基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法

1.本发明属于半导体晶体管技术领域，具体涉及基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法。


背景技术：

2.真空是电子高速弹道输运的理想介质。电子在真空中可以以几乎光速在移动，这比半导体介质传输速度高出3个数量级，很大限度解决了固态栅极的扩散和载流子传输速率的限制，进一步提高半导体晶体管的反应速率和工作频率，而且在散热和功耗方面也存在一定的优势。近年来，新出现纳米空气沟道晶体管结合了真空电子和半导体电子的优点，在纳米尺度上减小阴极、阳极或源极、漏极和栅极间的距离，从而将电子传输沟道的尺寸减少到低于空气中的平均自由程，实现电子可以在空气中进行弹道传输。与半导体晶体管相比，纳米空气沟道晶体管具有小型化、高集成化、可大规模生产等巨大优点。由于沟道尺寸大幅减小，它不仅可以在低电压下工作，还可以通过半导体微纳米技术进行加工和制造。与传统半导体不同，固体晶格散射不影响器件的电子传输过程。在与器件的相同沟道尺寸面积下，反应速度和工作频率可远高于半导体晶体管。它可以在毫米波超高频带、太赫兹甚至拍赫兹频率下工作，具有低热、低功耗、耐辐射、耐高温、低温等诸多优点。因此，未来纳米空气沟道晶体管极有可能是继现有的真空晶体管和固体半导体晶体管之后的下一个革命性和颠覆性的晶体管。
3.目前，大多数已报道的纳米空气沟道晶体管通常是通过精细纳米工艺加工和制造，例如电子束光刻和聚焦离子束刻蚀。一方面，这些方法需要基于昂贵的纳米加工装置，另一方面，它们在工艺过程中良率低，重复性差，不适合大规模生产。近年来，报道了一些制造纳米空气沟道晶体管的新方法。例如，公开号cn112103158a的发明专利提出了通过选择性腐蚀纳米膜来制造空气纳米沟道垂直二极管的方法。然而，该方法仅适用于处理具有垂直纳米空气沟道结构的器件，不适用于具有更小电容、更大带宽的水平纳米空气沟道晶体管。公布号cn 112951916a的发明专利提出一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，可以用于水平纳米空气沟道结构晶体管的加工，然而其中需要用到的化学机械研磨(cmp)工艺受晶圆翘曲影响很大，且控制精度有限，难以在大面积晶圆上制备均匀一致的器件阵列。也有一些文献报道采用自组装微纳小球掩膜或金属断裂产生缝隙等半导体工艺不兼容的工艺方法制备水平纳米空气沟道结构晶体管。总的来说，真正适用于水平纳米空气沟道晶体管的大面积晶圆级制造工艺方法仍是瓶颈问题，因此，迫切需要一种加工精度可达纳米级，且适用于大面积晶圆上批量化生产的方法，来降低纳米沟道晶体管的制造成本，投入到生产实际应用当中。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在的不足，本发明提出了基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，旨在提供一种沟道加工精度可达纳米级，与半导体工艺完全兼容，重复性、稳
定性和一致性良好，且不依赖高昂纳米加工设备、低成本、高良率、可在大面积晶圆上批量化制备纳米空气沟道晶体管的方法。
5.本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
6.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.s1.在绝缘衬底上依次沉积导电薄膜和牺牲层薄膜；
8.s2.在牺牲层薄膜表面通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀牺牲层薄膜，得到光刻胶-牺牲层图案；
9.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；
10.s4.沉积掩膜薄膜，此时牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道；
11.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜；
12.s6.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的导电薄膜内，并形成阴极和阳极；然后剥离剩余部分的牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
13.进一步地，当所述牺牲层薄膜和掩膜薄膜的材料为导电材料时，水平纳米空气沟道二极管的制备方法包括以下步骤：
14.s1.在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜；所述第一导电薄膜既为电极材料，同时也作为牺牲层；
15.s2.在第一导电薄膜上通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀图形化第一导电薄膜，得到光刻胶-导电薄膜图案。
16.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第一导电薄膜，使光刻胶的边缘悬空；
17.s4.沉积第二导电薄膜；此时第一导电薄膜与位于同一水平面的第二导电薄膜之间形成水平纳米空气沟道；
18.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的第二导电薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
19.进一步地，所述导电薄膜、第一导电薄膜、第二导电薄膜为金属导电薄膜、类金属导电薄膜或半导体导电薄膜。
20.进一步地，所述牺牲层薄膜的材料为sio2，或者为与导电薄膜不同腐蚀性质的金属、半导体；所述掩膜薄膜的材料为sio2，或与导电薄膜不同腐蚀性质的金属。
21.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
22.s1.在绝缘衬底上沉积金属栅极薄膜；
23.s2.在金属栅极薄膜上通过光刻形成第一光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀图形化形成栅极。
24.s3.在绝缘衬底及栅极上方依次沉积第一牺牲层薄膜、源漏极薄膜、第二牺牲层薄膜；
25.s4.在第二牺牲层薄膜上通过光刻形成第二光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或干法刻蚀形成光刻胶-牺牲层图案。
26.s5.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第二牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；
27.s6.沉积掩膜薄膜，此时第二牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道，且纳米空气沟道位于栅极正上方；
28.s7.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜；
29.s8.通过湿法腐蚀或刻蚀将纳米空气沟道转移到下层的源漏极薄膜内，并形成源极和漏极；然后剥离剩余部分的第二牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道晶体管的制备。进一步地，所述源漏极薄膜为金属薄膜或半导体导电薄膜。
30.本发明的优点如下：
31.1、本发明提出的制备方法不依赖昂贵的纳米加工设备，成本低、简便易行，与半导体工艺完全兼容，且重复性、稳定性和一致性良好，适用于大面积晶圆级纳米空气沟道晶体管阵列的批量生产，具备真正的实用性。
32.2、本发明通过控制牺牲层的侧向去除深度，可实现对水平纳米空气沟道尺寸控制精度达到纳米级。
33.3、本发明提出的制备方法通过采用厚牺牲层掩膜，可实现高深宽比的水平纳米空气沟道结构，不受传统光刻刻蚀图形化工艺深宽比的限制。
34.4、本发明提出的牺牲层掩膜法对于底栅结构的纳米空气沟道三极管在形成沟道的同时还具有源、漏与栅极对准的功能，避免了传统光刻产生纳米空气沟道与栅极时的套刻误差难题。
附图说明
35.图1、2分别为本发明提出的基于牺牲层的水平纳米空气沟道二级管制备方法工艺流程侧视截面图和3d示意图。其中：11、绝缘衬底；12、导电薄膜；13、牺牲层薄膜；14、光刻胶；15、掩膜薄膜；16、纳米空气沟道。
36.图3、4分别为本发明提出的基于牺牲层的水平纳米空气沟道背栅三极管制备方法侧视截面图和3d示意图。其中：31、绝缘衬底；32、金属栅极薄膜；33、第一牺牲层薄膜；34、源/漏极薄膜；35、第二牺牲层薄膜；36、光刻胶；37、sio2介质薄膜；38、水平纳米空气沟道。
37.图5、6分别为本发明提出的基于阴极作牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法侧视截面图和3d示意图。其中：51、绝缘衬底；52、第一导电薄膜；53、光刻胶；54、第二导电薄膜；55、水平纳米空气沟道。
38.图7为本发明提出的基于牺牲层的阳极环绕式水平纳米空气沟道二极管制备方法基本原理示意3d图。其中：71、绝缘衬底；72、金属导电薄膜；73、牺牲层薄膜；74、光刻胶；75、掩膜薄膜；76、水平纳米空气沟道。
39.图8为本发明提出的基于牺牲层的单侧栅水平纳米空气沟道晶体制备方法3d示意图。其中：81、绝缘衬底；82、金属栅；83、光刻胶；84、金属阳极薄膜；85、金属阴极薄膜、86、水平纳米空气沟道。
40.图9为本发明提出的基于牺牲层的双侧栅水平纳米空气沟道晶体制备方法3d示意图。其中：91、绝缘衬底；92、金属栅；93、光刻胶；94、金属阳极薄膜；95、金属阴极薄膜、96、水平纳米空气沟道。
具体实施方式
41.下面结合附图及实施例对本发明中的技术方案进一步说明。
42.实施例1
43.一种阴阳极都是金属的基于牺牲层的水平纳米空气沟道二级管制备方法，其工艺流程如图1、2所示，包括以下步骤：
44.s1.在绝缘衬底上依次沉积金属导电薄膜(如金、铝、铬、钛等)和牺牲层薄膜(如si o2薄膜等)。
45.s2.在牺牲层薄膜表面通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀牺牲层薄膜，得到光刻胶-牺牲层图案。
46.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的一侧边缘悬空；光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道，通过控制刻蚀或者湿法腐蚀的时长，能够精确控制纳米沟道的宽度。
47.s4.沉积掩膜薄膜，掩膜薄膜材料选用sio2或与导电薄膜不同腐蚀性质的金属，此时牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道。
48.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜。
49.s6.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的金属导电薄膜内，并形成阴极和阳极；然后剥离剩余部分的牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
50.实施例2
51.一种阴阳极都是耐高温类金属(如tin、hfn、zrn、ito)的基于牺牲层的水平纳米空气沟道二级管制备方法，其工艺流程如图1、2所示，包括以下步骤：
52.s1.在绝缘衬底上依次沉积耐高温类金属导电薄膜(如tin、hfn、zrn、ito等)和牺牲层薄膜(如sio2等)。
53.s2.在牺牲层薄膜表面通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀牺牲层薄膜，得到光刻胶-牺牲层图案。
54.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的一侧边缘悬空；光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道，通过控制刻蚀或者湿法腐蚀的时长，能够精确控制纳米沟道的宽度。
55.s4.沉积掩膜薄膜，掩膜薄膜材料选用sio2或与导电薄膜不同腐蚀性质的金属，此时牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道。
56.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的sio2掩膜薄膜。
57.s6.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的耐高温类金属导电薄膜内，并形成阴极和阳极；然后剥离剩余部分的牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
58.本实施例与实施例1的区别在于制备的二极管的电极材料不同。
59.实施例3
60.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道背栅晶体管制备方法，其工艺流程如图3、4所示，包括以下步骤：
61.s1.在绝缘衬底上沉积金属栅极薄膜(如金、铬、钛等)。
62.s2.在金属栅极薄膜上通过光刻形成第一光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀图形化形成栅极。
63.s3.在绝缘衬底及栅极上方依次沉积第一牺牲层薄膜、源漏极薄膜、第二牺牲层薄膜；其中，源漏极薄膜为金属薄膜(如金、铬、钛等)或半导体薄膜(如p型si)。
64.s4.在第二牺牲层薄膜上通过光刻形成第二光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或干法刻蚀形成光刻胶-牺牲层图案。
65.s5.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第二牺牲层薄膜，使光刻胶的一侧边缘悬空。光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道、且纳米空气沟道位于栅极正上方，通过控制腐蚀或刻蚀时长，能够精确控制纳米空气沟道的宽度。
66.s6.沉积sio2介质薄膜，此时第二牺牲层薄膜与位于同一水平面的sio2介质薄膜之间形成水平纳米空气沟道。
67.s7.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的sio2介质薄膜。
68.s8.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的源漏极薄膜内，并形成源极和漏极；然后剥离剩余部分的第二牺牲层薄膜和sio2介质薄膜，完成水平纳米空气沟道背栅晶体管的制备。
69.实施例4
70.一种阴极为半导体材料、阳极为金属材料的基于牺牲层的水平纳米空气沟道二级管制备方法，其工艺流程如图5、6所示，包括以下步骤：
71.s1.在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜；所述第一导电薄膜为半导体薄膜(如si、ge、in gaas等)或金属薄膜(如al等)。在本实施例中，第一导电薄膜既为电极材料，同时也作为牺牲层。
72.s2.在第一导电薄膜上通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀图形化导电薄膜，得到光刻胶-导电薄膜图案。
73.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第一导电薄膜，使光刻胶的一侧边缘悬空；光刻胶悬空部分的下方区域形成空气沟道，通过控制腐蚀时长，能够精确控制水平纳米空气沟道的宽度。
74.s4.沉积第二导电薄膜，所述第二导电薄膜为半导体薄膜(如si、ge、ingaas等)或金属薄膜(如al等)；此时第一导电薄膜与位于同一水平面的第二导电薄膜之间形成水平纳米空气沟道。
75.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的第二导电薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
76.实施例5
77.一种阴阳极都是金属的基于牺牲层的阳极环绕式水平纳米空气沟道二极管制备方法，其工艺流程如图7所示，包括以下步骤：
78.s1.在绝缘衬底上依次沉积金属导电薄膜(如金、铝、铬、钛等)和牺牲层薄膜(如si o2等)。
79.s2.在牺牲层薄膜表面通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀牺牲层薄膜，得到光刻胶-牺牲层图案。
80.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的侧面边缘均悬
空；光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道，通过控制腐蚀时长，能够精确控制纳米空气沟道的宽度。
81.s4.沉积掩膜薄膜，掩膜薄膜材料可选用sio2或与导电薄膜不同腐蚀性质的金属，此时牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道。
82.s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜。
83.s6.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的金属导电薄膜内，并形成阴极和阳极；然后剥离剩余部分的牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。
84.本实施例与实施例1的区别在于制备的二极管的电极结构不同。
85.实施例6
86.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道单侧栅晶体管制备方法，其工艺流程如图8所示，包括以下步骤：
87.s1.在绝缘衬底上沉积金属栅极薄膜(如金、铬、钛等)。
88.s2.在金属栅极薄膜上通过光刻形成第一光刻胶图案，再通过湿法腐蚀图形化形成光刻胶-栅极图案。
89.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分金属栅极薄膜，使光刻胶的边缘悬空。光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道，通过控制腐蚀或刻蚀时长，能够精确控制纳米空气沟道的宽度。
90.s4.在绝缘衬底及光刻胶上方沉积第一金属导电薄膜(如金、铬、钛等)。
91.s5.在第一金属导电薄膜上通过光刻产生第二光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或干法刻蚀形成光刻胶-源/漏极图案。此步骤光刻形状会影响最终形成的器件源/漏极，所以要根据源/漏极形状设计光刻板。
92.s6.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第一金属导电薄膜。
93.s7.沉积第二金属导电薄膜。
94.s8.通过有机溶剂湿法去除第一光刻胶及其上方的第一金属栅极薄膜、第二光刻胶及其上方的第二金属栅极薄膜，此时，留存的第二金属导电薄膜作为漏/源极，且栅极、源极、漏极位于同一平面，完成水平纳米空气沟道单侧栅晶体管的制备。
95.实施例7
96.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道双侧栅晶体管制备方法，其工艺流程如图9所示，所述方法包括以下步骤：
97.s1.在绝缘衬底上沉积金属栅极薄膜(如金、铬、钛等)。
98.s2.在金属栅极薄膜上通过光刻形成两个第一光刻胶图案，再通过湿法腐蚀图形化形成两个光刻胶-栅极图案。
99.s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分金属栅极薄膜，使光刻胶的边缘悬空。光刻胶悬空部分的下方区域形成纳米空气沟道，通过控制腐蚀或刻蚀时长，能够精确控制纳米空气沟道的宽度。
100.s4.在绝缘衬底及光刻胶上方沉积第一金属导电薄膜(如金、铬、钛等)。
101.s5.在第一金属导电薄膜上通过光刻产生第二光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或干法刻蚀形成光刻胶-源/漏极图案。此步骤光刻形状会影响最终形成的器件源/漏极，所以要
根据源/漏极形状设计光刻板。
102.s6.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第一金属导电薄膜。
103.s7.沉积第二金属导电薄膜。
104.s8.通过有机溶剂湿法去除第一光刻胶及其上方的第一金属栅极薄膜、第二光刻胶及其上方的第二金属栅极薄膜，此时，留存的第二金属导电薄膜作为漏/源极，且双栅极、源极、漏极位于同一平面，完成水平纳米空气沟道双侧栅晶体管的制备。
105.本实施例与实施例6的区别在于制备的晶体管的栅极结构不同。
106.最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

技术特征：
1.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.在绝缘衬底上依次沉积导电薄膜和牺牲层薄膜；s2.在牺牲层薄膜表面通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀牺牲层薄膜，得到光刻胶-牺牲层图案；s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；s4.沉积掩膜薄膜，此时牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道；s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜；s6.通过湿法腐蚀或刻蚀的方法将纳米空气沟道转移到下层的导电薄膜内，并形成阴极和阳极；然后剥离剩余部分的牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。2.如权利要求1所述的一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法，其特征在于，当所述牺牲层薄膜和掩膜薄膜的材料为导电材料时，水平纳米空气沟道二极管的制备方法包括以下步骤：s1.在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜；所述第一导电薄膜既为电极材料，同时也作为牺牲层；s2.在第一导电薄膜上通过光刻形成光刻胶图案，再通过湿法腐蚀图形化第一导电薄膜，得到光刻胶-导电薄膜图案。s3.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第一导电薄膜，使光刻胶的边缘悬空；s4.沉积第二导电薄膜；此时第一导电薄膜与位于同一水平面的第二导电薄膜之间形成水平纳米空气沟道；s5.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的第二导电薄膜，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。3.如权利要求1或2所述的一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法，其特征在于，所述导电薄膜、第一导电薄膜、第二导电薄膜为金属导电薄膜、类金属导电薄膜或半导体导电薄膜。4.如权利要求3所述的一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道二极管制备方法，其特征在于，所述牺牲层薄膜的材料为sio2，或者为与导电薄膜不同腐蚀性质的金属、半导体；所述掩膜薄膜的材料为sio2，或与导电薄膜不同腐蚀性质的金属。5.一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.在绝缘衬底上沉积金属栅极薄膜；s2.在金属栅极薄膜上通过光刻形成第一光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或刻蚀图形化形成栅极。s3.在绝缘衬底及栅极上方依次沉积第一牺牲层薄膜、源漏极薄膜、第二牺牲层薄膜；s4.在第二牺牲层薄膜上通过光刻形成第二光刻胶图案，再通过湿法腐蚀或干法刻蚀形成光刻胶-牺牲层图案。s5.通过刻蚀或者湿法腐蚀，侧向去除部分第二牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；s6.沉积掩膜薄膜，此时第二牺牲层薄膜与位于同一水平面的掩膜薄膜之间形成水平纳米空气沟道，且纳米空气沟道位于栅极正上方；
s7.通过有机溶剂湿法去除光刻胶及其上方的掩膜薄膜；s8.通过湿法腐蚀或刻蚀将纳米空气沟道转移到下层的源漏极薄膜内，并形成源极和漏极；然后剥离剩余部分的第二牺牲层薄膜和掩膜薄膜，完成水平纳米空气沟道晶体管的制备。6.如权利要求5所述的一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，其特征在于，所述源漏极薄膜为金属薄膜或半导体导电薄膜。

技术总结
本发明提出了一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。本发明方法首先在绝缘衬底上依次沉积导电薄膜和牺牲层薄膜；再形成光刻胶-牺牲层图案；然后侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；再沉积掩膜薄膜，形成水平纳米空气沟道；最后剥离多余部分，留下电极，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。本发明方法通过控制牺牲层的侧向去除深度，可实现对水平纳米空气沟道尺寸控制精度达到纳米级；同时，具有成本低、简便易行，与半导体工艺完全兼容，且重复性、稳定性和一致性良好的优点，适用于大面积晶圆级纳米空气沟道晶体管阵列的批量生产，具备真正的实用性。备真正的实用性。备真正的实用性。


技术研发人员：陈飞良 李晓旭 李沫 张健 姜昊 杨帆
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2023.05.18
技术公布日：2023/8/2