显示面板及其制备系统和制备方法与流程

1.本发明属于显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备系统和制备方法。


背景技术：

2.目前，主流的蒸镀掩膜板采用精细金属掩膜板(fine metal mask，即fmm)，精细金属掩膜板采用金属材料制作，由于精细金属掩膜板本身厚度较厚，采用精细金属掩膜板制备的显示面板中像素的分辨率一般在600左右，即使采用电铸的方式制作精细金属掩膜板，制备的显示面板中像素的分辨率也只能达到800～1000ppi，很难再有突破。


技术实现要素：

3.本发明针对采用硅材料的掩膜板蒸镀形成的膜层厚度不均匀的问题，提供显示面板及其制备系统和制备方法。该显示面板，能在采用硅材料掩膜板在第一电极的背离基板的一侧蒸镀形成后续膜层时，通过向辅助电极加电形成的电场能对蒸镀材料的运动角度和在第一电极上的落点进行调整，从而提升第一电极背离基板一侧膜层成膜厚度的均一性。
4.本发明提供一种显示面板，包括基板、第一平坦层和第一电极，
5.所述第一平坦层和所述第一电极依次叠置于所述基板的一侧，
6.还包括辅助电极和第二平坦层，
7.所述辅助电极和所述第二平坦层位于所述第一电极和所述第一平坦层之间，且依次远离所述基板叠置，
8.所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内。
9.在一些实施例中，还包括像素界定层，位于所述第一电极的背离所述基板的一侧，
10.所述像素界定层中开设有开口，
11.所述开口在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影交叠；
12.所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述开口在所述基板上的正投影区域内；
13.所述显示面板还包括辅助连接线，所述辅助连接线与所述辅助电极同层设置且连接，
14.所述辅助连接线通过开设在所述第二平坦层和所述像素界定层中的过孔连接第一供电部。
15.在一些实施例中，所述开口在所述基板上的正投影包括中间区和边缘区，所述边缘区围设于所述中间区的外围，
16.所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述边缘区的局部，和/或，所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述中间区的局部。
17.在一些实施例中，当所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述边缘区的局部时，所述辅助电极在所述基板上的正投影形状包括环形，
18.所述辅助电极在所述基板上的正投影面积小于所述边缘区的面积。
19.在一些实施例中，所述中间区的面积不大于所述第一电极在所述开口处裸露区域面积的25％～50％；
20.所述边缘区的面积不大于所述第一电极在所述开口处裸露区域面积的25％～50％。
21.在一些实施例中，所述辅助电极包括多条第一辅助电极和多条第二辅助电极，所述第一辅助电极沿第一方向延伸，所述第二辅助电极沿第二方向延伸，
22.所述第一方向和所述第二方向相交。
23.在一些实施例中，所述辅助电极包括多个所述第一辅助电极及两个所述第二辅助电极，两个所述第二辅助电极分别位于所述开口的相对边沿，所述多个第一辅助电极位于两个所述第二辅助电极之间，且至少一个所述第一辅助电极与至少一个所述第二辅助电极连接。
24.在一些实施例中，所述辅助电极包括两个所述第一辅助电极及两个所述第二辅助电极，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极分别位于所述开口的边沿；
25.所述辅助电极还包括多条第三辅助电极和多条第四辅助电极，所述第三辅助电极和所述第四辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的宽度；
26.所述第三辅助电极沿所述第一方向延伸，且与所述第二辅助电极靠近所述开口中心的一侧连接；所述第四辅助电极沿所述第二方向延伸，且与所述第一辅助电极靠近所述开口中心的一侧连接；所述第三辅助电极和所述第四辅助电极在所述基板上的正投影之间不交叠。
27.在一些实施例中，所述辅助电极的的宽度范围均为0.2～1μm。
28.在一些实施例中，所述辅助电极包括多个环形子电极，
29.所述多个环形子电极相互嵌套且中心重合，所述多个环形子电极彼此间隔分布。
30.在一些实施例中，所述辅助电极包括多个第一辅助电极和多个第二辅助电极，
31.所述多个第一辅助电极和所述多个第二辅助电极相互交叉呈网格状。
32.本发明还提供一种上述显示面板的制备系统，包括掩膜板和蒸镀源，
33.所述掩膜板用于设置在显示面板与所述蒸镀源之间；
34.所述掩膜板上开设有镂空图案，所述镂空图案与所述显示面板的像素界定层中的开口相对应；
35.所述掩膜板采用硅材料；
36.所述蒸镀源的喷嘴采用无机静电感应材料；
37.所述喷嘴电连接第二供电部。
38.本发明还提供一种上述显示面板的制备方法，包括：制备上述显示面板；
39.第一供电部向辅助电极施加第一电压，第二供电部向蒸镀源的喷嘴施加第二电压，从所述喷嘴输出的蒸镀材料在所述第二电压的作用下被感应带电，带电的蒸镀材料在所述辅助电极电场的作用下蒸镀至所述显示面板的像素界定层开口中的相应区域，形成发光功能层。
40.本发明的有益效果：本发明所提供的显示面板，通过在第一电极和第一平坦层之间设置辅助电极，能在采用硅材料掩膜板在第一电极的背离基板的一侧蒸镀形成后续膜层
时，通过向辅助电极加电形成的电场能对蒸镀材料的运动角度和在第一电极上的落点进行调整，从而提升第一电极背离基板一侧膜层成膜厚度的均一性。
附图说明
41.图1a为目前硅材料掩膜板的结构剖视示意图；
42.图1b为目前采用硅材料掩膜板蒸镀形成的膜层的形貌图；
43.图2a为公开技术中发光层蒸镀膜厚分布呈条状分布的状态示意图；
44.图2b为公开技术中发光层蒸镀膜厚分布不均出现在子像素中心区域的状态示意图；
45.图2c为公开技术中发光层蒸镀膜厚分布不均出现在子像素边缘区域的状态示意图；
46.图3a为本发明实施例中显示面板的一种结构剖视示意图；
47.图3b为本发明实施例中显示面板的另一种结构剖视示意图；
48.图4a为膜层蒸镀时的蒸镀原理示意图；
49.图4b为本发明实施例中辅助电极设置在第一电极的中间区域的蒸镀原理示意图；
50.图4c为本发明实施例中辅助电极设置在第一电极的边缘区域的蒸镀原理示意图；
51.图5a为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的一种分布俯视示意图；
52.图5b为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的另一种分布俯视示意图；
53.图5c为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的又一种分布俯视示意图；
54.图5d为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的又一种分布俯视示意图；
55.图5e为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的又一种分布俯视示意图；
56.图5f为本发明实施例中像素界定层中的开口区域内辅助电极的又一种分布俯视示意图。
57.其中的附图标记为：
58.1、基板；2、第一平坦层；3、第一电极；4、辅助电极；40、环形子电极；41、第一辅助电极；42、第二辅助电极；43、第三辅助电极；44、第四辅助电极；5、第二平坦层；6、蒸镀源；60、喷嘴；7、像素界定层；8、辅助连接线；9、第一供电部；301、中间区；302、边缘区；10、掩膜板；100、镂空图案；11、掩膜图形开孔。
具体实施方式
59.为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种显示面板及其制备系统和制备方法作进一步详细描述。
60.目前，采用硅(si)材料制作的蒸镀掩膜板，可以将掩膜板的厚度降低到20μm左右，而且，硅材料的掩膜板具有良好的刚性，在50～100mm边长尺寸的显示面板上，可以将像素
的分辨率提升到5000以上，非常适合ar(augmented reality，增强现实)，vr(virtual reality，虚拟现实)等显示产品的制备，理论上可以直接将硅片作为蒸镀掩膜板。
61.但是，由于硅材料掩膜板的厚度在20μm以上，如果硅材料掩膜板厚度减薄会导致硅片形变或者碎裂，同时，在制备ar或者vr显示产品时，由于掩膜板上的掩膜图形开孔的孔径尺寸较小，20μm厚度的掩膜板上掩膜图形开孔的孔深为20μm，掩膜图形开孔的孔深与孔径的比例较大，使掩膜图形开孔会对蒸镀材料形成一定的阻挡，导致子像素区域内的不同位置处蒸镀材料的堆积量出现差别。
62.如图1a和图1b所示，由于硅材料掩膜板的掩膜图形开孔11的孔深h与孔径m的比例较大，实际蒸镀后，子像素区域内不同位置处的发光层成膜厚度会出现不均匀的情况，这种膜厚分布会导致发光器件特性下降。
63.如图2a、图2b和图2c所示，为几种常见的发光层蒸镀膜厚分布不均匀的情况，膜厚不均匀可能会出现在子像素的中心区域，也可能会出现在子像素的边缘区域，还可能是在子像素区域内呈条状分布。影响发光层膜厚分布的因素主要有蒸镀源喷嘴的间距，喷嘴的角度，蒸镀源到待镀基板的距离，子像素开口的大小和形貌等，但是在目前情况下，很难实现子像素区域内发光层的成膜平整。
64.为了解决采用硅材料的掩膜板蒸镀形成的膜层厚度不均匀的问题，本发明实施例提供一种显示面板，如图3a和图3b所示，包括基板1、第一平坦层2和第一电极3，第一平坦层2和第一电极3依次叠置于基板1的一侧，还包括辅助电极4和第二平坦层5，辅助电极4和第二平坦层5位于第一电极3和第一平坦层2之间，且依次远离基板1叠置，辅助电极4在基板1上的正投影位于第一电极3在基板1上的正投影区域内。
65.其中，当采用硅材料掩膜板在第一电极3的背离基板1的一侧蒸镀形成后续膜层(如蒸镀发光功能层材料形成发光功能层)时，可以向辅助电极4上加电，同时蒸镀源一侧可以使蒸镀材料带电，带电的蒸镀材料在辅助电极4的电场作用下蒸镀至第一电极3的背离基板1的一侧，从而形成后续膜层(如发光功能层)。
66.在一些实施例中，如图4a、图4b和图4c所示，在蒸镀源6喷嘴60出口的地方增加静电感应装置，使通过喷嘴60的蒸镀材料被感应后带静电，如蒸镀材料被感应后带正电荷。如此一方面有利于增加蒸镀材料之间的均匀度，另一方面还能防止蒸镀材料在喷嘴60出口处堆积。如喷嘴60出口处采用了无机静电感应材料，例如sic(碳化硅)等，为了确保蒸镀材料能够充分带电，向喷嘴60出口处施加5～180v的直流电压，从而使蒸镀材料在通过喷嘴60出口时被感应出静电而带电。
67.在一些实施例中，向辅助电极4施加1～36v的直流负电压，如此辅助电极4的设置区域会对蒸镀材料形成一定的吸引力，从而改变蒸镀材料的运动方向，进而改变蒸镀材料在第一电极3上的落点位置或者堆积位置，以使最终的成膜形貌发生变化。
68.本实施例中，通过在第一电极3和第一平坦层2之间设置辅助电极4，能在采用硅材料掩膜板在第一电极3的背离基板1的一侧蒸镀形成后续膜层时，通过向辅助电极4加电形成的电场能对蒸镀材料的运动角度和在第一电极3上的落点进行调整，从而提升第一电极3背离基板1一侧膜层成膜厚度的均一性。
69.在一些实施例中，第一电极3为有机电致发光器件(即oled器件)的阳极。第一电极3背离基板1一侧的膜层如发光功能层，发光功能层形成在第一电极3所在区域，辅助电极4
的设置，能确保采用硅材料掩膜板蒸镀形成的发光功能层的膜层均一性，从而提升有机电致发光器件的发光性能。
70.在一些实施例中，如图3b所示，显示面板还包括像素界定层7，位于第一电极3的背离基板1的一侧，像素界定层7中开设有开口，开口在基板1上的正投影与第一电极3在基板1上的正投影交叠；辅助电极4在基板1上的正投影位于开口在基板1上的正投影区域内；显示面板还包括辅助连接线8，辅助连接线8与辅助电极4同层设置且连接，辅助连接线8通过开设在第二平坦层5和像素界定层7中的过孔连接第一供电部9。
71.其中，第一供电部9用于向辅助电极4施加电压。
72.在一些实施例中，如图5a所示，开口在基板1上的正投影包括中间区301和边缘区302，边缘区302围设于中间区301的外围，辅助电极4在基板1上的正投影位于边缘区302，且辅助电极4在基板1上的正投影至少覆盖边缘区302的局部。
73.在一些实施例中，如图5a所示，辅助电极4在基板1上的正投影形状包括环形，辅助电极4在基板1上的正投影面积小于边缘区302的面积。
74.在一些实施例中，图5a中的辅助电极4设置是针对位于第一电极3背离基板1一侧的膜层在蒸镀完成后其位于中间区301的膜厚大于其位于边缘区302的膜厚的情况的解决方案，即当在第一电极3背离基板1的一侧蒸镀膜层时，辅助电极4加电后能吸引带电的蒸镀材料落在辅助电极4所对应区域，从而使蒸镀形成的膜层厚度均一。
75.在一些实施例中，如图5b所示，开口在基板1上的正投影包括中间区301和边缘区302，边缘区302围设于中间区301的外围，辅助电极4在基板1上的正投影位于中间区301，且辅助电极4在基板1上的正投影至少覆盖中间区301的局部。
76.在一些实施例中，图5b中的辅助电极4设置是针对位于第一电极3背离基板1一侧的膜层在蒸镀完成后其位于边缘区302的膜厚大于其位于中间区301的膜厚的情况的解决方案，即当在第一电极3背离基板1的一侧蒸镀膜层时，辅助电极4加电后能吸引带电的蒸镀材料落在辅助电极4所对应区域，从而使蒸镀形成的膜层厚度均一。
77.在一些实施例中，中间区301的面积不大于第一电极3在开口处裸露区域面积的25％～50％；例如：开口在基板1上的正投影尺寸为5*15μm，中间区301的尺寸为2.5*7.5μm。边缘区302的面积不大于第一电极3在开口处裸露区域面积的25％～50％。例如：开口在基板1上的正投影尺寸为5*15μm，边缘区302内无辅助电极4区域的尺寸为4*12μm。
78.在一些实施例中，如图5c所示，辅助电极4包括多条第一辅助电极41和多条第二辅助电极42，第一辅助电极41沿第一方向y延伸，第二辅助电极42沿第二方向x延伸，第一方向y和第二方向x相交。辅助电极4包括多个第一辅助电极41及两个第二辅助电极42，两个第二辅助电极42分别位于开口的相对边沿，多个第一辅助电极41位于两个第二辅助电极42之间，且至少一个第一辅助电极41与至少一个第二辅助电极42连接。
79.在一些实施例中，辅助电极4的宽度范围均为0.2～1μm。
80.在一些实施例中，第一辅助电极41和第二辅助电极42上施加的电压极性相同或相反。当第一辅助电极41和第二辅助电极42上施加的电压极性相同时，第一辅助电极41和第二辅助电极42对蒸镀材料均为吸引力，能使蒸镀膜层的厚度趋于均匀。当第一辅助电极41和第二辅助电极42上施加的电压极性相反时，会在第一电极3的表面形成一个平面电场，对蒸镀材料的运动方向和落点位置进行调整，从而使蒸镀膜层的厚度趋于均匀。
81.在一些实施例中，第一辅助电极41和第二辅助电极42上施加的电压可以相同，也可以不同，电压相同时对蒸镀材料的吸引力相同，电压不同时，对蒸镀材料的吸引力不同，无论电压相同或不同，最终能够使蒸镀膜层的厚度趋于均匀即可。
82.在一些实施例中，如图5d所示，辅助电极4包括两个第一辅助电极41及两个第二辅助电极42，第一辅助电极41和第二辅助电极42分别位于开口的边沿；辅助电极4还包括多条第三辅助电极43和多条第四辅助电极44，第三辅助电极43和第四辅助电极44的宽度小于第一辅助电极41和第二辅助电极42的宽度；第三辅助电极43沿第一方向y延伸，且与第二辅助电极42靠近开口中心的一侧连接；第四辅助电极44沿第二方向x延伸，且与第一辅助电极41靠近开口中心的一侧连接；第三辅助电极43和第四辅助电极44在基板1上的正投影之间不交叠。
83.其中，辅助电极4的宽度范围均为0.2～1μm。图5d中辅助电极4的分布，在各辅助电极上施加相同极性的电压后，能够形成不规则分布的电场，从而对蒸镀材料的落点位置进行调整。
84.需要说明的是，图5d中第一辅助电极41、第二辅助电极42、第三辅助电极43和第四辅助电极44上也可以施加不同极性的电压；第一辅助电极41、第二辅助电极42、第三辅助电极43和第四辅助电极44上可以施加相同或者不同的电压；以便调整蒸镀材料的落点位置，从而使蒸镀膜层的厚度趋于均匀。
85.在一些实施例中，如图5e所示，辅助电极4包括多个环形子电极40，多个环形子电极40相互嵌套且中心重合，多个环形子电极40彼此间隔分布。
86.在一些实施例中，每个环形子电极40的宽度尺寸范围为0.2～1μm。
87.在一些实施例中，如图5e所示，任意相邻两个环形子电极40上施加的电压可以极性相同或相反，任意相邻两个环形子电极40上施加的电压大小可以相同也可以不同，只要能够使蒸镀膜层的厚度趋于均匀即可。
88.在一些实施例中，如图5f所示，辅助电极4包括多个第一辅助电极41和多个第二辅助电极42，多个第一辅助电极41和多个第二辅助电极42相互交叉呈网格状。
89.在一些实施例中，第一辅助电极41和第二辅助电极42的宽度尺寸范围均为0.2～1μm。通过对网格状的辅助电极4施加电压，形成的电场能对蒸镀材料产生吸引力，以对蒸镀材料的运动方向和落点位置进行调整，从而使蒸镀膜层的厚度趋于均匀。
90.在一些实施例中，如图3a和图3b所示，基板1包括玻璃基底(glass)，依次设置于玻璃基底(glass)上的缓冲层(buffer)和像素电路，像素电路采用目前比较成熟的驱动电路，如3t1c、7t1c、9t1c等的电路，这里不再赘述。像素电路包括驱动晶体管，驱动晶体管包括栅极(gate1，gate2)、栅绝缘层(gi1、gi2)、有源层(p-si)、源极(sd1、sd2)和漏极(sd1、sd2)。栅极(gate2)与源极(sd1)和漏极(sd1)之间还设置有中间介电层(ild)，源极(sd1)和漏极(sd1)与源极(sd2)和漏极(sd2)之间还设置有钝化层(pvx1)。源极(sd1)与源极(sd2)通过开设在钝化层(pvx1)中的过孔连接；漏极(sd1)与漏极(sd2)通过开设在钝化层(pvx1)中的过孔连接。漏极(sd2)与第一电极3通过开设在第一平坦层2和第二平坦层5中的过孔连接。
91.在一些实施例中，有源层可以采用低温多晶硅材料，也可以采用氧化物半导体材料或者非晶硅材料，这里不做限定。
92.本实施例中所提供的显示面板，通过在第一电极和第一平坦层之间设置辅助电
极，能在采用硅材料掩膜板在第一电极的背离基板的一侧蒸镀形成后续膜层时，通过向辅助电极加电形成的电场能对蒸镀材料的运动角度和在第一电极上的落点进行调整，从而提升第一电极背离基板一侧膜层成膜厚度的均一性。
93.本发明实施例还提供一种上述显示面板的制备系统，如图4a所示，包括掩膜板10和蒸镀源6，掩膜板10用于设置在显示面板与蒸镀源6之间；掩膜板10上开设有镂空图案100，镂空图案100与显示面板的像素界定层中的开口相对应；掩膜板10采用硅材料；蒸镀源6的喷嘴60采用无机静电感应材料；喷嘴60电连接第二供电部。
94.在一些实施例中，掩膜板10的厚度为20μm左右，镂空图案100的径向尺寸范围为1～5μm。喷嘴60的高度范围为3～12cm，喷嘴60出口尺寸范围为0.3～2cm，喷嘴60采用无机静电感应材料，例如sic(碳化硅)等，向喷嘴60施加5～180v的直流电压，能使蒸镀材料在通过喷嘴60出口时被感应出静电而带电。
95.本发明实施例还提供一种上述显示面板的制备方法，包括：第一供电部向辅助电极施加第一电压，第二供电部向蒸镀源的喷嘴施加第二电压，从喷嘴输出的蒸镀材料在第二电压的作用下被感应带电，带电的蒸镀材料在辅助电极电场的作用下蒸镀至显示面板的像素界定层开口中的相应区域，形成发光功能层。
96.该显示面板可以为：oled面板、oled电视、手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
97.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种显示面板，包括基板、第一平坦层和第一电极，所述第一平坦层和所述第一电极依次叠置于所述基板的一侧，其特征在于，还包括辅助电极和第二平坦层，所述辅助电极和所述第二平坦层位于所述第一电极和所述第一平坦层之间，且依次远离所述基板叠置，所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，位于所述第一电极的背离所述基板的一侧，所述像素界定层中开设有开口，所述开口在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影交叠；所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述开口在所述基板上的正投影区域内；所述显示面板还包括辅助连接线，所述辅助连接线与所述辅助电极同层设置且连接，所述辅助连接线通过开设在所述第二平坦层和所述像素界定层中的过孔连接第一供电部。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述开口在所述基板上的正投影包括中间区和边缘区，所述边缘区围设于所述中间区的外围，所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述边缘区的局部，和/或，所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述中间区的局部。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，当所述辅助电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述边缘区的局部时，所述辅助电极在所述基板上的正投影形状包括环形；所述辅助电极在所述基板上的正投影面积小于所述边缘区的面积。5.根据权利要求3-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述中间区的面积不大于所述第一电极在所述开口处裸露区域面积的25％～50％；所述边缘区的面积不大于所述第一电极在所述开口处裸露区域面积的25％～50％。6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括多条第一辅助电极和多条第二辅助电极，所述第一辅助电极沿第一方向延伸，所述第二辅助电极沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括多个所述第一辅助电极及两个所述第二辅助电极，两个所述第二辅助电极分别位于所述开口的相对边沿，所述多个第一辅助电极位于两个所述第二辅助电极之间，且至少一个所述第一辅助电极与至少一个所述第二辅助电极连接。8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括两个所述第一辅助电极及两个所述第二辅助电极，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极分别位于所述开口的边沿；所述辅助电极还包括多条第三辅助电极和多条第四辅助电极，所述第三辅助电极和所述第四辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的宽度；所述第三辅助电极沿所述第一方向延伸，且与所述第二辅助电极靠近所述开口中心的
一侧连接；所述第四辅助电极沿所述第二方向延伸，且与所述第一辅助电极靠近所述开口中心的一侧连接；所述第三辅助电极和所述第四辅助电极在所述基板上的正投影之间不交叠。9.根据权利要求7或8所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的的宽度范围均为0.2～1μm。10.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括多个环形子电极，所述多个环形子电极相互嵌套且中心重合，所述多个环形子电极彼此间隔分布。11.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括多个第一辅助电极和多个第二辅助电极，所述多个第一辅助电极和所述多个第二辅助电极相互交叉呈网格状。12.一种如权利要求1-11任意一项所述的显示面板的制备系统，其特征在于，包括掩膜板和蒸镀源，所述掩膜板用于设置在显示面板与所述蒸镀源之间；所述掩膜板上开设有镂空图案，所述镂空图案与所述显示面板的像素界定层中的开口相对应；所述掩膜板采用硅材料；所述蒸镀源的喷嘴采用无机静电感应材料；所述喷嘴电连接第二供电部。13.一种如权利要求1-11任意一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括：第一供电部向辅助电极施加第一电压，第二供电部向蒸镀源的喷嘴施加第二电压，从所述喷嘴输出的蒸镀材料在所述第二电压的作用下被感应带电，带电的蒸镀材料在所述辅助电极电场的作用下蒸镀至所述显示面板的像素界定层开口中的相应区域，形成发光功能层。

技术总结
本发明提供一种显示面板，包括基板、第一平坦层和第一电极，第一平坦层和第一电极依次叠置于基板的一侧，还包括辅助电极和第二平坦层，辅助电极和第二平坦层位于第一电极和第一平坦层之间，且依次远离基板叠置，辅助电极在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影区域内。该显示面板，能在采用硅材料掩膜板在第一电极的背离基板的一侧蒸镀形成后续膜层时，通过向辅助电极加电形成的电场能对蒸镀材料的运动角度和在第一电极上的落点进行调整，从而提升第一电极背离基板一侧膜层成膜厚度的均一性。度的均一性。度的均一性。


技术研发人员：赵德江
受保护的技术使用者：北京京东方技术开发有限公司
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/8/14