集成芯片及其制备方法以及显示装置与流程

1.本公开涉及半导体led的技术领域，具体而言，涉及一种集成芯片及其制备方法以及显示装置。


背景技术：

2.如今，micro-led显示技术被认为是终极显示技术，是世界上发展最快的技术之一。micro-led显示技术尤其适用于虚拟现实(virtual reality，vr)和增强现实(augmented reality，ar)等微显示的应用领域。micro-led主要采用巨量转移或单片键合的方式制作，良率低和易出现死点等情况是阻碍其量产化的主要问题。因此不需要键合即可对micro-led芯片进行驱动的micro-led-hemt同质集成是一个更好的解决方案。
3.然而在相关技术中，micro-led-hemt同质集成制备过程中，micro-led和hemt容易损坏。


技术实现要素：

4.为了解决背景技术中提到的技术问题，本公开的方案提供了一种集成芯片及其制备方法以及显示装置。
5.根据本公开实施例的一个方面，提供了一种集成芯片制备方法。所述方法包括：提供外延片，所述外延片自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层；从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层；在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置第一金属层、在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上设置第二金属层、在所述驱动台面结构的第三半导体层上设置第三金属层、并且在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上设置第四金属层和第五金属层，得到第一中间结构；在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片。
6.进一步地，从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括
暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层包括：从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀直至暴露出所述衬底，以形成多个集成部分；从所述第三半导体层开始对每个集成部分进行刻蚀，以形成集成台面结构，其中每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层。
7.进一步地，在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片包括：在所述第一中间结构上设置第一钝化层并在所述第一钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔，以使所述第一接触孔暴露出所述微型led台面结构的第一半导体层上的第二金属层，所述第二接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第四金属层；在所述第一钝化层上设置所述多个第一金属线，每个第一金属线将一个微型led台面结构上的暴露出的第二金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第四金属层连接，得到第二中间结构；在所述第二中间结构上设置第二钝化层并在所述第二钝化层上开设第三接触孔和第四接触孔，以使所述第三接触孔暴露出所述微型led台面结构的第三半导体层上的第一金属层，所述第四接触孔暴露出所述驱动台面结构的第三半导体层上的第三金属层；在所述第二钝化层上设置所述多个第二金属线，每个第二金属线将一列微型led台面结构上的暴露出的第一金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第三金属层连接，得到第三中间结构；在所述第三中间结构上设置第三钝化层并在所述第三钝化层上开设第五接触孔，以使所述第五接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第五金属层；在所述第三钝化层上设置多个第三金属线，每个第三金属线将一行驱动台面结构上的暴露出的所述第五金属层连接，得到集成芯片。
8.进一步地，每个微型led台面结构包括微型led凸台，所述第一金属层位于所述微型led凸台上，每个驱动台面结构包括驱动凸台，所述第三金属层位于所述驱动凸台上，所述第四金属层和所述第五金属层位于所述第三金属层两侧。
9.进一步地，在所述微型led台面结构上的第三半导体层上设置第一金属层包括：在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置电流扩展层；在所述电流扩展层上设置所述第一金属层。
10.进一步地，所述外延片还包括缓冲层和第四半导体层，所述缓冲层位于所述衬底和所述第四半导体层之间，所述第四半导体层位于所述缓冲层和所述第一半导体之间，并且所述衬底是蓝宝石衬底、所述缓冲层是aln层、所述第四半导体层是u-gan层、所述第一半导体层是n-gan层、所述第二半导体层是p-gan层、所述第三半导体层是algan层。
11.进一步地，所述驱动台面结构包括hemt台面结构，所述第一金属层是阳极金属层，所述第二金属层是阴极金属层，所述第三金属层是源极金属层，所述第四金属层是漏极金属层，所述第五金属层是栅极金属层。
12.根据本公开的另一方面，还提供了一种集成芯片。所述集成芯片包括所述集成芯片包括多个集成台面结构，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构和所述驱动台面结构自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层，并且所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层，所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述多个集成台面结构共用所述衬底，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层，并且所述集成芯片还包括：第一金属层，其设置在在所述微型led台面结构的第三半导体层上；第二金属层，其设置在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上；第三金属层，其设置在所述驱动台面结构的第三半导体层上；第四金属层，其设置在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上；第五金属层，其设置在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上；多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接。
13.进一步地，所述集成芯片包括：第一钝化层，其设置在设有所述第一金属层和所述第二金属层的所述微型led台面结构上以及设有所述第三金属层、所述第四金属层和所述第五金属层的所述驱动台面结构上，并且所述第一钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露出所述微型led台面结构的第一半导体层上的第二金属层，所述第二接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第四金属层，其中所述多个第一金属线设置在所述第一钝化层上，并且每个第一金属线将一个微型led台面结构上的暴露出的第二金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第四金属层连接；第二钝化层，其设置在所述第一钝化层和所述第一金属线上，并且所述第二钝化层包括第三接触孔和第四接触孔，所述第三接触孔暴露出所述微型led台面结构的第三半导体层上的第一金属层，所述第四接触孔暴露出所述驱动台面结构的第三半导体层上的第三金属层，其中所述多个第二金属线设置在所述第二钝化层上，并且每个第二金属线将一列微型led台面结构上的暴露出的第一金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第三金属层连接；第三钝化层，其设置在所述第二钝化层和所述第二金属线上，并且所述第三钝化层包括第五接触孔，所述第五接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第五金属层，其中多个第三金属线设置在所述第三钝化层上，每个第三金属线将一列驱动台面结构上的暴露出的所述第五金属层连接。
14.进一步地，每个微型led台面结构包括微型led凸台，所述第一金属层位于所述微型led凸台上，每个驱动台面结构包括驱动凸台，所述第三金属层位于所述驱动凸台上，所述第四金属层和所述第五金属层位于所述第三金属层两侧。
15.进一步地，所述集成芯片还包括电流扩展层，所述电流扩展层设置在所述微型led台面结构的第三半导体层上，所述第一金属层设置在所述电流扩展层上。
16.根据本公开实施例的又一方面，还提供了一种显示装置。所述显示装置包括上述的集成芯片。
17.应用本公开的技术方案，可以同时制作微型led结构和驱动结构而形成集成芯片，从而避免了微型led芯片通过巨量转移或倒装键合与驱动芯片连接而导致的芯片损坏，进而提升了微型led的良率。并且在相关技术中，按照先后顺序制备微型led芯片和驱动芯片会导致在后制备的芯片制备过程中对在先制备的芯片的破坏，尤其是在后制备的芯片制备过程中的高温沉积过程对在先制备的芯片的破坏，应用本公开的技术方案，可以利用膜层的同时沉积，以及微结构的同时刻蚀，实现微型led结构和驱动结构的同时制备，从而避免了在后制备的芯片制备过程中对在先制备的芯片的破坏，进而提高了集成芯片的良率。此外，应用本公开的技术方案，通过在每个微型led台面结构旁边同时制作一个驱动台面结构，可以实现在每个微型led芯片旁边具有一个对应的驱动芯片，由此不仅可以对整个集成芯片进行控制，还可以对每个微型led芯片所对应的像素分别进行实时独立控制，从而提升显示装置的画质显示细腻程度，进而提升显示装置的显示效果。
附图说明
18.通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
19.图1是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片制备方法的流程图；
20.图2至图13是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片制备方法的制备工艺流程示意图；
21.图14是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片的俯视示意图。
具体实施方式
22.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
23.应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
24.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
25.现在，将参照附图更详细地描述根据本公开的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层
和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
26.相关技术中，micro-led芯片与驱动芯片相连的方式一般是将micro-led芯片通过巨量转移或单片键合的方式与驱动芯片连接，但是这两种连接方式都会出现像素偏移或像素损伤，从而导致良率下降和易出现死点等情况，进而阻碍了micro-led量产化。因此不需要巨量转移或单片键合即可利用驱动来驱动micro-led的micro-led-驱动同质集成是一个更好的解决方案。但是在micro-led和驱动同质集成时，制备micro-led和驱动的先后顺序是目前的一个难点，主要是因为若先制作出micro-led或驱动中的一个之后再制作另外一个，则在后制备的芯片制备过程中会对在先制备的芯片造成破坏，例如生长algan层的超高温度(约1200℃)会破坏或劣化已制作好的micro-led或驱动结构，使得到的micro-led模组显示效果变差。
27.本公开提供一种集成芯片制备方法。参照图1至图14，图1是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片制备方法的流程图；图2至图13是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片制备方法的制备工艺流程示意图；图14是示出根据本公开的一个实施例的集成芯片的俯视示意图。
28.根据本公开的实施例，微型led(micro-led)和驱动集成芯片中的像素尺寸通常小于或等于200微米。
29.如图1所示，该集成芯片制备方法包括以下步骤s101-s104。
30.步骤s101:提供外延片，所述外延片自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层。
31.步骤s102:从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层。
32.步骤s103:在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置第一金属层、在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上设置第二金属层、在所述驱动台面结构的第三半导体层上设置第三金属层、并且在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上设置第四金属层和第五金属层，得到第一中间结构。
33.步骤s104:在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片。
34.根据该技术方案，可以同时制作微型led结构和驱动结构而形成集成芯片，从而避免了微型led芯片通过巨量转移或倒装键合与驱动芯片连接而导致的芯片损坏，进而提升了微型led的良率。并且在相关技术中，按照先后顺序制备微型led芯片和驱动芯片会导致在后制备的芯片制备过程中对在先制备的芯片的破坏，尤其是在后制备的芯片制备过程中
的高温沉积过程对在先制备的芯片的破坏，应用本公开的技术方案，可以利用膜层的同时沉积，以及微结构的同时刻蚀，实现微型led结构和驱动结构的同时制备，从而避免了在后制备的芯片制备过程对在先制备的芯片的破坏，进而提高了集成芯片的良率。此外，应用本公开的技术方案，通过在每个微型led台面结构旁边同时制作一个驱动台面结构，可以实现在每个微型led芯片旁边具有一个对应的驱动芯片，由此不仅可以对整个集成芯片进行控制，还可以对每个微型led芯片所对应的像素分别进行实时独立控制，从而提升显示装置的画质显示细腻程度，进而提升显示装置的显示效果。
35.在步骤s101中，可以提供外延片，所述外延片自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层。
36.根据本公开的实施例，为了制备集成芯片，可以首先获得用于制备该集成芯片的外延片。该外延片可以是预先制备好的，也可以在本公开的集成芯片制备方法中制备。
37.进一步地，所述外延片还可以包括缓冲层和第四半导体层，所述缓冲层位于所述衬底和所述第四半导体层之间，所述第四半导体层位于所述缓冲层和所述第一半导体之间。
38.参照图2-图13，其中图2示出了根据本公开的一个实施例的外延片10的侧视图。如图2所示，所述外延片10可以自下而上依次包括衬底101、缓冲层102、第四半导体层103、第一半导体层104、量子阱层105、第二半导体层106和第三半导体层107。
39.根据本公开的实施例，所述衬底101可以是蓝宝石衬底、所述缓冲层102可以是aln层、所述第四半导体层103可以是u-gan层、所述第一半导体层104可以是n-gan层、所述第二半导体层106可以是p-gan层、所述第三半导体层107可以是algan层。
40.在步骤s102中，可以从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层。
41.根据本公开的实施例，在获得外延片之后，可以对其进行刻蚀来获得多个集成台面结构，所述多个集成台面结构彼此仅通过共用的衬底连接，并且每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，其中所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构通过共用的所述第一半导体层连接。
42.根据本公开的一个实施例，从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层可以包括：从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀直至暴露出所述外延片的第一半导体层，得到多个微型led台面结构，从所述第三半导体层开始在每个微型led台面结构旁边对所述外延片进行刻蚀直至暴露出所述外延片的第二半导体层，得到与每个微型led台面结构各自对应的驱动台面结构，其中每个微型led台面结构和与其对
应的驱动台面结构构成集成台面结构；通过刻蚀直至暴露出所述衬底以将多个集成台面结构分开。
43.在该实施例中，先对外延片进行刻蚀以同时形成微型led台面结构和与该微型led台面结构对应的驱动台面结构，然后通过刻蚀直至暴露出所述衬底以将由微型led台面结构和与其对应的驱动台面结构构成的集成台面结构分开。
44.根据本公开的另一个实施例，从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层包括：从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀直至暴露出所述衬底，以形成多个集成部分；从所述第三半导体层开始对每个集成部分进行刻蚀，以形成集成台面结构，其中每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层。
45.在该实施例中，先对外延片进行刻蚀直至暴露出衬底，形成多个集成部分，即多个集成部分仅通过共用的衬底连接，然后同时分别对每个集成部分进行刻蚀而形成集成台面结构。
46.根据本公开的实施例，每个微型led台面结构包括微型led凸台，所述第一金属层位于所述微型led凸台上，每个驱动台面结构包括驱动凸台。
47.根据本公开的实施例，所述驱动台面结构包括hemt台面结构，即所述驱动台面结构可以是用于形成hemt芯片的中间结构，当然，所述驱动台面结构还可以是用于形成其它任何适用驱动芯片的中间结构。
48.进一步地，参照图2至图13，其中图3示出了对外延片刻蚀出的由微型led台面结构21和驱动台面结构22构成的集成台面结构的侧视剖面示意图。
49.具体地，首先可以利用等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)，在外延片10的第三半导体层107上沉积氧化硅层作为硬掩模。然后通过光刻胶光刻出集成部分的图形。随后，通过电感耦合等离子体刻蚀(inductively coupled plasma，icp)将光刻得到的图形刻蚀映射到氧化硅层。接着，在使用丙酮去除光刻胶后，继续通过电感耦合等离子体刻蚀把氧化硅层的图形刻蚀映射至露出衬底101的表层，然后用boe(缓冲氧化物刻蚀液)浸泡洗去氧化硅层，由此形成多个集成部分。
50.然后，可以利用等离子体增强化学气相沉积法，在每个集成部分的第三半导体层107上沉积氧化硅层作为硬掩模。通过光刻胶光刻出由微型led台面结构和驱动台面结构构成的集成台面结构的图形。随后，通过电感耦合等离子体刻蚀将光刻得到的图形刻蚀映射到氧化硅层。接着，在使用丙酮去除光刻胶后，继续通过电感耦合等离子体刻蚀把氧化硅层的图形刻蚀映射至露出第一半导体层104表层和第二半导体层106表层，然后用boe(缓冲氧化物刻蚀液)浸泡洗去氧化硅层，由此形成如图3所示的由微型led台面结构21和驱动台面
结构22构成的集成台面结构。
51.如图3所示，所述集成台面结构仅示出2个，其中每个微型led台面结构21包括一个微型led凸台211，该微型led凸台211旁边是暴露的第一半导体层104，所述驱动台面结构22包括第三半导体层107，该第三半导体层107作为驱动凸台，并且该驱动凸台的两侧是暴露的第二半导体层106。
52.值得注意的是，图3中的集成台面结构的数量仅是示意性的，在此不做限制。
53.在步骤s103中，可以在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置第一金属层、在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上设置第二金属层、在所述驱动台面结构的第三半导体层上设置第三金属层、并且在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上设置第四金属层和第五金属层，得到第一中间结构。
54.根据本公开的实施例，在获得包括微型led台面结构和驱动台面结构的集成台面结构之后，可以在每个微型led台面结构上设置第一金属层作为第一电极、设置第二金属层作为第二电极，并且在每个驱动台面结构上设置第三金属层作为第三电极、设置第四金属层作为第四电极、设置第五金属层作为第五电极。根据本公开的实施例，可以通过一道制程同时在微型led台面结构和驱动台面结构的不同位置设置同一金属层来作为第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层。
55.根据本公开的实施例，所述第一金属层设置在所述微型led台面结构的微型led凸台上，即设置在所述微型led台面结构的第三半导体层上。所述第三金属层设置在所述驱动台面结构的驱动凸台上，即设置在所述驱动台面结构的第三半导体层上，并且所述第四金属层和所述第五金属层位于所述第三金属层两侧且设置在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上。
56.进一步地，在所述微型led台面结构上的第三半导体层上设置第一金属层可以包括：在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置电流扩展层；在所述电流扩展层上设置所述第一金属层。其中，所述电流扩展层可以包括氧化铟锡层。通过设置电流扩展层可以改善电极层与半导体层的接触阻抗，提高出光效率。
57.根据本公开的实施例，所述第一金属层是阳极金属层，所述第二金属层是阴极金属层，所述第三金属层是源极金属层，所述第四金属层是漏极金属层，所述第五金属层是栅极金属层。
58.参照图2-图10，其中图4示出了第一中间结构30的侧视截面图。具体地，如图4所示，可以利用光刻和磁控溅射方法在微型led台面结构21的微型led凸台211的第三半导体层107上设置例如厚度约为100nm的电流扩展层108，然后使用快速退火技术(rta)进行退火处理，使得第三半导体层107和电流扩展层108之间形成良好的欧姆接触。随后，可以采用光刻和电子束蒸镀方法在电流扩展层108上、在所述微型led台面结构21的暴露的第一半导体层104上、在所述驱动台面结构22的第三半导体层107(驱动凸台)上、并且在所述驱动台面结构22的暴露的第二半导体层106上沉积金属层，然后采用剥离(lift-off)工艺除去光刻胶以及多余的金属，获得第一金属层109、第二金属层110、第四金属层111、第三金属层112和第五金属层113，从而得到如图4所示的第一中间结构30。
59.在步骤s104中，可以在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金
属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片。
60.根据本公开的实施例，可以在步骤s103中获得第一中间结构上设置通过钝化层彼此隔离的第一金属线、第二金属线和第三金属线，并且通过这些金属线实现电极的连接。
61.进一步地，在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片可以包括：在所述第一中间结构上设置第一钝化层并在所述第一钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔，以使所述第一接触孔暴露出所述微型led台面结构的第一半导体层上的第二金属层，所述第二接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第四金属层；在所述第一钝化层上设置所述多个第一金属线，每个第一金属线将一个微型led台面结构上的暴露出的第二金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第四金属层连接，得到第二中间结构；在所述第二中间结构上设置第二钝化层并在所述第二钝化层上开设第三接触孔和第四接触孔，以使所述第三接触孔暴露出所述微型led台面结构的第三半导体层上的第一金属层，所述第四接触孔暴露出所述驱动台面结构的第三半导体层上的第三金属层；在所述第二钝化层上设置所述多个第二金属线，每个第二金属线将一列微型led台面结构上的暴露出的第一金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第三金属层连接，得到第三中间结构；在所述第三中间结构上设置第三钝化层并在所述第三钝化层上开设第五接触孔，以使所述第五接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第五金属层；在所述第三钝化层上设置多个第三金属线，每个第三金属线将一行驱动台面结构上的暴露出的所述第五金属层连接，得到集成芯片。
62.参照图2-图13，其中图5示出了在第一中间结构上设置的第一钝化层114。如图5所示，可以采用采用等离子体增强化学的气相沉积法(pecvd)在图4所示的第一中间结构30上沉积氮化硅作为第一钝化层114。
63.参照图2-图13，其中图6示出了在第一钝化层114上开设的第一接触孔1141和和第二接触孔1142。如图6所示，在沉积完第一钝化层114后，在第一钝化层114上涂胶光刻出第一接触孔1141和第二接触孔1142的图形，采用电感耦合等离子体(icp)蚀刻方法刻蚀出第一接触孔1141和第二接触孔1142，去除光刻胶后形成如图6所示的结构。其中，每个第一接触孔1141暴露出对应的微型led台面结构21的第一半导体层104上的第二金属层110，第二接触孔1142暴露出驱动台面结构22的第二半导体层106上的第四金属层111。
64.参照图2-图13，其中图7示出了将第二金属层110和第四金属层111连接的第一金属线115的侧视图。具体地，如图7所示，可以采用光刻和电子束蒸镀方法在第一钝化层114和暴露出的第二金属层110和第四金属层111上沉积金属层，然后采用剥离(lift-off)工艺除去光刻胶以及多余的金属，获得多个第一金属线115，每个第一金属线115将一个微型led台面结构21上的由第一接触孔1141暴露出的第二金属层110和对应的驱动台面结构22上的
由第二接触孔1142暴露出的第四金属层111连接，从而得到如图7所示的第二中间结构40。
65.参照图2-图13，其中图8示出了在第二中间结构上设置的第二钝化层116。如图8所示，可以采用采用等离子体增强化学的气相沉积法(pecvd)在图7所示的第二中间结构40上沉积氮化硅作为第二钝化层116。
66.参照图2-图13，其中图9示出了在第二钝化层116上开设的第三接触孔1161和第四接触孔1162。如图9所示，在沉积完第二钝化层116后，在第二钝化层116上涂胶光刻出第三接触孔1161和第四接触孔1162的图形，采用电感耦合等离子体(icp)蚀刻方法刻蚀出第三接触孔1161和第四接触孔1162，去除光刻胶后形成如图9所示的结构。其中，每个第三接触孔1161穿过第一钝化层114和第二钝化层116并且暴露出对应的微型led台面结构21的第三半导体层107上的第一金属层109，每个第四接触孔1162穿过第一钝化层114和第二钝化层116并且暴露出驱动台面结构22的第三半导体层107上的第三金属层112。
67.参照图2-图13，其中图10示出了将第一金属层109和第三金属层112连接的第二金属线117的侧视图。具体地，如图10所示，可以采用光刻和电子束蒸镀方法在第二钝化层116和暴露出的第一金属层109和第三金属层112上沉积金属层，然后采用剥离(lift-off)工艺除去光刻胶以及多余的金属，获得多个第二金属线117，每个第二金属线117将一列微型led台面结构21上的由第三接触孔1161暴露出的第一金属层109和对应的驱动台面结构22上的由第四接触孔1162暴露出的第三金属层112连接，从而得到如图10所示的第三中间结构50。
68.参照图2-图13，其中图11示出了在第三中间结构上设置的第三钝化层118。如图11所示，可以采用采用等离子体增强化学的气相沉积法(pecvd)在图10所示的第三中间结构50上沉积氮化硅作为第三钝化层118。
69.参照图2-图13，其中图12示出了在第三钝化层118上开设的第五接触孔1182。如图12所示，在沉积完第三钝化层118后，在第三钝化层118上涂胶光刻出第五接触孔1182的图形，采用电感耦合等离子体(icp)蚀刻方法刻蚀出第五接触孔1182，去除光刻胶后形成如图12所示的结构。其中，每个第五接触孔1182穿过第一钝化层114、第二钝化层116和第三钝化层118并且暴露出驱动台面结构22的第二半导体层106上的第五金属层113。
70.参照图2-图13，其中图13示出了用于将第五金属层113连接的第三金属线119侧视图。具体地，如图13所示，可以采用光刻和电子束蒸镀方法在第三钝化层118和暴露出的第五金属层113上沉积金属层，然后采用剥离(lift-off)工艺除去光刻胶以及多余的金属，获得多个第三金属线119，每个第三金属线119用于将一行驱动台面结构22上的由第五接触孔1182暴露出的第五金属层113连接，从而得到如图13所示的集成芯片1，该集成芯片1包括由微型led芯片部分11和驱动芯片部分12构成的芯片的阵列。其中，微型led芯片部分11对应于微型led台面结构21，驱动芯片部分12对应于驱动台面结构22。
71.参照图14，图14示意性地示出了根据本公开的一个实施例的集成芯片1的俯视示意图。如图14所示，该图14仅示意性地示出4个由微型led芯片部分11和驱动芯片部分12构成的芯片，在此不作限制。其中，每个第一金属线115将一个微型led台面结构21上的暴露出的第二金属层110和对应的驱动台面结构22上的暴露出的第四金属层111连接；每个第二金属线117将一列微型led台面结构21上的暴露出的第一金属层109和对应的驱动台面结构22上的暴露出的第三金属层112连接；每个第三金属线119用于将一行驱动台面结构22上的暴露出的第五金属层113连接。值得注意的是，如图14所示，多个第二金属线117可以与外部控
制芯片(未示出)连接而构成列扫描线，多个第三金属线119可以与外部控制芯片(未示出)连接而构成行扫描线，从而可以通过行列扫描线控制集成芯片1。
72.由此，集成芯片制备完成，图13和图14示出了根据本公开一个实施例的制备完成的集成芯片1。
73.本公开还提供了一种集成芯片。
74.如图2-图14所示，所述集成芯片1包括多个集成台面结构，每个集成台面结构包括微型led台面结构21和对应的驱动台面结构22，全部的微型led台面结构21构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构22构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构21和所述驱动台面结构22自下而上依次包括衬底101、第一半导体层104、量子阱层105、第二半导体层106和第三半导体层107，并且所述微型led台面结构21包括暴露的第一半导体层，所述驱动台面结构22包括暴露的第二半导体层，所述多个集成台面结构共用所述衬底101，所述微型led台面结构21和对应的驱动台面结构22共用所述第一半导体层104，并且所述集成芯片1还包括：第一金属层109，其设置在在所述微型led台面结构21的第三半导体层107上；第二金属层110，其设置在所述微型led台面结构21的暴露的第一半导体层104上；第三金属层112，其设置在所述驱动台面结构22的第三半导体层107上；第四金属层111，其设置在所述驱动台面结构22的暴露的第二半导体层106上；第五金属层113，其设置在所述驱动台面结构22的暴露的第二半导体层106上；多个第一金属线115、多个第二金属线117和多个第三金属线119，所述多个第一金属线115、所述多个第二金属线117和所述多个第三金属线119通过钝化层隔离，并且每个第一金属线115将一个微型led台面结构21上的第二金属层110和对应的驱动台面结构22上的第四金属层111连接，每个第二金属线117将多个微型led台面结构21上的第一金属层109和对应的驱动台面结构22上的第三金属层112连接，每个第三金属线119将多个驱动台面结构22上的第五金属层113连接。
75.根据本公开的实施例，所述集成芯片1包括：第一钝化层114，其设置在设有所述第一金属层109和所述第二金属层110的所述微型led台面结构21上以及设有所述第三金属层112、所述第四金属层111和所述第五金属层113的所述驱动台面结构22上，并且所述第一钝化层114包括第一接触孔1141和第二接触孔1142，所述第一接触孔1141暴露出所述微型led台面结构21的第一半导体层104上的第二金属层110，所述第二接触孔1142暴露出所述驱动台面结构22的第二半导体层106上的第四金属层111，其中所述多个第一金属线115设置在所述第一钝化层114上，并且每个第一金属线115将一个微型led台面结构21上的暴露出的第二金属层110和对应的驱动台面结构22上的暴露出的第四金属层111连接；第二钝化层116，其设置在所述第一钝化层114和所述第一金属线115上，并且所述第二钝化层116包括第三接触孔1161和第四接触孔1162，所述第三接触孔1161暴露出所述微型led台面结构21的第三半导体层107上的第一金属层109，所述第四接触孔1162暴露出所述驱动台面结构22的第三半导体层107上的第三金属层113，其中所述多个第二金属线117设置在所述第二钝化层116上，并且每个第二金属线117将一行微型led台面结构21上的暴露出的第一金属层109和对应的驱动台面结构22上的暴露出的第三金属层112连接；第三钝化层118，其设置在所述第二钝化层116和所述第二金属线117上，并且所述第三钝化层118包括第五接触孔1181，所述第五接触孔1181暴露出所述驱动台面结构22的第二半导体层106上的第五金属层113，其中多个第三金属线119设置在所述第三钝化层118上，每个第三金属线119将一列
驱动台面结构22上的暴露出的所述第五金属层113连接。
76.根据本公开的实施例，每个微型led台面结构21包括微型led凸台211，所述第一金属层109位于所述微型led凸台211上，每个驱动台面结构22包括驱动凸台，所述第三金属层112位于所述驱动凸台上，所述第四金属层111和所述第五金属层113位于所述第三金属层112两侧。
77.所述集成芯片1还包括电流扩展层108，所述电流扩展层108设置在所述微型led台面结构22的第三半导体层107上，所述第一金属层109设置在所述电流扩展层108上。
78.值得注意的是，上述集成芯片制备方法中的关于集成芯片结构的任何相关描述(包括但不限于技术特征及其作用、解释等)都可以应用于本公开的集成芯片。
79.本公开还提供了一种显示装置。该显示装置包括上述集成芯片。该显示装置可应用于电子设备，以实现增强现实(augmented reality，ar)、虚拟现实(virtual reality，vr)、扩展现实(extended reality，xr)、混合现实(mixed reality，mr)等技术。例如，该显示装置可以是电子设备的投影部分，例如投影仪、抬头显示(head up display，hud)等；又例如，该显示装置也可以是电子设备的显示部分，例如该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等任何具有显示屏的设备。
80.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
81.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本技术的各种实施例中，上述各步骤/过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各步骤/过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。并且，上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
82.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
83.以上所述仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

技术特征：
1.一种集成芯片制备方法，其中，所述方法包括：提供外延片，所述外延片自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层；从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层；在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置第一金属层、在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上设置第二金属层、在所述驱动台面结构的第三半导体层上设置第三金属层、并且在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上设置第四金属层和第五金属层，得到第一中间结构；在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片。2.根据权利要求1所述的集成芯片制备方法，其中，从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀，得到共用所述衬底的多个集成台面结构，其中，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层包括：从所述第三半导体层开始对所述外延片进行刻蚀直至暴露出所述衬底，以形成多个集成部分；从所述第三半导体层开始对每个集成部分进行刻蚀，以形成集成台面结构，其中每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层并且所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层。3.根据权利要求1所述的集成芯片制备方法，其中，在所述第一中间结构上设置多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且使得每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接，得到集成芯片包括：在所述第一中间结构上设置第一钝化层并在所述第一钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔，以使所述第一接触孔暴露出所述微型led台面结构的第一半导体层上的第二金
属层，所述第二接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第四金属层；在所述第一钝化层上设置所述多个第一金属线，每个第一金属线将一个微型led台面结构上的暴露出的第二金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第四金属层连接，得到第二中间结构；在所述第二中间结构上设置第二钝化层并在所述第二钝化层上开设第三接触孔和第四接触孔，以使所述第三接触孔暴露出所述微型led台面结构的第三半导体层上的第一金属层，所述第四接触孔暴露出所述驱动台面结构的第三半导体层上的第三金属层；在所述第二钝化层上设置所述多个第二金属线，每个第二金属线将一列微型led台面结构上的暴露出的第一金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第三金属层连接，得到第三中间结构；在所述第三中间结构上设置第三钝化层并在所述第三钝化层上开设第五接触孔，以使所述第五接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第五金属层；在所述第三钝化层上设置多个第三金属线，每个第三金属线将一行驱动台面结构上的暴露出的所述第五金属层连接，得到集成芯片。4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成芯片制备方法，其中，每个微型led台面结构包括微型led凸台，所述第一金属层位于所述微型led凸台上，每个驱动台面结构包括驱动凸台，所述第三金属层位于所述驱动凸台上，所述第四金属层和所述第五金属层位于所述第三金属层两侧。5.根据权利要求1所述的集成芯片制备方法，其中，在所述微型led台面结构上的第三半导体层上设置第一金属层包括：在所述微型led台面结构的第三半导体层上设置电流扩展层；在所述电流扩展层上设置所述第一金属层。6.根据权利要求5所述的集成芯片制备方法，其中，所述外延片还包括缓冲层和第四半导体层，所述缓冲层位于所述衬底和所述第一半导体层之间，所述第四半导体层位于所述缓冲层和所述第一半导体之间，并且所述衬底是蓝宝石衬底、所述缓冲层是aln层、所述第四半导体层是u-gan层、所述第一半导体层是n-gan层、所述第二半导体层是p-gan层、所述第三半导体层是algan层。7.根据权利要求1所述的集成芯片制备方法，其中，所述驱动台面结构包括hemt台面结构，所述第一金属层是阳极金属层，所述第二金属层是阴极金属层，所述第三金属层是源极金属层，所述第四金属层是漏极金属层，所述第五金属层是栅极金属层。8.一种集成芯片，其中，所述集成芯片包括多个集成台面结构，每个集成台面结构包括微型led台面结构和对应的驱动台面结构，全部的微型led台面结构构成微型led台面结构阵列，全部的驱动台面结构构成驱动台面结构阵列，所述微型led台面结构和所述驱动台面结构自下而上依次包括衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层和第三半导体层，并且所述微型led台面结构包括暴露的第一半导体层，所述驱动台面结构包括暴露的第二半导体层，所述多个集成台面结构共用所述衬底，所述微型led台面结构和对应的驱动台面结构共用所述第一半导体层，并且所述集成芯片还包括：第一金属层，其设置在在所述微型led台面结构的第三半导体层上；
第二金属层，其设置在所述微型led台面结构的暴露的第一半导体层上；第三金属层，其设置在所述驱动台面结构的第三半导体层上；第四金属层，其设置在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上；第五金属层，其设置在所述驱动台面结构的暴露的第二半导体层上；多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，所述多个第一金属线、所述多个第二金属线和所述多个第三金属线通过钝化层隔离，并且每个第一金属线将一个微型led台面结构上的第二金属层和对应的驱动台面结构上的第四金属层连接，每个第二金属线将多个微型led台面结构上的第一金属层和对应的驱动台面结构上的第三金属层连接，每个第三金属线将多个驱动台面结构上的第五金属层连接。9.根据权利要求8所述的集成芯片，其中，所述集成芯片包括：第一钝化层，其设置在设有所述第一金属层和所述第二金属层的所述微型led台面结构上以及设有所述第三金属层、所述第四金属层和所述第五金属层的所述驱动台面结构上，并且所述第一钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露出所述微型led台面结构的第一半导体层上的第二金属层，所述第二接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第四金属层，其中所述多个第一金属线设置在所述第一钝化层上，并且每个第一金属线将一个微型led台面结构上的暴露出的第二金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第四金属层连接；第二钝化层，其设置在所述第一钝化层和所述第一金属线上，并且所述第二钝化层包括第三接触孔和第四接触孔，所述第三接触孔暴露出所述微型led台面结构的第三半导体层上的第一金属层，所述第四接触孔暴露出所述驱动台面结构的第三半导体层上的第三金属层，其中所述多个第二金属线设置在所述第二钝化层上，并且每个第二金属线将一列微型led台面结构上的暴露出的第一金属层和对应的驱动台面结构上的暴露出的第三金属层连接；第三钝化层，其设置在所述第二钝化层和所述第二金属线上，并且所述第三钝化层包括第五接触孔，所述第五接触孔暴露出所述驱动台面结构的第二半导体层上的第五金属层，其中多个第三金属线设置在所述第三钝化层上，每个第三金属线将一行驱动台面结构上的暴露出的所述第五金属层连接。10.根据权利要求8或9所述的集成芯片，其中，每个微型led台面结构包括微型led凸台，所述第一金属层位于所述微型led凸台上，每个驱动台面结构包括驱动凸台，所述第三金属层位于所述驱动凸台上，所述第四金属层和所述第五金属层位于所述第三金属层两侧。11.根据权利要求8所述的集成芯片，其中，所述集成芯片还包括电流扩展层，所述电流扩展层设置在所述微型led台面结构的第三半导体层上，所述第一金属层设置在所述电流扩展层上。12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括权利要求8至11中任一项所述的集成芯片。

技术总结
本公开提供了一种集成芯片及其制备方法以及显示装置。该方法包括：提供外延片；从外延片的第三半导体层开始进行刻蚀，得到共用衬底且各自包括微型LED台面结构和对应的驱动台面结构的多个集成台面结构；在微型LED台面结构上设置第一金属层和第二金属层，在驱动台面结构上设置第三金属层、第四金属层和第五金属层；设置通过钝化层隔离的多个第一金属线、多个第二金属线和多个第三金属线，使得每个第一金属线将一个第二金属层和对应的第四金属层连接，每个第二金属线将多个第一金属层和对应的第三金属层连接，每个第三金属线将多个第五金属层连接，得到集成芯片。得到集成芯片。得到集成芯片。


技术研发人员：孙铮 张珂
受保护的技术使用者：深圳市思坦科技有限公司
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/8/13