信号耦合器件的制作方法

信号耦合器件
1.其他申请的交叉引用
2.本专利申请要求于2022年2月9日提交的名称为“signal coupling device”的美国临时专利申请第63/308,433号的优先权，该美国临时专利申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文以用于所有目的。
技术领域
3.本发明涉及一种信号耦合器件，更具体地，涉及一种调整电容值和/或电感值以有效地传输宽带信号的信号耦合器件。


背景技术：

4.差分信号变压器用于信号传输并且通常包括环形磁体，该环形磁体具有缠绕在环形磁体周围的一根或多根导线。当交变电流通过其中一根导线时，会在磁体中产生交变磁通量，从而在其他导线中感应出电流。由于缠绕操作通常涉及将多根细线多次缠绕在环形线圈上，因此这些变压器可能难以制造。随着变压器性能要求的提高和电子器件变得更加紧凑，通常无法使用自动化制造工艺，从而需要手工作业。这导致增加的成本和制造可变性，从而降低产量并进一步增加成本。因此需要能够满足新型电子器件的性能要求、尺寸要求和成本要求的新型信号变压器。


技术实现要素：

5.在一些实施方案中，一种电子器件包括低频电路，该低频电路包括具有开口的磁环和杆形磁体。第一级电路围绕磁环的至少一部分形成，并且在第一级电路输入端和第一级电路输出端之间延伸。第二级电路围绕磁环的至少一部分形成，并且在第二级电路输入端和第二级电路输出端之间延伸。高频电路包括第三级电路，该第三级电路围绕杆形磁体的至少一部分形成，并且在第三级电路输入端和第三级电路输出端之间延伸。第四级电路围绕杆形磁体的至少一部分形成，并且在第四级电路输入端和第四级电路输出端之间延伸。初级耦合被布置为将第一级电路输出端电耦合到第三级电路输入端。次级耦合被布置为将第二级电路输出端电耦合到第四级电路输入端。
6.在一些实施方案中，杆形磁体基本上定位在磁环的开口内。在各种实施方案中，杆形磁体基本上定位在磁环的开口外部。在一些实施方案中，低频电路和高频电路被集成到一体式电子封装件中。在各种实施方案中，一体式电子封装件使用堆叠的层形成。在一些实施方案中，一体式电子封装件包括容纳空间，该容纳空间的尺寸和形状被设置成容纳磁环的至少一部分。在各种实施方案中，一体式电子封装件包括形成第一级电路、第二级电路、第三级电路和第四级电路的一部分的多个同轴通孔。在一些实施方案中，第一级电路输入端包括第一首端、第一尾端和第一抽头端。在各种实施方案中，磁环由多层磁性材料制成。在一些实施方案中，磁环为c形或圆形。
7.在一些实施方案中，电子器件包括具有开口的磁环和杆形磁体。第一绕组围绕磁
环的至少一部分形成，并且在第一绕组输入端和第一绕组输出端之间延伸。第二绕组围绕磁环的至少一部分形成，并且在第二绕组输入端和第二绕组输出端之间延伸。第三绕组围绕杆形磁体的至少一部分形成，并且在第三绕组输入端和第三绕组输出端之间延伸。第四绕组围绕杆形磁体的至少一部分形成，并且在第四绕组输入端和第四绕组输出端之间延伸。初级耦合被布置为将第一绕组输出端电耦合到第三绕组输入端。次级耦合被布置为将第二绕组输出端电耦合到第四绕组输入端。
8.在一些实施方案中，杆形磁体基本上定位在磁环的开口内。在各种实施方案中，杆形磁体基本上定位在磁环的开口外部。在一些实施方案中，磁环和杆形磁体被集成到一体式电子封装件中。在各种实施方案中，一体式电子封装件使用堆叠的层形成。在一些实施方案中，一体式电子封装件包括容纳空间，该容纳空间的尺寸和形状被设置成容纳磁环的至少一部分。在各种实施方案中，一体式电子封装件包括形成第一绕组、第二绕组、第三绕组和第四绕组的一部分的多个同轴通孔。在一些实施方案中，第一绕组包括第一首端、第一尾端和第一抽头端。在各种实施方案中，磁环由多层磁性材料制成。在一些实施方案中，磁环为c形或圆形。
9.在一些实施方案中，本发明提供了一种信号耦合器件，该信号耦合器件包括：环形非闭合磁环，该环形非闭合磁环具有磁环开口；低频处理电路模块，该低频处理电路模块具有低频处理电路模块主体、第一级电路和第二级电路，其中该低频处理电路模块主体具有低频处理容纳空间，该低频处理容纳空间被设置用于容纳该环形非闭合磁环，该第一级电路和该第二级电路分别围绕该环形非闭合磁环延伸，并且该低频处理电路模块主体将该第一级电路、该第二级电路和该环形非闭合磁环分隔开以形成低频处理磁耦合结构，并且其中该第一级电路具有第一首端、第一尾端和该第一首端与该第一尾端之间的第一抽头端，该第一首端与该第一尾端之间设有初级调整前端、初级调整中间端和初级调整后端；该第二级电路具有第二首端、第二尾端和该第二首端与该第二尾端之间的第二抽头端，该第二首端与该第二尾端之间设有次级调整前端、次级调整中间端和次级调整后端。
10.一种杆形磁性构件，该杆形磁性构件邻近磁环开口布置；高频处理电路模块，该高频处理电路模块具有高频处理电路模块主体、第三级电路和第四级电路，其中该高频处理电路模块主体具有高频处理容纳空间，该高频处理容纳空间被设置用于容纳杆形磁性构件，该第三级电路和该第四级电路分别围绕该环形非闭合磁环延伸，并且该低频处理电路模块主体将该第一级电路、该第二级电路和该杆形磁性构件分隔开以形成高频处理磁耦合结构，并且其中该第三级电路具有第三首端、第三尾端和该第三首端与该第三尾端之间的第三抽头端；其中该第三首端连接到该初级调整前端，该第三尾端连接到该初级调整后端，并且该第三抽头端连接到该初级调整中间端；该第四级电路具有第四首端、第四尾端和该第四首端与该第四尾端之间的第四抽头端；其中该第四首端连接到该次级调整前端，该第四尾端连接到该次级调整后端，并且该第四抽头端连接到该次级调整中间端。
11.任选地，在上述信号耦合器件中，该环形非闭合磁环为c形或椭圆形。
12.任选地，在上述信号耦合器件中，该高频处理电路模块和杆形磁性构件形成封装芯片。
13.任选地，在上述信号耦合器件中，该封装芯片被布置在磁环开口中或磁环开口外部。
14.任选地，在上述信号耦合器件中，该封装芯片被布置在磁环开口的前面、后面、上面或下面。
15.任选地，对于上述信号耦合器件，通过磁性多层膜的元件生产工艺将信号耦合器件集成到层压芯片中。
16.任选地，对于上述信号耦合器件，该初级调整前端被布置在该第一首端与该第一抽头端之间，该初级调整中间端被布置在该第一首端与该第一抽头端之间，该初级调整后端被布置在该第一抽头端与该第一尾端之间；该次级调整前端被布置在该第二首端与该第二抽头端之间，该次级调整中间端被布置在该第二首端与该第二抽头端之间，该次级调整后端被布置在该第二抽头端与该第二尾端之间。
17.因此，本发明能够实现基于变压器原理的差分信号耦合器件。本发明的信号耦合器件通过磁性多层膜的元件制造工艺形成小型化的信号耦合器件。此外，环形非闭合磁环和杆形磁性构件的组合结构被用于提供低频和高频信号处理，以实现宽带信号传输的目的。
18.通过本发明实现了优于常规技术的许多益处。例如，本发明的实施方案提供了优化信号耦合器件的电感和电容以减少系统的回波损耗和/或插入损耗的能力。减少的损耗可以使差分信号传输电路能够进一步传输信号，和/或需要更少的功率来传输与传统技术相同距离的信号。在宽带通信频谱上优化电感和电容的能力还可以使差分信号传输电路能够在更宽的频率范围上以增加的效率运行，从而实现更高的数据传输速率。将信号耦合器件集成在采用同轴通孔和金属电路迹线的电子封装件内可以提高器件的一致性和产量，并且可以使得能够使用自动化制造技术。本发明的这些和其他实施方案及其许多优点和特征将结合下文和附图更详细地描述。
19.为了更好地理解本公开的性质和优点，应参考以下描述和附图。然而，应理解，这些附图中的每一者仅出于说明的目的而提供，并不旨在作为对本公开范围的限制的定义。另外，作为一般规则，除非明显与描述相反，否则在不同附图中的元件使用相同的附图标记的情况下，这些元件通常在功能或目的上相同或至少类似。
附图说明
20.图1示出了根据本公开的实施方案的信号耦合器件的简化平面图；
21.图2a示出了根据本发明的实施方案的实现为电子封装件的图1的信号耦合器件的简化平面图；
22.图2b示出了图2a的电子封装件的一部分的横截面；
23.图3示出了图2a中所示的电子封装件的简化等距视图，其中为了清楚起见移除了主体的一部分；
24.图4示出了根据本公开的实施方案的高频处理电路模块的简化等距特写视图；并且
25.图5示出了根据本公开的实施方案的示例性信号耦合器件的回波损耗的简化模拟结果。
具体实施方式
26.在以下描述中，将描述各种实施方案。出于解释的目的，阐述具体配置和细节以便提供对实施方案的透彻理解。然而，对于本领域技术人员还将显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些实施方案。此外，可省略或简化众所周知的特征以便不混淆所描述的实施方案。
27.为了更好地理解本公开的特征和方面，在以下部分中通过讨论根据本公开的实施方案的用于宽带信号传输的信号耦合器件的一个具体实施来提供本公开的进一步上下文。这些实施方案仅出于说明性目的，并且其他实施方案可以具有不同的配置和/或几何形状。在不脱离本技术的原理的情况下，可以在信号耦合器件上使用各种绕组方法和绕组线圈的数量。特别地，附图中各种元件的比例和相对位置仅出于示例性目的，并不表示本技术的实际具体实施。在一些情况下，由于宽带耦合性能和高电压隔离要求，本公开的实施方案特别适合与以太网物理层设备一起使用。
28.本发明提供了一种信号耦合器件，该信号耦合器件具有优化的电容和电感以实现宽带信号传输。图1示出了根据本公开的实施方案的信号耦合器件的简化平面图。如图1所示，信号耦合器件50包括低频处理电路模块100和高频处理电路模块175。低频处理电路模块100包括开口磁环1，第一级电路2和第二级电路4围绕该环的部分缠绕。第一级电路2具有第一首端20、第一尾端21和被布置在第一首端20与第一尾端21之间的第一抽头22。第二级电路4具有第二首端40、第二尾端41和被布置在第二首端40与第二尾端41之间的第二抽头42。在低频处理电路模块100的第一级电路2的第一首端20与第一尾端21之间布置有初级调整前端23、初级调整中间端24和初级调整后端25。此外，在第二级电路4的第二首端40与第二尾端41之间布置有次级调整前端43、次级调整中间端44和次级调整后端45。
29.在一些实施方案中，初级调整前端23在定位于第一首端20与第一抽头端22之间的位置处耦合到第一级电路2；初级调整中间端24在定位于第一首端20与第一抽头端22之间的位置处耦合到第一级电路2；并且初级调整后端25在定位于第一抽头端22与第一尾端21之间的位置处耦合到第一级电路2。类似地，在一些实施方案中，次级调整前端43在第二首端40与第二抽头端42之间的位置处耦合到第二级电路4；次级调整中间端44在第二首端40与第二抽头端42之间的位置处耦合到第二级电路4；并且次级调整后端45在第二抽头端42与第二尾端41之间的位置处耦合到第二级电路4。在各种实施方案中，初级调整前端23、初级调整中间端24和初级调整后端25耦合到第一级电路2的特定位置可用于调谐信号耦合器件50的性能。类似地，在各种实施方案中，次级调整前端43、次级调整中间端44、次级调整后端45耦合到第二级电路4的特定位置可用于调谐信号耦合器件50的性能。
30.高频处理电路模块175包括杆形磁性构件5，第三级电路6和第四级电路8围绕该杆形磁性构件缠绕。第三级电路6具有第三首端60、第三尾端61和被布置在第三首端60与第三尾端61之间的第三抽头62。第三首端60连接到初级调整前端23，第三尾端61连接到初级调整后端25，并且第三抽头62连接到初级调整中间端24。
31.第四级电路8具有第四首端80、第四尾端81和被布置在第四首端80与第四尾端81之间的第四抽头端82。第四首端80连接到次级调整前端43，第四尾端81连接到次级调整后端45，并且第四抽头端82连接到次级调整中间端44。
32.在一些实施方案中，第一级电路2、第二级电路4、第三级电路6和第四级电路8各自
包括一根或多根导线，并且在一些实施方案中可以各自包括具有绝缘涂层的铜线，该铜线可以被称为“利兹”线或类似配置，然而，在其他实施方案中，该一根或多根导线可以各自包括形成在衬底上或衬底内的连接的一系列金属迹线，这些金属迹线可以使用多个通孔连接在一起，如下面更详细地解释的。在各种实施方案中，开口磁环1和杆形磁性构件5可由任何合适类型的磁性材料制成，但不限于铁磁材料，诸如层压铁、铁粉、锰锌化合物、镍锌化合物、铁氧体或其他合适材料，包括但不限于纳米晶材料，并且可由多个磁性膜层形成。更具体地，在一些实施方案中，开口磁环1和杆形磁性构件可以使用其中一个或两个磁性构件逐层形成的多层工艺来制造。在各种实施方案中，用于形成开口磁环1和/或杆形磁性构件5的磁性层的数量可用于调整信号耦合器件50的电容和/或电感。在一些实施方案中，开口磁环1和杆形磁性构件5可具有任何合适的横截面几何形状，包括但不限于圆形、正方形、矩形、卵形、椭圆形、c形等。在各种实施方案中，开口磁环1可具有任何合适的形状，包括但不限于具有开口的细长圆形(图1中示出)、具有开口的圆形、具有开口的椭圆形等。在一些实施方案中，开口磁环1和/或杆形磁性构件5可定位在衬底上、衬底内或部分地与衬底一起定位，该衬底诸如印刷电路板(pcb)、多层陶瓷板(例如，高温共烧陶瓷(htcc)、低温共烧陶瓷(ltcc))或其他合适的结构。
33.图2a示出了根据本发明的实施方案的实现为电子封装件200的信号耦合器件50的简化平面图。图2的信号耦合器件50包括与针对图1所描述的类似的部件，其中相同的标号对应于相同的部件。信号耦合器件50可以是或包括先前描述的信号耦合器件中的任一者的部件、特征或特性中的任一者。
34.在该实施方案中，开口磁环1具有带有开口205的圆形形状，并且杆形磁性构件5定位在该开口内。在其他实施方案中，杆形磁性构件5可定位在开口205的外部，例如，在开口的前面、后面、上面、邻近、接近或下面。
35.电子封装件200包括主体101，该主体限定容纳空间102，该容纳空间的尺寸和布置被设置为容纳开口磁环1和杆形磁性构件5。在一些实施方案中，主体101可包括印刷电路板或类似结构，其中容纳空间102是形成在主体内的开口或封闭区域。例如，在图2b中，示出了示例性主体101的横截面，其中容纳空间102作为具有多个层210的电路板内的封闭区域。图2b还示出了其中磁环1由多个堆叠的磁性材料层制成的实施方案。在其中主体包括pcb或类似结构的一些实施方案中，主体101还可以包括形成第一级电路2、第二级电路4、第三级电路6和/或第四级电路8的一根或多根电迹线而不是导线，如图1所述。此外，主体101可包括延伸穿过一个或多个层210以将第一级电路2、第二级电路4、第三级电路6和/或第四级电路8耦合在一起的一个或多个导电通孔215。在一些实施方案中，通孔215可以是同轴贯穿衬底通孔，用于在信号被垂直耦合时改善阻抗匹配。图2a示出了其中高频处理电路模块175包括垂直于开口磁环1取向的杆形磁性构件5的实施方案。
36.在一些实施方案中，电子封装件200可包括一个或多个外部端子(未示出)，这些外部端子定位在主体101的底侧上并且可用于将电子封装件电耦合到单独的衬底，诸如但不限于表面安装焊盘、球体(例如，焊球)、柱或任何其他合适的互连结构。
37.图3示出了图2a的电子封装件200的简化等距视图，其中为了清楚起见移除了主体101的一部分。更具体地，图3示出了其中主体101由pcb或类似结构制成，并且pcb的层被移除，仅留下形成第一级电路2和第二级电路4的电迹线305和通孔215的实施方案。图3还示出
了其中高频处理电路模块175包括平行于开口磁环1取向的杆形磁性构件5的实施方案。
38.图4示出了高频处理电路模块475的简化等距特写视图。高频处理电路模块475可以是或包括先前描述的高频处理电路模块中的任一者的部件、特征或特性中的任一者，并且高频处理电路模块可以被包括在如先前讨论的信号耦合器件或电子封装件中。更具体地，图4示出了其中高频处理电路模块主体401由pcb或类似结构制成，并且pcb的层被移除，仅留下形成第三级电路6和第四级电路8的电迹线410和通孔415的实施方案。
39.在一些实施方案中，高频处理电路模块主体401可以是主体101的一部分(参见图2a)，而在其他实施方案中，高频处理电路模块主体可以是单独的主体。高频处理电路模块主体401包括容纳空间420，该容纳空间的尺寸和布置被设置为将杆形磁性构件5完全或至少部分地容纳在主体401内。在一些实施方案中，容纳空间420可以是开放的，而在其他实施方案中，它可以是封闭的。第三级电路6和第四级电路8分别围绕杆形磁性构件5缠绕。在一些实施方案中，高频处理电路模块主体401将第三级电路6、第四级电路8和杆形磁性构件5分隔开以形成高频处理磁耦合结构。在各种实施方案中，使用多层芯片工艺将高频处理电路模块175和杆形磁性构件5制造成电子封装件(例如，图2a的封装件200)，该电子封装件可以包括微信号耦合芯片。
40.第三级电路6具有第三首端60、第三尾端61和被布置在第三首端60与第三尾端61之间的第三抽头端62，其中第三首端60连接到初级调整前端23，第三尾端61连接到初级调整后端25，并且第三抽头端62连接到初级调整中间端24。
41.第四级电路8具有第四首端80、第四尾端81和被布置在第四首端80与第四尾端81之间的第四抽头端82。第四首端80连接到次级调整前端43，第四尾端81连接到次级调整后端45，并且第四抽头端82连接到次级调整中间端44。
42.图5示出了本文所述的示例性信号耦合器件的回波损耗的简化模拟结果。如图5所示，与现有技术的结构相比，本文描述的信号耦合器件提供了改善的宽带性能。
43.如图1至图4所示，本发明的信号耦合器件具有以下特征：(1)由第一级电路2、第二级电路4、环形非闭合磁环1形成的环形磁耦合结构以及由第三级电路6、第四级电路8和杆形磁性构件5形成的线性磁耦合结构利用垂直穿过衬底的同轴贯穿衬底通孔；(2)使用例如具有c型结构的环形非闭合磁环1(c型磁环)；以及(3)邻近环形非闭合磁环1的磁环开口10布置有杆形磁性构件5(诸如微型信号耦合芯片)和高频处理电路模块175。在一些实施方案中，同轴贯穿衬底通孔可用于调整等效电容，从而改善s11在低频下的性能(例如，回波损耗)。
44.在相对高的频率下，电感调整是初级调整，电容调整是次级调整。因此，本发明的信号耦合器件通过环形非闭合磁环1、杆形磁性构件5和高频处理电路模块175的设计，在高频下具有相对理想的性能。这是因为在由杆形磁性构件的线性磁性主体形成的连接线结构中，线圈间的平面被平行地放置。由于没有环形磁体引导磁场线，该结构的磁场泄漏较少。因此，本发明的信号耦合器件可用于调整电容值和电感值以进行整体优化，并且通过上述三个特征可以实现宽带信号传输的目的。
45.在前述说明书中，已参考许多具体细节描述了本公开的实施方案，这些细节可以随具体实施而变化。因此，应将本说明书和附图视为例示性的而非限制性的。本公开的范围的唯一且排他的指示以及申请人预期的本公开的范围是从本技术发布的一组权利要求的
字面和等效范围，这些权利要求以具体形式发出，包括任何后续修正。可在不脱离本公开的实施方案的实质和范围的情况下以任何合适的方式组合特定实施方案的具体细节。
46.另外，空间相关的术语诸如“底部”或“顶部”等可用于描述元件和/或特征与另一元件和/或特征的关系，例如，如图中所示。应理解，这些空间相关的术语旨在涵盖除了图中所描绘的取向之外的器件在使用和/或操作中的不同取向。例如，如果图中的器件被翻转，则被描述为“底部”表面的元件然后可被取向为在其他元件或特征“上方”。器件能够以其他方式取向(例如，旋转90度或以其他取向)，并相应地解释本文使用的空间相关描述符。
47.如本文所用，术语“和”、“或”、“和/或”可包括多种含义，这些含义也预期至少部分地取决于使用这些术语的上下文。通常，“或”如果用于关联列表，诸如a、b或c，则旨在表示a、b和c(此处用于包含性含义)，以及a、b或c(此处用于排他性含义)。此外，如本文所用，术语“一个或多个”可用于描述单数的任何特征、结构或特性，或者可用于描述特征、结构或特性的一些组合。然而，应注意，这仅为例示性示例并且要求保护的主题不限于该示例。此外，术语“至少一个”如果用于关联列表，诸如a、b或c，则可被解释为表示a、b和/或c的任何组合，诸如a、b、c、ab、ac、bc、aa、aab、abc、aabbccc等。
48.本说明书通篇对“一个示例”、“示例”、“某些示例”或“示例性具体实施”的引用意味着结合该特征和/或示例描述的特定特征、结构或特征可以包括在要求保护的主题的至少一个特征和/或示例中。因此，在本说明书通篇各处出现的短语“在一个示例中”、“示例”、“在某些示例中”、“在某些具体实施中”或其他类似短语不一定都指代相同的特征、示例和/或限制。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或多个示例和/或特征中组合。
49.在一些具体实施中，操作或处理可能涉及物理量的物理操纵。通常，尽管不是必需的，这些量可以采用能够被存储、传送、组合、比较或以其他方式操纵的电信号或磁信号的形式。主要出于常见用法的原因，已证明有时将此类信号称为位、数据、值、元素、符号、字符、项、数字、标号等是方便的。然而，应理解，所有这些或类似术语都将与适当的物理量相关联，并且仅仅是方便的标记。除非另有明确说明，否则如从本文的讨论显而易见，应理解，在说明书通篇中，利用术语诸如“处理”、“计算”、“确定”等的讨论是指特定设备的动作或过程，诸如专用计算机、专用计算设备或类似的专用电子计算设备。因此，在本说明书的上下文中，专用计算机或类似专用电子计算设备能够操纵或变换信号，这些信号通常表示为专用计算机或类似专用电子计算设备的存储器、寄存器或其他信息存储设备、传输设备或显示设备内的物理电子量或磁性量。
50.在前述详细描述中，已阐述了许多具体细节以提供对所要求保护的主题的透彻理解。然而，本领域技术人员应理解，可在没有这些具体细节的情况下实践所要求保护的主题。在其他情况下，没有详细描述本领域普通技术人员已知的方法和设备，以免混淆所要求保护的主题。因此，旨在所要求保护的主题不限于所公开的特定示例，而是这样的所要求保护的主题还可以包括落入所附权利要求及其等同物的范围内的所有方面。

技术特征：
1.一种电子器件，其特征在于，包括：低频电路，所述低频电路包括：磁环，所述磁环具有开口；第一级电路，所述第一级电路围绕所述磁环的至少一部分形成，并且在第一级电路输入端和第一级电路输出端之间延伸；第二级电路，所述第二级电路围绕所述磁环的至少一部分形成，并且在第二级电路输入端和第二级电路输出端之间延伸；高频电路，所述高频电路包括：杆形磁体；第三级电路，所述第三级电路围绕所述杆形磁体的至少一部分形成，并且在第三级电路输入端和第三级电路输出端之间延伸；第四级电路，所述第四级电路围绕所述杆形磁体的至少一部分形成，并且在第四级电路输入端和第四级电路输出端之间延伸；初级耦合，所述初级耦合被布置为将所述第一级电路输出端电耦合到所述第三级电路输入端；和次级耦合，所述次级耦合被布置为将所述第二级电路输出端电耦合到所述第四级电路输入端。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述杆形磁体基本上定位在所述磁环的所述开口内。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述杆形磁体基本上定位在所述磁环的所述开口外部。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述低频电路和所述高频电路被集成到一体式电子封装件中。5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件使用堆叠的层形成。6.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件包括容纳空间，所述容纳空间的尺寸和形状被设置成容纳所述磁环的至少一部分。7.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件包括形成所述第一级电路、所述第二级电路、所述第三级电路和所述第四级电路的一部分的多个同轴通孔。8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一级电路输入端包括第一首端、第一尾端和第一抽头端。9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述磁环由多层磁性材料制成。10.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述磁环为c形或圆形。11.一种电子器件，其特征在于，包括：磁环，所述磁环具有开口；第一绕组，所述第一绕组围绕所述磁环的至少一部分形成，并且在第一绕组输入端和第一绕组输出端之间延伸；第二绕组，所述第二绕组围绕所述磁环的至少一部分形成，并且在第二绕组输入端和第二绕组输出端之间延伸；杆形磁体；
第三绕组，所述第三绕组围绕所述杆形磁体的至少一部分形成，并且在第三绕组输入端和第三绕组输出端之间延伸；第四绕组，所述第四绕组围绕所述杆形磁体的至少一部分形成，并且在第四绕组输入端和第四绕组输出端之间延伸；初级耦合，所述初级耦合被布置为将所述第一绕组输出端电耦合到所述第三绕组输入端；和次级耦合，所述次级耦合被布置为将所述第二绕组输出端电耦合到所述第四绕组输入端。12.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述杆形磁体基本上定位在所述磁环的所述开口内。13.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述杆形磁体基本上定位在所述磁环的所述开口外部。14.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述磁环和所述杆形磁体被集成到一体式电子封装件中。15.根据权利要求14所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件使用堆叠的层形成。16.根据权利要求14所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件包括容纳空间，所述容纳空间的尺寸和形状被设置成容纳所述磁环的至少一部分。17.根据权利要求14所述的电子器件，其中所述一体式电子封装件包括形成所述第一绕组、所述第二绕组、所述第三绕组和所述第四绕组的一部分的多个同轴通孔。18.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述第一绕组包括第一首端、第一尾端和第一抽头端。19.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述磁环由多层磁性材料制成。20.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述磁环为c形或圆形。

技术总结
一种信号耦合器件包括低频电路和高频电路，该低频电路包括具有开口的磁环，该高频电路包括杆形磁体。第一级电路围绕该磁环形成，并且在第一级电路输入端和第一级电路输出端之间延伸。第二级电路围绕该磁环形成，并且在第二级电路输入端和第二级电路输出端之间延伸。该高频电路包括第三级电路，该第三级电路围绕该杆形磁体形成，并且在第三级电路输入端和第三级电路输出端之间延伸。第四级电路围绕该杆形磁体形成，并且在第四级电路输入端和第四级电路输出端之间延伸。该第一级电路输出端耦合到该第三级电路输入端，该第二级电路输出端耦合到该第四级电路输入端。端耦合到该第四级电路输入端。端耦合到该第四级电路输入端。


技术研发人员：邱世昌 魏冠雄 法瑞德
受保护的技术使用者：嘉瑞企业有限公司
技术研发日：2023.02.09
技术公布日：2023/8/14