字线群组的参考电压调整的制作方法

字线群组的参考电压调整
1.交叉引用
2.本专利申请主张江等人在2022年2月3日申请的名称为“用于字线群组的参考电压调整(reference voltage adjustment for word line groups)”的美国专利申请第17/649,885号的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人且以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及用于字线群组的参考电压调整。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器和其类似物的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个所支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)和与非(nand)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，dram单元)可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。


技术实现要素：

6.描述一种设备。设备可包含：控制器，其与存储器装置相关联，其中控制器配置成使得设备：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入数据，在第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取数据；至少部分地基于起始读取操作，确定第一时间与第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间，调整与相关联于存储数据的块的第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储数据的块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中第一多个参考电压值不同于第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整第一多个参考电压值以及第二多个参考电压值，从与第一字线相关联的至少一个存储器单元读取数据。
7.描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体，存储代码的非暂时性计算机可读
媒体可包括指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使得电子装置：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入数据，在第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取数据；至少部分地基于起始读取操作，确定第一时间与第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间，调整与相关联于存储数据的块的第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储数据的块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中第一多个参考电压值不同于第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整第一多个参考电压值以及第二多个参考电压值，从与第一字线相关联的至少一个存储器单元读取数据。
8.描述一种方法。方法可包括：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入数据，在第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取数据；至少部分地基于起始读取操作，确定第一时间与第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间，调整与相关联于存储数据的块的第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储数据的块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中第一多个参考电压值不同于第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整第一多个参考电压值以及第二多个参考电压值，从与第一字线相关联的至少一个存储器单元读取数据。
附图说明
9.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的系统的实例。
10.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的系统的实例。
11.图3说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的电路的实例。
12.图4a和4b说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的框图。
13.图5说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的过程流程图的实例。
14.图6展示根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的存储器装置的框图。
15.图7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
16.例如非易失性存储器装置(例如，包含非易失性存储器单元(例如nand存储器单元)的存储器系统)的一些存储器装置可包含一或多个块(例如，一或多个存储器单元块)。
在一些实例中，块可包含可各自与一或多个存储器单元耦合的一或多个字线的集合。在一些实例中，存储器单元可配置成存储一或多个数据位，且参考电压(或参考电压集合)可用于确定存储到相应存储器单元的值(例如，逻辑值)。然而，随着存储器装置老化，存储器单元的维持电荷的能力可能降级。因此，一些存储器装置可利用块族(block family)错误避免(bfea)方案来调整块的参考电压，以便减少可归因于单元的在持续时间内维持相应电荷的能力而产生的任何错误。然而，这种方案在逐块基础上进行，且可能不提供足够的粒度以用于避免错误。因此，能够对字线群组进行bfea的系统可为有益的。
17.本文中描述一种能够对字线群组进行bfea的系统。在一些实例中，存储器系统可配置成确定数据已存储到相应存储器单元(或存储器单元集合)的持续时间，且可基于数据的年龄来调整与相应存储器单元(或存储器单元集合)相关联的参考电压值集合。举例来说，存储器系统可包含各自包含字线集合的多个字线群组(wgr)。每一字线集合可与存储器单元集合耦合。基于存储到wgr的一或多个存储器单元的数据的年龄，可调整wgr的一或多个参考电压的电压值以补偿单元的随时间推移而维持相应电荷的能力。在一些实例中，可针对整个块确定对一或多个参考电压的电压电平的第一调整，且可针对所述群组中的个别wgr确定对一或多个参考电压的电压电平的第二调整。参考电压的所得电压电平可基于第一调整和第二调整两者。因此，通过在wgr基础上利用bfea方案可提高系统的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
18.首先在参考图1和2的系统、装置和电路的上下文中描述本公开的特征。在参考图3至5的电路、框图和过程流程图的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征由参考图6和7的涉及字线群组的参考电压调整的设备图和流程图的上下文进一步说明且描述于所述上下文中。
19.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
20.存储器系统110可为或包含任何装置或装置的集合，其中所述装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。举例来说，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能性。
21.系统100可包含在计算装置中，所述计算装置例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何另一计算装置。
22.系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中，这一耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述主机系统控制器106可为配置成使得主机系统105根据如本文中所描述的实例进行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件堆栈。举例来说，主机系统105可包含配置成用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，和存储协议控制器
(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110(例如)将数据写入到存储器系统110且从存储器系统110读取数据。虽然图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
23.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105和存储器系统110可配置成使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)，和低功率双数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，一或多个这种接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式在其间得到支持。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每一类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
24.存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。虽然图1的实例中展示两个存储器装置130-a和130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。另外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
25.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合和通信(例如，经由物理主机接口)，且可为配置成使得存储器系统110根据如本文中所描述的实例进行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合且与存储器装置130通信以在存储器装置130处进行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据，以及其它这种操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行这种命令(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换成指令或适当的命令以实现存储器装置130的所需存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105且与一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于或以其它方式结合来自主机系统105的命令)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据包或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
26.存储器系统控制器115可配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，和与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))与与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。
27.存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲器存储器或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑的电路系统以进行本文中归于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))，或任何其它合适的处理器或处理电路系统。
28.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码(例如，可执行指令)以进行本文中归于存储器系统控制器115的功能的另一存储器。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算的另一存储器。另外或替代地，本地存储器120可充当用于存储器系统控制器115的高速缓存。举例来说，如果从存储器装置130读取或写入到存储器装置130，那么数据可存储在本地存储器120中，且所述数据可在本地存储器120内可用以用于由主机系统105根据高速缓存策略(例如，以相对于存储器装置130的减少的时延)后续检索或操纵(例如，更新)。
29.虽然图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135，以进行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合进行。在一些情况下，至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例为受管理nand(mnand)装置。
30.存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻式随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
31.在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135，所述本地控制器135可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可进行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1中所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。
32.在一些情况下，存储器装置130可为或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况下，存储器装置130可为包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一块电子级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165，且每一平面165可包含
相应块170集合，其中每一块170可包含相应页175集合，且每一页175可包含存储器单元集合。
33.在一些情况下，nand存储器装置130可包含配置成各自存储一个信息位的存储器单元，其可称为单层级单元(slc)。另外或替代地，nand存储器装置130可包含配置成各自存储多个信息位的存储器单元，如果配置成各自存储两个信息位，那么其可称为多层级单元(mlc)，如果配置成各自存储三个信息位，那么其可称为三层级单元(tlc)，如果配置成各自存储四个信息位，那么其可称为四层级单元(qlc)，或更一般地称为多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于slc存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及用于支持电路系统的更窄读取或写入裕度或更大复杂度。
34.在一些情况下，平面165可指块170的群组，且在一些情况下，可在不同平面165内发生并行操作。举例来说，可对不同块170内的存储器单元进行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中即可。在一些情况下，个别块170可称为物理块，且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的群组。举例来说，可对分别在平面165-a、165-b、165-c和165-d内的块170-a、170-b、170-c和170-d进行并行操作，且块170-a、170-b、170-c和170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”，等等)。在一些情况下，在不同平面165中进行并行操作可受制于一或多个限制，例如对不同页175内的存储器单元进行并行操作，所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如，与命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统相关)。
35.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如串，未展示)的存储器单元。举例来说，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与其耦合)。
36.对于一些nand架构，存储器单元可在第一粒度层级下(例如，在页粒度层级下)读取和编程(例如，写入)，但可在第二粒度层级下(例如，在块粒度层级下)擦除。也就是说，页175可为可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分同时编程或读取)的存储器的最小单元(例如，存储器单元集合)，且块170可为可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的部分同时擦除)的存储器的最小单元(例如，存储器单元集合)。另外，在一些情况下，nand存储器单元可在其可用新数据重写之前擦除。因此，例如，在一些情况下，可直到包含页175的整个块170已擦除才更新所使用的页175。
37.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可进行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)，例如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175和含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170，可调用称为“垃圾收集”的算法，以允许块170擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指媒体管理操作集合，其包含例如选择含有有效和无效数据的块170、选择块中的含有有效数据的页175、将来自所选页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的
数据标记为无效，和擦除所选块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收到的数据)。
38.系统100可包含支持字线群组的参考电压调整的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如，本地控制器135)可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如，固件)以进行本文中归于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。举例来说，如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115，或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，那么这种指令可使得主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130进行如本文中所描述的一或多个相关联功能。
39.在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115以提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例为受管理nand(mnand)系统。
40.在一些实例中，存储器系统控制器115可调整与存储器装置130相关联的一或多个参考电压(或参考电压集合)。举例来说，存储器装置130可布置(例如，物理地布置)到字线群组(例如，wgr)中，且参考电压集合可用于确定存储到任何一个wgr的逻辑状态。在一些情况下，存储器系统控制器115可确定数据已存储到与wgr相关联的一或多个存储器单元的持续时间，且可基于所述持续时间调整一或多个参考电压的电压值。因此，当从wgr的存储器单元(例如，从存储器装置130)读取数据时，可使用调整后的参考电压值来确定存储到相应存储器单元的逻辑值。在wgr基础上调整参考电压值可改进存储器系统110的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
41.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的系统200的实例。系统200可为如参考图1或其方面所描述的系统100的实例。系统200可包含存储器系统210，所述存储器系统210配置成存储从主机系统205接收到的数据，且如果由主机系统205使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)来请求，那么将数据发送到主机系统205。系统200可实施如参考图1所描述的系统100的方面。举例来说，存储器系统210和主机系统205可分别为存储器系统110和主机系统105的实例。
42.存储器系统210可包含存储器装置240，以例如响应于从主机系统205接收到存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传送的数据，如本文中所描述。存储器装置240可包含如参考图1所描述的一或多个存储器装置。举例来说，存储器装置240可包含nand存储器、pcm、自选存储器、3d交叉点、其它基于硫族化物的存储器、feram、mram、nor(例如，nor快闪)存储器、stt-mram、cbram、rram，或oxram。
43.存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递，例如用于存储数据、检索数据，和确定待将数据存储在其中和待从其检索数据的存储器位置。存储控制器230可使用特定针对每一类型的存储器装置240的协议直接地或经由总线(未展示)与存储器装置240通信。在一些情况下，单个存储控制器230可用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下，存储器系统210可包含多个存储控制器230，例如，用于每一类型的存储器装置240的不同存储控制器230。在一些情况下，存储控制
器230可实施如参考图1所描述的本地控制器135的方面。
44.存储器系统210可另外包含用于与主机系统205通信的接口220，和用于临时存储在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据的缓冲器225。接口220、缓冲器225和存储控制器230可用于在主机系统205与存储器装置240之间转译数据(例如，如由数据路径250所展示)，且可统称为数据路径组件。
45.在传送期间使用缓冲器225临时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据，由此减少命令之间的时延且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处置命令的突发，且一旦突发已停止，便可存储或传输(或两者)缓冲的数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如，一些类型的易失性存储器，例如sram或dram)，或硬件加速器或两者，以允许快速地将数据存储到缓冲器225和从缓冲器225检索数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传送的数据路径切换组件。
46.数据在缓冲器225内的临时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说，在完成存取命令后，相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如，可用额外存取命令的数据覆写)。另外，缓冲器225可为非高速缓存缓冲器。也就是说，数据可能不由主机系统205直接从缓冲器225读取。举例来说，可将读取命令添加到队列中，而无需将地址与已在缓冲器225中的地址进行匹配的操作(例如，无需高速缓存地址匹配或查找操作)。
47.存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收到的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可为如参考图1所描述的存储器系统控制器115的实例。总线235可用于在系统组件之间通信。
48.在一些情况下，一或多个队列(例如，命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270)可用于控制存取命令的处理和对应数据的移动。举例来说，如果由存储器系统210并行处理来自主机系统205的多于一个存取命令，那么这可为有益的。作为可能实施方案的实例，分别在接口220、存储器系统控制器215和存储控制器230处描绘命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270。然而，队列(如果使用)可位于存储器系统210内的任何位置。
49.在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如，命令、状态信息)不同的路径。举例来说，存储器系统210中的系统组件可使用总线235彼此通信，而数据可使用通过数据路径组件而不是总线235的数据路径250。存储器系统控制器215可通过经由总线235与数据路径组件通信(例如，使用特定针对存储器系统210的协议)而控制如何和是否在主机系统205与存储器装置240之间传送数据。
50.如果主机系统205将存取命令传输到存储器系统210，那么命令可由接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)接收。因此，接口220可视为存储器系统210的前端。在接收到每一存取命令后，接口220就可例如经由总线235将命令传达到存储器系统控制器215。在一些情况下，可通过接口220将每一命令添加到命令队列260，以将命令传达到存储器系统控制器215。
51.存储器系统控制器215可确定已基于来自接口220的通信而接收到存取命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可确定已通过从命令队列260检索命令而接收到存取命令。在例如已由存储器系统控制器215从命令队列260检索命令之后，可将所述命令从命令队列260去除。在一些情况下，存储器系统控制器215可使得接口220例如经由总线235从命
令队列260去除命令。
52.在确定已接收到存取命令后，存储器系统控制器215就可执行存取命令。对于读取命令，这可意味着从存储器装置240获得数据和将数据传输到主机系统205。对于写入命令，这可意味着从主机系统205接收数据且将数据移动到存储器装置240。
53.在任一情况下，存储器系统控制器215可将缓冲器225(尤其)用于从主机系统205接收到的或发送到主机系统205的数据的临时存储。缓冲器225可视为存储器系统210的中间端。在一些情况下，缓冲器地址管理(例如，指向缓冲器225中的地址位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如，专用电路)进行。
54.为了处理从主机系统205接收到的写入命令，存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与写入命令相关联的数据的空间量。
55.在一些情况下，缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流，所述命令流包含写入命令。缓冲器队列265可包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下，命令队列260中的命令可由存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265，且可在相关联数据存储在缓冲器225中的同时保持在缓冲器队列265中。在一些情况下，缓冲器队列265中的每一命令可与缓冲器225处的地址相关联。也就是说，可维持指示在缓冲器225中存储与每一命令相关联的数据的位置的指针。使用缓冲器队列265，可从主机系统205依序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少部分。
56.如果缓冲器225具有足够空间来存储写入数据，那么存储器系统控制器215可使得接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将可用性的指示传输到主机系统205(例如，“准备好传送”指示)。当接口220随后从主机系统205接收与写入命令相关联的数据时，接口220可使用数据路径250将数据传送到缓冲器225以供临时存储。在一些情况下，接口220可从缓冲器225或缓冲器队列265获得缓冲器225内的存储数据的位置。接口220可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成到缓冲器225的数据传送。
57.一旦写入数据已通过接口220存储在缓冲器225中，就可将数据从缓冲器225传送出且存储在存储器装置240中。这可使用存储控制器230完成。举例来说，存储器系统控制器215可使得存储控制器230使用数据路径250从缓冲器225检索数据且将数据传送到存储器装置240。存储控制器230可视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成到存储器装置240中的存储器装置的数据传送。
58.在一些情况下，存储队列270可用于辅助写入数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可将写入命令从缓冲器队列265推送(例如，经由总线235)到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每一存取命令的条目。在一些实例中，存储队列270可另外包含：缓冲器指针(例如，地址)，其可指示缓冲器225中存储与命令相关联的数据的位置；和存储指针(例如，地址)，其可指示存储器装置240中与数据相关联的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得缓冲器225内的从其获得数据的位置。存储控制器230可管理存储器装置240内的存储数据(例如，进行耗损均衡、垃圾收集和其类似物)的位置。可例如由存储器系统控制器215将条目添加到存储队列270。在完成数据的传送后，就可例如由存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270去除
条目。
59.为了处理从主机系统205接收到的读取命令，存储器系统控制器215可再次首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与读取命令相关联的数据的空间量。
60.在一些情况下，缓冲器队列265可用于以与上文关于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。举例来说，如果缓冲器225具有足够空间来存储读取数据，那么存储器系统控制器215可使得存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以用于临时存储。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示何时已完成到缓冲器225的数据传送。
61.在一些情况下，存储队列270可用于辅助读取数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内的从其检索数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内的存储数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内的存储数据的位置。在一些情况下，存储器系统控制器215可将由存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。
62.一旦数据已由存储控制器230存储在缓冲器225中，就可将数据传送出缓冲器225且发送到主机系统205。举例来说，存储器系统控制器215可使得接口220使用数据路径250从缓冲器225检索数据，且例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将数据传输到主机系统205。举例来说，接口220可处理来自命令队列260的命令，且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成到主机系统205的数据传输。
63.存储器系统控制器215可根据次序(例如，根据命令队列260的次序的先入先出次序)执行接收到的命令。对于每一命令，存储器系统控制器215可使得对应于命令的数据移动进出缓冲器225，如上文所论述。当数据移动到缓冲器225中且存储在缓冲器225内时，命令可保持在缓冲器队列265中。如果已完成命令的处理(例如，如果已将对应于存取命令的数据传送出缓冲器225)，那么可例如由存储器系统控制器215从缓冲器队列265去除命令。如果从缓冲器队列265去除命令，那么先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。
64.存储器系统控制器215可另外配置成用于与存储器装置240相关联的操作。举例来说，存储器系统控制器215可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，和与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))与与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。也就是说，主机系统205可发出指示一或多个lba的命令，且存储器系统控制器215可识别由lba指示的一或多个物理块地址。在一些情况下，一或多个连续lba可对应于非连续的物理块地址。在一些情况下，存储控制器230可配置成结合或代替存储器系统控制器215进行以上操作中的一或多个。在一些情况下，存储器系统控制器215可进行存储控制器230的功能且可省略存储控制器230。
65.在一些实例中，存储器系统控制器215可调整与存储器装置240相关联的一或多个参考电压(或参考电压集合)。举例来说，存储器装置130可布置(例如，物理地布置)到字线群组(例如，wgr)中，且参考电压集合可用于确定存储到任何一个wgr的逻辑状态。在一些情况下，存储器系统控制器215可确定数据已存储到与wgr相关联的一或多个存储器单元的持续时间，且可基于所述持续时间调整一或多个参考电压的电压值。因此，当从wgr的存储器单元(例如，从存储器装置240)读取数据时，可使用调整后的参考电压值来确定存储到相应存储器单元的逻辑值。在wgr基础上调整参考电压值可改进存储器系统210的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
66.图3说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的电路300的实例。电路300可包含在存储器系统110中且可包含存储器装置130的一或多个组件。举例来说，电路300可说明包含存储器单元305阵列的块170-a的实例。存储器单元305中的每一个可位于字线310(例如，wl)与位线315(例如，bl)的相交点处，或可以其它方式根据所述相交点存取。块170-a可包含各自包含字线310集合的多个字线群组340(例如，wgr 340)。在一些情况下，可将数据写入到字线群组340-a的一或多个存储器单元305，且可在读取数据之前发生持续时间。归因于存储器单元305的电学性质(例如，归因于泄漏)，存储到相应存储器单元305的电荷可随时间推移而改变(例如，耗散)。因此，控制器330可确定数据已存储到wgr 340的存储器单元305的持续时间，且可调整用于读取wgr 340的存储器单元的一或多个参考电压的电压值。在wgr基础上调整参考电压值可改进电路300的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元305集合的能力。
67.在一些实例中，电路300可包含行解码器325和列解码器320。字线310和位线315可分别与行解码器325和列解码器320耦合，以用于控制相应存取线的各种偏置或激活。在一些实例中，行解码器325和列解码器320可为本地控制器135的组件，其可支持存取操作(例如，将逻辑状态写入到存储器单元305或感测存储在存储器单元305中的逻辑状态)，以及其其它操作和信令。行解码器325和列解码器320可与配置成进行本文中所描述的bfea方案的各种技术的控制器330耦合。在各种实例中，控制器330可包含在存储器系统控制器115中、包含在本地控制器135中，或分布于存储器系统控制器115与本地控制器135之间，以及其它配置。
68.存储器单元305可物理地或电气地布置在块170-a内。在一些实例中，字线310的子集可与相应wgr 340相关联。举例来说，字线wla1到wlai可与wgr 340-a相关联，字线wlb1到wlbi可与wgr 340-b相关联，且字线wln1到wlni可与wgr 340-n相关联。虽然电路300说明三(3)个wgr 340集合，但可理解，块170-a可包含任何数量的wgr 340，且每一wgr 340可包含任何数量的字线310。因此，如本文中所使用，“块”可指存储器装置的可擦除的一部分。块可包含与字线310集合和多个存储器单元305相关联的一或多个wgr 340。
69.在一些实例中，电路300可与配置成将存取命令发送到控制器330的主机系统(例如，参考图1所描述的主机系统105或参考图2所描述的主机系统205)耦合。可为读取命令或写入命令的存取命令可由控制器330接收，且可使用列解码器320和行解码器325来解码。在一些实例中，块170-a的存储器单元305可为各自配置成存储两个或更多个数据位的多层级单元的实例。举例来说，多层级单元(mlc)可能够存储两(2)个数据位。在另一实例中，三层级(trilevel)(或三层级(triple-level)(tlc))单元可能够存储三(3)个数据位。因此，tlc
可存储表示不同逻辑状态(例如，000、001、010、011、100、101、110和111)的八(8)个电位电压状态中的一个。为了区分不同状态，tlc可使用七(7)个参考电压。因此，在写入操作期间，控制器330可从主机系统接收命令，且可将数据写入到块170-a的一或多个存储器单元305。在一些情况下，写入命令可使得将数据写入到wgr340的或块170-a的每一存储器单元305。
70.在将数据写入到块170-a的一或多个存储器单元305后，控制器330就可起始计时组件335。在一些实例中，计时组件335可用于确定数据已存储到块170-a的相应wgr340的持续时间。举例来说，计时组件335可确定(例如，测量)当数据写入到wgr 340的一或多个存储器单元时与当随后读取数据时之间的持续时间。因为存储到wgr 340的任何一个存储器单元305的数据可由电荷表示，且因为电荷可随时间推移而改变(例如，归因于泄漏而减少)，所以计时组件335可确定数据已存储到wgr 340的持续时间，所述wgr 340可由控制器330使用以调整用于确定写入到存储器单元310的逻辑状态的一或多个参考电压的值。也就是说，调整参考电压的值可允许电路300在wgr 340基础上补偿泄漏。
71.在一些实例中，数据已存储到块170-a的持续时间可用于进行一或多个参考电压值的初始调整(例如，第一调整)。举例来说，块170可基于存储到相应“仓(bin)”的数据的年龄而分类到各种仓中。因此可针对块170基于其与哪一“仓”相关联来进行一或多个参考电压值的初始调整。因此，如本文中所使用，“仓”可指具有相同或类似年龄的数据块170的逻辑分组，针对所述数据块170调整一或多个参考电压值。举例来说，第一仓可表示已存储1到2小时的数据，且第二仓可表示已存储2到3小时的数据。任何时间范围都可与仓相关联。因为可在单个写入操作期间将数据写入到块170的每一存储器单元，所以可将整个块170的数据分类到单个“仓”中，且因此可调整块170的一或多个参考电压值。
72.电路300可支持任何数量的仓且每一仓可与相应年龄范围相关联(例如，当将数据写入到块170时与当前时间或当接收到针对数据的读取命令时之间的持续时间)。在一些实例中，仓的范围可预配置且可存储(例如，硬编码)到由控制器330或存储器装置130的另一组件管理或可由控制器330或存储器装置130的另一组件存取的映射。可基于对存储器装置130进行的一或多个测试操作来设定所述范围，且可设定所述范围以优化在各种持续时间之后从存储器单元305读取数据的准确性。
73.此外，由控制器330进行的参考电压值调整可指调整可与参考电压相关联的“谷值”的电压值。由存储器单元存储的不同状态可利用用于所述特定状态的可能电压阈值的分布来表征。每一状态可具有存储在与每一特定状态相关联的存储器单元中的电压阈值的
‘
普通’高斯分布。在这种情形中，参考电压可理想地位于与存储器单元的两个邻近状态相关联的电压阈值的分布之间的“谷值”中。举例来说，为了确定存储器单元是存储第一逻辑状态还是第二逻辑状态，可将存储到相应存储器单元305的电荷与相关联于的第一参考电压相比较，所述第一参考电压定位在与第一逻辑状态相关联的可能电压电平与与第二逻辑状态相关联的可能电压电平之间。因此，如本文中所使用，“谷值”可指两个逻辑状态之间的中点电压值，其可在如本文中所描述的bfea操作期间调整。作为实例，配置成存储三个数据位的存储器单元可与七(7)个谷值(例如，八个逻辑级值中的每一个之间的七个中点)相关联，且可将谷值中的任一个(例如，参考电压值中的任一个)调整相应电压值。
74.另外或替代地，控制器330可配置成对一或多个参考电压值进行额外调整(例如，第二调整)。举例来说，在接收到读取命令且确定数据已存储到块170的持续时间后，控制器
330就可调整相应wgr的一或多个参考电压值。也就是说，控制器330可基于数据已存储到相应存储器单元305(或存储到相应存储器单元305)的持续时间进一步调整每一wgr 340的一或多个参考电压值(除已确定的块层级调整之外)。在一些实例中，与第一调整相比，第二调整可为更粒状的调整。
75.举例来说，与wgr 340-a相关联的存储器单元305可各自配置成存储三个数据位，且因此控制器330可基于存储到块170-a的数据的年龄来调整字线310wla1到wlai中的一或多个的参考电压值。在一些实例中，控制器330可仅调整wgr 340-a的参考电压值的子集(例如，与谷值5到7相关联的参考电压值)。另外或替代地，控制器330可将wgr 340-b和wgr 340-n的字线310的参考电压调整相同或不同电压值。通过在wgr 340基础上调整参考电压值，可改进电路300的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元305集合的能力。
76.图4a说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的框图400-a的实例。在一些实例中，框图400-a可描绘映射，所述映射存储到控制器(例如，参考图3所描述的控制器330)或可由所述控制器存取，且由所述控制器用以进行存储器装置的一或多个参考电压值的第一调整。在一些实例中，映射可包含针对不同谷值405(例如，用于区分由存储器单元存储的不同状态的参考电压)和仓410(例如，用于将数据存储在存储器单元中的时间范围)的参考电压值调整。虽然映射提供用于不同谷值405和仓410的特定参考电压调整值，但图4a中所描绘的值仅出于示范性目的。因此，映射可向存储器装置的控制器或另一组件提供任何参考电压值调整集合，且存储到映射的特定值可为设计的问题。不管存储到映射的具体值如何，基于数据已存储到一或多个存储器单元的持续时间来调整存储器装置的参考电压值可改进存储器装置的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
77.图4a中所说明的映射可包含与存储器装置的块相关联的相应谷值405和仓410的参考电压值调整(例如，映射可与所述块内的所有存储器单元的参考电压的基于块的调整相关联)。如本文中所描述，谷值405可表示存储器单元的两个状态之间的中点电压值。举例来说，谷值405-a可定位在逻辑状态000与001之间，谷值405-b可定位在逻辑状态001与010之间，谷值405-c可定位在逻辑状态010与011之间，谷值405-d可定位在逻辑状态011与100之间，谷值405-e可定位在逻辑状态100与101之间，谷值405-f可定位在逻辑状态101与110之间，且谷值405-g可定位在逻辑状态110与111之间。
78.因此，虽然图4a说明七(7)个谷值，但映射可包含不同数量的谷值405。举例来说，七(7)个谷值可表示tlc(例如，配置成存储八(8)个逻辑状态中的一个且因此与七个谷值相关联的存储器单元)，而三(3)个谷值可表示mlc，且一(1)个谷值可表示单层级单元(slc)。还可实施用于其它类型的存储器单元(例如，slc、mlc、tlc、qlc等)的其它配置。因此，包含在映射中的谷值的数量可取决于相关联存储器装置的存储器单元的类型和配置。
79.此外，映射可包含多个仓410，所述仓410可指具有相同或类似年龄的数据块的逻辑布置(例如，逻辑分组)。举例来说，仓410-a可与第一年龄范围(例如，数据已存储到一或多个存储器单元的第一持续时间)相关联，仓410-b可与第二年龄范围相关联，等等。在一些情况下，每一后续仓410可与相对较旧数据相关联，且因此相关联的存储器单元可能不大可能保持电荷。也就是说，仓410-g与仓410-a相比可与相对较高参考电压值调整相关联，因为
相关联的存储器单元可能不大可能已保存初始电荷。每一仓410可与不同年龄范围相关联，且每一仓410的范围(以及存储到映射的仓410的数量)可为设计的问题。
80.在一些实例中，存储器装置的控制器可基于接收到针对先前存储到存储器装置的块的数据的读取命令来进行初始参考电压调整(例如，第一调整)。举例来说，当最初将数据写入到块时，控制器可已起始计时器。因此，当接收到针对数据的读取命令时，控制器可基于计时器的值(或基于来自初始时戳的持续时间)确定数据的年龄。在一些实例中，控制器可起始(例如，管理)与存储器装置的不同块相关联的多个计时器，且可确定相应数据与哪一仓相关联(例如，相应计时器的值属于哪一年龄范围)。在这种实例中，可在逐块基础上进行对参考电压的电压值的调整(意味着可调整块中的每一参考电压)。
81.在其它实例中，存储器装置的控制器或另一组件可利用时戳或另一机构确定从当将数据最初写入到块时和当接收到针对数据的读取命令时的持续时间。举例来说，控制器可记录接收到读取命令的时间且可记录何时接收到对应写入命令。控制器可接着基于相应时戳之间的持续时间确定数据的年龄。
82.在确定块的数据与哪一仓相关联后，控制器就可调整相应块的参考电压值(例如，谷值405)。作为实例，控制器可确定(例如，使用计时器)第一块的数据与仓410-a相关联。因此，控制器可将谷值1到7(例如，谷值405-a到405-g)的参考电压值分别调整-20mv、-20mv、-40mv、-40mv、-50mv、-60mv和-70mv。如本文中所描述，这些参考电压值调整仅为示范性的，且控制器可将谷值1到7的参考电压值调整任何值。在调整块的参考电压值之后，控制器(或存储器装置的另一组件)可使用调整后的参考电压值读取第一块的存储器单元，然而在一些实例中，控制器可在进行读取操作之前对参考电压值进行第二调整(例如，如参考图4b所描述)。
83.图4b说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的框图400-b的实例。在一些实例中，框图400-b可描绘映射，所述映射存储到控制器(例如，参考图3所描述的控制器330)或可由所述控制器存取，且由所述控制器用以进行存储器装置的一或多个参考电压值的第二调整。在一些实例中，映射可包含基于数据已存储到相应wgr 420的持续时间415的针对特定谷值(例如，参考图4a所描述的谷值405)的不同wgr 420的参考电压值调整。在这种实例中，可在逐wgr基础上进行对参考电压的电压值的调整(意味着可调整wgr中的每一参考电压)。在一些情况下，可一起利用基于块的调整和基于wgr考虑因素的调整。在这种情况下，可确定调整的块层级，且接着可进行wgr层级调整以进一步优化参考电压的最终电压值。
84.虽然映射提供用于不同wgr 420的特定参考电压调整值，但图4b中所描绘的值仅出于示范性目的。此外，图4b可说明用于调整特定谷值的参考电压值的映射，且因此相关联存储器装置可存储用于不同谷值的不同映射。因此，映射可向存储器装置的控制器或另一组件提供任何参考电压值调整集合，且存储到映射的特定值(或映射的数量)可为设计的问题。不管存储到映射的具体值如何，基于数据已存储到一或多个存储器单元的持续时间来调整存储器装置的wgr的参考电压值可改进存储器装置的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
85.图4b中所说明的映射可包含基于数据已存储相关联块的持续时间的wgr 420的参考电压值调整。举例来说，映射可说明wgr0 420-a到wgr7 420-h，其可为参考图3所描述的
wgr 340的实例。wgr 420-a到420-h中的每一个可与同一块相关联，且映射可说明针对特定谷值的每一wgr 420的参考电压值调整。也就是说，基于数据已存储到块的一或多个存储器单元的持续时间，可针对一或多个谷值进一步调整块的wgr420的参考电压值。以这一方式，图4b中所说明的映射可配置成与图4a中所说明的映射结合使用。
86.图4b中所说明的映射进一步说明持续时间1 415-a到持续时间14 415-n。每一持续时间415可表示数据已存储到相关联块的时间或时间范围(例如，以小时为单位)。因此，仅出于示范性目的，如果数据已存储到一或多个存储器单元持续与持续时间8 415-h相关联的持续时间，那么可将块的wgr 420的参考电压值(例如，针对特定谷值)进一步调整20mv、0mv、0mv、10mv、40mv、30mv、50mv和80mv。
87.因此，虽然图4b说明八(8)个wgr 420和十四(14)个持续时间415，但映射可包含不同数量的wgr 420和持续时间415。也就是说，块可包含任何数量的wgr，且所述数量的wgr可包含在映射中。此外，映射可包含任何数量的持续时间415(例如，任何数量的年龄范围)，其可为设计的问题。然而，在一些情况下，由图4b所说明的映射可包含比由图4a所说明的映射中的仓更大数量的年龄范围。也就是说，对各种wgr的参考电压值进行的第二调整可比对所述块的参考电压值进行的第一调整更粒状。
88.在一些情况下，图4b中所说明的参考电压调整可相对于单个wgr 420进行。举例来说，可相对于wgr2 420-c进行参考电压调整，且因此可不进一步调整wgr2 420-c的参考电压值。相对于其进行参考电压调整的wgr 420可为基于wgr 420的存储器单元的随时间推移而保持相应电荷的能力的设计选择的问题。此外，可针对参考图4a所描述的单个谷值405进行图4b中所说明的参考电压调整。因此，图4b中所说明的映射可说明针对谷值7 405-g的参考电压调整，但相关联存储器装置可包含用于进一步调整任何谷值405的参考电压值的相应映射。在一些情况下，存储器装置可包含用于在wgr420基础上针对谷值5 405-e、谷值6 405-f和谷值7 405-g进一步调整参考电压值的至少三(3)个映射。每一映射可包含与其它映射不同的参考电压值调整。
89.在一些实例中，存储器装置的控制器可在进行参考图4a所描述的第一调整之后进行第二参考电压调整。举例来说，控制器可参考用于进行第一调整的计时器(例如，计时器的值)。在确定数据与哪一持续时间415相关联后，控制器就可进一步调整块的wgr420的参考电压值。作为实例，控制器可确定第一块的数据与持续时间415-e相关联，且可进一步将wgr0 420-a到420-h的参考电压值(例如，针对谷值7)调整-20mv、0mv、0mv、-10mv、-30mv、-30mv、-40mv和-70mv。在调整wgr 420的参考电压值之后，控制器(或存储器装置的另一组件)可使用调整后的参考电压值读取第一块的存储器单元。
90.在其它实例中，图4b中所说明的映射可不包含电压值(例如，借以调整参考电压值的值)，且可改为包含用以增大或减小与初始调整相关联的仓410的指示符。举例来说，与块相关联的数据可与仓4 410-d相关联，且可相应地调整谷值405中的每一个的参考电压值。然而，当第二次调整参考电压值时(例如，使用由图4b所说明的映射)，作为实例，调整可改为仓+1或仓-1。也就是说，如果与第一块相关联的数据与持续时间415-e相关联，那么可将谷值7的wgr0 420-a到wgr7 420-h的参考电压值调整-340mv(例如，仓+1)或-210mv(例如，仓-1)。
91.由图4b所说明的映射可支持仓+/-n调整，其中n为小于包含在由图4a所说明的映
射中的仓的总数量的任何整数。无论由图4b所说明的映射是包含电压值还是仓+/-n调整值，在wgr基础上利用bfea方案都可改进相关联系统的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
92.图5说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的过程流程图500的实例。在一些实例中，过程流程图500可实施本文中参考图3、4a和4b所描述的方面。因此，由过程流程图500所说明的操作可在主机装置505和存储器系统510处或由主机装置505和存储器系统510进行。在一些情况下，存储器系统510可包含计时器515、存储器控制器520和一或多个存储器装置525。存储器系统510可支持对块层级和wgr层级两者进行bfea操作，如参考图4a和4b所描述。在wgr基础上进行bfea方案可改进存储器系统510的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元集合的能力。
93.在530处，主机装置505可将写入命令传输到存储器系统510。写入命令可由存储器控制器520接收到，且可包含待写入到存储器装置525的一或多个存储器单元的数据。在一些情况下，写入命令可包含待写入到存储器装置525的存储器单元块的数据。在535处，存储器控制器520可将数据写入到包含在写入命令中的存储器装置525的地址。
94.在540处，存储器控制器520可将信令传输到计时器515。信令可包含用以基于将数据写入到存储器装置525(例如，在535处)来起始或可以其它方式起始计时器515的指令。在一些情况下，计时器515可包含在存储器控制器520中，且因此存储器控制器520可不传输信令，且可改为基于将数据写入到存储器装置525来起始计时器。在545处，可起始计时器515。在一些情况下，可与将数据写入到存储器装置525(例如，在535处)同时起始计时器515。
95.在550处，主机装置505可将读取命令传输到存储器系统510。读取命令可由存储器控制器520接收到且可用于先前写入到存储器装置525(例如，在535处)的数据。
96.在555处，存储器控制器520可将信令传输到计时器515。信令可包含停止计时器515且将计时器515的值传输到存储器控制器520的请求。计时器的值可为或可表示数据存储到存储器装置525的持续时间(例如，数据的年龄)。在一些情况下，计时器515可包含在存储器控制器520中且因此存储器控制器520可不传输信令，且可改为停止计时器515且确定其值。在560处，计时器515可将值(例如，持续时间)传输到存储器控制器520。
97.在565处，存储器控制器520可基于计时器的值(例如，在560处接收到)起始第一参考电压调整。第一参考电压调整可使用由图4a所说明且参考图4a所描述的映射来进行。也就是说，调整可对由块使用的参考电压值(例如，参考图4a所描述的谷值405)进行且可基于数据的年龄与哪一仓(例如，参考图4a所描述的哪一仓410)相关联。
98.在570处，存储器控制器520可基于计时器的值(例如，在560处接收到)起始针对块的wgr的第二参考电压调整。第二参考电压调整可使用由图4b所说明且参考图4b所描述的映射来进行。也就是说，可针对一或多个谷值(例如，参考图4a所描述的谷值405)对块的wgr的参考电压值进行调整。在一些情况下，由存储器控制器520所参考的映射可包含实际电压值，而在其它实例中，映射可利用如本文中所描述的仓+/-n方法。
99.在575，存储器控制器520可使用调整后的参考电压值从存储器装置525读取数据。在580处，可将数据从存储器装置525传达到存储器控制器520。在585处，可将数据从存储器控制器520传输到主机装置505，从而满足读取命令。如本文中所描述，在wgr基础上进行bfea方案可改进存储器系统510的准确地感测已存储数据相对较长持续时间的存储器单元
集合的能力。
100.图6展示根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的存储器装置620的框图600。存储器装置620可为如参考图1至5所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置620或其各种组件可为用于进行如本文中所描述的wgr的参考电压调整的各种方面的构件的实例。举例来说，存储器装置620可包含写入组件625、读取组件630、计时组件635、参考电压值调整组件640、阈值电压组件645或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
101.写入组件625可配置为或以其它方式支持用于在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元的构件，其中第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合。
102.读取组件630可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于写入数据在第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取数据的构件。在一些实例中，读取组件630可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于调整第一多个参考电压值和第二多个参考电压值从与第一字线相关联的至少一个存储器单元读取数据的构件。在一些实例中，读取组件630可配置为或以其它方式支持用于接收读取数据的读取命令的构件，其中起始读取操作是至少部分地基于接收到读取命令。
103.计时组件635可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于起始读取操作确定第一时间与第二时间之间的持续时间的构件。在一些实例中，计时组件635可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元来起始计时器的构件，其中第一时间与第二时间之间的持续时间是至少部分地基于起始计时器。
104.参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间调整与相关联于存储数据的块的第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值和与相关联于存储数据的块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值的构件，其中第一多个参考电压值不同于第二多个参考电压值。
105.在一些实例中，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于第一时间与第二时间之间的持续时间确定第三多个参考电压值的第一调整集合的构件，第一调整集合由存储器单元块中的每一存储器单元使用，其中第三多个参考电压值包含第一多个参考电压值和第二多个参考电压值，且其中调整第一多个参考电压值和第二多个参考电压值是至少部分地基于第一调整集合。
106.在一些实例中，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定第一调整集合来确定第一多个参考电压值的第二调整集合的构件，其中第二调整集合包含调整与存储器单元块相关联的每一字线的相应多个参考电压值，且其中调整第一多个参考电压值是至少部分地基于第二调整集合。
107.在一些实例中，为了支持确定第一多个参考电压值的第二调整集合，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于调整与第一多个存储器单元相关联的第一多个参考电压值的构件。在一些实例中，为了支持确定第一多个参考电压值的第二调整集合，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于制止调整与第二多个存储器单元
相关联的第二多个参考电压值的构件。
108.在一些实例中，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定与存储器单元块相关联的第三多个参考电压值的第二调整集合来确定第三多个参考电压值的第二调整集合的构件，其中调整与第一多个存储器单元相关联的第一多个参考电压是至少部分地基于确定第三多个参考电压值的第二调整集合。
109.在一些实例中，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间识别与相关联于块的第一字线相关联的调整指数的构件，其中调整指数指示第三多个参考电压值的第三调整集合，且其中调整第一多个参考电压值是至少部分地基于第三调整集合。
110.在一些实例中，为了支持调整与第一多个存储器单元相关联的第一多个参考电压，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于将第一参考电压的值调整第一值的构件。在一些实例中，为了支持调整与第一多个存储器单元相关联的第一多个参考电压，参考电压值调整组件640可配置为或以其它方式支持用于将第二参考电压的值调整不同于第一值的第二值的构件。
111.在一些实例中，阈值电压组件645可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间来确定第一多个参考电压值的调整超出阈值电压值调整的构件。
112.在一些实例中，第一多个参考电压中的第一参考电压区分能够由存储器单元存储的第一状态与第二状态，且第一多个参考电压中的第二参考电压区分第二状态与能够由存储器单元存储的第三状态。
113.在一些实例中，存储器单元配置成使用八个状态存储三个信息位。在一些实例中，在第一时间与第二时间之间的持续时间期间不存取至少第一多个存储器单元。在一些实例中，与第二字线耦合的第二多个存储器单元与存储器单元块相关联。
114.图7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持字线群组的参考电压调整的方法700的流程图。方法700的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，可由如参考图1至6所描述的存储器装置进行方法700的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制装置的功能元件进行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来进行所描述功能的方面。
115.在705处，方法可包含在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合。可根据如本文中所公开的实例进行705的操作。在一些实例中，可由参考图6所描述的写入组件625进行705的操作的方面。
116.在710处，方法可包含至少部分地基于写入数据在第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取数据。可根据如本文中所公开的实例进行710的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的读取组件630进行710的操作的方面。
117.在715处，方法可包含至少部分地基于起始读取操作确定第一时间与第二时间之间的持续时间。可根据如本文中所公开的实例进行715的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的计时组件635进行715的操作的方面。
118.在720处，方法可包含至少部分地基于确定第一时间与第二时间之间的持续时间
调整与相关联于存储数据的块的第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值和与相关联于存储数据的块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中第一多个参考电压值不同于第二多个参考电压值。可根据如本文中所公开的实例进行720的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的参考电压值调整组件640进行720的操作的方面。
119.在725处，方法可包含至少部分地基于调整第一多个参考电压值和第二多个参考电压值从与第一字线相关联的至少一个存储器单元读取数据。可根据如本文中所公开的实例进行725的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的读取组件630进行725的操作的方面。
120.在一些实例中，如本文中所描述的设备可进行一或多种方法，例如方法700。设备可包含用于进行本公开的以下方面的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)或其任何组合：
121.方面1：一种方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中所述第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入所述数据，在所述第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取所述数据；至少部分地基于起始所述读取操作，确定所述第一时间与所述第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，调整与相关联于存储所述数据的所述块的所述第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，和与相关联于存储所述数据的所述块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中所述第一多个参考电压值不同于所述第二多个参考电压值；和至少部分地基于调整所述第一多个参考电压值和所述第二多个参考电压值，从与所述第一字线相关联的所述至少一个存储器单元读取所述数据。
122.方面2：根据方面1所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定第三多个参考电压值的第一调整集合，所述第一调整集合由所述存储器单元块中的每一存储器单元使用，其中所述第三多个参考电压值包含所述第一多个参考电压值和所述第二多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值和所述第二多个参考电压值是至少部分地基于所述第一调整集合。
123.方面3：根据方面2所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于确定所述第一调整集合，确定所述第一多个参考电压值的第二调整集合，其中所述第二调整集合包含调整与所述存储器单元块相关联的每一字线的相应多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第二调整集合。
124.方面4：根据方面3所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中确定所述第一多个参考电压值的所述第二调整集合包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压值；和制止调整与第二多个存储器单元相关联的所述第二多个参考电压值。
125.方面5：根据方面2至4中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，
其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定所述第一多个参考电压值的调整超出阈值电压值调整；和至少部分地基于确定与所述存储器单元块相关联的所述第三多个参考电压值的第二调整集合，确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合，其中调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压是至少部分地基于确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合。
126.方面6：根据方面2至5中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，识别与相关联于所述块的所述第一字线相关联的调整指数，其中所述调整指数指示所述第三多个参考电压值的第三调整集合，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第三调整集合。
127.方面7：根据方面1至6中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于在所述第一时间处将所述数据写入到所述第一多个存储器单元中的所述至少一个存储器单元来起始计时器，其中所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间是至少部分地基于起始所述计时器。
128.方面8：根据方面1至7中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中所述第一多个参考电压中的第一参考电压区分能够由存储器单元存储的第一状态与第二状态，且所述第一多个参考电压中的第二参考电压区分所述第二状态与能够由所述存储器单元存储的第三状态。
129.方面9：根据方面8所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中所述存储器单元配置成使用八个状态存储三个信息位。
130.方面10：根据方面8至9中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：将所述第一参考电压的值调整第一值；和将所述第二参考电压的值调整不同于所述第一值的第二值。
131.方面11：根据方面1至10中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中在所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间期间不存取至少所述第一多个存储器单元。
132.方面12：根据方面1至11中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中与所述第二字线耦合的第二多个存储器单元与所述存储器单元块相关联。
133.方面13：根据方面1至12中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令或其任何组合：接收读取所述数据的读取命令，其中起始所述读取操作是至少部分地基于接收到所述读取命令。
134.应注意，上文所描述的方法描述可能实施方案，且操作和步骤可重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。另外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。
135.可使用各种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些附图可将信号说明为单个信号；然而，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
136.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号的流动持续一段时间。
137.术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在所述开路关系中，信号当前不能够经由导电路径在所述组件之间传达，在所述闭路关系中，信号能够经由所述导电路径在所述组件之间传达。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
138.术语“隔离”指代信号当前不能够在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，由位于两个组件之间的开关分隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离，那么控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
139.本文中所使用的术语“层”或“层级”是指几何结构(例如，相对于衬底)的层数或片。每一层或层级可具有三个维度(例如，高度、宽度和深度)且可覆盖表面的至少一部分。举例来说，层或层级可为三维结构，其中两个维度大于第三维度，例如薄膜。层或层级可包含不同元件、组件和/或材料。在一些实例中，一个层或层级可由两个或更多个子层或子层级构成。
140.术语“如果”、“当
……
时”、“基于”，或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
……
时”、“基于”，或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，那么术语可互换。
141.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指代作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件进行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”这种其它条件或动作而进行。
142.本文中所论述的包含存储器阵列的装置可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、
氮化镓等的半导体衬底上。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂手段来进行掺杂。
143.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括重度掺杂(例如，简并)的半导体区。源极与漏极可通过轻度掺杂的半导体区或沟道分隔开。如果沟道为n型(即，多数载流子为电子)，那么fet可称为n型fet。如果沟道为p型(即，多数载流子为空穴)，那么fet可称为p型fet。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使沟道变为导电的。如果大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“导通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“截止”或“去激活”。
144.本文中结合附图阐述的描述内容描述实例配置，且并不表示可实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意指“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示熟知结构和装置以便避免混淆所描述实例的概念。
145.在附图中，类似的组件或特征可具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着连字符和在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述内容适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一个。
146.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合执行的软件来实施。实施功能的特征也可物理地位于各种位置处，包含分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
147.举例来说，结合本文中的公开所描述的各种说明性块和组件可用设计成进行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或另一可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或进行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它这种配置)。
148.如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应理解为参考封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的
情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
149.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两者，其包含有助于将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储器、磁盘存储器或其它磁性存储装置，或可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所需程序代码构件且可由通用或专用计算机，或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或另一远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用的磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常是以磁性方式再现数据，而光盘是用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
150.提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域的技术人员将显而易见对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变体而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广泛范围。

技术特征：
1.一种设备，其包括：控制器，其与存储器装置相关联，其中所述控制器配置成使得所述设备：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中所述第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入所述数据，在所述第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取所述数据；至少部分地基于起始所述读取操作，确定所述第一时间与所述第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，调整与相关联于存储所述数据的所述块的所述第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储所述数据的所述块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中所述第一多个参考电压值不同于所述第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值，从与所述第一字线相关联的所述至少一个存储器单元读取所述数据。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：至少部分地基于所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定第三多个参考电压值的第一调整集合，所述第一调整集合由所述存储器单元块中的每一存储器单元使用，其中所述第三多个参考电压值包括所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值是至少部分地基于所述第一调整集合。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：至少部分地基于确定所述第一调整集合，确定所述第一多个参考电压值的第二调整集合，其中所述第二调整集合包括调整与所述存储器单元块相关联的每一字线的相应多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第二调整集合。4.根据权利要求3所述的设备，其中确定所述第一多个参考电压值的所述第二调整集合配置成使得所述设备：调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压值；以及制止调整与第二多个存储器单元相关联的所述第二多个参考电压值。5.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定所述第一多个参考电压值的调整超出阈值电压值调整；以及至少部分地基于确定与所述存储器单元块相关联的所述第三多个参考电压值的第二调整集合，确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合，其中调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压是至少部分地基于确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合。6.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，识别与相关联于所述块的所述第一字线相关联的调整指数，其中所述调整指数指示所述第三多个参考
电压值的第三调整集合，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第三调整集合。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：至少部分地基于在所述第一时间处将所述数据写入到所述第一多个存储器单元中的所述至少一个存储器单元来起始计时器，其中所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间是至少部分地基于起始所述计时器。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多个参考电压中的第一参考电压区分能够由存储器单元存储的第一状态与第二状态，且所述第一多个参考电压中的第二参考电压区分所述第二状态与能够由所述存储器单元存储的第三状态。9.根据权利要求8所述的设备，其中：所述存储器单元配置成使用八个状态存储三个信息位。10.根据权利要求8所述的设备，其中调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压配置成使得所述设备：将所述第一参考电压的值调整第一值；以及将所述第二参考电压的值调整不同于所述第一值的第二值。11.根据权利要求1所述的设备，其中在所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间期间不存取至少所述第一多个存储器单元。12.根据权利要求1所述的设备，其中与所述第二字线耦合的第二多个存储器单元与所述存储器单元块相关联。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步配置成使得所述设备：接收读取所述数据的读取命令，其中起始所述读取操作是至少部分地基于接收到所述读取命令。14.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中所述第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入所述数据，在所述第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取所述数据；至少部分地基于起始所述读取操作，确定所述第一时间与所述第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，调整与相关联于存储所述数据的所述块的所述第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储所述数据的所述块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中所述第一多个参考电压值不同于所述第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值，从与所述第一字线相关联的所述至少一个存储器单元读取所述数据。15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：
至少部分地基于所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定第三多个参考电压值的第一调整集合，所述第一调整集合由所述存储器单元块中的每一存储器单元使用，其中所述第三多个参考电压值包括所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值是至少部分地基于所述第一调整集合。16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：至少部分地基于确定所述第一调整集合，确定所述第一多个参考电压值的第二调整集合，其中所述第二调整集合包括调整与所述存储器单元块相关联的每一字线的相应多个参考电压值，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第二调整集合。17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其中用以确定所述第一多个参考电压值的所述第二调整集合的所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压值；以及制止调整与第二多个存储器单元相关联的所述第二多个参考电压值。18.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，确定所述第一多个参考电压值的调整超出阈值电压值调整；以及至少部分地基于确定与所述存储器单元块相关联的所述第三多个参考电压值的第二调整集合，确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合，其中调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压是至少部分地基于确定所述第三多个参考电压值的所述第二调整集合。19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，识别与相关联于所述块的所述第一字线相关联的调整指数，其中所述调整指数指示所述第三多个参考电压值的第三调整集合，且其中调整所述第一多个参考电压值是至少部分地基于所述第三调整集合。20.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：至少部分地基于在所述第一时间处将所述数据写入到所述第一多个存储器单元中的所述至少一个存储器单元来起始计时器，其中所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间是至少部分地基于起始所述计时器。21.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述第一多个参考电压中的第一参考电压区分能够由存储器单元存储的第一状态与第二状态，且所述第一多个参考电压中的第二参考电压区分所述第二状态与能够由所述存储器单元存储的第三状态。22.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中：所述存储器单元配置成使用八个状态存储三个信息位。
23.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中用以调整与所述第一多个存储器单元相关联的所述第一多个参考电压的所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置：将所述第一参考电压的值调整第一值；以及将所述第二参考电压的值调整不同于所述第一值的第二值。24.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体，其中在所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间期间不存取至少所述第一多个存储器单元。25.一种方法，其包括：在第一时间处将数据写入到第一多个存储器单元中的至少一个存储器单元，其中所述第一多个存储器单元与相关联于存储器单元块的第一字线耦合；至少部分地基于写入所述数据，在所述第一时间之后的第二时间处起始读取操作以读取所述数据；至少部分地基于起始所述读取操作，确定所述第一时间与所述第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定所述第一时间与所述第二时间之间的所述持续时间，调整与相关联于存储所述数据的所述块的所述第一字线相关联的第一多个参考电压的第一多个参考电压值，以及与相关联于存储所述数据的所述块的第二字线相关联的第二多个参考电压的第二多个参考电压值，其中所述第一多个参考电压值不同于所述第二多个参考电压值；以及至少部分地基于调整所述第一多个参考电压值以及所述第二多个参考电压值，从与所述第一字线相关联的所述至少一个存储器单元读取所述数据。

技术总结
本申请涉及用于字线群组的参考电压调整。在一些实例中，存储器系统的一或多个组件可确定数据已存储到一或多个存储器单元的持续时间。基于所述持续时间，可相应地调整一或多个参考电压的电压值。举例来说，可基于所述持续时间调整一或多个参考电压的电压值。此外，相对于已存储数据相对较短持续时间的存储器单元，可响应于所述存储器单元已存储数据相对较长持续时间而不同地调整所述参考电压值。可在后续读取操作期间使用调整后的参考电压。举例来说，可逐字线群组地在字线群组上调整所述一或多个参考电压的所述电压值。或多个参考电压的所述电压值。或多个参考电压的所述电压值。


技术研发人员：蒋涛 周波 胡广
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2023.02.01
技术公布日：2023/8/5