一种Yb

一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法
技术领域
1.本发明属于光电技术领域，具体涉及一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法。


背景技术：

2.上转换材料(upconversion material)是一种可以将低能量的光子转换为高能量光子发射的材料，比如将吸收的近红外光转换为可见光发射，这种现象违背stokes定律,因此又被称为反stokes定律发光材料，因其发光谱线丰富可调，应用涉及荧光探针、生物成像、红外探测与显示、诊疗、光学通讯、防伪等领域。
3.上转换发光材料通常由基质材料、稀土激活剂和敏化剂组成。稀土上转换纳米发光材料基质的选择材料、敏化剂和激活剂是影响稀土发光材料发光性能的主要因素。发光材料对于基质材料的要求是一般不能受到激发而发光，但能为激活离子提供合适的晶体场，降低无辐射跃迁几率，使其产生光谱发射。稀土离子作为掺杂离子在制备上转换发光材料中扮演着极为重要的角色，稀土yb
3+
是最为常用且有效的上转换敏化剂，其激发光波长是980nm，当yb
3+
和其他稀土离子共掺杂到基质中，激发敏化剂yb
3+
离子，通过yb
3+
离子能量传递引起光子叠加效应，使得上转换发光效率大大提高。


技术实现要素：

4.本发明基于量子点加led芯片的pc-led结构，将制备的量子点通过热固化方法或紫外固化方法与alingan基led芯片或algainp基led芯片结合制备高效下转换pc-led光源，其发光波长能够涵盖主峰在980nm的yb
3+
敏化上转换材料的激发谱。本发明获得了一种新的制备yb
3+
敏化的上转换材料激发光源的思路，通过对量子点进行材料选择、尺寸调整、孔径改变，实现pc-led光源峰值波长在950nm-1100nm范围发射。目前，市场上是利用高功率ingaas二极管激光系统为上转换材料yb
3+
提供980nm的激发光源。相比于ingaas二极管，本发明使用的led由于工艺成熟，可靠性更高，能耗更低，价格低，并且因为led功率低，不会对人体造成伤害，所以安全性更高。因此，本发明对于yb
3+
敏化的上转换材料的应用具有重要价值。
5.本发明的技术方案为：一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：(1)制备发光峰值波长在950nm-1100nm范围的量子点材料，所述量子点材料为：
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2(0≤x≤1)，其尺寸为6nm-12nm；石墨烯量子点gqds，其尺寸为7nm-12nm；ii-vi族镉基量子点cdse/zns、cds/cdse/cds，其尺寸为10nm-16nm；钙钛矿量子点cspbx3(x＝cl、br、i)，其尺寸为10nm-14nm；(2)制备基于量子点下转换led光的pc-led激发光源，其发光波长能够涵盖主峰在980nm的yb
3+
敏化上转换材料的激发谱。
6.在步骤(1)中，所述的制备方法可以为水热溶剂热法、热注入法、过饱和结晶法、化学氧化法、逐步有机合成法等。
7.在步骤(1)中，所述的
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2(0≤x≤1)的制备方法是：利用热注入法，其中，是将硫粉、油胺、十八烯混合和磁力搅拌子放入三口烧瓶抽真空、充氮气且升温，形成前体溶液a，将十八烯、ag2so4、cui、油酸、正十二硫醇(ddt)和磁力搅拌子放入三口烧瓶，进行多次抽真空、通氮气和升温操作，形成前体溶液b，在真空且高温的溶液环境下，用长针管抽取a的前驱体溶液，快速注入到b前体溶液中合成ag
x
cu
1-x
ins2量子点；所述
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2的发光波长调控方法是：
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例范围从4：1逐渐递减到1：2，
②
控制ag
x
cu
1-x
ins2量子点中x的值，
③
控制反应温度范围从130℃到180℃，步长为10℃，
④
控制反应时间范围从10min到30min，步长为5min；制备的量子点尺寸为6nm-12nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。
8.在步骤(1)中，所述的石墨烯量子点，是利用水热溶剂热法制备，利用改进的hummers法将石墨制备成氧化石墨烯，再将氧化石墨烯和水合肼、氨水等含硫、氮的化合物混合并转移至反应釜中水热合成，在高温下反应数小时后，最后通过离心洗涤得到硫、氮修饰的石墨烯量子点；所述石墨烯量子点gqds的发光波长调控方法是：
①
控制反应温度范围从120℃到220℃，步长为10℃，
②
控制反应时间范围从8h到14h，步长为1h；制备的量子点尺寸为7nm-12nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。
9.在步骤(1)中，所述的ii-vi族镉基量子点的制备，是利用三相法(lss)和水热溶剂热法，加入反应体系的油酸和乙醇构成液相(l)，含金属离子的水溶液和乙醇为溶液相(s)，油酸钠为固相(s)，组成lss三相体系，反应中，镉的前驱物是乙酸镉、硒的前驱物是硒粉、锌的前驱物是乙酸锌、硫的前驱物是硫化钠，常温配比结束并在溶剂中用玻璃棒充分搅拌后，转移至反应釜中水热合成，在高温下反应数小时后，将混合产物通过离心洗涤得到cdse/zns量子点、cds/cdse/cds量子点；所述ii-vi族镉基量子点cdse/zns、cds/cdse/cds的发光波长调控方法是：
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例范围从5：1逐渐递减到1：5，
②
控制反应温度范围从180℃到240℃，步长为10℃，
③
控制反应时间范围从10h到16h，步长为1h；制备的量子点尺寸为10nm-16nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。
10.在步骤(1)中，所述的钙钛矿量子点的制备，是利用热注入法，其中，是将碳酸铯、油酸、十八烯混合和磁力搅拌子放入三口烧瓶抽真空、充氮气且升温，形成前体溶液a，将十八烯、pbx2和磁力搅拌子放入三口烧瓶，打开磁力搅拌，进行多次抽真空、通氮气和升温操作，使用注射器向三口烧瓶中快速注入油酸、油胺，pbx2完全溶解后，形成前体溶液b，在真空且高温的溶液环境下，用长针管抽取a的前驱体溶液，快速注入到b前体溶液中迅速合成cspbx3(x＝cl、br、i)量子点；所述钙钛矿量子点cspbx3(x＝cl、br、i)的发光波长调控方法是：
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，通过该方法获得cspbbr
x
cl
3-x
、cspbbr
xi3-x
量子点，
②
控制反应温度范围从180℃到220℃，步长为10℃，
③
控制反应时间范围从5s到30s，步长为5s；制备的量子点尺寸为10nm-14nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。
11.在步骤(1)中，所述的钙钛矿量子点的制备，可以是利用过饱和结晶法，其中，过饱
和结晶法是在室温下，在溶剂dmf或dmso中溶解pb和cs的反应前驱物pbx2、csx(x＝cl、br、i)，并加入oa和oam稳定，形成前体溶液，并将其加入到一定量的正己烷或环己烷中，在剧烈搅拌下得到cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，制备的量子点尺寸为10nm-14nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。
12.在步骤(2)中，所述的led芯片可选alingan基芯片，即alingan体系芯片，包括alingan、algan、ingan和gan等led芯片，alingan基led芯片发光波长范围是200nm-550nm，其中，alingan led芯片发光波长范围是380nm-480nm，algan led芯片发光波长范围是200nm-400nm，ingan led芯片发光波长范围是380nm-550nm，gan led芯片发光波长范围是400nm-500nm。
13.在步骤(2)中，所述的led芯片也可选algainp基芯片，即algainp体系芯片，包括algainp、gainp、algap和inp等led芯片，algainp基led芯片其发光波长范围是570nm-750nm，其中，algainp led芯片发光波长范围是570nm-690nm，gainp led芯片发光波长范围是570nm-610nm，algap led芯片发光波长范围是630nm-690nm，inp led芯片发光波长范围是690nm-750nm。
14.在步骤(2)中，所述的pc-led光源的结构是通过量子点下转换led芯片发光，从而实现yb
3+
敏化上转换材料所需的激发光能，其实现方法是将量子点充分分散在封装胶中，并涂覆在芯片表面，经过固化方法形成量子点加led的pc-led结构。
15.在权力要求7中，所述的固化方法可以是热固化方法，也可以是紫外固化方法。
16.在权力要求8中，所述的pc-led的固化方法可以是热固化，具体是将led封装胶(硅胶)a胶、b胶和量子点按一定的质量比例(量子点/(a+b)＝1/8,a/b＝1/3)混合，用玻璃棒搅拌10min-15min并放入真空脱泡机脱泡，之后用点胶法将脱泡好的量子点、封装胶混合材料涂覆led芯片表面，并在烘箱中100℃-150℃范围内烘烤60min-90min，制得yb
3+
敏化的上转换材料的pc-led激发光源。
17.在权力要求8中，所述的pc-led的固化方法可以是热固化，具体是将环氧树脂和量子点按一定的质量比例混合，用玻璃棒搅拌10min-15min并放入真空脱泡机脱泡，之后用点胶法将脱泡好的混合材料涂覆到algainp基led芯片表面，并在烘箱中100℃-150℃范围内烘烤60min-90min，制得yb
3+
敏化的上转换材料的pc-led激发光源。
18.在权力要求8中，所述的pc-led的固化方法可以是紫外固化，将制备的量子点与紫外固化胶混合均匀，之后用点胶法将混合均匀的量子点涂覆led芯片表面，并用365nm的紫外固化灯固化量子点，制得yb
3+
敏化的上转换材料的pc-led激发光源。
19.在步骤(2)中，所述的上转换材料是稀土离子材料包括氧化物、硫化物、氟化物等，具有较高的上转换效率和发光强度。稀土材料的吸收光谱通常具有较为复杂的结构特征，其吸收峰一般分布在紫外光和可见光区域。吸收光谱的形状和峰位位置与稀土元素的离子半径、电子构型、晶体场、共价效应等因素有关，不同的稀土元素和化合物的吸收光谱会有所不同。稀土材料yb
3+
的吸收光是980nm，以下是—些常见稀土材料的吸收光谱特征:氧化铕(eu2o3):吸收峰位于300-400nm和465nm处，其中465nm处峰值强度最大。氧化铽(tb
203
):吸收峰位于200-300nm和350-400nm处，其中350nm处峰值强度最大。氧化钆(gd
203
):吸收峰位于200-250nm和300-350nm处，其中250nm处峰值强度最大。氧化镝(dy
203
):吸收峰位于200-300nm和400-500nm处，其中400nm处峰值强度最大。氧化镧(la2o3):吸收峰位于200-300nm和
350-400nm处，其中350nm处峰值强度最大。
附图说明
20.图1为本发明所述的pc-led发光示意图，其中led chip是指alingan基led芯片或algainp基led芯片；quantum dot是指量子点；infrared light是指峰值波长在950nm-1100nm范围的发射光。
21.图2为本发明所述的pc-led光源结构图。
具体实施方式
22.下面结合附图以及实施案例对本发明作进一步描述：
23.实施例1
24.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到alingan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
25.实施例2
26.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到alingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
27.实施例3
28.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
29.实施例4
30.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
31.实施例5
32.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到ingan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射
峰值波长为970nm的光。
33.实施例6
34.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到ingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
35.实施例7
36.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到gan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
37.实施例8
38.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到gan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
39.实施例9
40.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
41.实施例10
42.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
43.实施例11
44.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algainp led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
45.实施例12
46.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i
族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
47.实施例13
48.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
49.实施例14
50.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到gainp led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
51.实施例15
52.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algap led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
53.实施例16
54.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algap led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
55.实施例17
56.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algap led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
57.实施例18
58.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到inp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰
值波长为970nm的光。
59.实施例19
60.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到inp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为970nm的光。
61.实施例20
62.利用热注入法合成粒径大小为7nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到inp led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为970nm的光。
63.实施例21
64.利用热注入法合成粒径大小为6nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为140℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到alingan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
65.实施例22
66.利用热注入法合成粒径大小为6nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为140℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到alingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为950nm的光。
67.实施例23
68.利用热注入法合成粒径大小为6nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为140℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
69.实施例24
70.利用热注入法合成粒径大小为6nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为140℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
71.实施例25
72.利用热注入法合成粒径大小为6nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前
驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为1：1，
②
控制反应温度为140℃，
③
控制反应时间为10min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algainpled芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为950nm的光。
73.实施例26
74.利用热注入法合成粒径大小为9nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为160℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的agins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algan led芯片表面，在150℃热固化60min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1020nm的光。
75.实施例27
76.利用热注入法合成粒径大小为9nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为160℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的agins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在150℃热固化60min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1020nm的光。
77.实施例28
78.利用热注入法合成粒径大小为9nm的agins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为160℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的agins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为1020nm的光。
79.实施例29
80.利用热注入法合成粒径大小为8nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到ingan led芯片表面，在150℃热固化60min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为980nm的光。
81.实施例30
82.利用热注入法合成粒径大小为8nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algap led芯片表面，在150℃热固化60min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为980nm的光。
83.实施例31
84.利用热注入法合成粒径大小为8nm的ag
0.8
cu
0.2
ins2，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例为2：1，
②
控制反应温度为150℃，
③
控制反应时间为15min；将制备的ag
0.8
cu
0.2
ins2量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到ingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可
发射峰值波长为980nm的光。
85.实施例32
86.利用水热溶剂热法制备粒径大小为7nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为160℃，
②
控制反应时间为10h；将制备的石墨烯量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到gan led芯片表面，在110℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
87.实施例33
88.利用水热溶剂热法制备粒径大小为7nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为160℃，
②
控制反应时间为10h；将制备的石墨烯量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到inp led芯片表面，在110℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
89.实施例34
90.利用水热溶剂热法制备粒径大小为7nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为160℃，
②
控制反应时间为10h；将制备的石墨烯量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到gan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为950nm的光。
91.实施例35
92.利用水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为210℃，
②
控制反应时间为12h；将制备的石墨烯量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到alingan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1100nm的光。
93.实施例36
94.利用水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为210℃，
②
控制反应时间为12h；将制备的石墨烯量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1100nm的光。
95.实施例37
96.利用水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的石墨烯量子点，通过粒径调控
①
控制反应温度为210℃，
②
控制反应时间为12h；将制备的石墨烯量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到alingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为1100nm的光。
97.实施例38
98.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为11nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algan led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
99.实施例39
100.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为11nm的cdse/zns量子点，通过粒径调
控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
101.实施例40
102.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为11nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为950nm的光。
103.实施例41
104.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algap led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为980nm的光。
105.实施例42
106.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algap led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为980nm的光。
107.实施例43
108.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为12nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为12h；将制备的cdse/zns量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algap led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为980nm的光。
109.实施例44
110.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为14nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为5：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为14h；将制备的cdse/zns量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1020nm的光。
111.实施例45
112.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为14nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为5：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为14h；将制备的cdse/zns量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在120℃热固化80min，得到如图2的pc-led结构光源，
其发射峰值波长为1020nm的光。
113.实施例46
114.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为14nm的cdse/zns量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为5：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为14h；将制备的cdse/zns量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到gainp led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为1020nm的光。
115.实施例47
116.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为15nm的cds/cdse/cds量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间14h；将制备的cds/cdse/cds量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在130℃热固化70min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1050nm的光。
117.实施例48
118.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为15nm的cds/cdse/cds量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间14h；将制备的cds/cdse/cds量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在130℃热固化70min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1050nm的光。
119.实施例49
120.利用三相法和水热溶剂热法制备粒径大小为15nm的cds/cdse/cds量子点，通过粒径调控
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例为4：1，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间14h；将制备的cds/cdse/cds量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algainp led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为1050nm的光。
121.实施例50
122.利用热注入法制备粒径大小为10nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.8：1.2，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从5s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到ingan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
123.实施例51
124.利用热注入法制备粒径大小为10nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.8：1.2，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从5s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为950nm的光。
125.实施例52
126.利用热注入法制备粒径大小为10nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.8：1.2，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从5s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到ingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为950nm的光。
127.实施例53
128.利用热注入法制备粒径大小为12nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从15s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到algan led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为985nm的光。
129.实施例54
130.利用热注入法制备粒径大小为12nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从15s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到algainp led芯片表面，在100℃热固化90min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为985nm的光。
131.实施例55
132.利用热注入法制备粒径大小为12nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为200℃，
③
控制反应时间为从15s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到algan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为985nm的光。
133.实施例56
134.利用热注入法制备粒径大小为14nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为从20s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与道康宁oe-6550led封装胶搅拌均匀并涂覆到alingan led芯片表面，在120℃热固化70min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1100nm的光。
135.实施例57
136.利用热注入法制备粒径大小为14nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为从20s；将制备的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与环氧树脂搅拌均匀并涂覆到gainp led芯片表面，在120℃热固化70min，得到如图2的pc-led结构光源，其发射峰值波长为1100nm的光。
137.实施例58
138.利用热注入法制备粒径大小为14nm的cspbx3(x＝cl、br、i)量子点，通过粒径调控
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，控制cspbbr
xi3-x
量子点中br与i的摩尔比为0.6：2.4，
②
控制反应温度为220℃，
③
控制反应时间为从20s；将制备的
cspbx3(x＝cl、br、i)量子点与ergo8500紫外固化胶搅拌均匀，通过紫外固化方法涂覆到alingan led芯片表面，如图2，得到的pc-led可发射峰值波长为1100nm的光。

技术特征：
1.一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：(1)制备发光峰值波长在950nm-1100nm范围的量子点材料，所述量子点材料为：
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2(0≤x≤1)，其尺寸为6nm-12nm；石墨烯量子点gqds，其尺寸为7nm-12nm；ii-vi族镉基量子点cdse/zns、cds/cdse/cds，其尺寸为10nm-16nm；钙钛矿量子点cspbx3(x＝cl、br、i)，其尺寸为10nm-14nm；(2)制备基于量子点下转换led光的pc-led激发光源，其发光波长能够涵盖主峰在980nm的yb
3+
敏化上转换材料的激发谱。2.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2(0≤x≤1)的制备方法是：利用热注入法，其中，是将硫粉、油胺、十八烯混合和磁力搅拌子放入三口烧瓶抽真空、充氮气且升温，形成前体溶液a，将十八烯、ag2so4、cui、油酸、正十二硫醇(ddt)和磁力搅拌子放入三口烧瓶，进行多次抽真空、通氮气和升温操作，形成前体溶液b，在真空且高温的溶液环境下，用长针管抽取a的前驱体溶液，快速注入到b前体溶液中合成ag
x
cu
1-x
ins2量子点；所述
ⅰ‑ⅲ‑ⅵ
族量子点ag
x
cu
1-x
ins2的发光波长调控方法是：
①
控制反应前驱物中i族元素(ag+cu)和iii族元素的摩尔比例，i族元素和iii族元素比例范围从4：1逐渐递减到1：2，
②
控制ag
x
cu
1-x
ins2量子点中x的值，
③
控制反应温度范围从130℃到180℃，步长为10℃，
④
控制反应时间范围从10min到30min，步长为5min；制备的量子点尺寸为6nm-12nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。3.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的石墨烯量子点，是利用水热溶剂热法制备，利用改进的hummers法将石墨制备成氧化石墨烯，再将氧化石墨烯和水合肼、氨水等含硫、氮的化合物混合并转移至反应釜中水热合成，在高温下反应数小时后，最后通过离心洗涤得到硫、氮修饰的石墨烯量子点；所述石墨烯量子点gqds的发光波长调控方法是：
①
控制反应温度范围从120℃到220℃，步长为10℃，
②
控制反应时间范围从8h到14h，步长为1h；制备的量子点尺寸为7nm-12nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。4.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的ii-vi族镉基量子点的制备，是利用三相法(lss)和水热溶剂热法，加入反应体系的油酸和乙醇构成液相(l)，含金属离子的水溶液和乙醇为溶液相(s)，油酸钠为固相(s)，组成lss三相体系，反应中，镉的前驱物是乙酸镉、硒的前驱物是硒粉、锌的前驱物是乙酸锌、硫的前驱物是硫化钠，常温配比结束并在溶剂中用玻璃棒充分搅拌后，转移至反应釜中水热合成，在高温下反应数小时后，将混合产物通过离心洗涤得到cdse/zns量子点、cds/cdse/cds量子点；所述ii-vi族镉基量子点cdse/zns、cds/cdse/cds的发光波长调控方法是：
①
控制反应前驱物中ii族元素和vi族元素的摩尔比例，ii族元素和vi族元素比例范围从5：1逐渐递减到1：5，
②
控制反应温度范围从180℃到240℃，步长为10℃，
③
控制反应时间范围从10h到16h，步长为1h；制备的量子点尺寸为10nm-16nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。5.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的钙钛矿量子点的制备，是利用热注入法，其中，是将
碳酸铯、油酸、十八烯混合和磁力搅拌子放入三口烧瓶抽真空、充氮气且升温，形成前体溶液a，将十八烯、pbx2和磁力搅拌子放入三口烧瓶，打开磁力搅拌，进行多次抽真空、通氮气和升温操作，使用注射器向三口烧瓶中快速注入油酸、油胺，pbx2完全溶解后，形成前体溶液b，在真空且高温的溶液环境下，用长针管抽取a的前驱体溶液，快速注入到b前体溶液中迅速合成cspbx3(x＝cl、br、i)量子点；所述钙钛矿量子点cspbx3(x＝cl、br、i)的发光波长调控方法是：
①
通过改变钙钛矿量子点的卤族元素种类和比例来控制发光波长，通过该方法获得cspbbr
x
cl
3-x
、cspbbr
x
i
3-x
量子点，
②
控制反应温度范围从180℃到220℃，步长为10℃，
③
控制反应时间范围从5s到30s，步长为5s；制备的量子点尺寸为10nm-14nm，发光峰值波长在950nm-1100nm范围。6.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述的led芯片可选alingan基芯片，即alingan体系芯片，包括alingan、algan、ingan和gan等led芯片，alingan基led芯片发光波长范围是200nm-550nm，其中，alingan led芯片发光波长范围是380nm-480nm，algan led芯片发光波长范围是200nm-400nm，ingan led芯片发光波长范围是380nm-550nm，gan led芯片发光波长范围是400nm-500nm；也可选algainp基芯片，即algainp体系芯片，包括algainp、gainp、algap和inp等led芯片，algainp基led芯片其发光波长范围是570nm-750nm，其中，algainp led芯片发光波长范围是570nm-690nm，gainp led芯片发光波长范围是570nm-610nm，algap led芯片发光波长范围是630nm-690nm，inp led芯片发光波长范围是690nm-750nm。7.根据权利要求1所述的一种yb
3+
敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述的pc-led光源的结构是通过量子点下转换led芯片发光，从而实现yb
3+
敏化上转换材料所需的激发光能，其实现方法是将量子点充分分散在封装胶中，并涂覆在芯片表面，经过固化方法形成量子点加led的pc-led结构。8.根据权利要求7所述的一种yb
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敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：权力要求7所述的固化方法可以是热固化方法，也可以是紫外固化方法。9.根据权利要求8所述的一种yb
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敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在权力要求8所述的固化方法中，热固化方法具体是：将led封装硅胶a胶、b胶和量子点按一定的质量比例(量子点/(a+b)＝1/8,a/b＝1/3)混合，用玻璃棒搅拌10min-15min并放入真空脱泡机脱泡，之后用点胶法将脱泡好的量子点、封装胶混合材料涂覆led芯片表面，并在烘箱中100℃-150℃范围内烘烤60min-90min，制得yb
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敏化的上转换材料的pc-led激发光源；紫外固化方法具体是：将制备的量子点与紫外固化胶混合均匀，之后用点胶法将混合均匀的量子点涂覆led芯片表面，并用365nm的紫外固化灯固化量子点，制得yb
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敏化的上转换材料的pc-led激发光源。10.根据权利要求8所述的一种yb
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敏化上转换材料用的量子点pc-led激发光源的制备方法，其特征在于：在权力要求8所述的固化方法中，热固化方法具体是：也可以将环氧树脂和量子点按一定的质量比例混合，用玻璃棒搅拌10min-15min并放入真空脱泡机脱泡，之后用点胶法将脱泡好的混合材料涂覆到algainp基led芯片表面，并在烘箱中100℃-150℃范围内烘烤60min-90min，制得yb
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敏化的上转换材料的pc-led激发光源。

技术总结
本发明公开了一种Yb


技术研发人员：饶海波 罗彪 马远豪 冀晨飞 段昶旭
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2023.05.11
技术公布日：2023/8/14