]
在一些可能的实施例中，n取值为3，也即，第二衰减单元140包括三条第二衰减支路142。请参阅图4，三条第二衰减支路142可以分别为第二衰减开关s7和第二衰减电阻r7相串联所形成的支路、第二衰减开关s8和第二衰减电阻r8相串联所形成的支路以及第二衰减开关s9和第二衰减电阻r9相串联所形成的支路。
[0049]
在一些实施例中，请参阅图4，衰减模块10还可以包括第三衰减单元150。第三衰减单元150包括n条第三衰减支路152，第三衰减支路152的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端接地。也即，n条第三衰减支路152彼此相并联。具体地，在图4所示的实施例中，第三衰减单元150和第二衰减单元140分别位于第一衰减单元130的相对两侧，也即，图4中的衰减模块10整体呈“π”型。
[0050]
具体地，第三衰减支路152可以包括第三衰减电阻1521和第三衰减开关1523，第三衰减电阻1521和第三衰减开关1523相串联后形成的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端接地。其中，n条第三衰减支路152包括的n个第三衰减电阻1521的电阻值各不相同。因此，当射频信号经过不同的第三衰减支路152时，能够实现不同程度的信号衰减。
[0051]
在一些可能的实施例中，n个第三衰减开关1523可以是mos管，控制模块50还连接于n条第三衰减支路152包括的n个第三衰减开关1523，例如，控制模块50可以连接于n个mos
管的栅极，用于控制该mos管所在的第三衰减支路152是否接入射频衰减电路100。
[0052]
在一些可能的实施例中，n取值为3，也即，第三衰减单元150包括三条第三衰减支路152。请参阅图4，三条第三衰减支路152可以分别为第三衰减开关s4和第三衰减电阻r4相串联所形成的支路、第三衰减开关s5和第三衰减电阻r5相串联所形成的支路以及第三衰减开关s6和第三衰减电阻r6相串联所形成的支路。
[0053]
具体地，在图4所示的实施例中，s1、r1、s6、r6、s9和r9可以形成第一“π”型衰减器，s2、r2、s5、r5、s8和r8可以形成第二“π”型衰减器，s3、r3、s4、r4、s7和r7可以形成第三“π”型衰减器。其中，不同衰减器可以提供为射频信号不同的衰减比。这里需要说明的是，以r1、r6和r9组成的第一“π”型衰减器为例，由于电路结构相对称，因此，在衰减器的输入阻抗、输出阻抗、负载阻抗和源输出阻抗都相等(例如，均为50欧)的情况下，r6的电阻值和r9的电阻值相等。其中，r1、r6和r9的电阻值可以在衰减比已知的情况下，通过公式计算或者查找对应的阻值参数表确定。具体地，衰减比越大，则r6和r9的电阻值越小，r1的电阻值越大。
[0054]
这里不难发现，图4所示的射频衰减电路100中的衰减模块10包括有9个电阻和9个开关，和图1中射频衰减电路拥有相同的硬件数量。同样地，对图4中的射频衰减电路100在旁路模式下进行等效电路分析。请参阅图5，图5为处于旁路模式下的射频衰减电路的等效电路示意图。由于旁路开关30处于闭合状态，因此可以等效为电阻r10，开关s1至s9均处于断开状态，因此可以等效为电容c1至c9。为简化计算，令c1＝c2＝c3＝c4＝c5＝c6＝c7＝c8＝c9＝c，r1＝r2＝r3，r4＝r5＝r6＝r7＝r8＝r9，以及当忽略旁路开关30的等效电阻r10对电路的影响时，b端电压和a端电压之比为：
[0055][0056]
因此，在a端电压相同的情况下，图4中的射频衰减电路100对应的b端电压和a端电压之比大于图1中的射频衰减电路对应的b端电压和a端电压之比。也即，在采用相同数量的硬件的情况下，采用图4中的射频衰减电路100的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露。因此，相比于现有技术中的硬件电路，本技术中提出的射频衰减电路在旁路状态下，对射频信号的泄漏更小。
[0057]
在一些可能的实施例中，衰减模块10还可以包括第一控制开关161和第二控制开关163。请参阅图6，第一控制开关161连接在第一信号端110和第一衰减单元130的第一端134之间。第二控制开关163连接在第二信号端120和第一衰减单元130的第二端136之间。具体地，第一控制开关161和第二控制开关163可以是mos管，控制模块50还连接于第一控制开关161和第二控制开关163，例如，控制模块50可以分别连接于mos管的栅极，用于控制mos管的工作状态。在本实施例中，当射频衰减电路100工作在旁路模式时，第一控制开关161和第二控制开关163均处于断开状态；反之，当射频衰减电路100工作在接入模式时，第一控制开关161和第二控制开关163均处于闭合状态。
[0058]
请参阅图7，图7为图1、图4和图6所示的射频衰减电路分别在旁路模式下的信号衰减示意图。其中，图7中的一号曲线为图1中的射频衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势，二号曲线为图4中的射频衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势，三号曲线为图6中的射频
衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势。从图7中不难发现，相较于现有技术(也即图1)，图4和图6中射频衰减电路100的新的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露，也即，当不同频率的射频信号的输入时，射频衰减电路100有着更小的插损。此外，当输入的射频信号的频率高于3ghz时，图6中的射频衰减电路100的信号插损比图4中的射频衰减电路100的信号插损更小。也即，在加入第一控制开关161和第二控制开关163的情况下，旁路模式下的射频衰减电路100能够对射频信号有更小的信号泄露。
[0059]
在另一些实施例中，请参阅图8，衰减模块10还可以包括第四衰减单元170。第四衰减单元170包括第一端174、第二端176和n条第四衰减支路172，第四衰减单元170的第一端174连接于第一衰减单元130的第二端136，第四衰减单元170的第二端176连接于第二信号端120。具体地，第四衰减支路172的一端连接于第四衰减单元170的第一端174，第四衰减支路172的另一端连接于第四衰减单元170的第二端176。也即，n条第四衰减支路172彼此相并联。具体地，在图8所示的实施例中，第二衰减单元140位于第一衰减单元130和第四衰减单元170的中间，也即，图8中的衰减模块10整体呈“t”型。
[0060]
具体地，第四衰减支路172可以包括第四衰减电阻1721和第四衰减开关1723，第四衰减电阻1721和第四衰减开关1723相串联后形成的一端连接于第四衰减单元170的第一端174，另一端连接于第四衰减单元170的第二端176。其中，n条第四衰减支路172包括的n个第四衰减电阻1721的电阻值各不相同。因此，当射频信号经过不同的第四衰减支路172时，能够实现不同程度的信号衰减。
[0061]
在一些可能的实施例中，n个第四衰减开关1723可以是mos管，控制模块50还连接于n条第四衰减支路172包括的n个第四衰减开关1723，例如，控制模块50可以连接于n个mos管的栅极，用于控制该mos管所在的第四衰减支路172是否接入射频衰减电路100。
[0062]
在一些可能的实施例中，n取值为3，也即，第四衰减单元170包括三条第四衰减支路172。在图8所示的实施例中，三条第四衰减支路172可以分别为第四衰减开关s10和第四衰减电阻r10相串联所形成的支路、第四衰减开关s11和第四衰减电阻r11相串联所形成的支路以及第四衰减开关s12和第四衰减电阻r12相串联所形成的支路。
[0063]
具体地，在图8所示的实施例中，s1、r1、s7、r7、s10和r10可以形成第一“t”型衰减器，s2、r2、s8、r8、s11和r11可以形成第二“t”型衰减器，s3、r3、s9、r9、s12和r12可以形成第三“t”型衰减器。其中，不同衰减器可以提供为射频信号不同的衰减比。这里需要说明的是，以r1、r7和r10组成的第一“t”型衰减器为例，由于电路结构相对称，因此，在衰减器的输入阻抗、输出阻抗、负载阻抗和源输出阻抗都相等(例如，均为50欧)的情况下，r1的电阻值和r10的电阻值相等。其中，r1、r7和r10的电阻值可以在衰减比已知的情况下，通过公式计算或者查找对应的阻值参数表确定。具体地，衰减比越大，则r1和r10的电阻值越大，r7的电阻值越小。
[0064]
这里不难发现，图8所示的射频衰减电路100中的衰减模块10包括有9个电阻和9个开关，和图1中射频衰减电路拥有相同的硬件数量。同样地，对图8中的射频衰减电路100在旁路模式下进行等效电路分析。请参阅图9，图9为处于旁路模式下的射频衰减电路的等效电路示意图。由于旁路开关30处于闭合状态，因此可以等效为电阻r20，开关s1至s3、s7至s12均处于断开状态，因此可以等效为电容c1至c3、c7至c12。为简化计算，令c1＝c2＝c3＝c7＝c8＝c9＝c10＝c11＝c12＝c，r7＝r8＝r9，r1＝r2＝r3＝r10＝r11＝r12，
以及当忽略旁路开关30的等效电阻r20对电路的影响时，b端电压和a端电压之比为：
[0065][0066]
因此，在a端电压相同的情况下，图8中的射频衰减电路100对应的b端电压和a端电压之比小于图1中的射频衰减电路对应的b端电压和a端电压之比。也即，在采用相同数量的硬件的情况下，采用图8中的射频衰减电路100的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露。因此，相比于现有技术中的硬件电路，本技术中提出的射频衰减电路在旁路状态下，对射频信号的泄漏更小。
[0067]
在一些可能的实施例中，衰减模块10还可以包括第三控制开关181和第四控制开关183。请参阅图10，第三控制开关181连接在第一信号端110和第一衰减单元130的第一端134之间。第四控制开关183连接在第二信号端120和第四衰减单元170的第二端176之间。具体地，第三控制开关181和第四控制开关183可以是mos管，控制模块50还连接于第三控制开关181和第四控制开关183，例如，控制模块50可以分别连接于mos管的栅极，用于控制mos管的工作状态。在本实施例中，当射频衰减电路100工作在旁路模式时，第三控制开关181和第四控制开关183均处于断开状态；反之，当射频衰减电路100工作在接入模式时，第三控制开关181和第四控制开关183均处于闭合状态。
[0068]
请参阅图11，图11为图1、图8和图10所示的射频衰减电路分别在旁路模式下的信号衰减示意图。其中，图11中的一号曲线为图1中的射频衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势，二号曲线为图8中的射频衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势，三号曲线为图10中的射频衰减电路在旁路模式下的信号衰减趋势。从图11中不难发现，相较于现有技术(也即图1)，图8和图10中射频衰减电路100的新的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露，也即，当不同频率的射频信号的输入时，射频衰减电路100有着更小的插损。此外，当不同频率的射频信号的输入时，图10中的射频衰减电路100的信号插损比图8中的射频衰减电路100的信号插损更小。也即，在加入第三控制开关181和第四控制开关183的情况下，旁路模式下的射频衰减电路100能够对射频信号有更小的信号泄露。
[0069]
请参阅图12，本技术实施方式还提供一种射频模组200。该射频模组200配置有上述的射频衰减电路100。射频模组200是一种将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个独立模组的元件，从而提高集成度和硬件性能，并使体积小型化。具体地，射频模组200可以应用于智能手机、平板电脑、智能手表等4g、5g通信设备。
[0070]
本技术实施方式提供一种射频衰减电路100和配置有该射频衰减电路100的射频模组200。该射频衰减电路100包括衰减模块10、旁路开关30以及控制模块50。其中，衰减模块10包括第一信号端110、第二信号端120、第一衰减单元130和第二衰减单元140。第一衰减单元130包括第一端134、第二端136和n条第一衰减支路132。第一衰减单元130的第一端134连接于第一信号端110，第一衰减单元130的第二端136连接于第二信号端120；第一衰减支路132的一端连接于第一衰减单元130的第一端134，另一端连接于第一衰减单元130的第二端136，n大于1。第二衰减单元140包括n条第二衰减支路142，第二衰减支路142的一端连接
于第一衰减单元130的第二端136，另一端接地。旁路开关30连接于衰减模块10的第一信号端110和第二信号端120。控制模块50连接于旁路开关30。
[0071]
由于本技术中提供的射频衰减电路100中的第一衰减单元130和第二衰减单元140均包含多条彼此并联的支路，因此，在射频衰减电路100工作在旁路模式时，多条并联支路的寄生电容的等效电容值会小于现有技术中寄生电容的等效电容值，使得射频衰减电路100对射频信号的衰减程度会小于现有技术中射频衰减电路对射频信号的衰减程度，也即，本技术中提出的射频衰减电路100的拓扑结构可以在旁路模式下具有更小的信号泄露。
[0072]
在本技术说明书中，如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一组件。说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”；“大致”是指本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。
[0073]
在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“里”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术而简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0074]
在本技术中，除非另有明确的规定或限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，也可以是两个元件内部的连通，也可以是仅为表面接触。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0075]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0076]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0077]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。

技术特征：
1.一种射频衰减电路，其特征在于，包括：衰减模块，包括第一信号端、第二信号端、第一衰减单元和第二衰减单元；所述第一衰减单元包括第一端、第二端和n条第一衰减支路；所述第一衰减单元的第一端连接于所述第一信号端，所述第一衰减单元的第二端连接于所述第二信号端；所述第一衰减支路的一端连接于所述第一衰减单元的第一端，另一端连接于所述第一衰减单元的第二端，所述n大于1；所述第二衰减单元包括n条第二衰减支路，所述第二衰减支路的一端连接于所述第一衰减单元的第二端，另一端接地；旁路开关，连接于所述衰减模块的第一信号端和第二信号端；以及控制模块，连接于所述旁路开关。2.根据权利要求1所述的射频衰减电路，其特征在于，所述第一衰减支路包括第一衰减电阻和第一衰减开关，所述第一衰减电阻和所述第一衰减开关相串联后形成的一端连接于所述第一衰减单元的第一端，另一端连接于所述第一衰减单元的第二端；其中，n条所述第一衰减支路包括的n个所述第一衰减电阻的电阻值各不相同；所述控制模块还连接于n条所述第一衰减支路包括的n个所述第一衰减开关。3.根据权利要求1所述的射频衰减电路，其特征在于，所述第二衰减支路包括第二衰减电阻和第二衰减开关，所述第二衰减电阻和所述第二衰减开关相串联后形成的一端连接于所述第一衰减单元的第二端，另一端接地；其中，n条所述第二衰减支路包括的n个所述第二衰减电阻的电阻值各不相同；所述控制模块还连接于n条所述第二衰减支路包括的n个所述第二衰减开关。4.根据权利要求1至3任意一项所述的射频衰减电路，其特征在于，所述衰减模块还包括第三衰减单元；所述第三衰减单元包括n条第三衰减支路，所述第三衰减支路的一端连接于所述第一衰减单元的第一端，另一端接地。5.根据权利要求4所述的射频衰减电路，其特征在于，所述第三衰减支路包括第三衰减电阻和第三衰减开关，所述第三衰减电阻和所述第三衰减开关相串联后形成的一端连接于所述第一衰减单元的第一端，另一端接地；其中，n条所述第三衰减支路包括的n个所述第三衰减电阻的电阻值各不相同；所述控制模块还连接于n条所述第三衰减支路包括的n个所述第三衰减开关。6.根据权利要求4所述的射频衰减电路，其特征在于，所述衰减模块还包括第一控制开关和第二控制开关；所述第一控制开关连接在所述第一信号端和所述第一衰减单元的第一端之间；所述第二控制开关连接在所述第二信号端和所述第一衰减单元的第二端之间；所述控制模块还连接于所述第一控制开关和所述第二控制开关。7.根据权利要求1至3任意一项所述的射频衰减电路，其特征在于，所述衰减模块还包括第四衰减单元；所述第四衰减单元包括第一端、第二端和n条第四衰减支路，所述第四衰减单元的第一端连接于所述第一衰减单元的第二端，所述第四衰减单元的第二端连接于所述第二信号端；所述第四衰减支路的一端连接于所述第四衰减单元的第一端，所述第四衰减支路的另一端连接于所述第四衰减单元的第二端。8.根据权利要求7所述的射频衰减电路，其特征在于，所述第四衰减支路包括第四衰减
电阻和第四衰减开关，所述第四衰减电阻和所述第四衰减开关相串联后形成的一端连接于所述第四衰减单元的第一端，另一端连接于所述第四衰减单元的第二端；其中，n条所述第四衰减支路包括的n个所述第四衰减电阻的电阻值各不相同；所述控制模块还连接于n条所述第四衰减支路包括的n个所述第四衰减开关。9.根据权利要求7所述的射频衰减电路，其特征在于，所述衰减模块还包括第三控制开关和第四控制开关；所述第三控制开关连接在所述第一信号端和所述第一衰减单元的第一端之间；所述第四控制开关连接在所述第二信号端和所述第四衰减单元的第二端之间；所述控制模块还连接于所述第三控制开关和所述第四控制开关。10.一种射频模组，其特征在于，包括：如权利要求1至9任意一项所述的射频衰减电路。

技术总结
本申请公开了一种射频衰减电路以及射频模组。该射频衰减电路包括衰减模块、旁路开关和控制模块。衰减模块包括第一信号端、第二信号端、第一衰减单元和第二衰减单元。第一衰减单元的第一端连接于第一信号端，第一衰减单元的第二端连接于第二信号端；第一衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第一端，另一端连接于第一衰减单元的第二端。第二衰减单元包括N条第二衰减支路，第二衰减支路的一端连接于第一衰减单元的第二端，另一端接地。旁路开关连接于衰减模块的第一信号端和第二信号端。控制模块连接于旁路开关。本申请中的射频衰减电路工作在旁路模式时，对射频信号的衰减程度会小于现有技术中射频衰减电路对射频信号的衰减程度。度。度。


技术研发人员：吴昊 李镁钰 倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：2022.12.30
技术公布日：2023/7/20